JP2596822B2 - ポリカーボネートの製造法 - Google Patents
ポリカーボネートの製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電子供与性アミン化合物触媒の存在下で2価
フェノールとビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カー
ボネート等とを溶融重縮合させて得られる高分子量ポリ
カーボネートの製法に関するものである。
フェノールとビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カー
ボネート等とを溶融重縮合させて得られる高分子量ポリ
カーボネートの製法に関するものである。
(従来技術と発明が解決しようとする課題) 本発明の高分子量ポリカーボネートは、幅広い用途、
特に射出成形用又は窓ガラスの代わりのガラスシートと
しての用途を有する。汎用エンジニアリングサーモプラ
スチックスである。界面重縮合法は一般的にポリカーボ
ネートの製造に効果的であるが、有毒なホスゲンを使用
することや塩素イオンが生成するポリカーボネートに残
存することなどの欠点を有する。これらの欠点を除くた
めに有毒なホスゲンの代わりにホスゲンのダイマーであ
る液体のトリクロロメチルクロロホルメートを用いて特
殊な2価フェノールとを界面重縮合反応でポリカーボネ
ートを製造することが特開昭63−182336に開示されてい
る。しかしながら、特殊な2価フェノールである9,9−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン類について
の記載があるのみである。また、有毒なホスゲンの代わ
りにトリホスゲンを用いて2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパンからポリカーボネートを得ることが
Angew.Chem.(アンゲバンテ,ヘミー)99.922(1987)
に記載されているが、ホスゲンが発生する反応機構も提
唱されている。
特に射出成形用又は窓ガラスの代わりのガラスシートと
しての用途を有する。汎用エンジニアリングサーモプラ
スチックスである。界面重縮合法は一般的にポリカーボ
ネートの製造に効果的であるが、有毒なホスゲンを使用
することや塩素イオンが生成するポリカーボネートに残
存することなどの欠点を有する。これらの欠点を除くた
めに有毒なホスゲンの代わりにホスゲンのダイマーであ
る液体のトリクロロメチルクロロホルメートを用いて特
殊な2価フェノールとを界面重縮合反応でポリカーボネ
ートを製造することが特開昭63−182336に開示されてい
る。しかしながら、特殊な2価フェノールである9,9−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン類について
の記載があるのみである。また、有毒なホスゲンの代わ
りにトリホスゲンを用いて2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパンからポリカーボネートを得ることが
Angew.Chem.(アンゲバンテ,ヘミー)99.922(1987)
に記載されているが、ホスゲンが発生する反応機構も提
唱されている。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは、カーボネート結合を生成する化合物と
してビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネート
と2価フェノールを溶融重縮合させることにより、毒性
のホスゲンを用いず且つ塩素イオンを本質的に含まない
高分子量ポリカーボネートが得られる事実を見い出すに
至った。
してビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネート
と2価フェノールを溶融重縮合させることにより、毒性
のホスゲンを用いず且つ塩素イオンを本質的に含まない
高分子量ポリカーボネートが得られる事実を見い出すに
至った。
本発明は(1)電子供与性アミン化合物から選択され
た触媒の存在下で2価フェノールとビス(2,4,6−トリ
クロロフェニル)カーボネート又はビス(2,4−ジクロ
ロフェニル)カーボネート又はビス(2−シアノフェニ
ル)カーボネートとを溶融重縮合させることを特徴とす
るポリカーボネートの製造法。(2)2価フェノールが
(I),(II),(III),(IV)で表される前記
(1)記載のポリカーボネートの製造法。
た触媒の存在下で2価フェノールとビス(2,4,6−トリ
クロロフェニル)カーボネート又はビス(2,4−ジクロ
ロフェニル)カーボネート又はビス(2−シアノフェニ
ル)カーボネートとを溶融重縮合させることを特徴とす
るポリカーボネートの製造法。(2)2価フェノールが
(I),(II),(III),(IV)で表される前記
(1)記載のポリカーボネートの製造法。
(R1,R2,R3,R4は水素又は炭素数1〜8の直鎖又は枝分
れを含むアルキル基、又はフェニル基でありXはハロゲ
ン原子でn=0〜4)に関するものである。(3)前記
(1)又は(2)記載のポリカーボネート共重合体の製
造法。
れを含むアルキル基、又はフェニル基でありXはハロゲ
ン原子でn=0〜4)に関するものである。(3)前記
(1)又は(2)記載のポリカーボネート共重合体の製
造法。
本発明に使用しうる電子供与性アミン化合物の代表例
としては、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン,4−ジ
エチルアミノピリジン,4−ピロリジノピリジン,4−アミ
ノピリジン,2−アミノピリジン,2−ヒドロキシピリジ
ン,2−メトキシピリジン,4−メトキシピリジン,4−ヒド
ロキシピリジン,2−ジメチルアミノイミダゾール,2−メ
トキシイミダゾール,2−メルカプトイミダゾール,2−ア
ミノピリジン,アミノキノリン,イミダゾール等が挙げ
られる。
としては、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン,4−ジ
エチルアミノピリジン,4−ピロリジノピリジン,4−アミ
ノピリジン,2−アミノピリジン,2−ヒドロキシピリジ
ン,2−メトキシピリジン,4−メトキシピリジン,4−ヒド
ロキシピリジン,2−ジメチルアミノイミダゾール,2−メ
