JP2622292B2 - 誘電体ペースト - Google Patents
誘電体ペーストInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は厚膜IC部品およびチューナ等の印刷コンデ
ンサ等に用いられる誘電体ペーストに関するものであ
る。
ンサ等に用いられる誘電体ペーストに関するものであ
る。
［従来の技術］ 近年、電子部品の高集積化を目的として、アルミナ等
のセラミックス基板上に、電極、抵抗、コンデンサをス
クリーン印刷にて形成し、500〜1000℃の高温で焼成す
ることにより、厚膜ハイブリッドICを製造することが行
なわれている。
のセラミックス基板上に、電極、抵抗、コンデンサをス
クリーン印刷にて形成し、500〜1000℃の高温で焼成す
ることにより、厚膜ハイブリッドICを製造することが行
なわれている。
これらの厚膜ハイブリッドICを構成する素子としてコ
ンデンサおよび抵抗がある。このうちIC中に大きな面積
を占めるのはコンデンサであり、特にバイパス用の大容
量コンデンサの単位面積当たりの容量によって基板の大
きさが左右され、高集積化を計るうえで基板面積の低減
が望まれている。
ンデンサおよび抵抗がある。このうちIC中に大きな面積
を占めるのはコンデンサであり、特にバイパス用の大容
量コンデンサの単位面積当たりの容量によって基板の大
きさが左右され、高集積化を計るうえで基板面積の低減
が望まれている。
このため強誘電体粉末をペーストとして使用し、印刷
により大容量のコンデンサを得ることが検討されてい
る。
により大容量のコンデンサを得ることが検討されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながらBaTiO3系、タングステンブロンズ型や複
合ペロブスカイト型の従来の強誘電体はその焼結温度が
いずれも1000℃以上であるので、電極材料は耐熱性の高
いものでなければならず、高価なパラジウムや白金等を
使用しなければならないという不都合があった。
合ペロブスカイト型の従来の強誘電体はその焼結温度が
いずれも1000℃以上であるので、電極材料は耐熱性の高
いものでなければならず、高価なパラジウムや白金等を
使用しなければならないという不都合があった。
このため誘電体粉末の焼結温度の低下を計る目的で、
ガラスフリットを混入してなる印刷コンデンサ用の誘電
体ペーストが開発されている。
ガラスフリットを混入してなる印刷コンデンサ用の誘電
体ペーストが開発されている。
このようなガラスフリット混合誘電体ペーストとして
は、たとえばPb（Mg1/3Nb2/3）O3とPb（Zn1/3Nb2/3）O3
とガラスフリットとを混合したもの、BaTiO3とBa（ZrT
i）O3とガラスフリットとを混合したもの、強誘電体とZ
nO,Fe2O3，NiO2,CuO等の添加剤とバインダガラスとを混
合したものなどが提案されている。
は、たとえばPb（Mg1/3Nb2/3）O3とPb（Zn1/3Nb2/3）O3
とガラスフリットとを混合したもの、BaTiO3とBa（ZrT
i）O3とガラスフリットとを混合したもの、強誘電体とZ
nO,Fe2O3，NiO2,CuO等の添加剤とバインダガラスとを混
合したものなどが提案されている。
ところがガラスフリットを混入した誘電体ペースト
は、低温焼成に必要なガラスフリットの誘電率が低く、
強誘電体粉末と混合できる濃度範囲が狭いという欠点が
あった。
は、低温焼成に必要なガラスフリットの誘電率が低く、
強誘電体粉末と混合できる濃度範囲が狭いという欠点が
あった。
すなわちガラスフリットの混合比率が低いと誘電体ペ
ーストの焼成が不十分となり、コンデンサが未焼結状態
となるので誘電体層の機械的強度が小さくなるばかりで
なく、その電気特性も低下し、コンデンサ容量が小さ
く、誘電損失係数（tanδ）が大きくなり、実用に供す
ることができない。
ーストの焼成が不十分となり、コンデンサが未焼結状態
となるので誘電体層の機械的強度が小さくなるばかりで
なく、その電気特性も低下し、コンデンサ容量が小さ
く、誘電損失係数（tanδ）が大きくなり、実用に供す
ることができない。
またこの逆にガラスフリットの混入比率を増加させる
とコンデンサの機械的強度は向上するものの強誘電体粉
末の含有量が減少するためにコンデンサの比誘電率は10
00〜1800程度と低下し、コンデンサの単位面積あたりの
