JP2593690Y2 - Lep石英チャンバ - Google Patents
Lep石英チャンバInfo
- Publication number
- JP2593690Y2 JP2593690Y2 JP1993060560U JP6056093U JP2593690Y2 JP 2593690 Y2 JP2593690 Y2 JP 2593690Y2 JP 1993060560 U JP1993060560 U JP 1993060560U JP 6056093 U JP6056093 U JP 6056093U JP 2593690 Y2 JP2593690 Y2 JP 2593690Y2
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- JP
- Japan
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- chamber
- quartz
- metal
- metal outer
- lep
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、LEPプラズマを利
用するエッチング装置や、薄膜成長装置、イオン注入装
置などの石英チャンバの構造の改良に関する。LEP装
置は回転電界を利用して電子を加速しこれによりガスを
励起して、プラズマとするものである。回転電界を作る
ために3枚以上M枚の上部電極を互いに内向きに回転対
称になるように設けている。これらの電極に360/M
度ずつ位相の異なる高周波電圧を印加する。すると電極
によって囲まれる領域に回転電界が発生する。複数の電
極の組合せによって、回転電界を作り出すのでリサ−ジ
ュの名前を取りLEPと略称しているのである。
用するエッチング装置や、薄膜成長装置、イオン注入装
置などの石英チャンバの構造の改良に関する。LEP装
置は回転電界を利用して電子を加速しこれによりガスを
励起して、プラズマとするものである。回転電界を作る
ために3枚以上M枚の上部電極を互いに内向きに回転対
称になるように設けている。これらの電極に360/M
度ずつ位相の異なる高周波電圧を印加する。すると電極
によって囲まれる領域に回転電界が発生する。複数の電
極の組合せによって、回転電界を作り出すのでリサ−ジ
ュの名前を取りLEPと略称しているのである。
【0002】
【従来の技術】LEP装置は初め特願平2−40231
9号、特願平4−215820号などによって提案され
た。3枚以上の上部電極とこれらの下方に設けられる下
部電極と、高周波電源と、電極の冷却機構などを含む。
上部電極と下部電極はチャンバの内部に設けられる。下
部電極の上に処理すべき基板を戴置する。上部電極はプ
ラズマが激しく衝突するし相互に放電も起こるので強く
加熱される。下部電極もプラズマが強い運動量をもって
衝突するので、加熱される。そこで上部電極と下部電極
は冷却される。
9号、特願平4−215820号などによって提案され
た。3枚以上の上部電極とこれらの下方に設けられる下
部電極と、高周波電源と、電極の冷却機構などを含む。
上部電極と下部電極はチャンバの内部に設けられる。下
部電極の上に処理すべき基板を戴置する。上部電極はプ
ラズマが激しく衝突するし相互に放電も起こるので強く
加熱される。下部電極もプラズマが強い運動量をもって
衝突するので、加熱される。そこで上部電極と下部電極
は冷却される。
【0003】チャンバは例えば、ステンレスなどの金属
の内部にアルミナを溶射して絶縁膜を形成したものを用
いる。チャンバは上部電極や下部電極と電気的に絶縁さ
れなければならない。絶縁が不完全であると、チャンバ
の内壁と電極の間に放電が起こる。それで金属製のチャ
ンバの内面にアルミナを溶射したものを用いた。主体が
金属であるので、電極の取り付けや蓋板の取り付け等が
容易である。形状的な工夫を凝らすこともできる。
の内部にアルミナを溶射して絶縁膜を形成したものを用
いる。チャンバは上部電極や下部電極と電気的に絶縁さ
れなければならない。絶縁が不完全であると、チャンバ
の内壁と電極の間に放電が起こる。それで金属製のチャ
ンバの内面にアルミナを溶射したものを用いた。主体が
金属であるので、電極の取り付けや蓋板の取り付け等が