トキシイミダゾール,2−メルカプトイミダゾール,2−ア
ミノピリジン,アミノキノリン,イミダゾール等が挙げ
られる。
また、2価フェノールの代表例としては、以下の化合
物が挙げられる。一般式(I)に分類されるビスフェノ
ールとして、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
プロパン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)ブタ
ン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチ
ルペンタン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)オ
クタン,4,4′−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェニルエ
タン,2−2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパンなどが挙げられる。一般式(II)に
分類されるビスフェノールとして、2,2−ビス−(4−
ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン,2,2−ビス
−(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)プロ
パン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−sec.ブチルフ
ェニル)プロパン,2,2−ビス−(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン,2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシ−3−ターシャリーブチルフェニル)プロパンな
どが挙げられる。一般式(III)に分類されるビスフェ
ノールとして、1,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−p−ジイソプロピルベンゼン,1,1′−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン
などが挙げられる。一般式(IV)に分類されるビスフェ
ノールとして、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサンが挙げられる。さらに、一般式(I),
(II),(III),(IV)の中から選択された2種又は
3種以上の2価フェノールを組み合せた共重合ポリカー
ボネートを製造することも可能である。
物が挙げられる。一般式(I)に分類されるビスフェノ
ールとして、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
プロパン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)ブタ
ン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチ
ルペンタン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)オ
クタン,4,4′−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェニルエ
タン,2−2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパンなどが挙げられる。一般式(II)に
分類されるビスフェノールとして、2,2−ビス−(4−
ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン,2,2−ビス
−(4−ヒドロキシ−3−イソプロピルフェニル)プロ
パン,2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−sec.ブチルフ
ェニル)プロパン,2,2−ビス−(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン,2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシ−3−ターシャリーブチルフェニル)プロパンな
どが挙げられる。一般式(III)に分類されるビスフェ
ノールとして、1,1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−p−ジイソプロピルベンゼン,1,1′−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン
などが挙げられる。一般式(IV)に分類されるビスフェ
ノールとして、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサンが挙げられる。さらに、一般式(I),
(II),(III),(IV)の中から選択された2種又は
3種以上の2価フェノールを組み合せた共重合ポリカー
ボネートを製造することも可能である。
本発明の方法は、電子供与性アミン化合物から選択さ
れた触媒を用いてビスフェノールAのような2価フェノ
ールをビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネー
トと溶融重縮合反応させることによって実施される。
れた触媒を用いてビスフェノールAのような2価フェノ
ールをビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネー
トと溶融重縮合反応させることによって実施される。
この反応が進む温度は、100℃以下から約300℃までの
範囲である。好ましくは130℃から250℃の範囲である。
130℃以下であると反応速度が遅くなり、250℃以上であ
ると副反応が起こりやすくなる。
範囲である。好ましくは130℃から250℃の範囲である。
130℃以下であると反応速度が遅くなり、250℃以上であ
ると副反応が起こりやすくなる。
触媒として用いる電子供与性アミン化合物は、反応系
中に存在する2価フェノールに対して10-1モル%から10
-3モル%を必要とするが、好ましくは10-2モル%であ
る。10-2モル%未満であると触媒作用が少なくポリカー
ボネートの重合速度が遅くなり10-1モル%以上であると
