JP2597424B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2597424B2 JP2597424B2 JP40486990A JP40486990A JP2597424B2 JP 2597424 B2 JP2597424 B2 JP 2597424B2 JP 40486990 A JP40486990 A JP 40486990A JP 40486990 A JP40486990 A JP 40486990A JP 2597424 B2 JP2597424 B2 JP 2597424B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】 高段差を有する基板上でレジストパタ
ーン形成を行う際、オーバーハング構造を有する堆積膜
上を加工する工程がある。図１０乃至図１２はオーバー
ハング構造が形成されていく工程の模式断面図を示す。
基板１表面上に熱酸化膜２を形成し、さらにその熱酸化
膜２上に多結晶シリコン４を堆積する（図１０）。
ーン形成を行う際、オーバーハング構造を有する堆積膜
上を加工する工程がある。図１０乃至図１２はオーバー
ハング構造が形成されていく工程の模式断面図を示す。
基板１表面上に熱酸化膜２を形成し、さらにその熱酸化
膜２上に多結晶シリコン４を堆積する（図１０）。
【０００３】次に、レジスト（図示せず）パターン形成
後、所定部分の多結晶シリコン４を除去し、垂直形状の
多結晶シリコン４のパターンが得られる（図１１）。次
に、残存する多結晶シリコン４上および熱酸化膜２上に
ＣＶＤ酸化膜３を堆積する。この場合、段差被覆性の悪
い膜が堆積され、オーバーハング構造となる。 以上述
べたオーバーハング構造を有する基板をパターン形成す
る工程の従来例を、単層レジストプロセスを用いてパタ
ーン形成する工程の模式断面図を図１３乃至図１６に、
また３層プロセスを用いてパターン形成する工程の模式
断面図を図１３および図１７乃至図２１に示す。以下図
面に基づいて説明する。
後、所定部分の多結晶シリコン４を除去し、垂直形状の
多結晶シリコン４のパターンが得られる（図１１）。次
に、残存する多結晶シリコン４上および熱酸化膜２上に
ＣＶＤ酸化膜３を堆積する。この場合、段差被覆性の悪
い膜が堆積され、オーバーハング構造となる。 以上述
べたオーバーハング構造を有する基板をパターン形成す
る工程の従来例を、単層レジストプロセスを用いてパタ
ーン形成する工程の模式断面図を図１３乃至図１６に、
また３層プロセスを用いてパターン形成する工程の模式
断面図を図１３および図１７乃至図２１に示す。以下図
面に基づいて説明する。
【０００４】基板１表面上に熱酸化膜２を形成し、さら
にその熱酸化膜２上にＣＶＤ酸化膜３を堆積する。その
ＣＶＤ酸化膜３上にレジスト（図示せず）パターン形成
後、ＣＶＤ酸化膜３の所定部分を除去することにより溝
１１を形成する。その後、そのＣＶＤ酸化膜３上および
溝１１内に多結晶シリコン４を堆積する（図１３）。次
に、その多結晶シリコン４上にレジスト６を塗布する
（図１４）。その後、マスクパターンを形成氏、露光を
行う（図１５）。次に、その基板を現像することにより
所望のパターンが得られる（図１６）。
にその熱酸化膜２上にＣＶＤ酸化膜３を堆積する。その
ＣＶＤ酸化膜３上にレジスト（図示せず）パターン形成
後、ＣＶＤ酸化膜３の所定部分を除去することにより溝
１１を形成する。その後、そのＣＶＤ酸化膜３上および
溝１１内に多結晶シリコン４を堆積する（図１３）。次
に、その多結晶シリコン４上にレジスト６を塗布する
（図１４）。その後、マスクパターンを形成氏、露光を
行う（図１５）。次に、その基板を現像することにより
所望のパターンが得られる（図１６）。
【０００５】一方、３層プロセスを用いてパターン形成
する工程については、まず上述した図１３の基板上に下
層レジスト７を塗布し、その後その下層レジスト７上に
中間層８を形成する。この中間層８にはたとえば塗布ガ
ラス等を用いる。次にその中間層８上に上層レジスト９
を塗布する（図１７）。次に、上層レジストパターン
（図示せず）を形成し、溝１１直上の上層レジスト９を
除去する（図１８）。その後、その基板をドライ現像す
ることにより、除去された上層レジスト９直下の中間層
８を除去する（図１９）。
する工程については、まず上述した図１３の基板上に下
層レジスト７を塗布し、その後その下層レジスト７上に
中間層８を形成する。この中間層８にはたとえば塗布ガ
ラス等を用いる。次にその中間層８上に上層レジスト９
を塗布する（図１７）。次に、上層レジストパターン
（図示せず）を形成し、溝１１直上の上層レジスト９を
除去する（図１８）。その後、その基板をドライ現像す
ることにより、除去された上層レジスト９直下の中間層
８を除去する（図１９）。
【０００６】次に、異方性エッチングにより下層レジス
ト７を除去する（図２０）。その後多結晶シリコン４を
エッチングする（図２１）。
ト７を除去する（図２０）。その後多結晶シリコン４を
エッチングする（図２１）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】 ところで、上述した
ように、単層レジストプロセスでは、図１６に示すよう
に細いスリット状の中にあるレジストを除去し、かつ求
める線幅に加工することが困難である。また、３層プロ
セスでは、下層レジストを加工する際、異方性のドライ
現像等の手法を用いるため、図２０に示すようにオーバ
ーハング下のレジストすなわち下層レジスト７ａを除去