容量も200〜400pF程度となるという不都合があった。
とコンデンサの機械的強度は向上するものの強誘電体粉
末の含有量が減少するためにコンデンサの比誘電率は10
00〜1800程度と低下し、コンデンサの単位面積あたりの
容量も200〜400pF程度となるという不都合があった。
この発明は上記課題を解決するためになされたもので
あって、高い比誘電率と低い誘電損失の印刷コンデンサ
を低温焼成にて製造可能とする誘電体ペーストを提供す
ることを目的としている。
あって、高い比誘電率と低い誘電損失の印刷コンデンサ
を低温焼成にて製造可能とする誘電体ペーストを提供す
ることを目的としている。
［課題を解決するための手段］ この発明の誘電体ペーストは、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−
0.66〜0.70モル、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.04〜0.16モ
ル、PbTiO3−0.20〜0.24モルの誘電体原料に対し、CuO
2.0〜5.0重量部と、Bi2O3 0.3〜1.0重量部とSrTiO3 1.0
〜4.0重量部を添加して得られる組成物を焼成して粉砕
した粉末をビヒクル中に分散させてなることを解決手段
とした。
0.66〜0.70モル、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.04〜0.16モ
ル、PbTiO3−0.20〜0.24モルの誘電体原料に対し、CuO
2.0〜5.0重量部と、Bi2O3 0.3〜1.0重量部とSrTiO3 1.0
〜4.0重量部を添加して得られる組成物を焼成して粉砕
した粉末をビヒクル中に分散させてなることを解決手段
とした。
［作用］ Pb（Mg1/3Nb2/3）O3 0.66〜0.70モル Pb（Ni1/3Nb2/3）O3 0.04〜0.16モル PbTiO3 0.20〜0.24モル の誘電体原料を焼結すると、高い比誘電率と低い誘電損
失を示すコンデンサとして好適な強誘電体が得られる。
失を示すコンデンサとして好適な強誘電体が得られる。
上記誘電体原料に2.0〜5.0重量部のCuOと0.3〜1.0重
量部のBi2O3と1.0〜4.0重量部のSrTiO3からなる添加剤
を加えることにより誘電体原料の低温焼成を可能とする
とともに、上記誘電体原料を焼成して形成された誘電体
層の基板への密着性を向上させることができる。
量部のBi2O3と1.0〜4.0重量部のSrTiO3からなる添加剤
を加えることにより誘電体原料の低温焼成を可能とする
とともに、上記誘電体原料を焼成して形成された誘電体
層の基板への密着性を向上させることができる。
特にSrTiO3の添加により誘電体層の温度による容量変
化率を小さくすることができる。
化率を小さくすることができる。
以下、この発明をさらに詳細に説明する。
この発明の誘電体ペーストは、0.66〜0.70モルのPb
（Mg1/3Nb2/3）O3と0.04〜0.16モルのPb（Ni1/3Nb2/3）
O3と0.20〜0.24モルのPbTiO3からなる誘電体原料に対し
て、添加剤として、2.0〜5.0重量部のCuOと0.3〜1.0重
量部のBi2O3と1.0〜4.0重量部のSrTiO3を混合してビヒ
クル中に分散させてなるものであって、好ましくはPb
（Mg1/3Nb2/3）O3−0.68モル、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.
10モル、PbTiO3−0.22モルとなる誘電体原料に対して、
添加剤として３重量部のCuOと0.5重量部のBi2O3と1.0〜
4.0重量部のSrTiO3を混合し仮焼した後、粉砕した粉末
をビヒクル中に分散させてなるものである。
（Mg1/3Nb2/3）O3と0.04〜0.16モルのPb（Ni1/3Nb2/3）
O3と0.20〜0.24モルのPbTiO3からなる誘電体原料に対し
て、添加剤として、2.0〜5.0重量部のCuOと0.3〜1.0重
量部のBi2O3と1.0〜4.0重量部のSrTiO3を混合してビヒ
クル中に分散させてなるものであって、好ましくはPb
（Mg1/3Nb2/3）O3−0.68モル、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.
