JP2588517Y2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2588517Y2 JP2588517Y2 JP1991026849U JP2684991U JP2588517Y2 JP 2588517 Y2 JP2588517 Y2 JP 2588517Y2 JP 1991026849 U JP1991026849 U JP 1991026849U JP 2684991 U JP2684991 U JP 2684991U JP 2588517 Y2 JP2588517 Y2 JP 2588517Y2
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- Japan
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- stem
- semiconductor laser
- adhesive layer
- hole
- lead terminal
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Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、レーザの発光素子とし
て半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装置のう
ち、前記半導体レーザチップの部分をキャップ体にて密
封して成るカンシール型の半導体レーザ装置の改良に関
するものである。
て半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装置のう
ち、前記半導体レーザチップの部分をキャップ体にて密
封して成るカンシール型の半導体レーザ装置の改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のカンシール型の半導体レーザ装
置は、金属製ステムに一体的に造形したブロック体に、
半導体レーザチップをダイボンディングし、この半導体
レーザチップの部分に、ガラス板等の透明板を備えた金
属製のキャップ体を被嵌し、該キャップ体を前記ステム
に対して固着して封止することにより、前記半導体レー
ザチップが大気中の湿度等によって劣化することを防止
すると共に、半導体レーザチップを外部衝撃等から保護
し、更に、前記ステムに穿設した貫通孔から、リード端
子をキャップ体内に挿入し、このリード端子をステムに
対して、絶縁シール状態に固着した構成になっているこ
とは周知の通りである。
置は、金属製ステムに一体的に造形したブロック体に、
半導体レーザチップをダイボンディングし、この半導体
レーザチップの部分に、ガラス板等の透明板を備えた金
属製のキャップ体を被嵌し、該キャップ体を前記ステム
に対して固着して封止することにより、前記半導体レー
ザチップが大気中の湿度等によって劣化することを防止
すると共に、半導体レーザチップを外部衝撃等から保護
し、更に、前記ステムに穿設した貫通孔から、リード端
子をキャップ体内に挿入し、このリード端子をステムに
対して、絶縁シール状態に固着した構成になっているこ
とは周知の通りである。
【０００３】そして、前記リード端子をステムに絶縁シ
ール状態に固着する手段として従来は、ガラスシール材
を筒状に形成して、これを、リード端子に被嵌した状態
でステムの貫通孔に挿通してから、約９００℃程度で加
熱・焼成すると言う方法（いわゆるハーメチックシール
法）が採用されていた。
ール状態に固着する手段として従来は、ガラスシール材
を筒状に形成して、これを、リード端子に被嵌した状態
でステムの貫通孔に挿通してから、約９００℃程度で加
熱・焼成すると言う方法（いわゆるハーメチックシール
法）が採用されていた。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかし、このシール方
法では、貫通孔を確実に密封できると言う利点を有する
反面、筒状のガラスシール材を製造する工程と、高温で
の焼成工程とに多大の手間を要することに加えて、高温
での焼成によって変色したステムに対して、酸洗いした
のちニッケルメッキを施すという後処理工程を必要とす
るため、リード端子をステムに固着することに要するコ
ストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅に高くなる
と言う問題があった。
法では、貫通孔を確実に密封できると言う利点を有する
反面、筒状のガラスシール材を製造する工程と、高温で
の焼成工程とに多大の手間を要することに加えて、高温
での焼成によって変色したステムに対して、酸洗いした
のちニッケルメッキを施すという後処理工程を必要とす
るため、リード端子をステムに固着することに要するコ
ストが嵩み、半導体レーザ装置の価格が大幅に高くなる
と言う問題があった。
【０００５】この問題に対しては、リード端子を、ステ
ムに対して、合成樹脂等の接着材にて接着することが考