するのが困難となり、また図２１に示すように多結晶シ
リコンの部分的な残り多結晶シリコン４ａが発生する等
の問題があった。
ように、単層レジストプロセスでは、図１６に示すよう
に細いスリット状の中にあるレジストを除去し、かつ求
める線幅に加工することが困難である。また、３層プロ
セスでは、下層レジストを加工する際、異方性のドライ
現像等の手法を用いるため、図２０に示すようにオーバ
ーハング下のレジストすなわち下層レジスト７ａを除去
するのが困難となり、また図２１に示すように多結晶シ
リコンの部分的な残り多結晶シリコン４ａが発生する等
の問題があった。
【０００８】本発明はこれらの点を鑑みてなされたもの
で、高段差上でのレジストパターン形成を簡単に、かつ
オーバーハング形状においてもその加工を容易とする半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、高段差上でのレジストパターン形成を簡単に、かつ
オーバーハング形状においてもその加工を容易とする半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 本発明の半導体装置の
製造方法は、基板上に熱酸化膜を形成し、続いてＣＶＤ
酸化膜を形成した後、そのＣＶＤ酸化膜の所定部分を除
去することにより溝を形成し、その後そのＣＶＤ酸化膜
上およびその溝内に多結晶シリコンを堆積し、その後、
その多結晶シリコン上および溝内にスピンオンガラスを
塗布した後、上記溝を含まないスピンオンガラス上にフ
ォトレジストを形成し、その後エッチングにより上記溝
内の上記スピンオンガラスを除去した後、上記溝内に残
存する多結晶ポリシリコンをエッチングにより除去した
後、上記フォトレジストを除去し、その後上記ＣＶＤ酸
化膜上に残存する上記スピンオンガラスを除去すること
を特徴としている。
製造方法は、基板上に熱酸化膜を形成し、続いてＣＶＤ
酸化膜を形成した後、そのＣＶＤ酸化膜の所定部分を除
去することにより溝を形成し、その後そのＣＶＤ酸化膜
上およびその溝内に多結晶シリコンを堆積し、その後、
その多結晶シリコン上および溝内にスピンオンガラスを
塗布した後、上記溝を含まないスピンオンガラス上にフ
ォトレジストを形成し、その後エッチングにより上記溝
内の上記スピンオンガラスを除去した後、上記溝内に残
存する多結晶ポリシリコンをエッチングにより除去した
後、上記フォトレジストを除去し、その後上記ＣＶＤ酸
化膜上に残存する上記スピンオンガラスを除去すること
を特徴としている。
【００１０】
【作用】 フォトレジストを形成する前に、基板上およ
びオーバーハング構造を有する溝部分にスピンオンガラ
スを堆積することにより、基板上は平坦化される。
びオーバーハング構造を有する溝部分にスピンオンガラ
スを堆積することにより、基板上は平坦化される。
【００１１】
【実施例】 図１乃至図９は、本発明実施例を経時的に
示す模式断面図である。以下、図面に基づいて本発明実
施例を説明する。基板１表面上に熱酸化膜２を形成し、
さらにその熱酸化膜２上にＣＶＤ酸化膜３を堆積する。
そのＣＶＤ酸化膜３上にレジスト（図示せず）パターン
形成後、ＣＶＤ酸化膜３の所定部分を除去することによ
り、ＣＶＤ酸化膜３内に溝１０を形成する。その後、そ
のＣＶＤ酸化膜３上および溝１０内に多結晶シリコン４
を堆積する（図１）。
示す模式断面図である。以下、図面に基づいて本発明実
施例を説明する。基板１表面上に熱酸化膜２を形成し、
さらにその熱酸化膜２上にＣＶＤ酸化膜３を堆積する。
そのＣＶＤ酸化膜３上にレジスト（図示せず）パターン
形成後、ＣＶＤ酸化膜３の所定部分を除去することによ
り、ＣＶＤ酸化膜３内に溝１０を形成する。その後、そ
のＣＶＤ酸化膜３上および溝１０内に多結晶シリコン４
を堆積する（図１）。
【００１２】次に、この基板上およびオーバーハング構
造の溝１０内にスピンオンガラス５（Ｓｐｉｎ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）を塗布し、埋め込む（図２）。その後、そ
のスピンオンガラス５上にフォトレジスト６を形成する
（図３）。次に、異方性エッチングによりスピンオンガ
ラス５を細いスリット状に除去し（図４）、またさら
に、等方性エッチングにより等方的に、溝１０内のスピ
ンオンガラス５を除去する（図５）。次に、多結晶シリ
コン４を異方性エッチングにより除去し（図６）、また
さらに、等方性エッチングにより等方的に、溝１０内の
多結晶シリコン４を除去する。
造の溝１０内にスピンオンガラス５（Ｓｐｉｎ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）を塗布し、埋め込む（図２）。その後、そ
のスピンオンガラス５上にフォトレジスト６を形成する
（図３）。次に、異方性エッチングによりスピンオンガ
ラス５を細いスリット状に除去し（図４）、またさら
に、等方性エッチングにより等方的に、溝１０内のスピ
ンオンガラス５を除去する（図５）。次に、多結晶シリ
コン４を異方性エッチングにより除去し（図６）、また
さらに、等方性エッチングにより等方的に、溝１０内の
多結晶シリコン４を除去する。
【００１３】次にフォトレジスト６を除去し（図８）、
多結晶シリコン４上に残存するスピンオンガラス５を、
ＨＦ水溶液等により除去する（図９）。以上の工程によ
り、オーバーハング下のフォトレジスト６を除去するこ
とができ、多結晶シリコン４が溝１１内に残存すること
もない。
多結晶シリコン４上に残存するスピンオンガラス５を、