容易である。形状的な工夫を凝らすこともできる。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】しかし金属製のチャン
バの内面にアルミナ溶射したものは、パ−ティクルが発
生しやすいという欠点があることがわかった。パ−ティ
クルというのは微粉末のことである。プラズマの励起に
よりチャンバ壁のアルミナが削られて微粉末になるよう
である。これが容器内面に飛散し容器を汚染する。基板
もパ−ティクルにより汚染される。小さいパ−ティクル
でも高集積度の半導体の生産においては致命的である。
バの内面にアルミナ溶射したものは、パ−ティクルが発
生しやすいという欠点があることがわかった。パ−ティ
クルというのは微粉末のことである。プラズマの励起に
よりチャンバ壁のアルミナが削られて微粉末になるよう
である。これが容器内面に飛散し容器を汚染する。基板
もパ−ティクルにより汚染される。小さいパ−ティクル
でも高集積度の半導体の生産においては致命的である。
【0005】パ−ティクルが発生しないように工夫すれ
ば良いはずである。アルミナ溶射したままの壁面は凹凸
が多い粗面である。粗面であれば不安定な付着状態のア
ルミナもある。これがプラズマによって叩かれて削られ
るというのは理解できる。そこでこれを研磨して平滑な
面にしてみた。しかし平坦な面にしてもやはりパ−ティ
クルが発生しチャンバや基板を汚染することが分かっ
た。
ば良いはずである。アルミナ溶射したままの壁面は凹凸
が多い粗面である。粗面であれば不安定な付着状態のア
ルミナもある。これがプラズマによって叩かれて削られ
るというのは理解できる。そこでこれを研磨して平滑な
面にしてみた。しかし平坦な面にしてもやはりパ−ティ
クルが発生しチャンバや基板を汚染することが分かっ
た。
【0006】チャンバを金属で作ると、上部電極や下部
電極から絶縁しなければならない。もしもチャンバを石
英で作ると絶縁の問題はない。石英は硬質の表面を持つ
ので、プラズマで叩いてもパ−ティクルが発生しないで
あろう。しかし石英のチャンバは上部電極の支持や、上
部電極の冷却構造の支持などが難しい。穴を開けたり螺
子を切ったりできないからである。やはり上部電極など
の支持のためには金属製のチャンバを用いるべきであろ
う。
電極から絶縁しなければならない。もしもチャンバを石
英で作ると絶縁の問題はない。石英は硬質の表面を持つ
ので、プラズマで叩いてもパ−ティクルが発生しないで
あろう。しかし石英のチャンバは上部電極の支持や、上
部電極の冷却構造の支持などが難しい。穴を開けたり螺
子を切ったりできないからである。やはり上部電極など
の支持のためには金属製のチャンバを用いるべきであろ
う。
【0007】
【課題を解決するための手段】本考案のLEP装置のチ
ャンバは、筒型の金属製外チャンバと、金属製外チャン
バに内接する筒型の石英内チャンバと、金属製外チャン
バの上に設けられ上部電極を保持する天井蓋と、金属製
チャンバの下に設けられるベ−スチャンバと、金属製外
チャンバの外周に設けられ石英内チャンバを加熱するヒ
−タとを含み金属製外チャンバと石英内チャンバの間に
シ−ル材を設け、金属製外チャンバと石英内チャンバの
両方により気密を保持するようにした。また、金属製チ
ャンバに穴を穿孔するだけでのぞき窓とすることができ
る。
ャンバは、筒型の金属製外チャンバと、金属製外チャン
バに内接する筒型の石英内チャンバと、金属製外チャン
バの上に設けられ上部電極を保持する天井蓋と、金属製
チャンバの下に設けられるベ−スチャンバと、金属製外
チャンバの外周に設けられ石英内チャンバを加熱するヒ
−タとを含み金属製外チャンバと石英内チャンバの間に
シ−ル材を設け、金属製外チャンバと石英内チャンバの
両方により気密を保持するようにした。また、金属製チ
ャンバに穴を穿孔するだけでのぞき窓とすることができ
る。
【0008】
【作用】外部からエッチングガス(塩素ガス)を導入
し、上部電極に位相の異なる高周波電圧、下部にも高周
波電圧を印加する。ガスが回転電界により励起される。
プラズマが発生する。これがウエハ3をエッチングす
る。プラズマがチャンバの壁面に衝突するが、直接に当
たるのは石英面である。これは硬質の表面を持つのでエ
ッチングされない。ためにチャンバからパ−ティクルが
