JP2621429B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JP2621429B2 JP2621429B2 JP63264652A JP26465288A JP2621429B2 JP 2621429 B2 JP2621429 B2 JP 2621429B2 JP 63264652 A JP63264652 A JP 63264652A JP 26465288 A JP26465288 A JP 26465288A JP 2621429 B2 JP2621429 B2 JP 2621429B2
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- epoxy
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関す
るものである。
るものである。
一般にエポキシ樹脂組成物は、電気特性、耐熱性、接
着性、耐湿性等に優れ、かつ低圧成形性を有しており、
これらの性質を利用して半導体封止材料、プリント基板
材料、注型材料、接着剤など幅広い分野に使用されてい
る。
着性、耐湿性等に優れ、かつ低圧成形性を有しており、
これらの性質を利用して半導体封止材料、プリント基板
材料、注型材料、接着剤など幅広い分野に使用されてい
る。
なかでも、例えば特開昭63−77930号公報に示されて
いるように、ノボラツク型エポキシ樹脂およびフエノー
ルノボラツク樹脂の組み合せは、高い耐熱性と耐湿性を
与えることから半導体封止用材料として汎用されてい
る。
いるように、ノボラツク型エポキシ樹脂およびフエノー
ルノボラツク樹脂の組み合せは、高い耐熱性と耐湿性を
与えることから半導体封止用材料として汎用されてい
る。
しかし、この樹脂組成物系は、硬化中あるいは、冷却
過程で大きな熱応力を発生し大型素子（例えば高集積メ
モリなど）等を封止した場合、素子回路に与える熱スト
レスで素子機能の低下、あるいは、パツケージクラツク
などの不都合が生じる。
過程で大きな熱応力を発生し大型素子（例えば高集積メ
モリなど）等を封止した場合、素子回路に与える熱スト
レスで素子機能の低下、あるいは、パツケージクラツク
などの不都合が生じる。
これらの原因の一つとして、半導体素子、フレーム材
などの熱膨張係数がエポキシ樹脂組成物と比べ著しく小
さいことが挙げられる。このような熱膨張係数の差は、
成形、後硬化後の冷却過程で熱応力を誘起し、前述の不
都合を生じることとなり、又、上記の不都合と、熱応
力、曲げ強度の相関性が刊行物〔昭和63年電子情報通信
学会春季全国大会予稿集P2−148〕に報告されており、
熱膨張係数の低下や、弾性率の低下による熱応力の低
減、曲げ強度の向上は、上記不都合の解消につながる。
などの熱膨張係数がエポキシ樹脂組成物と比べ著しく小
さいことが挙げられる。このような熱膨張係数の差は、
成形、後硬化後の冷却過程で熱応力を誘起し、前述の不
都合を生じることとなり、又、上記の不都合と、熱応
力、曲げ強度の相関性が刊行物〔昭和63年電子情報通信
学会春季全国大会予稿集P2−148〕に報告されており、
熱膨張係数の低下や、弾性率の低下による熱応力の低
減、曲げ強度の向上は、上記不都合の解消につながる。
このため無機充填剤の添加量を増大させたり、シリコ
ーン化合物により変性させる方法が検討されている。
ーン化合物により変性させる方法が検討されている。
しかし、無機充填剤の添加量を増大し、熱膨張係数を
低下させ、パツケージクラツクなどに対し、効果をあげ
るためには、80％（重量％、以下同様）以上必要である
が、従来のノボラツク型エポキシ樹脂およびフエノール
ノボラツク樹脂系では室温において固形であるため、無
機充填剤の高充填は、樹脂組成物の溶融粘度の増大につ
ながり、成形性を著しく阻害する。また、溶融粘度の増
大は成形時に金線流れや断線が生じることとなり好まし
くない状態が生じる。
低下させ、パツケージクラツクなどに対し、効果をあげ
るためには、80％（重量％、以下同様）以上必要である
が、従来のノボラツク型エポキシ樹脂およびフエノール
ノボラツク樹脂系では室温において固形であるため、無
機充填剤の高充填は、樹脂組成物の溶融粘度の増大につ
ながり、成形性を著しく阻害する。また、溶融粘度の増
大は成形時に金線流れや断線が生じることとなり好まし
くない状態が生じる。
一方、シリコーン化合物による変性においては、ノボ
ラツク型エポキシ樹脂あるいはフエノールノボラツク樹
脂に、シリコーン化合物を反応させ変性する方法が一般
的であり、この変性方法はノボラツク型エポキシ樹脂あ
るいはフエノールノボラツク樹脂の高分子量化をもたら
し、無機充填剤を添加した樹脂組成物の流動性を阻害
し、好ましくない状態となる。
ラツク型エポキシ樹脂あるいはフエノールノボラツク樹
脂に、シリコーン化合物を反応させ変性する方法が一般
的であり、この変性方法はノボラツク型エポキシ樹脂あ
るいはフエノールノボラツク樹脂の高分子量化をもたら
し、無機充填剤を添加した樹脂組成物の流動性を阻害