10モル、PbTiO3−0.22モルとなる誘電体原料に対して、
添加剤として３重量部のCuOと0.5重量部のBi2O3と1.0〜
4.0重量部のSrTiO3を混合し仮焼した後、粉砕した粉末
をビヒクル中に分散させてなるものである。
ここで0.66〜0.70モルのPb（Mg1/3Nb2/3）O3と0.04〜
0.16モルのPb（Ni1/3Nb2/3）O3と0.20〜0.24モルのPbTi
O3とからなる誘電体原料は、比誘電率の高い誘電体層を
形成するためのものであり、上記組成比はずれると、誘
電体層のキュリー温度が変化し、容量変化率が大きくな
い実用に適さなくなる。
0.16モルのPb（Ni1/3Nb2/3）O3と0.20〜0.24モルのPbTi
O3とからなる誘電体原料は、比誘電率の高い誘電体層を
形成するためのものであり、上記組成比はずれると、誘
電体層のキュリー温度が変化し、容量変化率が大きくな
い実用に適さなくなる。
また、2.0〜5.0重量部のCuOと、0.3〜1.0重量部のBi2
O3と、1.0〜4.0重量部のSrTiO3からなる添加剤は上記誘
電体原料を、950℃以下の低温で焼結可能とするととも
に、電極および基板上に誘電体層を密着させるためのも
のであり、上記添加濃度の範囲をはずれると、誘電体ペ
ーストの焼結性が悪化し、誘電体コンデンサの電気特性
が低下したり、製造された誘電体層の比誘電率（εｒ）
の低下と誘電損失係数（tanδ）の増大が生じ、実用に
供することができなくなる。
O3と、1.0〜4.0重量部のSrTiO3からなる添加剤は上記誘
電体原料を、950℃以下の低温で焼結可能とするととも
に、電極および基板上に誘電体層を密着させるためのも
のであり、上記添加濃度の範囲をはずれると、誘電体ペ
ーストの焼結性が悪化し、誘電体コンデンサの電気特性
が低下したり、製造された誘電体層の比誘電率（εｒ）
の低下と誘電損失係数（tanδ）の増大が生じ、実用に
供することができなくなる。
この発明の誘電体ペーストは樹脂を高沸点の有機溶剤
に溶解してなるビヒクルに上記誘電体成分と添加剤成分
を混合、仮焼し、粉砕した誘電体仮焼粉を所定濃度で分
散させて使用される。
に溶解してなるビヒクルに上記誘電体成分と添加剤成分
を混合、仮焼し、粉砕した誘電体仮焼粉を所定濃度で分
散させて使用される。
ビヒクルには、樹脂粘結体としてアクリル樹脂、エチ
ルセルロース、ニトロセルロースのうちの少なくとも１
種以上の樹脂を、高沸点有機溶剤としてブチルカルビト
ール、ブチルカルビトールアセテート、ターピオネール
等のうちの少なくとも１種以上の溶剤を用いるのが好適
である。
ルセルロース、ニトロセルロースのうちの少なくとも１
種以上の樹脂を、高沸点有機溶剤としてブチルカルビト
ール、ブチルカルビトールアセテート、ターピオネール
等のうちの少なくとも１種以上の溶剤を用いるのが好適
である。
上記高沸点有機溶剤への樹脂粘結体の混合比率は５〜
30wt％が好ましく、また上記誘電体原料と添加剤とから
なる粉末成分のビヒクル中への混合比率は、10〜20wt％
が好ましい。
30wt％が好ましく、また上記誘電体原料と添加剤とから
なる粉末成分のビヒクル中への混合比率は、10〜20wt％
が好ましい。
次にこの発明の誘電体ペーストの製造方法の一例を以
下に示す。
下に示す。
まず酸化鉛（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化
ニオブ（Nb2O5）、酸化ニッケル（NiO）、酸化チタン
（TiO2）とを、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−0.66〜0.70モル、
Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.04〜0.16モル、PbTiO3−0.22〜
0.24モルとなるような比率にて配合し、さらに添加剤と
して、CuOとBi2O3とを配合する。これらのボールミルポ
ット等の粉砕混合装置に投入し、ジルコニアボールまた
はそれに代わる材質のボールと、水またはアルコール、