発生しない。
し、上部電極に位相の異なる高周波電圧、下部にも高周
波電圧を印加する。ガスが回転電界により励起される。
プラズマが発生する。これがウエハ3をエッチングす
る。プラズマがチャンバの壁面に衝突するが、直接に当
たるのは石英面である。これは硬質の表面を持つのでエ
ッチングされない。ためにチャンバからパ−ティクルが
発生しない。
【0009】ヒ−タで石英を間接的に加熱しているので
石英の内面に付着物が付かない。石英の内壁面の清浄を
保つことができる。内部の放電の様子、エッチングの様
子はのぞき窓から観察できる。ポ−トのような円筒部が
ないので、のぞき穴が比較的小さくても、開口角が広
く、観察可能な領域が広い。
石英の内面に付着物が付かない。石英の内壁面の清浄を
保つことができる。内部の放電の様子、エッチングの様
子はのぞき窓から観察できる。ポ−トのような円筒部が
ないので、のぞき穴が比較的小さくても、開口角が広
く、観察可能な領域が広い。
【0010】
【実施例】図1は本考案の実施例に係るLEPチャンバ
の概略断面図である。金属製のベ−スチャンバ1が最下
方に設けられる。中央の凹部には絶縁物15を介して、
下部電極2が設置される。その上にウエハ3を戴置す
る。このウエハをエッチングするのである。ウエハは例
えばGaAs基板、InP基板、Si基板に半導体、絶
縁物、金属などの薄膜を形成しホトリソグラフィにより
任意のレジストパタ−ンを描いたものなどである。
の概略断面図である。金属製のベ−スチャンバ1が最下
方に設けられる。中央の凹部には絶縁物15を介して、
下部電極2が設置される。その上にウエハ3を戴置す
る。このウエハをエッチングするのである。ウエハは例
えばGaAs基板、InP基板、Si基板に半導体、絶
縁物、金属などの薄膜を形成しホトリソグラフィにより
任意のレジストパタ−ンを描いたものなどである。
【0011】ベ−スチャンバ1の上には、円筒形または
角筒形の石英チャンバ4が設けられる。これは金属製の
チャンバ5によって囲まれる。石英チャンバ4は金属製
チャンバ5に内接する。石英チャンバ4と金属製チャン
バ5の間は気密が保たれる。金属製チャンバは、アル
ミ、或いはステンレスのチャンバである。
角筒形の石英チャンバ4が設けられる。これは金属製の
チャンバ5によって囲まれる。石英チャンバ4は金属製
チャンバ5に内接する。石英チャンバ4と金属製チャン
バ5の間は気密が保たれる。金属製チャンバは、アル
ミ、或いはステンレスのチャンバである。
【0012】石英チャンバ4は、内側にあることを明確
にするために、ここでは石英内チャンバと呼ぶ。金属製
チャンバ5は外側にあることをはっきりさせるために金
属製外チャンバと呼ぶこともある。金属外チャンバ5の
外周には、シ−スヒ−タ6が巻き付けてある。これは石
英を加熱し、石英の内面に付着物が付かないようにす
る。
にするために、ここでは石英内チャンバと呼ぶ。金属製
チャンバ5は外側にあることをはっきりさせるために金
属製外チャンバと呼ぶこともある。金属外チャンバ5の
外周には、シ−スヒ−タ6が巻き付けてある。これは石
英を加熱し、石英の内面に付着物が付かないようにす
る。
【0013】金属製外チャンバ5の上部の開口には、天
井フタ7が取り付けられる。天井フタ7には開口があ
り、上部電極8がここから懸架してある。ここでは3枚
の電極があるが、これは4枚でも、5枚でも良い。これ
には位相の異なる高周波電界を印加する。エッチングガ
スを外部から導入し、回転電界でガスをプラズマにす
る。下部電極2にも高周波を印加する。プラズマにより
ウエハ3がエッチングされる。
井フタ7が取り付けられる。天井フタ7には開口があ
り、上部電極8がここから懸架してある。ここでは3枚
の電極があるが、これは4枚でも、5枚でも良い。これ
には位相の異なる高周波電界を印加する。エッチングガ
スを外部から導入し、回転電界でガスをプラズマにす
る。下部電極2にも高周波を印加する。プラズマにより
ウエハ3がエッチングされる。
【0014】重要なことは、石英の内チャンバと金属の
外チャンバが共同して真空を維持できるようになってい
るということである。金属製の外チャンバだけで真空を
維持しているのではない。金属製チャンバ内面と、石英
チャンバの外面はゆるい嵌あいになるように加工され
る。