触媒として生成するポリカーボネートに残存する率が高
くなるのでポリカーボネートの物性低下をまねく。
中に存在する2価フェノールに対して10-1モル%から10
-3モル%を必要とするが、好ましくは10-2モル%であ
る。10-2モル%未満であると触媒作用が少なくポリカー
ボネートの重合速度が遅くなり10-1モル%以上であると
触媒として生成するポリカーボネートに残存する率が高
くなるのでポリカーボネートの物性低下をまねく。
また、ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネ
ートの必要量は反応系中に存在する2価フェノールと当
モル必要である。一般に高分子ポリカーボネートが生成
するためにはカーボネート化合物1モルと2価フェノー
ル1モルが反応しなければならない。ビス(2,4,6−ト
リクロロフェニル)カーボネートを用いた場合、2,4,6
−トリクロロフェノール2モルが前記反応によって生じ
る。これら2モルの2,4,6−トリクロロフェノールは反
応系外に留去される。
ートの必要量は反応系中に存在する2価フェノールと当
モル必要である。一般に高分子ポリカーボネートが生成
するためにはカーボネート化合物1モルと2価フェノー
ル1モルが反応しなければならない。ビス(2,4,6−ト
リクロロフェニル)カーボネートを用いた場合、2,4,6
−トリクロロフェノール2モルが前記反応によって生じ
る。これら2モルの2,4,6−トリクロロフェノールは反
応系外に留去される。
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明
は、これらの実施例によって限定されるものではない。
は、これらの実施例によって限定されるものではない。
(実施例) 実施例1 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン22.8g
(0.1モル)と4−ジメチルアミノピリジン0.122g[2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンに対して10
-2モル%],ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カー
ボネート42.09g(0.1モル)を加え窒素下、160℃で1時
間撹はん後、徐々に減圧しながら昇温させ、最終的に0.
1Torr,230℃,1時間重縮合反応させ生成すると2,4,6−ト
リクロロフェノールを留去させて、無色透明なポリカー
ボネートを得た。粘度平均分子量を測定するとv=2
9,000であった。また、ガラス平均分子量は150℃であっ
た。
(0.1モル)と4−ジメチルアミノピリジン0.122g[2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンに対して10
-2モル%],ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カー
ボネート42.09g(0.1モル)を加え窒素下、160℃で1時
間撹はん後、徐々に減圧しながら昇温させ、最終的に0.
1Torr,230℃,1時間重縮合反応させ生成すると2,4,6−ト
リクロロフェノールを留去させて、無色透明なポリカー
ボネートを得た。粘度平均分子量を測定するとv=2
9,000であった。また、ガラス平均分子量は150℃であっ
た。
粘度平均分子量の測定方法は、20℃における塩化メチ
レン溶液の固有粘度[η]をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量vを計算した。
レン溶液の固有粘度[η]をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量vを計算した。
[η]=1.11×10-4(v)0.82 実施例2 実施例1と全く同様の条件下で4−ジメチルアミノピ
リジンの代わりにイミダゾール0.068g[2,2ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパンに対して10-2モル%]を
加え、窒素下、2時間撹はん後、実施例1と同様の方法
で重縮合反応を行い無色透明のポリカーボネートを得
た。粘度平均分子量を測定するとv=28,000であっ
た。また、ガラス転移温度は150℃であった。
リジンの代わりにイミダゾール0.068g[2,2ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパンに対して10-2モル%]を
加え、窒素下、2時間撹はん後、実施例1と同様の方法
で重縮合反応を行い無色透明のポリカーボネートを得
た。粘度平均分子量を測定するとv=28,000であっ
た。また、ガラス転移温度は150℃であった。
実施例3 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン11.4g
(50モル%),2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−ターシ
ャリブチルフェニル)プロパン17.0g(50モル%),イ
ミダゾール0.068g[ビスフェノール成分に対して10-2モ
ル%]を窒素下、2時間撹はん後実施例1と同様の方法
で重縮合反応を行い無色透明のポリカーボネートを得
た。このポリカーボネートの粘度平均分子量v=25,0
00,ガラス転移温度は128℃であった。
(50モル%),2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−ターシ
ャリブチルフェニル)プロパン17.0g(50モル%),イ
ミダゾール0.068g[ビスフェノール成分に対して10-2モ
ル%]を窒素下、2時間撹はん後実施例1と同様の方法
で重縮合反応を行い無色透明のポリカーボネートを得
た。このポリカーボネートの粘度平均分子量v=25,0
00,ガラス転移温度は128℃であった。
比較例 実施例1と全く同条件下でビス(2,4,6−トリクロロ
フェニル)カーボネートの代わりにジフェニルカーボネ
ート21.4g(0.1モル)を用いて同様の処理を行ったが、
ポリマーは得られず原料を回収しただけであった。
フェニル)カーボネートの代わりにジフェニルカーボネ
ート21.4g(0.1モル)を用いて同様の処理を行ったが、
ポリマーは得られず原料を回収しただけであった。