アセトン等の有機溶剤とともに24時間混合して、上記原
料を充分に粉砕、混合する。ついでこれらをボールミル
ポットから取り出し、水または有機溶剤を濾過、乾燥す
ることにより除去する。充分に乾燥された混合粉末を50
メッシュでふるい分けし、顆粒状としたものをアルミナ
ポットに入れて750℃、５時間仮焼成して誘電体仮焼物
を得る。
ニオブ（Nb2O5）、酸化ニッケル（NiO）、酸化チタン
（TiO2）とを、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−0.66〜0.70モル、
Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−0.04〜0.16モル、PbTiO3−0.22〜
0.24モルとなるような比率にて配合し、さらに添加剤と
して、CuOとBi2O3とを配合する。これらのボールミルポ
ット等の粉砕混合装置に投入し、ジルコニアボールまた
はそれに代わる材質のボールと、水またはアルコール、
アセトン等の有機溶剤とともに24時間混合して、上記原
料を充分に粉砕、混合する。ついでこれらをボールミル
ポットから取り出し、水または有機溶剤を濾過、乾燥す
ることにより除去する。充分に乾燥された混合粉末を50
メッシュでふるい分けし、顆粒状としたものをアルミナ
ポットに入れて750℃、５時間仮焼成して誘電体仮焼物
を得る。
この仮焼成の後、この仮焼物を上記工程と全く同様に
ボールミルポットにて96時間、粉砕を行う。この粉砕の
後、濾過または乾燥により、誘電体仮粉体を得る。この
時に誘電体仮焼粉に吸着した水および有機溶剤を完全に
除去するために、120〜150℃に真空乾燥を行う。
ボールミルポットにて96時間、粉砕を行う。この粉砕の
後、濾過または乾燥により、誘電体仮粉体を得る。この
時に誘電体仮焼粉に吸着した水および有機溶剤を完全に
除去するために、120〜150℃に真空乾燥を行う。
このようにして充分に乾燥された誘電体仮焼粉をビヒ
クルとを混合、混練する。
クルとを混合、混練する。
誘電体仮焼粉とビヒクルとの混合は、少量であれば乳
鉢等、多量であればライカイ機、万能混合攪拌機等の混
合機で良く粗練りをし、さらに三本ロールで良く混練
し、粉末の粉粒を整えた後、印刷に必要な粘度を保持す
るために高沸点有機溶剤を加えて粘度調整を行い、この
発明の誘電体ペーストとし、スクリーン印刷に供する。
鉢等、多量であればライカイ機、万能混合攪拌機等の混
合機で良く粗練りをし、さらに三本ロールで良く混練
し、粉末の粉粒を整えた後、印刷に必要な粘度を保持す
るために高沸点有機溶剤を加えて粘度調整を行い、この
発明の誘電体ペーストとし、スクリーン印刷に供する。
この発明の誘電体ペーストを用いれば、比誘電率が高
くかつ単位面積あたりの容量が従来のものと比較して２
〜３倍も大きなコンデンサを低温焼結により製造するこ
とができる。
くかつ単位面積あたりの容量が従来のものと比較して２
〜３倍も大きなコンデンサを低温焼結により製造するこ
とができる。
この発明の誘電体ペーストを用いて製造した印刷コン
デンサの一例を第１図および第２図に示した。
デンサの一例を第１図および第２図に示した。
この印刷コンデンサは、アルミナ等の基板１上に下部
電極２と誘電体層３と上部電極４とを順次積層してなる
ものである。このような印刷コンデンサは以下の工程に
より製造することができる。
電極２と誘電体層３と上部電極４とを順次積層してなる
ものである。このような印刷コンデンサは以下の工程に
より製造することができる。
まず基板１上に銀系等の導電ペーストを印刷し、850
℃で10分間加熱して下部電極２を形成した後、この下部
電極２上にこの発明の誘電体ペーストを印刷、乾燥し、
さらにこの上に上部電極３となる導電ペーストを印刷、
乾燥した後、850℃で10分間焼成することにより約30〜6
0μｍの膜厚の誘電体層３を有する印刷コンデンサを製
造することができる。
℃で10分間加熱して下部電極２を形成した後、この下部
電極２上にこの発明の誘電体ペーストを印刷、乾燥し、
さらにこの上に上部電極３となる導電ペーストを印刷、