外チャンバが共同して真空を維持できるようになってい
るということである。金属製の外チャンバだけで真空を
維持しているのではない。金属製チャンバ内面と、石英
チャンバの外面はゆるい嵌あいになるように加工され
る。
【0015】気密を保持するために、石英チャンバの外
周面と、金属外チャンバの内周面の間にOリング9、1
0が介装される。一方のOリング9は両チャンバの上端
近くに、他方のOリング10は両チャンバの下端近くに
設けられる。Oリングは、金属チャンバ5の内面に切っ
た周回溝の中に挿入されている。石英チャンバの上下の
外周はOリングが入りやすいようにテ−パになってい
る。もちろん、Oリングを入れる溝を石英チャンバの外
周面に切っても良い。
周面と、金属外チャンバの内周面の間にOリング9、1
0が介装される。一方のOリング9は両チャンバの上端
近くに、他方のOリング10は両チャンバの下端近くに
設けられる。Oリングは、金属チャンバ5の内面に切っ
た周回溝の中に挿入されている。石英チャンバの上下の
外周はOリングが入りやすいようにテ−パになってい
る。もちろん、Oリングを入れる溝を石英チャンバの外
周面に切っても良い。
【0016】上下2つのOリングに挟まれる空間は、チ
ャンバの内部空間と遮断される。金属製外チャンバの上
下のOリング9、10に挟まれる部分に穴を穿孔して
も、石英チャンバにより真空を維持することができる。
そこで金属製チャンバ5の側壁に穴11が穿たれてい
る。これはのぞき窓11となる。石英チャンバと、金属
チャンバの間には空気が入る。
ャンバの内部空間と遮断される。金属製外チャンバの上
下のOリング9、10に挟まれる部分に穴を穿孔して
も、石英チャンバにより真空を維持することができる。
そこで金属製チャンバ5の側壁に穴11が穿たれてい
る。これはのぞき窓11となる。石英チャンバと、金属
チャンバの間には空気が入る。
【0017】通常の金属チャンバの場合は金属側壁に開
口を穿ち、ここに金属円筒のポ−トを立てて、ポ−トの
先にガラス窓を付けるようになっている。本発明の場合
は、単に金属壁に穴を穿孔するだけで良い。穴の後に透
明の石英があり、ガラス窓の代わりに真空を維持できる
ようになっているからである。しかも単に穴を穿つだけ
で、ポ−トを立てる必要がない。のぞき窓の構造を極め
て単純にできる。
口を穿ち、ここに金属円筒のポ−トを立てて、ポ−トの
先にガラス窓を付けるようになっている。本発明の場合
は、単に金属壁に穴を穿孔するだけで良い。穴の後に透
明の石英があり、ガラス窓の代わりに真空を維持できる
ようになっているからである。しかも単に穴を穿つだけ
で、ポ−トを立てる必要がない。のぞき窓の構造を極め
て単純にできる。
【0018】のぞき窓を付けると、石英の外、金属の内
側が空気層になる。しかしこの上下にOリング9、10
があるので、チャンバ内の真空を損なうことがない。こ
こが空気であると、真空である場合よりも熱伝導が良く
なる。外部ヒ−タの熱が石英チャンバに伝達し易くな
り、石英を効率よく加熱することができる。
側が空気層になる。しかしこの上下にOリング9、10
があるので、チャンバ内の真空を損なうことがない。こ
こが空気であると、真空である場合よりも熱伝導が良く
なる。外部ヒ−タの熱が石英チャンバに伝達し易くな
り、石英を効率よく加熱することができる。
【0019】金属チャンバにのぞき窓を作らないとき
は、内部の空気層が熱膨張しOリングを通って内部の真
空度を損なう恐れがある。これを避けるために空気抜き
の穴を穿つ必要がある。熱伝導を上げて石英チャンバの
加熱をより効率よく行なうには、Oリングで挟まれる狭
い空間に分子量の小さい気体(ヘリウムなど)を充填し
ても良い。或いは水のような液体をOリングの間に入れ
ても良い。
は、内部の空気層が熱膨張しOリングを通って内部の真
空度を損なう恐れがある。これを避けるために空気抜き
の穴を穿つ必要がある。熱伝導を上げて石英チャンバの
加熱をより効率よく行なうには、Oリングで挟まれる狭
い空間に分子量の小さい気体(ヘリウムなど)を充填し
ても良い。或いは水のような液体をOリングの間に入れ
ても良い。
【0020】天井フタ7と、金属製外チャンバ5の間に
は、Oリング12があって、やはり気密構造になってい
る。ベ−スチャンバ1と金属製外チャンバ5の間にはO