えられ、このように接着材にて接着すると、ガラスシー
ル材を製造する工程、及び後処理としての酸洗い及びメ
ッキ工程を必要としないので、製造コストを大幅に低減
できる。しかし、ステムに対するリード端子の固着強度
を高くするためには、当該接着剤として、乾燥によって
硬化する硬質の接着剤を使用しなければならないが、硬
質の接着剤を使用すると、この硬質の接着剤には、当該
接着剤とステムとの間の熱膨張差、及び当該接着剤とリ
ード端子との間の熱膨張差等によって、微細な亀裂又は
隙間が無数に発生することになるから、キャップ体内に
おける気密状態が低下すると言う問題がある。
ムに対して、合成樹脂等の接着材にて接着することが考
えられ、このように接着材にて接着すると、ガラスシー
ル材を製造する工程、及び後処理としての酸洗い及びメ
ッキ工程を必要としないので、製造コストを大幅に低減
できる。しかし、ステムに対するリード端子の固着強度
を高くするためには、当該接着剤として、乾燥によって
硬化する硬質の接着剤を使用しなければならないが、硬
質の接着剤を使用すると、この硬質の接着剤には、当該
接着剤とステムとの間の熱膨張差、及び当該接着剤とリ
ード端子との間の熱膨張差等によって、微細な亀裂又は
隙間が無数に発生することになるから、キャップ体内に
おける気密状態が低下すると言う問題がある。
【０００６】本考案は、リード端子の固着強度と、ステ
ムにおける貫通孔の箇所のシール性とを保持したカンシ
ール型の半導体レーザ装置を、低コストで製造できる形
態にして提供することを目的とするものである。
ムにおける貫通孔の箇所のシール性とを保持したカンシ
ール型の半導体レーザ装置を、低コストで製造できる形
態にして提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本考案は、「上面側に半導体レーザチップを設けたステ
ムと、該ステムの上面に前記半導体レーザチップを覆う
ように固着したキャップ体とを備え、前記ステムに穿設
した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成
る半導体レーザ装置において、前記リード端子を、前記
ステムにおける貫通孔の箇所に対して、硬質の接着剤層
と非透湿性で軟質の接着剤層とを、前記貫通孔内のうち
ステムの上面側への開口部に硬質の接着剤層をステムの
下面側への開口部に軟質の接着剤層を各々充填するよう
に重ねて成る二つの接着剤層にて接着し、更に、前記硬
質の接着剤層を、ステムの上面から盛り上がるようにす
る。」と言う構成にした。
本考案は、「上面側に半導体レーザチップを設けたステ
ムと、該ステムの上面に前記半導体レーザチップを覆う
ように固着したキャップ体とを備え、前記ステムに穿設
した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成
る半導体レーザ装置において、前記リード端子を、前記
ステムにおける貫通孔の箇所に対して、硬質の接着剤層
と非透湿性で軟質の接着剤層とを、前記貫通孔内のうち
ステムの上面側への開口部に硬質の接着剤層をステムの
下面側への開口部に軟質の接着剤層を各々充填するよう
に重ねて成る二つの接着剤層にて接着し、更に、前記硬
質の接着剤層を、ステムの上面から盛り上がるようにす
る。」と言う構成にした。
【０００８】
【考案の作用・効果】このように構成すると、リード端
子は、ステムに対して、硬質の接着剤層にて強固に接着
される一方、硬質の接着剤層に熱膨張差等によって微細
な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤層が、
硬質の合成樹脂の熱膨張に追従して変形することによ
り、ステムにおける貫通孔を密封した状態に保持できる
から、硬質の接着剤層の亀裂又は隙間の発生に関係な
く、キャップ体の内部を長期間密封状態に保持して、半
導体レーザチップの耐久性を向上できることになる。
子は、ステムに対して、硬質の接着剤層にて強固に接着
される一方、硬質の接着剤層に熱膨張差等によって微細
な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤層が、
硬質の合成樹脂の熱膨張に追従して変形することによ
り、ステムにおける貫通孔を密封した状態に保持できる
から、硬質の接着剤層の亀裂又は隙間の発生に関係な
く、キャップ体の内部を長期間密封状態に保持して、半
導体レーザチップの耐久性を向上できることになる。
【０００９】この場合において、前記硬質の接着剤層を
貫通孔内のうちステムの上面側への開口部に充填するこ
とに加え、この硬質の接着剤層を、ステムの上面から盛
り上がるように構成したことにより、前記リード端子の
うちステムの上面側、つまり、キャップ体への突出する
部分を、その付け根部において前記のように盛り上がる
硬質の接着剤層にて強固に支持することができ、このリ
ード端子と半導体レーザチップとの間を金属線にてワイ
ヤーボインディングするに際して、当該リード端子が変
形すること及び振れ動くことを確実に低減できるから、