し、好ましくない状態となる。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたも
ので、無機充填剤の添加量を増大させたり、シリコーン
化合物で変性して熱応力を低減させても、組成物の流動
性が向上し、かつその硬化物もエポキシ樹脂の有する優
れた耐熱性、耐湿性および耐冷熱衝撃性を変化させない
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることを目的とす
る。
ので、無機充填剤の添加量を増大させたり、シリコーン
化合物で変性して熱応力を低減させても、組成物の流動
性が向上し、かつその硬化物もエポキシ樹脂の有する優
れた耐熱性、耐湿性および耐冷熱衝撃性を変化させない
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることを目的とす
る。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、化学
式 で示されるエポキシ樹脂（ａ）、軟化点が90〜130℃の
フエノールノボラツク樹脂（ｂ）、無機充填剤80〜90重
量％および硬化促進剤を含有し、上記エポキシ樹脂
（ａ）のエポキシ基と上記フエノールノボラツク樹脂
（ｂ）のフエノール性水酸基の当量比が、上記エポキシ
基に対し、0.8〜1.2のものである。
式 で示されるエポキシ樹脂（ａ）、軟化点が90〜130℃の
フエノールノボラツク樹脂（ｂ）、無機充填剤80〜90重
量％および硬化促進剤を含有し、上記エポキシ樹脂
（ａ）のエポキシ基と上記フエノールノボラツク樹脂
（ｂ）のフエノール性水酸基の当量比が、上記エポキシ
基に対し、0.8〜1.2のものである。
この発明におけるエポキシ樹脂が室温で液状であり、
又平面構造であるため、硬化物のパツキング性が大とな
り、上記効果を生じると考えられる。即ち、エポキシ樹
脂（ａ）を用いることにより、熱膨張を低下するために
無機充填剤を上記のように多量に含有しても、上記高い
軟化点を有する硬化剤を用いても組成物の流動性が優
れ、かつその硬化物はエポキシ樹脂の有する優れた耐熱
性および機械特性を変化させない。
又平面構造であるため、硬化物のパツキング性が大とな
り、上記効果を生じると考えられる。即ち、エポキシ樹
脂（ａ）を用いることにより、熱膨張を低下するために
無機充填剤を上記のように多量に含有しても、上記高い
軟化点を有する硬化剤を用いても組成物の流動性が優
れ、かつその硬化物はエポキシ樹脂の有する優れた耐熱
性および機械特性を変化させない。
この発明の半導体エポキシ樹脂組成物に係わるエポキ
シ樹脂（ａ）は、化学式 で表わされるもので、エポキシ樹脂中に含まれる塩素イ
オン、塩素を含む化合物ができるだけ少ないエポキシ樹
脂を用いることが好ましい。
シ樹脂（ａ）は、化学式 で表わされるもので、エポキシ樹脂中に含まれる塩素イ
オン、塩素を含む化合物ができるだけ少ないエポキシ樹
脂を用いることが好ましい。
さらにこのエポキシ樹脂とともに必要に応じて難燃性
の臭素化ノボラツク系エポキシ樹脂、臭素化ビスフエノ
ールＡ型エポキシ樹脂を併用してもよい。この場合、こ
れらのエポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂（ａ）10
0重量部に対して50重量部以下であるのが好ましい。
の臭素化ノボラツク系エポキシ樹脂、臭素化ビスフエノ
ールＡ型エポキシ樹脂を併用してもよい。この場合、こ
れらのエポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂（ａ）10
0重量部に対して50重量部以下であるのが好ましい。
この発明の半導体エポキシ樹脂組成物に係わるフエノ
ールノボラツク樹脂（ｂ）は、たとえばフエノール、ク
レゾール、キシレノール、ビスフエノールＡ、レゾルシ
ンなどのフエノール系化合物とホルムアルデヒドまたは
パラホルムアルデヒドを酸性触媒下で縮合反応させるこ
とによりえられた軟化点が90〜130℃のものであり、未
反応モノマーはえられたフエノールノボラツク樹脂中、
0.5重量％以下であるのが好ましい。
ールノボラツク樹脂（ｂ）は、たとえばフエノール、ク
レゾール、キシレノール、ビスフエノールＡ、レゾルシ
ンなどのフエノール系化合物とホルムアルデヒドまたは
パラホルムアルデヒドを酸性触媒下で縮合反応させるこ
とによりえられた軟化点が90〜130℃のものであり、未
反応モノマーはえられたフエノールノボラツク樹脂中、
0.5重量％以下であるのが好ましい。
又、シリコーン変性フエノールノボラツク樹脂を併用
しても良く、上記のように得られたフエノールノボラツ
ク樹脂と、例えばエポキシ変性シリコーンをトリフエニ
ルホスフインを触媒として反応させることで得られる。
フエノールノボラツク樹脂の軟化点が90℃未満の場合に
は、硬化物のガラス転移温度が低下し、耐熱性、耐湿性
が悪くなり、また130℃を越えるとエポキシ樹脂組成物
の溶融粘度が高くなり作業性に悪影響を与える。
しても良く、上記のように得られたフエノールノボラツ
