JP2592006Y2 - 絶縁抵抗・電圧変換器 - Google Patents
絶縁抵抗・電圧変換器Info
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- JP2592006Y2 JP2592006Y2 JP1992012967U JP1296792U JP2592006Y2 JP 2592006 Y2 JP2592006 Y2 JP 2592006Y2 JP 1992012967 U JP1992012967 U JP 1992012967U JP 1296792 U JP1296792 U JP 1296792U JP 2592006 Y2 JP2592006 Y2 JP 2592006Y2
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Description
【０００１】
【考案の技術分野】本考案は誘電体の測定に関し、特に
絶縁抵抗値の電圧値への変換に関する。
絶縁抵抗値の電圧値への変換に関する。
【０００２】
【従来技術と問題点】コンデンサ、プリント基板等の電
子部品、プラスチック等の機構部品において、それらの
電気的絶縁抵抗は品質を表わすパラメータの１つとして
取引き上重要である。従って、その測定についても種々
の工夫がなされている。その中でも特に絶縁抵抗を電圧
に変換する部分が重要であり、従来図２や図３に示すよ
うな変換器が用いられてきた。なお図１、図２、図３に
おいて同一参照番号の構成部品は同一機能を有する。
子部品、プラスチック等の機構部品において、それらの
電気的絶縁抵抗は品質を表わすパラメータの１つとして
取引き上重要である。従って、その測定についても種々
の工夫がなされている。その中でも特に絶縁抵抗を電圧
に変換する部分が重要であり、従来図２や図３に示すよ
うな変換器が用いられてきた。なお図１、図２、図３に
おいて同一参照番号の構成部品は同一機能を有する。
【０００３】 図２において、測定用電源でもある充放電
電源１の出力電圧は放電電圧（通常零）あるいは充電電
圧（通常被測定素子３の測定電圧Ｖｍ）に設定され、電
源抵抗２（抵抗値Ｒｓ）を介して変換されるべき絶縁抵
抗を有する被測定素子３と電流検出用の抵抗４（抵抗値
Ｒｍ）の直列回路に印加される。被測定素子３は、本願
考案の説明の便宜上容量素子として説明されるが、一般
に誘電体全般に代替可能である。被測定素子３の充電が
実質上完了すると、被測定素子３の絶縁抵抗Ｒｘと抵抗
４の端子間に表われる出力電圧Ｖｏの関係は次式とな
る。 Ｖｏ＝ＶｍＲｍ／（Ｒｓ＋Ｒｍ＋Ｒｘ） Ｖｍ、Ｒｍ、Ｒｓは既知であるから、Ｒｘは次式により
求められる。 Ｒｘ＝Ｖｍ Ｒｍ／Ｖｏ−Ｒｓ−Ｒｍ 電圧Ｖｏの測定は容易に高精度が得られ、ＲｘをＶｏに
変換する絶縁抵抗・電流変換器がＲｘの測定精度を実質
的に決定するといえる。図２の回路ではＲｘが大きくな
るにつれてＶｏが小さくなるのを緩和するため、Ｒｍや
Ｖｍを大きくするため、充放電の時定数（ほぼＲｍ Ｃ
ｘ；但しＣｘは被測定素子３の並列容量成分の値）が大
きくなり、かつＶｏに含まれる雑音が大きくなる。その
理由は主に、回路全体のインピーダンスが高くなって外
来雑音を受信しやすくなったことと、抵抗４が発生する
雑音の上昇にある。
電源１の出力電圧は放電電圧（通常零）あるいは充電電
圧（通常被測定素子３の測定電圧Ｖｍ）に設定され、電
源抵抗２（抵抗値Ｒｓ）を介して変換されるべき絶縁抵
抗を有する被測定素子３と電流検出用の抵抗４（抵抗値
Ｒｍ）の直列回路に印加される。被測定素子３は、本願
考案の説明の便宜上容量素子として説明されるが、一般
に誘電体全般に代替可能である。被測定素子３の充電が
実質上完了すると、被測定素子３の絶縁抵抗Ｒｘと抵抗
４の端子間に表われる出力電圧Ｖｏの関係は次式とな
る。 Ｖｏ＝ＶｍＲｍ／（Ｒｓ＋Ｒｍ＋Ｒｘ） Ｖｍ、Ｒｍ、Ｒｓは既知であるから、Ｒｘは次式により
