JPS6347382A - 窒化アルミセラミック配線基板の製法 - Google Patents
窒化アルミセラミック配線基板の製法Info
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- JPS6347382A JPS6347382A JP19188786A JP19188786A JPS6347382A JP S6347382 A JPS6347382 A JP S6347382A JP 19188786 A JP19188786 A JP 19188786A JP 19188786 A JP19188786 A JP 19188786A JP S6347382 A JPS6347382 A JP S6347382A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、電子基材として使用される窒化物系セラミ
ック配線基板の製法に関する。
ック配線基板の製法に関する。
セラミック等の無機系配線基板からなる回路板を作る方
法として、従来、タングステンスラリーで焼成前のグリ
ーンセラミックシート上に回路を描き、還元性雰囲気中
で一体に焼成する方法、あるいは、A g / P d
、 A g / P t 、 A u 、 Cuな
どの金属微粉末をガラスフリフト、有機系ビしクルと混
合しペースト化し、セラミック基板上にスクリーン印刷
した後、ガラスフリフトがセラミック基板に溶融接合す
る温度で焼成し、回路を形成する方法が一般的である。
法として、従来、タングステンスラリーで焼成前のグリ
ーンセラミックシート上に回路を描き、還元性雰囲気中
で一体に焼成する方法、あるいは、A g / P d
、 A g / P t 、 A u 、 Cuな
どの金属微粉末をガラスフリフト、有機系ビしクルと混
合しペースト化し、セラミック基板上にスクリーン印刷
した後、ガラスフリフトがセラミック基板に溶融接合す
る温度で焼成し、回路を形成する方法が一般的である。
これらの方法は、配線抵抗が大きいので微細配線には不
向きで、かつ、ファインパターンを形成しにくい。また
、ガラス質を含むため、はんだ付着性が劣り、不良品が
出やすく、使用時に故障をおこしやすい等の欠点がある
。
向きで、かつ、ファインパターンを形成しにくい。また
、ガラス質を含むため、はんだ付着性が劣り、不良品が
出やすく、使用時に故障をおこしやすい等の欠点がある
。
セラミック基板と銅箔とを接着剤を用いて粘着し、所定
回路部分にエツチングレジスト被膜を形成し、所定回路
部分以外をエツチング除去し、その後、エツチングレジ
スト被膜を剥離することにより回路を形成する方法もあ
る。しかしながら、現在、無機系のよい接着剤がなく、
有機系の接着剤は耐熱性、耐薬品性1寸法安定性等の特
性の点で劣るため、この方法は一般に使用されていない
セラミック配線基板の製法としては、この他、化学めっ
き法により形成する方法がある。化学めっき法は、上に
述べたような欠点を有しないため、実用性にすぐれた方
法と言える。しかし、基板と金属層との間に強い密着力
を得ることが困難でる。
回路部分にエツチングレジスト被膜を形成し、所定回路
部分以外をエツチング除去し、その後、エツチングレジ
スト被膜を剥離することにより回路を形成する方法もあ
る。しかしながら、現在、無機系のよい接着剤がなく、
有機系の接着剤は耐熱性、耐薬品性1寸法安定性等の特
性の点で劣るため、この方法は一般に使用されていない
セラミック配線基板の製法としては、この他、化学めっ
き法により形成する方法がある。化学めっき法は、上に
述べたような欠点を有しないため、実用性にすぐれた方
法と言える。しかし、基板と金属層との間に強い密着力
を得ることが困難でる。
一般に、配線基板において要求される第1の要素として
、基板材料と配線金属との密着力の良いことが挙げられ
る。したがって、化学めっき法における上記の欠点は、
この方法を実用化する上で重大な問題点であると言える
。ガラスエポキシ等の有機系配線基板材料に対しては、
この密着力を上げる手段の一つとして、基板表面を粗化
した後にメタライズし、いわゆるアンカー効果によって
物理的に基板と金属層とを接合するという方法が酸化物
系セラミック等の無機系配線基板の製法に用いられてい
る例が多数ある。しかしながら、熱伝導率が非常によく
、熱膨張率が搭載されるチップなどのシリコンとよく似
ている窒化アルミなどの窒化物系セラミックは、エツチ