(発明の効果) ビス(2,4,6−トリクロロフェニル)カーボネート等
を用いることにより毒性のホスゲンを用いずに実質的に
塩素イオンを含まない高分子量で無色透明なポリカーボ
ネートを得ることができた。
を用いることにより毒性のホスゲンを用いずに実質的に
塩素イオンを含まない高分子量で無色透明なポリカーボ
ネートを得ることができた。
Claims (3)
- 【請求項1】電子供与性アミン化合物から選択された触
媒の存在下で2価フェノールとビス(2,4,6−トリクロ
ロフェニル)カーボネート又はビス(2,4−ジクロロフ
ェニル)カーボネート又はビス(2−シアノフェニル)
カーボネートとを溶融重縮合させることを特徴とするポ
リカーボネートの製造法。 - 【請求項2】2価フェノールが(I),(II),(II
I),(IV)で表される特許請求の範囲第1項記載のポ
リカーボネートの製造法。 (R1,R2,R3,R4は水素又は炭素数1〜8の直鎖又は枝分
れを含むアルキル基、又はフェニル基でありXはハロゲ
ン原子でn=0〜4) - 【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項記載のポ
リカーボネート共重合体の製造法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1031904A JP2596822B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ポリカーボネートの製造法 |
US07/475,206 US5025083A (en) | 1989-02-10 | 1990-02-02 | Process for preparation of polycarbonate |
EP19900102599 EP0382250A3 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-09 | Process for preparation of polycarbonate |
EP90125784A EP0492003A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-12-28 | Process for the preparation of polycarbonate |
US07/638,975 US5168112A (en) | 1989-02-10 | 1991-01-08 | Process for the preparation of a polycarbonate with piperidinyl pyridine catalyst |
US07/764,300 US5149770A (en) | 1989-02-10 | 1991-09-24 | Preparation of a polycarbonate with electron donative amine compound and alkali or alkaline earth metal compound |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1031904A JP2596822B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ポリカーボネートの製造法 |
EP90125784A EP0492003A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-12-28 | Process for the preparation of polycarbonate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02212518A JPH02212518A (ja) | 1990-08-23 |
JP2596822B2 true JP2596822B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=40158579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1031904A Expired - Lifetime JP2596822B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | ポリカーボネートの製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0492003A1 (ja) |
JP (1) | JP2596822B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2779850B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1998-07-23 | ダイセル化学工業株式会社 | ポリカーボネートの製造法 |
US5468836A (en) * | 1992-01-29 | 1995-11-21 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of polycarbonate |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5025083A (en) * | 1989-02-10 | 1991-06-18 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Process for preparation of polycarbonate |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031904A patent/JP2596822B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-28 EP EP90125784A patent/EP0492003A1/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0492003A1 (en) | 1992-07-01 |
JPH02212518A (ja) | 1990-08-23 |
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