このリード端子に対する金属線の接合不良、つまり、ワ
イヤーボインディングのミスが発生することを確実に低
減できるのである。
貫通孔内のうちステムの上面側への開口部に充填するこ
とに加え、この硬質の接着剤層を、ステムの上面から盛
り上がるように構成したことにより、前記リード端子の
うちステムの上面側、つまり、キャップ体への突出する
部分を、その付け根部において前記のように盛り上がる
硬質の接着剤層にて強固に支持することができ、このリ
ード端子と半導体レーザチップとの間を金属線にてワイ
ヤーボインディングするに際して、当該リード端子が変
形すること及び振れ動くことを確実に低減できるから、
このリード端子に対する金属線の接合不良、つまり、ワ
イヤーボインディングのミスが発生することを確実に低
減できるのである。
【００１０】従って、本考案によれば、ステムにおける
貫通孔の箇所に接着剤を塗着するだけの簡単な工程に
て、リード端子をステムに強固に固着できるものであり
ながら、ステムにおける貫通孔を確実に密封できて、半
導体レーザチップの耐久性を、低コストで確実に確保で
きると共に、ワイヤボンディングのミスが少なくできる
ことで、コストを更に低減できる効果を有する。
貫通孔の箇所に接着剤を塗着するだけの簡単な工程に
て、リード端子をステムに強固に固着できるものであり
ながら、ステムにおける貫通孔を確実に密封できて、半
導体レーザチップの耐久性を、低コストで確実に確保で
きると共に、ワイヤボンディングのミスが少なくできる
ことで、コストを更に低減できる効果を有する。
【００１１】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面について説明す
る。図１〜図３に示すのは第１の実施例であり、これら
の図において符号１は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形
成したステム２と、上端に窓孔を穿設したキャップ体体
３とを備えた半導体レーザ装置を示し、前記キャップ体
３の内面には、前記窓孔を塞ぐガラス等の透明板４が固
着されている。
る。図１〜図３に示すのは第１の実施例であり、これら
の図において符号１は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形
成したステム２と、上端に窓孔を穿設したキャップ体体
３とを備えた半導体レーザ装置を示し、前記キャップ体
３の内面には、前記窓孔を塞ぐガラス等の透明板４が固
着されている。
【００１２】前記ステム２の上面には、ブロック体５を
一体的に設けており、このブロック体５の側面に、半導
体レーザチップ６を、モニター用フォトダイオード（図
示せず）付き半導体基板７を介してダイボンディングす
る一方、前記半導体レーザチップ６に対する三本のリー
ド端子８，９，９のうち一本のリード端子８を、前記ス
テム２の下面に溶接にて固着し、他の二本のリード端子
９，９は、ステム２に穿設した貫通孔１０，１０からキ
ャップ体３の内部に挿入し、以下のような手段でステム
２に固着している。
一体的に設けており、このブロック体５の側面に、半導
体レーザチップ６を、モニター用フォトダイオード（図
示せず）付き半導体基板７を介してダイボンディングす
る一方、前記半導体レーザチップ６に対する三本のリー
ド端子８，９，９のうち一本のリード端子８を、前記ス
テム２の下面に溶接にて固着し、他の二本のリード端子
９，９は、ステム２に穿設した貫通孔１０，１０からキ
ャップ体３の内部に挿入し、以下のような手段でステム
２に固着している。
【００１３】すなわち、前記貫通孔１０内のうちステム
２の上面側への開口部を部分的に大径孔１０ａを形成し
て、この大径孔１０ａ内に、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂やＵＶ樹脂等の硬質合成樹脂から成る硬質の接着剤
層１１を、当該硬質の接着剤層１１がステム２の上面に
盛り上がるように充填する一方、前記貫通孔１０内のう
ちステム２の下面側への開口部内に、シリコン系樹脂と
かフッ素系樹脂又はゴムのように硬化することなく非透
湿性と接着性とを有する素材から成る軟質の接着剤１２
を充填して、これらリード端子９の軸線方向に重なった
軟硬２層の接着剤層１１，１２にて、リード端子９をス
テム２に接着する。
２の上面側への開口部を部分的に大径孔１０ａを形成し
て、この大径孔１０ａ内に、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂やＵＶ樹脂等の硬質合成樹脂から成る硬質の接着剤
層１１を、当該硬質の接着剤層１１がステム２の上面に
盛り上がるように充填する一方、前記貫通孔１０内のう
ちステム２の下面側への開口部内に、シリコン系樹脂と
かフッ素系樹脂又はゴムのように硬化することなく非透
湿性と接着性とを有する素材から成る軟質の接着剤１２
を充填して、これらリード端子９の軸線方向に重なった
軟硬２層の接着剤層１１，１２にて、リード端子９をス
テム２に接着する。
【００１４】なお、本実施例の場合、前記半導体レーザ
チップ６と半導体基板７との間、及び、前記半導体基板
７と各リード端子９，９の先端との間の各々は、細い金
属線１３，１４によるワイヤボンディングにて接続され
ている。前記キャップ体３は、前記ブロック体５に被嵌
したのち、当該キャップ体３の下端に形成した外向きフ
ランジ部３ａの全周を前記ステム２の上面に対して抵抗
溶接することによって、ステム２に固着されている。ま
た、透明板４をキャップ体３に固着するに当たっては、
透明板４の外周面とキャップ体３の内周面との間に、硬
質の接着剤層１１を環状に形成し、且つ、キャップ体３
の内向きフランジ３ｂと透明板４の上面との間に、軟質
の接着剤層１２を設け、これら軟硬２層の接着剤層１
１，１２にて接着している。
チップ６と半導体基板７との間、及び、前記半導体基板
７と各リード端子９，９の先端との間の各々は、細い金
属線１３，１４によるワイヤボンディングにて接続され
ている。前記キャップ体３は、前記ブロック体５に被嵌
したのち、当該キャップ体３の下端に形成した外向きフ
ランジ部３ａの全周を前記ステム２の上面に対して抵抗
溶接することによって、ステム２に固着されている。ま
た、透明板４をキャップ体３に固着するに当たっては、
透明板４の外周面とキャップ体３の内周面との間に、硬
質の接着剤層１１を環状に形成し、且つ、キャップ体３
の内向きフランジ３ｂと透明板４の上面との間に、軟質
の接着剤層１２を設け、これら軟硬２層の接着剤層１
１，１２にて接着している。
【００１５】以上のように、リード端子９を、ステム２
における貫通孔１０に対して、軟硬２層の接着剤層１
１，１２にて接着すると、リード端子８を、硬質の接着
剤層１１にてステム２に対して強固に固着することがで
きる一方、この硬質の接着剤層１１に熱膨張差等によっ
て微細な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤
層１２が、硬質の接着剤層１１の熱膨張に追従して変形
することにより、貫通孔１０を密封した状態が維持され
るから、キャップ体３の内部を、高い気密状態に確実に
保持することができるのである。
における貫通孔１０に対して、軟硬２層の接着剤層１
１，１２にて接着すると、リード端子８を、硬質の接着
剤層１１にてステム２に対して強固に固着することがで
きる一方、この硬質の接着剤層１１に熱膨張差等によっ
て微細な亀裂又は隙間が多数発生しても、軟質の接着剤
層１２が、硬質の接着剤層１１の熱膨張に追従して変形
することにより、貫通孔１０を密封した状態が維持され
るから、キャップ体３の内部を、高い気密状態に確実に
保持することができるのである。
【００１６】しかも、前記硬質の接着剤層１１を貫通孔
内のうちステム２の上面側への開口部に充填することに
加え、この硬質の接着剤層１１を、ステム２の上面から
盛り上がるように構成したことにより、前記リード端子
９のうちステム２の上面側、つまり、キャップ体３への
突出する部分を、その付け根部において前記のように盛
り上がる硬質の接着剤層１１にて強固に支持することが
でき、このリード端子９と半導体基板７との間を金属線
１４にてワイヤーボインディングするに際して、当該リ
ード端子９が変形すること及び振れ動くことを確実に低
減できるから、このリード端子９に対する金属線１４の
接合不良、つまり、ワイヤーボインディングのミスが発
生することを確実に低減できるのである。
内のうちステム２の上面側への開口部に充填することに
加え、この硬質の接着剤層１１を、ステム２の上面から
盛り上がるように構成したことにより、前記リード端子
９のうちステム２の上面側、つまり、キャップ体３への
突出する部分を、その付け根部において前記のように盛
り上がる硬質の接着剤層１１にて強固に支持することが
でき、このリード端子９と半導体基板７との間を金属線
１４にてワイヤーボインディングするに際して、当該リ
ード端子９が変形すること及び振れ動くことを確実に低
減できるから、このリード端子９に対する金属線１４の
接合不良、つまり、ワイヤーボインディングのミスが発
生することを確実に低減できるのである。
【００１７】図４に示す第２の実施例は、貫通孔１０内
のうちステム２の上面側への開口部を、テーパ孔１０ｂ
に形成して、このテーパ孔１０ｂ内に、硬質の接着剤層
１１を、当該硬質の接着剤層１１がテスム２の上面に盛
り上がるように充填する一方、前記貫通孔１０内のうち
ステム２の下面側への開口部に、軟質の接着剤層１２を
充填したものであり、この構成によっても、前記と同様
な効果を得ることができる。なお、この実施例では、リ
ード端子９のうち硬質の接着剤層１１に密着する部位に
切り欠き１３を形成して、リード端子９の抜けを防止し
ているが、他の実施例においても、リード端子９に切り
欠き１３を形成しても良いことは言うまでもない。
のうちステム２の上面側への開口部を、テーパ孔１０ｂ
に形成して、このテーパ孔１０ｂ内に、硬質の接着剤層
１１を、当該硬質の接着剤層１１がテスム２の上面に盛
り上がるように充填する一方、前記貫通孔１０内のうち
ステム２の下面側への開口部に、軟質の接着剤層１２を
充填したものであり、この構成によっても、前記と同様
な効果を得ることができる。なお、この実施例では、リ
ード端子９のうち硬質の接着剤層１１に密着する部位に
切り欠き１３を形成して、リード端子９の抜けを防止し
ているが、他の実施例においても、リード端子９に切り
欠き１３を形成しても良いことは言うまでもない。
【００１８】上記の各実施例は、リード端子を断面円形
のピン形に形成した場合であったが、リード端子８，９
は断面角形であっても良いことは言うまでもない。
のピン形に形成した場合であったが、リード端子８，９
は断面角形であっても良いことは言うまでもない。
【図１】第１の実施例を示す正断面図である。
【図２】図１のII−II視断面図である。
【図３】図１のIII −III 視断面図である。
【図４】第２の実施例を示す正断面図である。
１ 半導体レーザ装置 ２ ステム ３ キャップ体 ４ 透明板 ６ 半導体レーザチップ ７ 半導体基板 ８，９ リード端子 １０ 貫通孔 １１ 硬質の接着剤層 １２ 軟質の接着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−196291（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−143284（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−167766（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 33/00 H01L 23/02
Claims (1)
- 【請求項１】上面側に半導体レーザチップを設けたステ
ムと、該ステムの上面に前記半導体レーザチップを覆う
ように固着したキャップ体とを備え、前記ステムに穿設
した貫通孔からキャップ体内にリード端子を挿入して成
る半導体レーザ装置において、 前記リード端子を、前記ステムにおける貫通孔の箇所に
対して、硬質の接着剤層と非透湿性で軟質の接着剤層と
を、前記貫通孔内のうちステムの上面側への開口部に硬
質の接着剤層をステムの下面側への開口部に軟質の接着
剤層を各々充填するように重ねて成る二つの接着剤層に
て接着し、更に、前記硬質の接着剤層を、ステムの上面
から盛り上がるように構成したことを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991026849U JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991026849U JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04121767U JPH04121767U (ja) | 1992-10-30 |
| JP2588517Y2 true JP2588517Y2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=31911261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991026849U Expired - Lifetime JP2588517Y2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588517Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4198410B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2008-12-17 | 三菱電機株式会社 | 光半導体集積装置 |
| CN104364982A (zh) * | 2012-07-11 | 2015-02-18 | 松下知识产权经营株式会社 | 氮化物半导体发光装置 |
| JP7059675B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-04-26 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167766U (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-01 | ||
| JPH03196291A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hochiki Corp | 熱感知器 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP1991026849U patent/JP2588517Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04121767U (ja) | 1992-10-30 |
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