求められる。 Ｒｘ＝Ｖｍ Ｒｍ／Ｖｏ−Ｒｓ−Ｒｍ 電圧Ｖｏの測定は容易に高精度が得られ、ＲｘをＶｏに
変換する絶縁抵抗・電流変換器がＲｘの測定精度を実質
的に決定するといえる。図２の回路ではＲｘが大きくな
るにつれてＶｏが小さくなるのを緩和するため、Ｒｍや
Ｖｍを大きくするため、充放電の時定数（ほぼＲｍ Ｃ
ｘ；但しＣｘは被測定素子３の並列容量成分の値）が大
きくなり、かつＶｏに含まれる雑音が大きくなる。その
理由は主に、回路全体のインピーダンスが高くなって外
来雑音を受信しやすくなったことと、抵抗４が発生する
雑音の上昇にある。
【０００４】 図２の前記欠点を解消すべく、図３の積分
形変換器では、高入力インピーダンス増幅器５の反転入
力端子と出力端子７の間に帰還容量６（容量値Ｃｆ）と
スイッチ８の並列接続を有し、非反転入力端子を接地さ
せた積分器によって図２の抵抗４を置換した。スイッチ
８を閉成して被測定素子３を充電し、充電終了後スイッ
チ８を開放し、Ｔ秒後に出力端子７に表われる電圧Ｖｏ
を測定する。Ｖｏは下式で与えられる。 Ｃｆ Ｖｏ＝Ｖｍ Ｔ／（Ｒｓ＋Ｒｘ） 従ってＲｘは下式で与えられる。 Ｒｘ＝Ｖｍ Ｔ／（Ｃｆ Ｖｏ）−Ｒｓ ところが、外来雑音ｖｎが存在して、充放電電源１の出
力に等価的に加算されるときは、つぎのようになる。ｖ
ｎが商用電源からの誘導などの線スペクトルであり、絶
対値Ｖｎ、角周波数ωｎを有するとすれば、Ｖｏに加算
されるＶｎ成分は、Ｒｓ ωｎ Ｃｘが１よりかなり小
さいときはＶｎ Ｃｘ／Ｃｆであり、Ｒｓ ωｎ Ｃｘ
が１よりかなり大きいときはＶｎ／（ωｎ Ｃｆ Ｒ
ｓ）である。Ｃｘ／Ｃｆは容易に１００以上にもなるの
で（例えばＣｘ＝１μＦ、Ｃｆ＝０．０１μＦ）、一般
にＲｓを十分大きく選んでおく。ところが，このように
するとＣｘの充放電の時定数（ＣｘＲｓ）が大きくな
り、迅速に変換することが困難となってくる。また、必
要なＲｓの値がωｎやＣｘで変えることが望ましいが，
従来技術の装置ではＲｓの値は、Ｒｘの予想値で定めら
れている。
形変換器では、高入力インピーダンス増幅器５の反転入
力端子と出力端子７の間に帰還容量６（容量値Ｃｆ）と
スイッチ８の並列接続を有し、非反転入力端子を接地さ
せた積分器によって図２の抵抗４を置換した。スイッチ
８を閉成して被測定素子３を充電し、充電終了後スイッ
チ８を開放し、Ｔ秒後に出力端子７に表われる電圧Ｖｏ
を測定する。Ｖｏは下式で与えられる。 Ｃｆ Ｖｏ＝Ｖｍ Ｔ／（Ｒｓ＋Ｒｘ） 従ってＲｘは下式で与えられる。 Ｒｘ＝Ｖｍ Ｔ／（Ｃｆ Ｖｏ）−Ｒｓ ところが、外来雑音ｖｎが存在して、充放電電源１の出
力に等価的に加算されるときは、つぎのようになる。ｖ
ｎが商用電源からの誘導などの線スペクトルであり、絶
対値Ｖｎ、角周波数ωｎを有するとすれば、Ｖｏに加算
されるＶｎ成分は、Ｒｓ ωｎ Ｃｘが１よりかなり小
さいときはＶｎ Ｃｘ／Ｃｆであり、Ｒｓ ωｎ Ｃｘ
が１よりかなり大きいときはＶｎ／（ωｎ Ｃｆ Ｒ
ｓ）である。Ｃｘ／Ｃｆは容易に１００以上にもなるの
で（例えばＣｘ＝１μＦ、Ｃｆ＝０．０１μＦ）、一般
にＲｓを十分大きく選んでおく。ところが，このように
するとＣｘの充放電の時定数（ＣｘＲｓ）が大きくな
り、迅速に変換することが困難となってくる。また、必
要なＲｓの値がωｎやＣｘで変えることが望ましいが，
従来技術の装置ではＲｓの値は、Ｒｘの予想値で定めら
れている。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】本考案の目的は、被測
定素子に直列に非線形抵抗を接続して、被測定素子の充
放電を高速化し、また絶縁抵抗を電圧に変換する場合の
信号対雑音比を容易に改善することである。
定素子に直列に非線形抵抗を接続して、被測定素子の充
放電を高速化し、また絶縁抵抗を電圧に変換する場合の
信号対雑音比を容易に改善することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願考案では、図２の回