ＨＦ水溶液等により除去する（図９）。以上の工程によ
り、オーバーハング下のフォトレジスト６を除去するこ
とができ、多結晶シリコン４が溝１１内に残存すること
もない。
【００１４】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明によれば
フォトレジストパターン形成を行う前に平坦化を行うよ
う構成したから、高段差上およびオーバーハング構造を
有する基板においてもそのレジストパターン形成は容易
となり、精度の高いパターンニングが実現できる。その
結果、高集積化が容易に実現される。
フォトレジストパターン形成を行う前に平坦化を行うよ
う構成したから、高段差上およびオーバーハング構造を
有する基板においてもそのレジストパターン形成は容易
となり、精度の高いパターンニングが実現できる。その
結果、高集積化が容易に実現される。
【図１】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図２】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図３】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図４】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図５】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図６】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図７】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図８】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図９】 本発明実施例を経時的に示す模式断面図
【図１０】 オーバーハング構造の形成工程を経時的に
示す模式断面図
示す模式断面図
【図１１】 オーバーハング構造の形成工程を経時的に
示す模式断面図
示す模式断面図
【図１２】 オーバーハング構造の形成工程を経時的に
示す模式断面図
示す模式断面図
【図１３】 従来例を経時的に示す模式断面図
【図１４】 従来例を経時的に示す模式断面図
【図１５】 従来例を経時的に示す模式断面図
【図１６】 従来例を経時的に示す模式断面図
【図１７】 他の従来例を経時的に示す模式断面図
【図１８】 他の従来例を経時的に示す模式断面図
【図１９】 他の従来例を経時的に示す模式断面図
【図２０】 他の従来例を経時的に示す模式断面図
【図２１】 他の従来例を経時的に示す模式断面図
１・・・・単結晶シリコン ２・・・・熱酸化膜 ３・・・・ＣＶＤ酸化膜 ４・・・・多結晶シリコン ５・・・・スピンオンガラス ６・・・・フォトレジスト １０・・・・溝
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に熱酸化膜を形成し、続いてＣＶ
Ｄ酸化膜を形成した後、そのＣＶＤ酸化膜の所定部分を
除去することにより溝を形成し、その後そのＣＶＤ酸化
膜上およびその溝内に多結晶シリコンを堆積し、その
後、その多結晶シリコン上および溝内にスピンオンガラ
スを塗布した後、上記溝を含まないスピンオンガラス上
にフォトレジストを形成し、その後エッチングにより上
記溝内の上記スピンオンガラスを除去した後、上記溝内
に残存する多結晶ポリシリコンをエッチングにより除去
した後、上記フォトレジストを除去し、その後上記ＣＶ
Ｄ酸化膜上に残存する上記スピンオンガラスを除去する
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40486990A JP2597424B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40486990A JP2597424B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221826A JPH04221826A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2597424B2 true JP2597424B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=18514524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40486990A Expired - Fee Related JP2597424B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597424B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021044351A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置および成膜システム |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP40486990A patent/JP2597424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04221826A (ja) | 1992-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |