JP2589471B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2589471B2 JP2589471B2 JP61084827A JP8482786A JP2589471B2 JP 2589471 B2 JP2589471 B2 JP 2589471B2 JP 61084827 A JP61084827 A JP 61084827A JP 8482786 A JP8482786 A JP 8482786A JP 2589471 B2 JP2589471 B2 JP 2589471B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- layer
- film
- semiconductor device
- photoresist
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術） 周知のように半導体装置の製造工程の一つにフォトエ
ッチングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜
をパターニングするようなとき、その表面にフォトレジ
ストを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してか
らこれを現像液の中に入れて現像する。
ッチングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜
をパターニングするようなとき、その表面にフォトレジ
ストを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してか
らこれを現像液の中に入れて現像する。
通常はこのあとフォトレジストを除去することによっ
て、フォトエッチング工程を終了するのであるが、半導
体装置の種類によっては先のフォトレジストを除去した
あと、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面
に、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエッチン
グを施す必要のある場合がある。
て、フォトエッチング工程を終了するのであるが、半導
体装置の種類によっては先のフォトレジストを除去した
あと、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面
に、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエッチン
グを施す必要のある場合がある。
従来ではこのような場合、先のフォトレジストの膜の
表面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するに
とどまっていた。しかし一般に先のフォトレジストの膜
（第１層のフォトレジスト膜）の表面、あるいは第１層
のフォトレジスト膜が除去されたあとの表面には、水
分、溶剤などが残存しており、これらによって次に塗布
されるフォトレジストの膜（第２層のフォトレジスト
膜）に対するぬれ性が損われていることがある。
表面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するに
とどまっていた。しかし一般に先のフォトレジストの膜
（第１層のフォトレジスト膜）の表面、あるいは第１層
のフォトレジスト膜が除去されたあとの表面には、水
分、溶剤などが残存しており、これらによって次に塗布
されるフォトレジストの膜（第２層のフォトレジスト
膜）に対するぬれ性が損われていることがある。
このようにぬれ性が損われていると、第２層のフォト
レジスト膜のコーティングの際、塗布ムラが生じたり、
ピンホールができたりすることがあり、そのため所望の
パターンが得られなくなるなどして、次工程の拡散その
他の処理に支障が生じ、所要の品質を保証することがで
きなくなってしまう。
レジスト膜のコーティングの際、塗布ムラが生じたり、
ピンホールができたりすることがあり、そのため所望の
パターンが得られなくなるなどして、次工程の拡散その
他の処理に支障が生じ、所要の品質を保証することがで
きなくなってしまう。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は半導体装置の製造過程において、第１層の
フォトレジスト膜の表面あるいはこのフォトレジスト膜
を除去したあとに、第２層のフォトレジスト膜を形成す
る場合、その第２層のフォトレジスト膜に対するぬれ性
を改善することにより、第２層のフォトレジスト膜を確
実に形成できるようにすることを目的とする。
フォトレジスト膜の表面あるいはこのフォトレジスト膜
を除去したあとに、第２層のフォトレジスト膜を形成す
る場合、その第２層のフォトレジスト膜に対するぬれ性
を改善することにより、第２層のフォトレジスト膜を確
実に形成できるようにすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段） この発明は第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層
のフォトレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１層のフォトレジスト膜を形成したあ
と、真空中でポストベークして前記第１層のフォトレジ
スト膜を除去したあとの表面および前記第１層のフォト
レジスト膜に残存している水分、溶剤等を減少させ、そ
のあと前記第２層のフォトレジスト膜を形成するように
したことを特徴とする。
のフォトレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１層のフォトレジスト膜を形成したあ
と、真空中でポストベークして前記第１層のフォトレジ
スト膜を除去したあとの表面および前記第１層のフォト
レジスト膜に残存している水分、溶剤等を減少させ、そ
のあと前記第２層のフォトレジスト膜を形成するように
したことを特徴とする。
（作用） 第２層のフォトレジスト膜をスピーンコートするのに
先だって、第１層のフォトレジスト膜およびこれを除去
したあとの表面をポストベークすると、表面に残存して
いる水分、溶剤等が減少する。これによって前記表面の
ぬれ性は改善されてぬれ易くなる。そのためこのあと第
２層のフォトレジスト膜を形成したとき、このフォトレ
ジスト膜は第１層のフォトレジスト膜あるいはこれを除
去したあとに塗布ムラあるいはピンホールなどが生ずる
ことなく確実に塗布されるようになる。
先だって、第１層のフォトレジスト膜およびこれを除去
したあとの表面をポストベークすると、表面に残存して
いる水分、溶剤等が減少する。これによって前記表面の
ぬれ性は改善されてぬれ易くなる。そのためこのあと第
２層のフォトレジスト膜を形成したとき、このフォトレ
ジスト膜は第１層のフォトレジスト膜あるいはこれを除
去したあとに塗布ムラあるいはピンホールなどが生ずる
ことなく確実に塗布されるようになる。
（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。図において
１は半導体基板で、ここではこの表面に形成されてある
酸化膜２をフォトエッチングする場合について説明す