ク樹脂と、例えばエポキシ変性シリコーンをトリフエニ
ルホスフインを触媒として反応させることで得られる。
フエノールノボラツク樹脂の軟化点が90℃未満の場合に
は、硬化物のガラス転移温度が低下し、耐熱性、耐湿性
が悪くなり、また130℃を越えるとエポキシ樹脂組成物
の溶融粘度が高くなり作業性に悪影響を与える。
この発明の実施例の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
において、エポキシ樹脂とフエノールノボラツク樹脂と
の配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量あたり
フエノールノボラツク樹脂のフエノール性OH当量が0.8
〜1.2当量である。エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に
対してフエノールノボラツク樹脂のフエノール性OH当量
が0.8未満であるばあい、組成物のガラス転移温度が低
くなつて、耐湿性や耐熱性が低下し、またフエノール性
OH当量が1.2をこえるばあい、硬化物中にフエノールノ
ボラツク樹脂が未反応物として多く残り、耐湿性や耐熱
性が低下するようになる。
において、エポキシ樹脂とフエノールノボラツク樹脂と
の配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量あたり
フエノールノボラツク樹脂のフエノール性OH当量が0.8
〜1.2当量である。エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に
対してフエノールノボラツク樹脂のフエノール性OH当量
が0.8未満であるばあい、組成物のガラス転移温度が低
くなつて、耐湿性や耐熱性が低下し、またフエノール性
OH当量が1.2をこえるばあい、硬化物中にフエノールノ
ボラツク樹脂が未反応物として多く残り、耐湿性や耐熱
性が低下するようになる。
この発明の実施例の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に用いられる無機充填剤としては、たとえば結晶性シリ
カ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉、タルク、石英ガラス
粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあげられる。
これら無機充填剤の添加量は組成物中に80〜90％含有さ
れるのが好ましい。80％未満では線膨張係数および硬化
収縮を低下させる効果が小さくなり、また90％をこえる
と流動性が低下し、作業性が低下する傾向にあるので、
80〜90％の範囲内で要求特性に応じて配合量を適宜選択
するのが好ましい。
に用いられる無機充填剤としては、たとえば結晶性シリ
カ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉、タルク、石英ガラス
粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあげられる。
これら無機充填剤の添加量は組成物中に80〜90％含有さ
れるのが好ましい。80％未満では線膨張係数および硬化
収縮を低下させる効果が小さくなり、また90％をこえる
と流動性が低下し、作業性が低下する傾向にあるので、
80〜90％の範囲内で要求特性に応じて配合量を適宜選択
するのが好ましい。
この発明の実施例の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に用いられる硬化促進剤としては、たとえば２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−
４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイ
ミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウン
デシルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物;2−
（ジメチルアミノメチル）フエノール、2,4,6−トリス
（ジメチルアミノメチル）フエノール、ベンジルジメチ
ルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、ピペリ
ジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキルアミノメタ
ノールアミン、テトラメチルグアニジン、２−ジメチル
アミノ−２−ヒドロキシプロパン、N,N′−ジメチルピ
ペラジン、Ｎ−メチルモルホリン、ピペラジン、２−
（ジメチルアミノメチル）フエノール、ヘキサメチレン
テトラミン、１−ヒドロキシエチル−２−ヘプタデシル
グリオキサリジン、1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウン
デセン−７などの第３級アミンおよびその他のアミン系
化合物やイミダゾール系化合物、トリフエニルホスフイ
ンなどのリン系化合物などがあげられる。該硬化促進剤
の添加量は、該硬化促進剤の種類によつて異なるので一
概に決定することはできず、この発明はかかる添加量に
よつて限定されるものではないが、通常エポキシ樹脂10
0重量部に対して0.1〜５重量部であるのが好ましい。
に用いられる硬化促進剤としては、たとえば２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−
４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイ
ミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウン
デシルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物;2−
（ジメチルアミノメチル）フエノール、2,4,6−トリス
（ジメチルアミノメチル）フエノール、ベンジルジメチ
ルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、ピペリ
ジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキルアミノメタ
ノールアミン、テトラメチルグアニジン、２−ジメチル
アミノ−２−ヒドロキシプロパン、N,N′−ジメチルピ
ペラジン、Ｎ−メチルモルホリン、ピペラジン、２−
（ジメチルアミノメチル）フエノール、ヘキサメチレン
テトラミン、１−ヒドロキシエチル−２−ヘプタデシル
グリオキサリジン、1,8−ジアザビシクロ（5,4,0）ウン
デセン−７などの第３級アミンおよびその他のアミン系
化合物やイミダゾール系化合物、トリフエニルホスフイ
ンなどのリン系化合物などがあげられる。該硬化促進剤
の添加量は、該硬化促進剤の種類によつて異なるので一
概に決定することはできず、この発明はかかる添加量に
よつて限定されるものではないが、通常エポキシ樹脂10
0重量部に対して0.1〜５重量部であるのが好ましい。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には必要
に応じてカーボンブラツクなどの着色剤、カルナウバワ
ツクス、ポリエチレンワツクスなどの離型剤や三酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、γ−グリシロキシプロピルトリ
メトキシシランなどのカツプリング剤、シリコーンゴ
ム、フツ素ゴムなどのゴム成分を該組成物中の含有量が
10％をこえない範囲で添加してもよい。
に応じてカーボンブラツクなどの着色剤、カルナウバワ
ツクス、ポリエチレンワツクスなどの離型剤や三酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、γ−グリシロキシプロピルトリ
メトキシシランなどのカツプリング剤、シリコーンゴ
ム、フツ素ゴムなどのゴム成分を該組成物中の含有量が
10％をこえない範囲で添加してもよい。
またこの発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、
一般に使用されている公知の混合装置、たとえばロー
ル、ニーダ、ライカイ機、ヘンシエルミキサー（三井三
池製作所製）などを用いて容易に調製することができ
る。
一般に使用されている公知の混合装置、たとえばロー
ル、ニーダ、ライカイ機、ヘンシエルミキサー（三井三
池製作所製）などを用いて容易に調製することができ
る。
以下、実施例および比較例をあげてこの発明をさらに
詳細に説明するが、この発明はかかる実施例のみに限定
されるものではない。
詳細に説明するが、この発明はかかる実施例のみに限定
されるものではない。
実施例１〜８および比較例１〜７ 表１に示す組成になるようにエポキシ樹脂、フエノー
ルノボラツク樹脂、無機充填剤、硬化促進剤およびその
他の成分を調製し、80〜110℃の熱ロールで５〜７分混
練し、粉砕した後、1100〜1500Kg/cm2の圧力下でタブレ
ツトを形成した。なお、流動性はEMMI法に準じて求め
た。
ルノボラツク樹脂、無機充填剤、硬化促進剤およびその
他の成分を調製し、80〜110℃の熱ロールで５〜７分混
練し、粉砕した後、1100〜1500Kg/cm2の圧力下でタブレ
ツトを形成した。なお、流動性はEMMI法に準じて求め
た。
なお、実施例７おおび比較例２で用いたシリコーン変
性フエノールノボラツク樹脂は、以下のようにして製造
した。即ち、 １の４ツ口フラスコに軟化点96℃のフエノールノボ
ラツク500gを入れ、窒素気流中で130℃まで加熱し、均
一に溶融させる。その後、トリフエニルホスフイン2gを
加え、滴下ロートで両末端エポキシ変性シリコーンオイ
ル（エポキシ当量850:信越化学製）300gを加え、150℃
に昇温し、反応を行ないシリコーン変性フエノールノボ
ラツク樹脂を得た。反応率は、エポキシ基の滴定より95
％であつた。
性フエノールノボラツク樹脂は、以下のようにして製造