ング剤として用いられる酸やアルカリに対して非常に弱
いため、前記のように、基板表面を粗化した後にメタラ
イズするという方法を用いた例がない。
、基板材料と配線金属との密着力の良いことが挙げられ
る。したがって、化学めっき法における上記の欠点は、
この方法を実用化する上で重大な問題点であると言える
。ガラスエポキシ等の有機系配線基板材料に対しては、
この密着力を上げる手段の一つとして、基板表面を粗化
した後にメタライズし、いわゆるアンカー効果によって
物理的に基板と金属層とを接合するという方法が酸化物
系セラミック等の無機系配線基板の製法に用いられてい
る例が多数ある。しかしながら、熱伝導率が非常によく
、熱膨張率が搭載されるチップなどのシリコンとよく似
ている窒化アルミなどの窒化物系セラミックは、エツチ
ング剤として用いられる酸やアルカリに対して非常に弱
いため、前記のように、基板表面を粗化した後にメタラ
イズするという方法を用いた例がない。
この発明は、このような現状に鑑みてなされたものであ
り、窒化物系セラミック基板の強度が損なわれず、しか
も、金属導体により、微細配線パターンまで形成でき、
かつ、窒化物系セラミックと前記導体との密着が安定し
て強固である窒化物系セラミック配線基板の製法を提供
することにある。
り、窒化物系セラミック基板の強度が損なわれず、しか
も、金属導体により、微細配線パターンまで形成でき、
かつ、窒化物系セラミックと前記導体との密着が安定し
て強固である窒化物系セラミック配線基板の製法を提供
することにある。
この発明は、このような目的を達成するために、焼結し
た窒化物系セラミック基板の表面にメタライジング法に
より金属層を形成してセラミック配線基板を得るにあた
り、前記セラミック基板表面をエツチング剤で粗化し、
この粗化基板を加熱処理したのち金属層を形成するよう
にすることを特徴とする窒化物系セラミック配線基板の
製法を要旨とするものである。
た窒化物系セラミック基板の表面にメタライジング法に
より金属層を形成してセラミック配線基板を得るにあた
り、前記セラミック基板表面をエツチング剤で粗化し、
この粗化基板を加熱処理したのち金属層を形成するよう
にすることを特徴とする窒化物系セラミック配線基板の
製法を要旨とするものである。
以下に、この発明を、その1実施例をあられす図面を参
照しつつ詳しく説明する。
照しつつ詳しく説明する。
この発明にかかるセラミック配線基板の製造プロセスを
第1図に示す、以下、この図に従って製造プロセスを説
明する。
第1図に示す、以下、この図に従って製造プロセスを説
明する。
■ 焼結した窒化アルミセラミンク基板を準備する。焼
結基板の材質としては、窒化アルミ以外の窒化物系セラ
ミックにも適用できる。
結基板の材質としては、窒化アルミ以外の窒化物系セラ
ミックにも適用できる。
■ 窒化アルミセラミック基板の表面粗化(エツチング
)を行う。表面粗化方法に用いるエツチング剤としては
、アルカリ系と酸系の2種類が挙げられる。アルカリ系
のエツチング剤としては、KOH,NaOH,LiOH
からなるアルカリ溶液、溶融物、および、これらの混合
物などが挙げられ、酸系のエツチング剤としては、H3
PO4、Hz SO4、HNOs 、HC1,HFから
なる酸溶液、溶融物、および、これらの混合物などが挙
げられる。アルカリ系のエツチング剤による粗化条件は
、エツチング剤を100〜400℃に加熱し、この加熱
エツチング剤中に基板を浸漬して粗化する方法、あるい
は、基板にエツチング剤を塗布したのち、基板を100
〜400℃に加熱して粗化する方法がある。一方、酸系
エツチング剤の場合も、同様に上記2種類の方法があり
、処理温度は80〜400℃である。いずれの方法をも
ちいる場合にも、処理時間は、30分以下で充分である
。
)を行う。表面粗化方法に用いるエツチング剤としては
、アルカリ系と酸系の2種類が挙げられる。アルカリ系
のエツチング剤としては、KOH,NaOH,LiOH
からなるアルカリ溶液、溶融物、および、これらの混合
物などが挙げられ、酸系のエツチング剤としては、H3
PO4、Hz SO4、HNOs 、HC1,HFから
なる酸溶液、溶融物、および、これらの混合物などが挙
げられる。アルカリ系のエツチング剤による粗化条件は
、エツチング剤を100〜400℃に加熱し、この加熱
エツチング剤中に基板を浸漬して粗化する方法、あるい
は、基板にエツチング剤を塗布したのち、基板を100
〜400℃に加熱して粗化する方法がある。一方、酸系
