JP2622582B2 - 低温焼成基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2622582B2 JP2622582B2 JP63139465A JP13946588A JP2622582B2 JP 2622582 B2 JP2622582 B2 JP 2622582B2 JP 63139465 A JP63139465 A JP 63139465A JP 13946588 A JP13946588 A JP 13946588A JP 2622582 B2 JP2622582 B2 JP 2622582B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mullite
- powder
- temperature fired
- fired substrate
- manufacturing low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は焼成温度が低く、導体に銀を使用できる多層
配線基板の製造方法に関し、さらに詳しくはムライトと
ホウケイ酸鉛ガラスの混合粉末を低温焼成する基板の製
造方法に関する。
配線基板の製造方法に関し、さらに詳しくはムライトと
ホウケイ酸鉛ガラスの混合粉末を低温焼成する基板の製
造方法に関する。
従来、セラミック多層基板としてムライト系セラミッ
クスはアルミナ系セラミックスに比べ誘電率が小さく、
熱膨張係数が小さいことから有用であるが、高純度ムラ
イトが得難いためアルミナ系セラミック基板が大勢を占
めていた。
クスはアルミナ系セラミックスに比べ誘電率が小さく、
熱膨張係数が小さいことから有用であるが、高純度ムラ
イトが得難いためアルミナ系セラミック基板が大勢を占
めていた。
しかし近時高純度ムライトが製造されるようになった
ため、ムライトとけい酸アルミニウムあるいはけい酸ア
ルミニウムマゲネシウムを主成分とするガラス粉末とか
らセラミックス焼結体が製造されるようになった（特開
昭57−115895号など）。
ため、ムライトとけい酸アルミニウムあるいはけい酸ア
ルミニウムマゲネシウムを主成分とするガラス粉末とか
らセラミックス焼結体が製造されるようになった（特開
昭57−115895号など）。
しかし上記ムライト系セラミックス焼結体は1400〜16
00℃という高い焼成温度を要するため、特別の焼成炉を
必要とし、還元性雰囲気での焼成しかできなかった。
00℃という高い焼成温度を要するため、特別の焼成炉を
必要とし、還元性雰囲気での焼成しかできなかった。
そのためムライト粉末と混合するガラス粉末について
種々検討されホウケイ酸ガラスを使用することが提案さ
れた。しかしこのものは誘電率は4.8度と小さいもの
の、焼成温度は改善されたとはいえ、1000℃程度は必要
であるため多層配線基板に使用する場合、導体に銅を用
いなければならず、従って還元性雰囲気での焼成の余儀
なく、特別の焼成炉を必要とするという問題は解決され
ていない。
種々検討されホウケイ酸ガラスを使用することが提案さ
れた。しかしこのものは誘電率は4.8度と小さいもの
の、焼成温度は改善されたとはいえ、1000℃程度は必要
であるため多層配線基板に使用する場合、導体に銅を用
いなければならず、従って還元性雰囲気での焼成の余儀
なく、特別の焼成炉を必要とするという問題は解決され
ていない。
そこで本発明者らは導体に銀の使用可能な950℃以下
の焼成温度で大気中焼成できるムライト系セラミックス
を得るべく研究を重ねた結果、ムライト粉末と混合する
ガラス粉末としてホウケイ酸鉛ガラスを用いることによ
り目的を達し、次に述べる発明に到達した。
の焼成温度で大気中焼成できるムライト系セラミックス
を得るべく研究を重ねた結果、ムライト粉末と混合する
ガラス粉末としてホウケイ酸鉛ガラスを用いることによ
り目的を達し、次に述べる発明に到達した。
すなわち本発明はPbO40〜70wt％、SiO220〜50wt％、B
2O35〜15wt％、Al2O31〜10wt％を成分とするガラス粉末
30〜70wt％と、ムライト粉末70〜30wt％とから成る混合
粉末をシート成形し、850〜950℃で焼成することを特徴
とする低温焼成基板の製造方法を要旨とするものであ
る。
2O35〜15wt％、Al2O31〜10wt％を成分とするガラス粉末
30〜70wt％と、ムライト粉末70〜30wt％とから成る混合
粉末をシート成形し、850〜950℃で焼成することを特徴
とする低温焼成基板の製造方法を要旨とするものであ
る。
本発明において使用するホウケイ酸鉛ガラスはPbO40
〜70wt％、SiO220〜50wt％、B2O35〜15wt％、Al2O31〜1
0wt％を成分とするものである。このガラスをつくるに
は酸化鉛（Pb3O4）、非晶質シリカ（SiO2）、酸化ホウ
素（B2O3）、酸化アルミニウム（Al2O3）の所定量をボ
ールミルなどで乾式混合し、電気炉にて1400℃で溶融し
た後、溶融物を水中に投入して急冷する。得られたガラ
ス塊を振動ミル（媒体ZrO2製）で湿式粉砕し乾燥してガ
ラス粉末を得る。ガラス粉末の平均粒径は1.0μｍ、最
大粒径は4.7μｍであり、軟化温度は600℃程度である。
〜70wt％、SiO220〜50wt％、B2O35〜15wt％、Al2O31〜1
0wt％を成分とするものである。このガラスをつくるに