乾燥した後、850℃で10分間焼成することにより約30〜6
0μｍの膜厚の誘電体層３を有する印刷コンデンサを製
造することができる。
［実施例］ Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−0.68モル、Pb（Ni1/3Nb2/3）O3
−0.10モル、PbTiO3−0.22モルの組成になるように酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸
化チタンの各粉末を配合し、仮焼した。上記各粉末を仮
焼した後、得られる誘電体原料に3.0重量部のCuOと0.5
重量部のBi2O3と、0.45重量部のSrTiO3を加えて粉砕、
混合し、750℃で５時間仮焼成した。ついでこの仮焼成
した粉末を粉砕した後、充分に乾燥させて誘電体仮焼粉
とした。
−0.10モル、PbTiO3−0.22モルの組成になるように酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸
化チタンの各粉末を配合し、仮焼した。上記各粉末を仮
焼した後、得られる誘電体原料に3.0重量部のCuOと0.5
重量部のBi2O3と、0.45重量部のSrTiO3を加えて粉砕、
混合し、750℃で５時間仮焼成した。ついでこの仮焼成
した粉末を粉砕した後、充分に乾燥させて誘電体仮焼粉
とした。
なおSrTiO3は、SrCO3とTiO3とそれぞれ1.0モルづつボ
ールミルを用いて均一組成になるようにして充分混合し
たものを固相反応により反応させてSrTiO3としたものを
用いた。
ールミルを用いて均一組成になるようにして充分混合し
たものを固相反応により反応させてSrTiO3としたものを
用いた。
ここでビヒクルは熱可塑性アクリル樹脂をブチルカル
ビトール24wt％になるように溶解してなるものを用い
た。上記誘電体原料と添加剤とからなる混合物とビヒク
ルとの重量比率が、100:17となるように配合し、これら
乳鉢で混合した後、三本ロールで充分に混練して誘電体
ペーストとした。
ビトール24wt％になるように溶解してなるものを用い
た。上記誘電体原料と添加剤とからなる混合物とビヒク
ルとの重量比率が、100:17となるように配合し、これら
乳鉢で混合した後、三本ロールで充分に混練して誘電体
ペーストとした。
このようにして得られた誘電体ペーストを用いて印刷
コンデンサを製造したところ、850℃での低温焼結が可
能となった。またこのようにして製造された印刷コンデ
ンサの比誘電率と誘電損失と絶縁抵抗と温度による容量
変化率を調べ、結果を第１表と第３図にそれぞれ示し
た。
コンデンサを製造したところ、850℃での低温焼結が可
能となった。またこのようにして製造された印刷コンデ
ンサの比誘電率と誘電損失と絶縁抵抗と温度による容量
変化率を調べ、結果を第１表と第３図にそれぞれ示し
た。
なお第３図中、実線は比誘電率を示し、破線は温度に
よる誘電損失を示す。
よる誘電損失を示す。
上記第１表の結果より、SrTiO3の添加による効果が認
められたのは1.0〜4.重量部であった。SrTiO3の添加量
が4.0重量部を越えると、温度による容量変化率が低下
するものの比誘電率が低下し、単位面積当たりのコンデ
ンサ容量が小さくなり集積度が低下するのが好ましくな
い。またSrTiO3の添加量が1.0重量部未満であると、容
量変化率の低減効果が充分ではないためである。
められたのは1.0〜4.重量部であった。SrTiO3の添加量
が4.0重量部を越えると、温度による容量変化率が低下
するものの比誘電率が低下し、単位面積当たりのコンデ
ンサ容量が小さくなり集積度が低下するのが好ましくな
い。またSrTiO3の添加量が1.0重量部未満であると、容
量変化率の低減効果が充分ではないためである。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明の誘電体ペーストは0.66
から0.70モルのPb（Mg1/3Nb2/3）O3と0.04〜0.16モルの
Pb（Ni1/3Nb2/3）O3と0.20〜0.24モルのPbTiO3とに、2.