した。即ち、 １の４ツ口フラスコに軟化点96℃のフエノールノボ
ラツク500gを入れ、窒素気流中で130℃まで加熱し、均
一に溶融させる。その後、トリフエニルホスフイン2gを
加え、滴下ロートで両末端エポキシ変性シリコーンオイ
ル（エポキシ当量850:信越化学製）300gを加え、150℃
に昇温し、反応を行ないシリコーン変性フエノールノボ
ラツク樹脂を得た。反応率は、エポキシ基の滴定より95
％であつた。
続いて、上記のようにして得たタブレツトを用いて、
金型温度が180℃±５℃、プランジヤー圧力が80Kg/c
m2、成形時間が90secの条件でトランスフアー成形し、
各種の信越性評価用モニターチツプと各種の評価用試験
片とをそれぞれに作成し、かつこれらの各信頼性評価用
モニターチツプおよび各評価用試験片に対して、175℃,
8hrの後硬化処理を施した。
金型温度が180℃±５℃、プランジヤー圧力が80Kg/c
m2、成形時間が90secの条件でトランスフアー成形し、
各種の信越性評価用モニターチツプと各種の評価用試験
片とをそれぞれに作成し、かつこれらの各信頼性評価用
モニターチツプおよび各評価用試験片に対して、175℃,
8hrの後硬化処理を施した。
また、上記のようにして得られたタブレツトおよび各
評価用試験片を用いて、曲げ弾性率、曲げ強度、線膨張
係数、ガラス転移温度および流動性のそれぞれについて
測定した。その結果を表２に示す。
評価用試験片を用いて、曲げ弾性率、曲げ強度、線膨張
係数、ガラス転移温度および流動性のそれぞれについて
測定した。その結果を表２に示す。
なお、比較例２は流動性がわるく各種評価用試片を作
製することができなかつた。
製することができなかつた。
さらに、上記のようにして得られた各信頼性評価用モ
ニターチツプを用いて、耐熱信頼性試験、耐湿信頼性試
験および耐冷熱サイクル試験を次の手段で行なつた。そ
の結果を表２に示す。
ニターチツプを用いて、耐熱信頼性試験、耐湿信頼性試
験および耐冷熱サイクル試験を次の手段で行なつた。そ
の結果を表２に示す。
“耐熱信頼性試験” 空気中、250℃の条件で、モニターチツプに不良が発
生するまでの時間を測定した。
生するまでの時間を測定した。
“耐湿信頼性試験” PCT（Pressure Cooker Test）130℃、2.7気圧の条件
で、1000hr後でのモニターチツプの不良数によつて評価
した。
で、1000hr後でのモニターチツプの不良数によつて評価
した。
“耐冷熱サイクル試験” −65℃で30minと150℃で30minとを１サイクルとし、5
00サイクル後でのモニターチツプの不良数によつて評価
した。
00サイクル後でのモニターチツプの不良数によつて評価
した。
すなわち、表２から判るように、この実施例での半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、ガラス
転移温度の低下を防止し、曲げ強度および組成物の流動
性を損なわずに、熱応力の低減が図れる。一方、比較例
５および６はガラス転移温度を低下させることにより、
熱応力値が低下しているが、表３のモニターチツプの耐
熱性試験結果に見られるように、耐熱性の低下を まねいている。
体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、ガラス
転移温度の低下を防止し、曲げ強度および組成物の流動
性を損なわずに、熱応力の低減が図れる。一方、比較例
５および６はガラス転移温度を低下させることにより、
熱応力値が低下しているが、表３のモニターチツプの耐
熱性試験結果に見られるように、耐熱性の低下を まねいている。
又、実施例７および比較例２の低応力化処方での対比
でも実施例７は、流動性を著しく損なうことなく、大き
な低応力化が達成できている。
でも実施例７は、流動性を著しく損なうことなく、大き
な低応力化が達成できている。
さらに、表３から判るように評価用モニターチツプの
耐熱性、耐湿性および耐冷熱サイクル性についても非常
に優れた特性を有するものである。
耐熱性、耐湿性および耐冷熱サイクル性についても非常
に優れた特性を有するものである。
以上説明したとうり、この発明は、 化学式 で示されるエポキシ樹脂（ａ）、軟化点が90〜130℃の
フエノールノボラツク樹脂（ｂ）、無機充填剤80〜90重
量％および硬化促進剤を含有し、上記エポキシ樹脂
（ａ）のエポキシ基と上記フエノールノボラツク樹脂
（ｂ）のフエノール性水酸基の当量比が、上記エポキシ
基に対し、0.8〜1.2のものを用いることにより、無機充
填剤の添加量を増大させたり、シリコーン化合物で変性
して熱応力を低減させても、組成物の流動性が向上し、
かつその硬化物もエポキシ樹脂の有する優れた耐熱性、
耐湿性および耐冷熱衝撃性を変化させない半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得ることができ、例えばICおよび
LSIに用いることができる。
フエノールノボラツク樹脂（ｂ）、無機充填剤80〜90重
量％および硬化促進剤を含有し、上記エポキシ樹脂
（ａ）のエポキシ基と上記フエノールノボラツク樹脂