は酸化鉛（Pb3O4）、非晶質シリカ（SiO2）、酸化ホウ
素（B2O3）、酸化アルミニウム（Al2O3）の所定量をボ
ールミルなどで乾式混合し、電気炉にて1400℃で溶融し
た後、溶融物を水中に投入して急冷する。得られたガラ
ス塊を振動ミル（媒体ZrO2製）で湿式粉砕し乾燥してガ
ラス粉末を得る。ガラス粉末の平均粒径は1.0μｍ、最
大粒径は4.7μｍであり、軟化温度は600℃程度である。
一方ムライト粉末は水酸化アルミニウムと非晶質シリ
カをAl2O3の割合が71.8wt％、残りがSiO2となるように
配合し、湿式混合し、乾燥した後、1600℃で１時間仮焼
し、得られた仮焼物を振動ミル（媒体 ムライト製）で
粉砕して得る。ムライト粉末の平均粒径は0.2μｍ、最
大粒径は７μｍであった。
カをAl2O3の割合が71.8wt％、残りがSiO2となるように
配合し、湿式混合し、乾燥した後、1600℃で１時間仮焼
し、得られた仮焼物を振動ミル（媒体 ムライト製）で
粉砕して得る。ムライト粉末の平均粒径は0.2μｍ、最
大粒径は７μｍであった。
本発明の基板の製造方法の一例を示すと、ムライト粉
末30〜70wt％にホウケイ酸鉛ガラス粉末70〜30％の配合
割合で配合し、バインダーとしてポリビニルブチラール
（PVB）、さらに可塑剤としてジブチルフタレート（DB
P）および溶剤としてエタノールを加えてスラリーとす
る。このスラリーをドクターブレード法により厚さ0.12
mmのシートを作製し、このシートを数枚積層し面プレス
し脱バインダー後850〜950℃で焼成する。
末30〜70wt％にホウケイ酸鉛ガラス粉末70〜30％の配合
割合で配合し、バインダーとしてポリビニルブチラール
（PVB）、さらに可塑剤としてジブチルフタレート（DB
P）および溶剤としてエタノールを加えてスラリーとす
る。このスラリーをドクターブレード法により厚さ0.12
mmのシートを作製し、このシートを数枚積層し面プレス
し脱バインダー後850〜950℃で焼成する。
本発明においては焼成は一般の焼成炉を使用して大気
中で焼成でき、還元性雰囲気など特別の設備、工夫は必
要ない。
中で焼成でき、還元性雰囲気など特別の設備、工夫は必
要ない。
実施例１〜15、比較例１〜11 上記した水酸化アルミニウムと非晶質シリカから得ら
れたムライト粉末に、酸化塩、非晶質シリカ、酸化ホウ
素、酸化アルミニウムを表１に示す割合で製造したホウ
ケイ酸鉛とを表１に示す割合で配合し、PVBB、DBPおよ
びエタノールを加えてスラリーをつくり、このスラリー
からドクターブレード法により厚さ0.12mmのシートを作
製した。
れたムライト粉末に、酸化塩、非晶質シリカ、酸化ホウ
素、酸化アルミニウムを表１に示す割合で製造したホウ
ケイ酸鉛とを表１に示す割合で配合し、PVBB、DBPおよ
びエタノールを加えてスラリーをつくり、このスラリー
からドクターブレード法により厚さ0.12mmのシートを作
製した。
得られたシートを10枚積層し、その積層体を80℃で10
分間面プレスした。次いで350℃、60分間脱バインダー
し、引続き850〜950℃、15分間焼成した。焼成体を10×
10×1mmに加工した後、Ag電極を塗布し、700℃にて焼付
けた。この試料について誘電率及び誘電損失を25℃に
て、周波数1MHzで測定した。結果を表１に併記した。
分間面プレスした。次いで350℃、60分間脱バインダー
し、引続き850〜950℃、15分間焼成した。焼成体を10×
10×1mmに加工した後、Ag電極を塗布し、700℃にて焼付
けた。この試料について誘電率及び誘電損失を25℃に
て、周波数1MHzで測定した。結果を表１に併記した。
実施例16 実施例１で作製したシートを用いて第１図のように内
部配線した８層基板を作製し（焼成温度900℃）上部電
極と下部電極との導通を調べたところ、導通不良のない
良好な基板であった。
部配線した８層基板を作製し（焼成温度900℃）上部電
極と下部電極との導通を調べたところ、導通不良のない
良好な基板であった。
またこの基板の熱膨張係数を室温から500℃の範囲で
測定したところ、4.1×10-6/℃であった。
測定したところ、4.1×10-6/℃であった。
本発明によればムライト系セラミックスとしてガラス
にホウケイ酸鉛ガラスを使用することにより低温で焼成
することが可能となり、導体に銅を使用する必要がない
ため、焼成を還元性雰囲気で行わなくてすみ、特別の焼
成炉を要しない。また誘電率も小さく、熱膨張係数も小
さく良好な多層配線基板を製造することができる。
にホウケイ酸鉛ガラスを使用することにより低温で焼成
することが可能となり、導体に銅を使用する必要がない
ため、焼成を還元性雰囲気で行わなくてすみ、特別の焼
成炉を要しない。また誘電率も小さく、熱膨張係数も小
さく良好な多層配線基板を製造することができる。
第１図は実施例16における内部配線した８層基板の１例
の断面図である。 １……スルーホール導体（Ag） ２……内部導体（Ag） ３……上部外部電極 ３′……下部外部電極 ４……絶縁体シート
の断面図である。 １……スルーホール導体（Ag） ２……内部導体（Ag） ３……上部外部電極 ３′……下部外部電極 ４……絶縁体シート
Claims (1)
- 【請求項１】PbO40〜70wt％、SiO220〜50wt％、B2O35〜
15wt％、Al2O31〜10wt％を成分とするガラス粉末30〜70