エツチング剤の場合も、同様に上記2種類の方法があり
、処理温度は80〜400℃である。いずれの方法をも
ちいる場合にも、処理時間は、30分以下で充分である
。
粗化後、水洗乾燥を充分に行う。
■ 表面粗化(エンチング)したセラミック基板を加熱
処理する。粗化基板には金属層との密着力に有効に働か
ない小さなマイクロクランクが発生している。しかも、
水洗などの洗浄を充分に行っても、極微量のエツチング
液の残存が確認される。このマイクロクラックおよび残
存するエツチング液を除去するために加熱処理を行う。
処理する。粗化基板には金属層との密着力に有効に働か
ない小さなマイクロクランクが発生している。しかも、
水洗などの洗浄を充分に行っても、極微量のエツチング
液の残存が確認される。このマイクロクラックおよび残
存するエツチング液を除去するために加熱処理を行う。
処理温度としては1200〜1500℃が適当である。
処理温度が1200℃未満であると、マイクロクランク
を融着してなくすことができない。一方、処理温度が。
を融着してなくすことができない。一方、処理温度が。
1500℃を越えると、セラミック基板全体が焼結を起
こし、粗化によって形成された金属層との密着に有効に
働く表面の凹凸の数、あるいは、形状に影響を及ぼし、
金属層とき密着力が低下する。処理時間としては、特に
、限定しないが、15分以内が適当である。
こし、粗化によって形成された金属層との密着に有効に
働く表面の凹凸の数、あるいは、形状に影響を及ぼし、
金属層とき密着力が低下する。処理時間としては、特に
、限定しないが、15分以内が適当である。
■ 表面活性化処理を行う。この処理は、普通、塩化第
1錫溶液と塩化パラジウム溶液を用いたセンシタイジン
グーアクチベーション法により、セラミック基板表面に
金属パラジウムを析出させるものである。
1錫溶液と塩化パラジウム溶液を用いたセンシタイジン
グーアクチベーション法により、セラミック基板表面に
金属パラジウムを析出させるものである。
■ 化学めっきを行う。これは、普通、化学銅めっき、
あるいは、化学ニッケルめっきなどにより行う。
あるいは、化学ニッケルめっきなどにより行う。
■ 必要に応じ、電解めっきを行う。電解めっきは、必
要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化学めっきを基
板上に施したのち、銅めっき、あるいは、ニッケルめっ
きなどをして行う。
要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化学めっきを基
板上に施したのち、銅めっき、あるいは、ニッケルめっ
きなどをして行う。
■ 必要に応じ、エツチングによる回路形成を行う。化
学めっきまたはその上への電解めっきによって直ちに、
必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっき等の
場合は、エツチングによる回路形成を行うのである。回
路形成法は、一般に用いられている方法による。
学めっきまたはその上への電解めっきによって直ちに、
必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっき等の
場合は、エツチングによる回路形成を行うのである。回
路形成法は、一般に用いられている方法による。
上記のような製法によると、窒化アルミなどの酸・アル
カリに弱い窒化物系セラミックの基本特性を損なうこと
なく、配線抵抗の小さい金属導体により従来世の中にな
かったような微細パターンを形成することが可能である
。しかも、金属層と窒化物系セラミック基板との密着力
も均一で安定して強固な窒化物系セラミック配線基板を
得ることができる。
カリに弱い窒化物系セラミックの基本特性を損なうこと
なく、配線抵抗の小さい金属導体により従来世の中にな
かったような微細パターンを形成することが可能である
。しかも、金属層と窒化物系セラミック基板との密着力
も均一で安定して強固な窒化物系セラミック配線基板を
得ることができる。
(実施例1)
厚み0.635Nの窒化アルミセラミック焼結基板を準
備した。この基板を250〜360℃に加熱したリン酸
中に3〜10分間浸漬し、基板表面を粗化した。粗化後
、充分に水洗し乾燥をおこなった。乾燥後、窒素雰囲気
にした電気炉に入れ、1200〜1400℃で加熱処理
を行った。こののち、表面活性化処理を行い、化学銅め
っき、または、化学ニッケルめっきにより、この試料に