路において、高抵抗を低洩れ電流ダイオードの逆並列接
続と低抵抗の直列接続に並列接続した非線形抵抗を被測
定素子３に直列接続している。従って、非線形抵抗に高
電圧が印加されているときは、その抵抗値は低くかつ低
電圧が印加されているときは高くなる。従って、充放電
の開始初期の充放電速度が増し、充放電終了時の出力雑
音が減小する。
路において、高抵抗を低洩れ電流ダイオードの逆並列接
続と低抵抗の直列接続に並列接続した非線形抵抗を被測
定素子３に直列接続している。従って、非線形抵抗に高
電圧が印加されているときは、その抵抗値は低くかつ低
電圧が印加されているときは高くなる。従って、充放電
の開始初期の充放電速度が増し、充放電終了時の出力雑
音が減小する。
【０００７】
【実施例】図１は本考案の一実施例の絶縁抵抗・電圧変
換器の概略回路図である。充放電電源は、１Ｖから１０
００Ｖまでの任意の電圧を発生し電源抵抗２０（抵抗値
ＲＳ）、平滑コンデンサ１３を介し、さらに非線形抵抗
１５を介して被測定素子３に印加する。電源抵抗２０の
値は１ｋΩ、平滑コンデンサ１３の値は０．０１μＦで
ある。高入力インピーダンス増幅器５の接続は図３にお
けると同様でありＣｆは１ｐＦから０．１μＦまで、Ｒ
ｘ（被測定素子３の絶縁抵抗）と充放電によって変る入
力電流に応じて選択される。即わち、低入力電流では低
容量値が選ばれ、必要な積分時間Ｔをある所望値（例え
ば０．１〜１０秒）にしている。
換器の概略回路図である。充放電電源は、１Ｖから１０
００Ｖまでの任意の電圧を発生し電源抵抗２０（抵抗値
ＲＳ）、平滑コンデンサ１３を介し、さらに非線形抵抗
１５を介して被測定素子３に印加する。電源抵抗２０の
値は１ｋΩ、平滑コンデンサ１３の値は０．０１μＦで
ある。高入力インピーダンス増幅器５の接続は図３にお
けると同様でありＣｆは１ｐＦから０．１μＦまで、Ｒ
ｘ（被測定素子３の絶縁抵抗）と充放電によって変る入
力電流に応じて選択される。即わち、低入力電流では低
容量値が選ばれ、必要な積分時間Ｔをある所望値（例え
ば０．１〜１０秒）にしている。
【０００８】 非線形抵抗１５は抵抗１０（数１００ｋΩ
から１００ＭΩ）を逆並列ダイオード対１１と抵抗１２
（１０ｋΩ）の直列接続に並列接続して構成される。抵
抗１２は充放電時において逆並列ダイオード対１１に流
れる電流を制限するためのものである。ダイオード対１
１に流れる電流を制限する抵抗を例えば被測定素子と直
列に非線形抵抗１５の外に設けることもできるが、抵抗
１０を外来誘導雑音の大きさＶｎや角周波数ωｎ、被測
定素子３の容量値Ｃｘ等で取り換える場合、該電流制限
用の抵抗を考慮するわずらわしさがある。
から１００ＭΩ）を逆並列ダイオード対１１と抵抗１２
（１０ｋΩ）の直列接続に並列接続して構成される。抵
抗１２は充放電時において逆並列ダイオード対１１に流
れる電流を制限するためのものである。ダイオード対１
１に流れる電流を制限する抵抗を例えば被測定素子と直
列に非線形抵抗１５の外に設けることもできるが、抵抗
１０を外来誘導雑音の大きさＶｎや角周波数ωｎ、被測
定素子３の容量値Ｃｘ等で取り換える場合、該電流制限
用の抵抗を考慮するわずらわしさがある。
【０００９】 さて、抵抗２０と平滑コンデンサ１３で平
滑されない雑音が大きさＶｎで角周波数ωｎとし、抵抗
２０、抵抗１０、抵抗１２、被測定素子３の抵抗値をそ
れぞれＲｓ、Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒｘとし、被測定素子３
と帰還容量６の容量値をそれぞれＣｘとＣｆとする。ス
イッチ８を閉成して充放電電源１の出力電圧を所定値Ｖ
ｍとし、被測定素子の充電が開始される。はじめ充電の
時定数はＲ１２Ｃｘで、充電完了直前からＲ１０Ｃｘと
なる。放電の場合も同様である。正確な変換を所望する
場合は、充電開始時から変換をおこなえるまでの待ち時
間はＶｍが小さいときはかなり長くなる。Ｖｍが１００
Ｖ以上にもなると、Ｒ１２とＲ１０の比率で充電が加速