リング13があり気密になっている。
は、Oリング12があって、やはり気密構造になってい
る。ベ−スチャンバ1と金属製外チャンバ5の間にはO
リング13があり気密になっている。
【0021】天井フタ7の内面には絶縁物17がある。
これは石英板にすることもできるし、セラミック層にす
ることもできる。また、金属外チャンバの内面は石英に
よって覆われている。上部電極8を、チャンバに対して
絶縁しなければならないが、天井フタの絶縁物17と石
英チャンバ4が、上部電極を空間的に絶縁している。
これは石英板にすることもできるし、セラミック層にす
ることもできる。また、金属外チャンバの内面は石英に
よって覆われている。上部電極8を、チャンバに対して
絶縁しなければならないが、天井フタの絶縁物17と石
英チャンバ4が、上部電極を空間的に絶縁している。
【0022】ヒ−タ6は金属層を通じて、石英チャンバ
4を加熱するものである。石英の表面が低温であると、
付着物が付く。これを防ぐために、ヒ−タ6によって加
熱するのである。ヒ−タの温度は200℃以下である。
ニクロム線を絶縁物で被覆したシ−スヒ−タを用いる。
石英の内面は70℃〜100℃程度に保たれる。
4を加熱するものである。石英の表面が低温であると、
付着物が付く。これを防ぐために、ヒ−タ6によって加
熱するのである。ヒ−タの温度は200℃以下である。
ニクロム線を絶縁物で被覆したシ−スヒ−タを用いる。
石英の内面は70℃〜100℃程度に保たれる。
【0023】石英が内側にあるので、ヒ−タも金属製チ
ャンバの内側に設けるのが好都合のように思える。しか
しそうすると、ヒ−タのための電流導入端子が必要にな
るし、真空用の高価なヒ−タを使う必要がある。本考案
はそのような必要がない。
ャンバの内側に設けるのが好都合のように思える。しか
しそうすると、ヒ−タのための電流導入端子が必要にな
るし、真空用の高価なヒ−タを使う必要がある。本考案
はそのような必要がない。
【0024】
【考案の効果】金属製チャンバの内面にアルミナ溶射し
たものではなく、石英を金属チャンバに内接させてい
る。上部電極に対向するものは石英である。これは硬質
で平滑な表面を持ち容易にエッチングされない。ために
パ−ティクルが発生しない。パ−ティクルによりウエハ
が汚染されない。清浄な雰囲気で加工されるので、半導
体生産の歩留まりを上げることができる。
たものではなく、石英を金属チャンバに内接させてい
る。上部電極に対向するものは石英である。これは硬質
で平滑な表面を持ち容易にエッチングされない。ために
パ−ティクルが発生しない。パ−ティクルによりウエハ
が汚染されない。清浄な雰囲気で加工されるので、半導
体生産の歩留まりを上げることができる。
【0025】ヒ−タがあり石英を加熱するので石英の内
面に付着物がつかない。付着物の再飛散によりウエハが
汚染される惧れがない。このヒ−タは外部に設けられる
ので、真空用の高価なヒ−タを使用しなくて良い。大気
用の安価なヒ−タを利用できコストを引き下げることが
できる。外部にヒ−タがあるので、チャンバ内へ電流を
導くための電流導入端子も不要である。チャンバ内の配
線作業スペ−スを削減できる。
面に付着物がつかない。付着物の再飛散によりウエハが
汚染される惧れがない。このヒ−タは外部に設けられる
ので、真空用の高価なヒ−タを使用しなくて良い。大気
用の安価なヒ−タを利用できコストを引き下げることが
できる。外部にヒ−タがあるので、チャンバ内へ電流を
導くための電流導入端子も不要である。チャンバ内の配
線作業スペ−スを削減できる。
【0026】石英は円筒形または角筒形の単純な形状で
ある。金属製外チャンバはこれに外接するのであるか
ら、単純な形状になる。通常の金属製のチャンバであれ
ば、不透明であるので、ポ−トを作り、ここにガラス窓
を付ける必要がある。本発明は穴を穿つだけでのぞき窓
になるから、チャンバの加工が極めて単純である。ポ−
トを作る必要がないのでこの点でも単純化される。
ある。金属製外チャンバはこれに外接するのであるか
ら、単純な形状になる。通常の金属製のチャンバであれ
ば、不透明であるので、ポ−トを作り、ここにガラス窓
を付ける必要がある。本発明は穴を穿つだけでのぞき窓
になるから、チャンバの加工が極めて単純である。ポ−