1μmの金属層を形成した。つぎに、電解めっきにより
銅、または、ニッケルの金属層を形成し、金属層の厚み
を35μmに調整した。なお、前記基板の粗化後の表面
粗さRmaxは3〜5μmで、基板の曲げ強度も粗化前
のものと同一値を示した。 また、金属層35μmに調
整した基板を用い、エツチングにより回路パターンを形
成し、900ビ一ル強度、および、L字型引っ張り強度
を測定した。
備した。この基板を250〜360℃に加熱したリン酸
中に3〜10分間浸漬し、基板表面を粗化した。粗化後
、充分に水洗し乾燥をおこなった。乾燥後、窒素雰囲気
にした電気炉に入れ、1200〜1400℃で加熱処理
を行った。こののち、表面活性化処理を行い、化学銅め
っき、または、化学ニッケルめっきにより、この試料に
1μmの金属層を形成した。つぎに、電解めっきにより
銅、または、ニッケルの金属層を形成し、金属層の厚み
を35μmに調整した。なお、前記基板の粗化後の表面
粗さRmaxは3〜5μmで、基板の曲げ強度も粗化前
のものと同一値を示した。 また、金属層35μmに調
整した基板を用い、エツチングにより回路パターンを形
成し、900ビ一ル強度、および、L字型引っ張り強度
を測定した。
(実施例2)
厚み2.0鶴の窒化アルミセラミック基板を準備した。
この基板を150〜250℃に加熱したアルカリ溶融混
合物(NaOH: KOH=1 : 1)中に5〜10
分間浸漬し、基板表面を粗化した。
合物(NaOH: KOH=1 : 1)中に5〜10
分間浸漬し、基板表面を粗化した。
粗化後、充分に水洗中和洗浄し乾燥をおこなった。乾燥
後、酸化雰囲気にした電気炉に入れ、1300〜140
0℃で加熱処理を行った。こののち、実施例1と同様に
して、窒化アルミセラミック配線基板を得て、90″ビ
一ル強度、および、L字型引っ張り強度を測定した。
後、酸化雰囲気にした電気炉に入れ、1300〜140
0℃で加熱処理を行った。こののち、実施例1と同様に
して、窒化アルミセラミック配線基板を得て、90″ビ
一ル強度、および、L字型引っ張り強度を測定した。
なお、粗化後の表面粗さRmaxは2〜6μmであった
。
。
(実施例3)
厚み1.5 mの窒化アルミセラミック基板を準備した
。この基板を150〜180℃に加熱した酸混合液(H
2SO4: HNO3=1 : 1)中に5〜10分間
、または、濃H2So4液中に10〜15分間浸漬し、
基板表面を粗化した。粗化後、充分に水洗し乾燥をおこ
なった。乾燥後、酸化雰囲気にした電気炉に入れ、12
00〜1400℃で加熱処理を行った。こののち、実施
例1と同様にして、窒化アルミセラミック配線基板を得
て、90°ピ一ル強度、および、L字型引っ張り強度を
測定した。
。この基板を150〜180℃に加熱した酸混合液(H
2SO4: HNO3=1 : 1)中に5〜10分間
、または、濃H2So4液中に10〜15分間浸漬し、
基板表面を粗化した。粗化後、充分に水洗し乾燥をおこ
なった。乾燥後、酸化雰囲気にした電気炉に入れ、12
00〜1400℃で加熱処理を行った。こののち、実施
例1と同様にして、窒化アルミセラミック配線基板を得
て、90°ピ一ル強度、および、L字型引っ張り強度を
測定した。
なお、粗化後の表面粗さRmaxは1〜3μmであった
。
。
(実施例4)
厚み1.0flの窒化アルミセラミック基板を準備した
。KOH,NaOHあるいはLiOHの飽和溶液をこの
基板表面に塗布し150℃に保持した乾燥機中に30分
間入れて乾燥した。乾燥後、この基板を400℃の電気
炉に10分間入れ、表面を粗化した。粗化後、充分に水
洗中和洗浄し乾燥をおこなった。乾燥後、実施例1と同
様にして、窒化アルミセラミック配線基板を得て、90
°ビ一ル強度、および、L字型引っ張り強度を測定した
。
。KOH,NaOHあるいはLiOHの飽和溶液をこの
基板表面に塗布し150℃に保持した乾燥機中に30分
間入れて乾燥した。乾燥後、この基板を400℃の電気
炉に10分間入れ、表面を粗化した。粗化後、充分に水
洗中和洗浄し乾燥をおこなった。乾燥後、実施例1と同
様にして、窒化アルミセラミック配線基板を得て、90
°ビ一ル強度、および、L字型引っ張り強度を測定した
。
なお、粗化後の表面粗さRmaxは3〜7μmであった
。
。
(実施例5)
厚み1.5鶴の窒化アルミセラミック基板を準備した。
この基板を150〜180℃に加熱した酸混合液(H3
PO4:)(2SO4=10 : 5)中に5〜10分