されるから、待ち時間は１０分の１から１００分の１に
もなる。
滑されない雑音が大きさＶｎで角周波数ωｎとし、抵抗
２０、抵抗１０、抵抗１２、被測定素子３の抵抗値をそ
れぞれＲｓ、Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒｘとし、被測定素子３
と帰還容量６の容量値をそれぞれＣｘとＣｆとする。ス
イッチ８を閉成して充放電電源１の出力電圧を所定値Ｖ
ｍとし、被測定素子の充電が開始される。はじめ充電の
時定数はＲ１２Ｃｘで、充電完了直前からＲ１０Ｃｘと
なる。放電の場合も同様である。正確な変換を所望する
場合は、充電開始時から変換をおこなえるまでの待ち時
間はＶｍが小さいときはかなり長くなる。Ｖｍが１００
Ｖ以上にもなると、Ｒ１２とＲ１０の比率で充電が加速
されるから、待ち時間は１０分の１から１００分の１に
もなる。
【００１０】 充電が完了するとスイッチ８は開放されＴ
秒後に増幅器５の出力電圧が絶縁抵抗に対応する電圧と
して読み取られる。そのときの出力電圧をＶｏとすると
Ｖｏは次式となる。 Ｃｆ Ｖｏ＝ＴＶｍ／（Ｒｓ＋Ｒ１０＋Ｒｘ） 一般にＲｓ＋Ｒ１０はＲｘに較べて十分小さいから、上
式はさらに次式で十分近似される。Ｃｆ Ｖｏ＝ＴＶｍ／Ｒｘ 次に雑音Ｖｎの成分が出力に含まれるが、その大きさＶ
ｏｎは次式である。 Ｖｏｎ＝Ｖｎ／（Ｒ１０Ｃｆ ωｎ） ただし、Ｒ１０Ｃｆ ωｎは１より十分大きいとした。
Ｖｏのフルスケール値をＶｏｆとし上記ＶｏｎをＶｏｆ
のα倍とするならば、次式が成り立つ。 Ｖｎ／（Ｒ１０Ｃｆ ωｎ）＜αＶｏｆ 従って、 Ｒ１０Ｃｆ＞Ｖｎ／（ωｎ Ｖｏｆα） 一般にα＝０．０１以下であればよいから、 Ｒ１０Ｃｆ＞１００Ｖｎ／（ωｎ Ｖｏｆ） となる。Ｒ１０はなるべく小さければよいので、上式が
下限を与えることが多い。Ｖｎ＝２ｍＶ、Ｖｏｆ＝１０
Ｖ、ωｎ＝２π×５０とするとＲ１０Ｃｆの下限は、 ６．６４×１０−５ΩＦ である。Ｃｆ＝１００ｐＦとするとＲ１０の下限は６６
４ｋΩとなる。
秒後に増幅器５の出力電圧が絶縁抵抗に対応する電圧と
して読み取られる。そのときの出力電圧をＶｏとすると
Ｖｏは次式となる。 Ｃｆ Ｖｏ＝ＴＶｍ／（Ｒｓ＋Ｒ１０＋Ｒｘ） 一般にＲｓ＋Ｒ１０はＲｘに較べて十分小さいから、上
式はさらに次式で十分近似される。Ｃｆ Ｖｏ＝ＴＶｍ／Ｒｘ 次に雑音Ｖｎの成分が出力に含まれるが、その大きさＶ
ｏｎは次式である。 Ｖｏｎ＝Ｖｎ／（Ｒ１０Ｃｆ ωｎ） ただし、Ｒ１０Ｃｆ ωｎは１より十分大きいとした。
Ｖｏのフルスケール値をＶｏｆとし上記ＶｏｎをＶｏｆ
のα倍とするならば、次式が成り立つ。 Ｖｎ／（Ｒ１０Ｃｆ ωｎ）＜αＶｏｆ 従って、 Ｒ１０Ｃｆ＞Ｖｎ／（ωｎ Ｖｏｆα） 一般にα＝０．０１以下であればよいから、 Ｒ１０Ｃｆ＞１００Ｖｎ／（ωｎ Ｖｏｆ） となる。Ｒ１０はなるべく小さければよいので、上式が
下限を与えることが多い。Ｖｎ＝２ｍＶ、Ｖｏｆ＝１０
Ｖ、ωｎ＝２π×５０とするとＲ１０Ｃｆの下限は、 ６．６４×１０−５ΩＦ である。Ｃｆ＝１００ｐＦとするとＲ１０の下限は６６
４ｋΩとなる。
【００１１】
【考案の効果】以上詳述したように、本考案を実施する
ことにより誘電体の絶縁抵抗を高速かつ高精度で変換で
きる。減のための付加抵抗の選択も容易である。
ことにより誘電体の絶縁抵抗を高速かつ高精度で変換で
きる。減のための付加抵抗の選択も容易である。
【図１】本考案の一実施例の絶縁抵抗・電圧変換器の概
略回路図である。
略回路図である。
【図２】従来技術の絶縁抵抗・電圧変換器の概略回路図
である。
である。
【図３】従来技術の絶縁抵抗・電圧変換器の別の例の概
略回路図である。
略回路図である。
１：充放電電源 ２：電源抵抗 ３：被測定素子（被変換絶縁抵抗を有する） ４：電流検出用の抵抗（変換出力を与える） ５：高入力インピーダンス増幅器 ６：帰還容量 ７：変換出力端子 ８：スイッチ １０：雑音低減用抵抗 １１：低洩れ電流逆並列ダイオード対 １２：電流制限抵抗 １３：平滑コンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 充放電電源と非線形抵抗と被測定素子と
