JP2600138B2 - 磁気抵抗効果素子の取付装置 - Google Patents

磁気抵抗効果素子の取付装置

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JP2600138B2 JP61145253A JP14525386A JP2600138B2 JP 2600138 B2 JP2600138 B2 JP 2600138B2 JP 61145253 A JP61145253 A JP 61145253A JP 14525386 A JP14525386 A JP 14525386A JP 2600138 B2 JP2600138 B2 JP 2600138B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、強磁性体磁気抵抗効果素子(以下MR素子と
称する)を用いて設計される高分解能センサーにおける
MR素子取付装置に関するものである。
従来の技術 近年、MR素子を用いた高分解能センサーは、磁気式エ
ンコーダを主として、モータの回転制御、位置決め制御
に多く使われてきている。
以下図面を参照しながら、上述した従来のMR素子を用
いた高分解能センサー(以下センサーと称する)のMR素
子取り付け構造の一例について説明する。
第4図、第5図は従来のセンサーのMR素子取付装置を
示すものである。
第4図、第5図において、1はMR素子、2はホルダ
ー、3a,3bはネジ止め用長穴、4a,4bはホルダー固定ネ
ジ、5はホルダー取り付けアングル、6a,6bはホルダー
固定用ネジ穴で、7は円筒回転型磁界発生部で、MR素子
1と一定空隙gを介して対向している。
以上の構成において、MR素子1は接着剤等で長穴3a,3
bを持つホルダー2に装着されており、長穴3a,3bを通し
て、ホルダー取り付けアングル5のネジ穴6a,6bに固定
ネジ4a,4bを螺合させてホルダー2を固定することによ
り、MR素子1は磁界発生部7と一定空隙gを持って対向
配置される。
この際、長穴3a,3bに沿って、MR素子1の取り付けら
れたホルダー2を第5図に示すA方向に移動させること
によって、一定空隙gの大きさを変化させることができ
る。
以上のように取り付けられたMR素子1についてその動
作を説明する。
第6図、第7図は、MR素子1によって発生する電圧出
力を表す。
MR素子1に対向して装備される磁界発生部7は、固定
出力となるため、磁電変換によって得られる出力は、MR
素子1の特性と空隙gによって決定される。従来例では
この空隙は、長穴3a,3bによってA方向の調整がされ、
得られる出力はgが大きい場合、第6図(a)のVp-p
なり、gが小さくなると第6図(b)のV′p-pと大き
くなる。
一般的には、次式で表すことができる。
発明が解決しようとする問題点 しかし、上記のような構成では、出力値Vp-pを調整す
るだけであれば、ホルダーとして十分であるが、長穴3
a,3bと、ネジ4a,4bの間には、必ず微少隙間が生じ、ま
た、ネジを固定する際にも、その締め付けのアンバラン
ス等により、第5図破線に示す如くθの傾きを生ずる場
合がある。
MR素子1がθ傾きを持った場合、その出力は、第7図
(a)に示す波形となり、片側に傾きをもった歪波形と
なる。磁界発生部7より発生する磁界が、均等であると
仮定した場合、ホルダー2の傾きはMR素子1に不均等な
磁界を与える事になる。
本発明は上記問題点に鑑み、空隙gによる出力調整が
できるばかりでなく、傾きθによる波形の歪も補正でき
るMR素子の取付装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のMR素子取付装置
は、MR素子を装着した垂直ホルダーと、垂直ホルダーを
円弧上に回動可能に保持する平面ホルダーからなってお
り、平面ホルダーに形成された円弧部を有する切り欠き
段部に、垂直ホルダーに形成した円弧部を有する嵌合部
を嵌合させることにより、空隙と傾きの両方を調整でき
るという構成を備えたものである。
作用 本発明は、上記した構成によって、MR素子に対して均
等な磁界を与えることができるようになるため、MR素子
から発生する出力をより正弦波に近づけることが可能と
なり、第7図(a)から第7図(b)への波形品位補正
を可能とする。
実施例 以下、本発明の一実施例のMR素子取り付け構造につい
て図面を参照しながら説明する。
第1図から第3図に於いて、8は平面ホルダーで、そ