間、または、濃H2So、液中に10〜15分間浸漬し
、基板表面を粗化した。粗化後、充分に水洗し乾燥をお
こなった。乾燥後、実施例2と同様にして、窒化アルミ
セラミック配線基板を得て、90″ビ一ル強度、および
、L字型引っ張り強度を測定した。
PO4:)(2SO4=10 : 5)中に5〜10分
間、または、濃H2So、液中に10〜15分間浸漬し
、基板表面を粗化した。粗化後、充分に水洗し乾燥をお
こなった。乾燥後、実施例2と同様にして、窒化アルミ
セラミック配線基板を得て、90″ビ一ル強度、および
、L字型引っ張り強度を測定した。
なお、粗化後の表面粗さRmaxは2〜6μmであった
。
。
なお、各実施例で得られた配線基板とも窒化アルミセラ
ミック本来の熱伝導率、熱膨張率1曲げ強度の低下はな
かった。しかも、微細パターンも線幅、線間隔30μm
まで作ることが可能であった。
ミック本来の熱伝導率、熱膨張率1曲げ強度の低下はな
かった。しかも、微細パターンも線幅、線間隔30μm
まで作ることが可能であった。
上記実施例の90°ビ一ル強度、および、L字型引っ張
り強度の結果を第1表に示す。
り強度の結果を第1表に示す。
第 1 表
第1表でみるとおり、実施例で得られた配線基板は、す
べて基板と金属層と密着強度が安定して強固であった。
べて基板と金属層と密着強度が安定して強固であった。
この発明にかかるセラミック配線基板の製法は、上記実
施例に限定されない。窒化物系セラミックは窒化アルミ
以外でも構わない。
施例に限定されない。窒化物系セラミックは窒化アルミ
以外でも構わない。
この発明にかかるセラミック配線基板の製法は、以上の
ように、窒化物系セラミック基板表面をエツチング剤で
表面粗化したのち、加熱処理してマイクロクランクを無
くしてからメタライジングするようにしているので、セ
ラミック基板の強度が損なわれず、しかも、金属導体に
より、微細配線パターンまで形成でき、かつ、セラミッ
クと前記導体との密着が安定して強固である窒化物系セ
ラミック配線基板を作ることができる。
ように、窒化物系セラミック基板表面をエツチング剤で
表面粗化したのち、加熱処理してマイクロクランクを無
くしてからメタライジングするようにしているので、セ
ラミック基板の強度が損なわれず、しかも、金属導体に
より、微細配線パターンまで形成でき、かつ、セラミッ
クと前記導体との密着が安定して強固である窒化物系セ
ラミック配線基板を作ることができる。
第1図はこの発明にかかるセラミック配線基板の製造プ
ロセスを示すブロック図である。
ロセスを示すブロック図である。
Claims (3)
- (1)焼結した窒化物系セラミック基板の表面にメタラ
イジング法により金属層を形成してセラミック配線基板
を得るにあたり、前記セラミック基板表面をエッチング
剤で粗化し、この粗化基板を加熱処理したのち金属層を
形成するようにすることを特徴とする窒化物系セラミッ
ク配線基板の製法。 - (2)エッチング剤がKOH、NaOH、LiOHから
なるアルカリ溶液、溶融物、および、これらの混合物よ
りなる群から選ばれたうちの1つ、または、H_3PO
_4、H_2SO_4、HNO_3、HCl、HFから
なる酸溶液、溶融物、および、これらの混合物よりなる
群から選ばれたうちの1つである特許請求の範囲第1項
記載の窒化物系セラミック配線基板の製法。 - (3)メタライジングの方法が、化学めっきのみによる
方法、または、化学めっきした後、さらに、電解めっき
する方法である特許請求の範囲第1項または第2項記載
の窒化物系セラミック配線基板の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61191887A JPH0726205B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 窒化アルミセラミック配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61191887A JPH0726205B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 窒化アルミセラミック配線基板の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6347382A true JPS6347382A (ja) | 1988-02-29 |