電流・電圧変換器とを直列接続してループを形成して成
り、前記非線形抵抗が、第１の抵抗を逆並列接続ダイオ
ード対と第２の抵抗との直列接続に並列接続して構成さ
れており、前記非線形抵抗に高電圧が印加されていると
きはその抵抗値が低くなり、低電圧が印加されていると
きはその抵抗値が高くなることを特徴とする絶縁抵抗・
電圧変換器。 - 【請求項２】 前記電流・電圧変換器が、高入力インピ
ーダンス増幅器に帰還容量を接続して入力電流を積分し
て電圧出力を与えることを特徴とする、請求項１に記載
の絶縁抵抗・電圧変換器。 - 【請求項３】 前記第１の抵抗の抵抗値と前記帰還容量
の容量値の積が次式の値よりも大きく選ばれたことを特
徴とする、請求項２に記載の絶縁抵抗・電圧変換器。 Ｖｎ／ （ωｎ Ｖｏｆ α） ここに、Ｖｎとωｎは充放電電源の出力に重畳する雑音
の振幅と角周波数で、Ｖｏｆは前記帰還容量の端子間電
圧のフルスケール値であり、αは前記雑音Ｖｎの大きさ
と前記Ｖｏｆとの所望の比である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992012967U JP2592006Y2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 絶縁抵抗・電圧変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992012967U JP2592006Y2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 絶縁抵抗・電圧変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0564782U JPH0564782U (ja) | 1993-08-27 |
| JP2592006Y2 true JP2592006Y2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=11820018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992012967U Expired - Fee Related JP2592006Y2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 絶縁抵抗・電圧変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592006Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4495000B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2010-06-30 | 日置電機株式会社 | 絶縁抵抗測定装置 |
| JP5779034B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-09-16 | 日置電機株式会社 | 積分型の電流電圧変換回路を有する電気測定装置 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP1992012967U patent/JP2592006Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564782U (ja) | 1993-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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