の両側にネジ止め用長穴9a,9bを有し、かつ中央部に、
部分円弧13aが形成された切り欠き段部13を有してい
る。10は垂直ホルダーで、MR素子1はMR素子ガイド11に
沿って装着されている。この垂直ホルダー10は、頭部に
前記平面ホルダー8の切り欠き段部13に嵌合し、かつ矢
印Bに動作できる寸法の外周部分円弧14aを有する嵌合
部14と、矢印B方向の動作をさせやすくするためのドラ
イバー溝12を有している。
以上のように構成されたMR素子取り付け構造について
その動作を説明する。
第1図は、本発明の取付装置全体を示すものであり、
平面ホルダー8は長穴9a,9bを通してアングル5に構成
されたネジ部6a,6bにネジ4a,4bを用いて取り付ける。第
2図に於いて、平面ホルダー8は、磁界発生部7との空
隙g′を長穴9a,9bでA方向に調整しながらネジ4a,4bで
固定される。
この固定状態では、従来例第5図に示すような、MR素
子の傾きθが生じている。傾きθの調整は、平面ホルダ
ー8の切り欠き段部13の円弧部13aと垂直ホルダー10の
嵌合部14の円弧部14aのすべりによって、B方向へ角度
調整することによりなされる。角度調整作業を簡単かつ
正確に行うために、垂直ホルダー10の嵌合部上面にドラ
イバー溝12を設けている。
第3図は、平面ホルダー8に対し、垂直ホルダー10が
嵌合した時の構造であり、垂直ホルダー10は平面ホルダ
ー8の切り欠き段部13に受けられている。
本例では、垂直ホルダー10の角度調整後、平面ホルダ
ー8に垂直ホルダー10を接着固定する。
以上のように本実施例によれば、A方向に移動できる
平面ホルダー8で磁界発生部7との空隙調整をすること
ができ、平面ホルダー8に嵌合された垂直ホルダー10に
よって、微少な角度調整を施すことができるため、MR素
子1を正弦波出力を発生させるための最適位置に置くこ
とが簡単にできる。
発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明は、MR素子の角
度調整を可能とした、平面ホルダー、垂直ホルダーを設
けることにより、バラツキの無い高品位の正弦波波形を
MR素子から得ることができるようになるため、特にアナ
ログ信号を使用した制御系に対し、制御性、精度にすぐ
れた、磁気センサーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のMR素子取付装置の分解斜視図、第2図
は第1図に示す取付構造の上面図、第3図は正面図、第
4図、第5図は従来のMR素子取り付け構造を示す分解斜
視図及び上面図、第6図、第7図はMR素子の位置調整に
よる出力波形の変化を示す説明図である。 1……MR素子、7……磁界発生部、8……平面ホルダ
ー、10……垂直ホルダー、12……ドライバー溝、13……
切り欠き段部、14……嵌合部。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】回転型磁界発生部と一定空隙で対向し、磁
    電変換によって出力発生する強磁性体磁気抵抗効果素子
    を、部分円弧部を有する嵌合部と角度調整用ドライバー
    溝を持つ垂直ホルダーに装着し、この垂直ホルダーの嵌
    合部を、前記嵌合部の円弧部に外接する円弧部を有する
    平面ホルダーの切り欠き段部に嵌合固定してなる磁気抵
    抗効果素子の取付装置。
JP61145253A 1986-06-20 1986-06-20 磁気抵抗効果素子の取付装置 Expired - Fee Related JP2600138B2 (ja)

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US5278497A (en) * 1991-06-18 1994-01-11 Mitsubishi Denki K.K. Magnetic sensor having a magnet-sensitive plane of an MR element arranged perpendicular to both a substrate plane and a magnet

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JPS631920A (ja) 1988-01-06

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