JPH0726205B2 JPH0726205B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=16282107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61191887A Expired - Fee Related JPH0726205B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 窒化アルミセラミック配線基板の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0726205B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03141662A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック配線回路板の製造方法 |
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JP2001259548A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Honda Motor Co Ltd | ガラス基板の表面処理方法 |
JP2003017837A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Tokuyama Corp | プリント配線板の製造方法 |
JP2011105539A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Showa Denko Kk | 窒化アルミニウム焼結体の洗浄方法 |
CN111479408A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-07-31 | 深圳市晶泓达光电工程技术有限公司 | 透明导电电路板制作方法、电路板及透明显示装置 |
EP4137620A1 (en) * | 2020-04-14 | 2023-02-22 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Manufacturing method of modified aluminum nitride raw material, modified aluminum nitride raw material, manufacturing method of aluminum nitride crystals, and downfall defect prevention method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58104079A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-21 | シエ−リング・アクチエンゲゼルシヤフト | セラミツク材料の固着金属化法 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP61191887A patent/JPH0726205B2/ja not_active Expired - Fee Related
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EP4137620A4 (en) * | 2020-04-14 | 2024-05-22 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | MANUFACTURING METHOD FOR MODIFIED ALUMINUM NITRIDE MATERIAL, MODIFIED ALUMINUM NITRIDE MATERIAL, MANUFACTURING METHOD FOR ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS AND FALLING FAILURE PREVENTION METHOD |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0726205B2 (ja) | 1995-03-22 |
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