wt％と、ムライト粉末70〜30wt％とから成る混合粉末を
シート成形し、850〜950℃で焼成することを特徴とする
低温焼成基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139465A JP2622582B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 低温焼成基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139465A JP2622582B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 低温焼成基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308867A JPH01308867A (ja) | 1989-12-13 |
| JP2622582B2 true JP2622582B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=15245866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63139465A Expired - Lifetime JP2622582B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 低温焼成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622582B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63139465A patent/JP2622582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01308867A (ja) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2711618B2 (ja) | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3240271B2 (ja) | セラミック基板 | |
| CN104774005A (zh) | 一种低温烧结无铅系微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| JPH107435A (ja) | ガラスセラミック配線基板およびその製造方法 | |
| WO1989001461A1 (en) | Co-sinterable metal-ceramic packages and materials therefor | |
| EP1509931B1 (en) | Dielectric composition on the basis of barium titanate | |
| JP2622582B2 (ja) | 低温焼成基板の製造方法 | |
| JP3624405B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP2002187768A (ja) | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 | |
| JP3337819B2 (ja) | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001313469A (ja) | コンデンサ内蔵配線基板 | |
| JP2712031B2 (ja) | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 | |
| JPH0617249B2 (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPH01179740A (ja) | ガラス−セラミックス複合体 | |
| JPH0617250B2 (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPS6049149B2 (ja) | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 | |
| JP3494184B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2686446B2 (ja) | 低温焼成セラミック焼結体 | |
| JPH032816B2 (ja) | ||
| JP2710311B2 (ja) | セラミツク絶縁材料 | |
| JP2000063182A (ja) | 低温焼結可能なセラミック原材料の製造方法 | |
| TW440555B (en) | Low-fire, low-dielectric-constant and low-loss ceramic formulations | |
| JPH0738214A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JP3488793B2 (ja) | セラミック基板用グリーンシートの製造方法 | |
| JPH07277791A (ja) | 絶縁基板用セラミック組成物およびセラミック多層配線回路板 |