0〜5.0重量部のCuOと0.3〜1.0重量部のBi2O3と1.0〜4.0
重量部のSrTiO3とを添加して得られる組成物を焼成し
て、粉砕した粉末をビヒクル中に分散させてなるもので
あるので、850℃での低温焼結が可能であるとともに、
高い比誘電率を有する誘電体層の形成が可能である。
から0.70モルのPb（Mg1/3Nb2/3）O3と0.04〜0.16モルの
Pb（Ni1/3Nb2/3）O3と0.20〜0.24モルのPbTiO3とに、2.
0〜5.0重量部のCuOと0.3〜1.0重量部のBi2O3と1.0〜4.0
重量部のSrTiO3とを添加して得られる組成物を焼成し
て、粉砕した粉末をビヒクル中に分散させてなるもので
あるので、850℃での低温焼結が可能であるとともに、
高い比誘電率を有する誘電体層の形成が可能である。
よってこの発明の誘電体ペーストを用いて製造された
印刷コンデンサの単位面積あたりの容量は従来の誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサの容量の２〜３
倍となるので、同一容量の印刷回路基板を設計する場合
には基板面積を1/2〜1/3に減少させることができ、高集
積化が可能となる。
印刷コンデンサの単位面積あたりの容量は従来の誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサの容量の２〜３
倍となるので、同一容量の印刷回路基板を設計する場合
には基板面積を1/2〜1/3に減少させることができ、高集
積化が可能となる。
またこの発明の誘電体ペーストは、SrTiO3の添加によ
り温度による容量変化を低減させたものであるので、安
定した素子を得ることができる。
り温度による容量変化を低減させたものであるので、安
定した素子を得ることができる。
さらにこの発明の誘電体ペーストは850℃での低温焼
結が可能であるので、高価なパラジウムや白金を電極材
料として使用する必要がなくなるので、集積度の高い素
子を低コストで製造することができる。またこの誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサは、基板面積が
小さく高集積化が可能であるので、小型化要求の大きな
ハンディタイプの電気製品の電子素子として好適であ
る。
結が可能であるので、高価なパラジウムや白金を電極材
料として使用する必要がなくなるので、集積度の高い素
子を低コストで製造することができる。またこの誘電体
ペーストを用いて製造されたコンデンサは、基板面積が
小さく高集積化が可能であるので、小型化要求の大きな
ハンディタイプの電気製品の電子素子として好適であ
る。
第１図はこの発明の誘電体ペーストを用いて製造した厚
膜印刷コンデンサの平面図、第２図は第１図に示した厚
膜印刷コンデンサのＩ−Ｉ線矢視図、第３図はこの発明
の誘電体ペーストの比誘電率と誘電損失の温度特性を示
したグラフである。 ３…誘電体層。
膜印刷コンデンサの平面図、第２図は第１図に示した厚
膜印刷コンデンサのＩ−Ｉ線矢視図、第３図はこの発明
の誘電体ペーストの比誘電率と誘電損失の温度特性を示
したグラフである。 ３…誘電体層。
Claims (1)
- 【請求項１】Pb（Mg1/3Nb2/3）O3 0.66〜0.70モル Pb（Ni1/3Nb2/3）O3 0.04〜0.16モル PbTiO3 0.20〜0.24モル の誘電体原料に対し、 CuO 2.0〜5.0重量部 Bi2O3 0.3〜1.0重量部 SrTiO3 1.0〜4.0重量部 を添加して得られる組成物を焼成して粉砕した粉末をビ
ヒクル中に分散させてなることを特徴とする誘電体ペー
スト
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26147589A JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26147589A JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122905A JPH03122905A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2622292B2 true JP2622292B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17362420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26147589A Expired - Lifetime JP2622292B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 誘電体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622292B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26147589A patent/JP2622292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03122905A (ja) | 1991-05-24 |
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