トを作る必要がないのでこの点でも単純化される。
【0027】天井フタの荷重を支えるのは金属である。
石英チャンバに縦方向に荷重が掛からない。石英は内圧
に耐えるだけの強度があれば良い。石英の肉厚を薄くで
き加工も容易になることから石英チャンバのコストも下
げることができる。
石英チャンバに縦方向に荷重が掛からない。石英は内圧
に耐えるだけの強度があれば良い。石英の肉厚を薄くで
き加工も容易になることから石英チャンバのコストも下
げることができる。
【図1】本考案の実施例に係るLEP石英チャンバの概
略断面図。
略断面図。
1 ベ−スチャンバ 2 下部電極 3 ウエハ 4 石英チャンバ 5 チャンバ 6 ヒ−タ 7 天井フタ 8 上部電極 9 Oリング 10 Oリング 11 のぞき窓 12 Oリング 13 Oリング 14 絶縁物 15 絶縁物
Claims (2)
- 【請求項1】 筒型の金属製外チャンバと、金属製外チ
ャンバに内接する筒型の石英内チャンバと、金属製外チ
ャンバの上に設けられ上部電極を保持する天井蓋と、金
属製外チャンバの下に設けられる下部電極を保持するベ
ースチャンバと、金属製外チャンバの外周に設けられ石
英内チャンバを加熱するヒ−タとを含み金属製外チャン
バと石英内チャンバの間にシール材を挟み、金属製外チ
ャンバと、石英内チャンバの両方により気密を保持する
ようにした事を特徴とするLEP石英チャンバ。 - 【請求項2】 筒型の金属製外チャンバと、金属製外チ
ャンバに内接する筒型の石英内チャンバと、金属製外チ
ャンバの上に設けられ上部電極を保持する天井蓋と、金
属製外チャンバの下に設けられる下部電極を保持するベ
ースチャンバと、金属製外チャンバの外周に設けられ石
英内チャンバを加熱するヒ−タとを含み金属製外チャン
バと石英内チャンバの間にシール材を挟み、金属製外チ
ャンバと、石英内チャンバの両方により気密を保持し、
金属製外チャンバに穴を穿孔してのぞき窓とした事を特
徴とするLEP石英チャンバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993060560U JP2593690Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Lep石英チャンバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993060560U JP2593690Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Lep石英チャンバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0727100U JPH0727100U (ja) | 1995-05-19 |
JP2593690Y2 true JP2593690Y2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=13145783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1993060560U Expired - Fee Related JP2593690Y2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Lep石英チャンバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2593690Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5271586B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理容器およびプラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP1993060560U patent/JP2593690Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0727100U (ja) | 1995-05-19 |
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