（ｂ）のフエノール性水酸基の当量比が、上記エポキシ
基に対し、0.8〜1.2のものを用いることにより、無機充
填剤の添加量を増大させたり、シリコーン化合物で変性
して熱応力を低減させても、組成物の流動性が向上し、
かつその硬化物もエポキシ樹脂の有する優れた耐熱性、
耐湿性および耐冷熱衝撃性を変化させない半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得ることができ、例えばICおよび
LSIに用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 信田 アツコ 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (72)発明者 森脇 紀元 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−77930（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142023（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−293219（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−124647（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128020（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−20541（ＪＰ，Ｂ１) 「電子材料」12月号（第25巻12号) （昭61−12−１）株式会社工業調査会 Ｐ．66〜73
Claims (1)
- 【請求項１】化学式 で示されるエポキシ樹脂（ａ）、軟化点が90〜130℃の
フェノールノボラック樹脂（ｂ）、無機充填剤80〜90重
量％および硬化促進剤を含有し、上記エポキシ樹脂
（ａ）のエポキシ基と上記フェノールノボラック樹脂
（ｂ）のフェノール性水酸基の当量比が、上記エポキシ
基に対し、0.8〜1.2である半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264652A JP2621429B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264652A JP2621429B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110958A JPH02110958A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2621429B2 true JP2621429B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17406327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264652A Expired - Lifetime JP2621429B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621429B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH10233408A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Nec Corp | 金属接合構造及び半導体装置 |
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120541A (ja) * | 1974-08-12 | 1976-02-18 | Toray Industries | |
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| JPS6377930A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0676476B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1994-09-28 | 東芝ケミカル株式会社 | 封止用樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63264652A patent/JP2621429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「電子材料」１２月号（第２５巻１２号）（昭６１−１２−１）株式会社工業調査会Ｐ．６６〜７３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110958A (ja) | 1990-04-24 |
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