る。最初に酸化膜２の表面を通常のように所要のパター
ンにしたがって露光、現像する。
１は半導体基板で、ここではこの表面に形成されてある
酸化膜２をフォトエッチングする場合について説明す
る。最初に酸化膜２の表面を通常のように所要のパター
ンにしたがって露光、現像する。
具体的にはまず酸化膜の表面に第１層のフォトレジス
ト膜３を形成する。そしてこれを周知の露光、現像処理
によってフォトエッチングする。第１図はこのようにし
てエッチングされた状態を示す。次に残された第１層の
フォトレジスト膜３の表面および膜３が除去されたあと
の表面に第２のフォトレジスト膜を形成するのである
が、その形成に先立ち、これらの表面を真空中でポスト
ベークして、膜３の表面およびその膜を除去した後に残
存している水分、溶剤などを減少させる。
ト膜３を形成する。そしてこれを周知の露光、現像処理
によってフォトエッチングする。第１図はこのようにし
てエッチングされた状態を示す。次に残された第１層の
フォトレジスト膜３の表面および膜３が除去されたあと
の表面に第２のフォトレジスト膜を形成するのである
が、その形成に先立ち、これらの表面を真空中でポスト
ベークして、膜３の表面およびその膜を除去した後に残
存している水分、溶剤などを減少させる。
このポストベークの条件としては、真空度１〜100Tor
r、加熱時間30分〜３時間、ポストベーク温度100〜200
℃が好適である。ここで真空中で加熱処理する理由は、
一般に使用されるフォトレジストはポリマーが普通であ
るが、この種のフォトレジストは気体透過性が悪いの
で、単に加熱するだけでは水分、溶剤などを除去するの
は極めて困難である。しかし真空中で加熱すれば内部に
残存している水分などは吸いだされるようにして除去さ
れるようになる。ポストベーク温度を200℃以上とする
と、フォトレジストが溶解してしまうので、これを超え
て加熱することは好ましくない。
r、加熱時間30分〜３時間、ポストベーク温度100〜200
℃が好適である。ここで真空中で加熱処理する理由は、
一般に使用されるフォトレジストはポリマーが普通であ
るが、この種のフォトレジストは気体透過性が悪いの
で、単に加熱するだけでは水分、溶剤などを除去するの
は極めて困難である。しかし真空中で加熱すれば内部に
残存している水分などは吸いだされるようにして除去さ
れるようになる。ポストベーク温度を200℃以上とする
と、フォトレジストが溶解してしまうので、これを超え
て加熱することは好ましくない。
上記のようにしてポストベークしたあと、第２図に示
すように第２層のフォトレジスト膜４を塗布する。これ
は通常の塗布処理と同じように回転式のスピンによる。
前記したポストベークによって表面の水分、溶剤などは
すでに減少されていてその表面のぬれ性が改善されてぬ
れ易くなっているので、第２のフォトレジスト膜４は塗
布ムラなどは起らず、またピンホールなども生ずること
なく簡単に塗布されるようになる。
すように第２層のフォトレジスト膜４を塗布する。これ
は通常の塗布処理と同じように回転式のスピンによる。
前記したポストベークによって表面の水分、溶剤などは
すでに減少されていてその表面のぬれ性が改善されてぬ
れ易くなっているので、第２のフォトレジスト膜４は塗
布ムラなどは起らず、またピンホールなども生ずること
なく簡単に塗布されるようになる。
なおこの第２のフォトレジスト膜４はこのあと所要の
パターンにしたがって露光、現像されることはいうまで
もない。
パターンにしたがって露光、現像されることはいうまで
もない。
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、第１層のフォ
トレジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成
するにあたり、この第１層のフォトレジスト膜あるいは
これが除去されたあとのぬれ性が改善されるため、第２
層のフォトレジスト膜の形成にあたり塗布ムラ、ピンホ
ールなどの発生を確実に防止することができるといった
効果を奏する。
トレジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成
するにあたり、この第１層のフォトレジスト膜あるいは
これが除去されたあとのぬれ性が改善されるため、第２
層のフォトレジスト膜の形成にあたり塗布ムラ、ピンホ
ールなどの発生を確実に防止することができるといった
効果を奏する。
第１図乃至第２図はこの発明の実施例工程を示す断面図
である。 １……半導体基板、２……第１層のフォトレジスト膜、
４……第２層のフォトレジスト膜、
である。 １……半導体基板、２……第１層のフォトレジスト膜、
４……第２層のフォトレジスト膜、
Claims (1)
- 【請求項１】第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層
のフォトレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１層のフォトレジスト膜をフォトエッチ
ングしたあと、真空中でポストベークして、フォトエッ
チングしたあとの前記第１層のフォトレジスト膜の表面
および残された前記第１層のフォトレジスト膜に残存し
ている水分、溶剤等を減少させ、そのあと前記第２層の
フォトレジスト膜を形成するようにしたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084827A JP2589471B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084827A JP2589471B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241333A JPS62241333A (ja) | 1987-10-22 |
| JP2589471B2 true JP2589471B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=13841596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084827A Expired - Lifetime JP2589471B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589471B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159267A (ja) * | 1974-06-12 | 1975-12-23 | ||
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS56144538A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Denshi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61084827A patent/JP2589471B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62241333A (ja) | 1987-10-22 |
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