JP2585337B2 - 高周波回路基板装置 - Google Patents
高周波回路基板装置Info
- Publication number
- JP2585337B2 JP2585337B2 JP63011607A JP1160788A JP2585337B2 JP 2585337 B2 JP2585337 B2 JP 2585337B2 JP 63011607 A JP63011607 A JP 63011607A JP 1160788 A JP1160788 A JP 1160788A JP 2585337 B2 JP2585337 B2 JP 2585337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- feedthrough capacitor
- circuit board
- conductor
- frequency circuit
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、印刷回路を搭載した回路基板をシールド
ケースに収納してなる高周波回路基板装置に係り、特に
信号入出力端における電磁波シールド素子として用いら
れる貫通コンデンサを、そのシールド効果が高く、且つ
簡潔な工程で形成することができるようにした高周波回
路基板装置に関する。
ケースに収納してなる高周波回路基板装置に係り、特に
信号入出力端における電磁波シールド素子として用いら
れる貫通コンデンサを、そのシールド効果が高く、且つ
簡潔な工程で形成することができるようにした高周波回
路基板装置に関する。
（従来の技術） オーディオビデオ機器等の電子機器にチューナや高周
波モジュール等の高周波回路基板装置を搭載する場合、
回路周波からの妨害電磁波や回路自体からの電磁波リー
クを防止する為、回路基板全体をシールドケース内に収
納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上に設置し
た貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。これによ
り、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシールドケー
ス（アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイズ重畳を
抑制している。
波モジュール等の高周波回路基板装置を搭載する場合、
回路周波からの妨害電磁波や回路自体からの電磁波リー
クを防止する為、回路基板全体をシールドケース内に収
納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上に設置し
た貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。これによ
り、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシールドケー
ス（アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイズ重畳を
抑制している。
一般に用いられている貫通コンデンサは、第４図
（ａ），（ｂ）に示すように、中央に貫通孔１を有する
円環状に形成されたセラミック誘電体２を用いて構成す
る。第４図に示す誘電体２は、第５図（ａ）に示すよう
に、貫通孔１に直交する両面に、電極3,3を形成し、更
に第５図（ｂ）に示すように錫メッキ導線製のリード線
４を貫通孔１に挿入してその突出部を電極３に半田５に
より半田付ける。このリード線４が引出された貫通コン
デンサは、シールドケース６の側壁にリード線４を挿入
し、半田付け又は導電性接着剤７による接着を行い第５
図（ｃ）に示すように構成される。
（ａ），（ｂ）に示すように、中央に貫通孔１を有する
円環状に形成されたセラミック誘電体２を用いて構成す
る。第４図に示す誘電体２は、第５図（ａ）に示すよう
に、貫通孔１に直交する両面に、電極3,3を形成し、更
に第５図（ｂ）に示すように錫メッキ導線製のリード線
４を貫通孔１に挿入してその突出部を電極３に半田５に
より半田付ける。このリード線４が引出された貫通コン
デンサは、シールドケース６の側壁にリード線４を挿入
し、半田付け又は導電性接着剤７による接着を行い第５
図（ｃ）に示すように構成される。
また、実際の回路に適用する場合は、第６図に示すよ
うに、シールドケース６に取付ける。
うに、シールドケース６に取付ける。
第６図は厚膜基板をシールドケース６に収納して構成
するようにしたもので、第５図と同一部分には同一の符
号を付してある。
するようにしたもので、第５図と同一部分には同一の符
号を付してある。
第６図において、符号８は厚膜技術によって配線導体
９及び抵抗体10が形成された絶縁基板である。この絶縁
基板８の所定位置には、貫通コンデンサのリード線４が
挿通される透孔11が形成されている。第５図のようにシ
ールドケース６に取付けられた貫通コンデンサのリード
線４は、上記透孔11に挿通された半田５により配線導体
９と電気的に接続されると共に、更に取付け側と対面す
るシールドケース平坦側壁を貫通して端子部12を形成し
ている。
９及び抵抗体10が形成された絶縁基板である。この絶縁
基板８の所定位置には、貫通コンデンサのリード線４が
挿通される透孔11が形成されている。第５図のようにシ
ールドケース６に取付けられた貫通コンデンサのリード
線４は、上記透孔11に挿通された半田５により配線導体
９と電気的に接続されると共に、更に取付け側と対面す
るシールドケース平坦側壁を貫通して端子部12を形成し
ている。
しかしながら、第６図に示す貫通コンデンサは、シー
ルドケース６より突設するので、外観的に不具合であ
る。
ルドケース６より突設するので、外観的に不具合であ
る。
また、その製造工程は、第５図に示すようにシールド
ケース６に貫通コンデンサを構成（取付け）した後、第
６図に示すように印刷回路基板をシールドケースに収納
する際にリード線を配線導体接続するという煩雑な作業
となる。
ケース６に貫通コンデンサを構成（取付け）した後、第
６図に示すように印刷回路基板をシールドケースに収納
する際にリード線を配線導体接続するという煩雑な作業
となる。
また、第７図は第６図の貫通コンデンサの等価回路図
であるが、この回路図から分るように、貫通コンデンサ
は、端子部12の反対側にある。即ち、リード線４とと配
線導体９との接続点を中心にして、貫通コンデンサは一
方側に、端子部12は他方側に別れている。このような構
造な、電磁波シールド効果からすると最適ではない。つ
まり、貫通コンデンサは、端子部12と接続点との中間に
位置する方が電磁波シールド効果は高くなる。
であるが、この回路図から分るように、貫通コンデンサ
は、端子部12の反対側にある。即ち、リード線４とと配
線導体９との接続点を中心にして、貫通コンデンサは一
方側に、端子部12は他方側に別れている。このような構
造な、電磁波シールド効果からすると最適ではない。つ
まり、貫通コンデンサは、端子部12と接続点との中間に
位置する方が電磁波シールド効果は高くなる。
（発明が解決しようとする課題） このように、従来の貫通コンデンサ形成技術は、本来
の目的（電磁波シールド）も十分に達成されないような
構造をしており、しかも形成工程が煩雑であるという不
都合があった。
の目的（電磁波シールド）も十分に達成されないような
構造をしており、しかも形成工程が煩雑であるという不
都合があった。
この発明の目的は、貫通コンデンサ形成の為に特別な
工程を要さず、且つ電磁波シールド効果が高い高周波回
路基板装置を提供することにある。
工程を要さず、且つ電磁波シールド効果が高い高周波回
路基板装置を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明の高周波回路基板装置は、絶縁基板と、少な
くとも前記絶縁基板に固着した第１の導体と、前記第１
の導体上に形成した誘電体層と、前記第１の導体と対向
配置されるとともに前記誘電体層上に固着した第２の導
体とを備え、前記第１および第２の導体のうち、一方は
前記絶縁基板の表面より裏面にスルーホールを介して信
号ラインに接続し、他方は少なくとも前記絶縁基板上で
は前記スルーホールを囲んだ誘電体層を介して電気的に
接地してなることを特徴とする。
くとも前記絶縁基板に固着した第１の導体と、前記第１
の導体上に形成した誘電体層と、前記第１の導体と対向
配置されるとともに前記誘電体層上に固着した第２の導
体とを備え、前記第１および第２の導体のうち、一方は
前記絶縁基板の表面より裏面にスルーホールを介して信
号ラインに接続し、他方は少なくとも前記絶縁基板上で
は前記スルーホールを囲んだ誘電体層を介して電気的に
接地してなることを特徴とする。
（作用） この発明によれば、貫通コンデンサ部が、シールドケ
ースに収納される基板側に形成されるので、貫通コンデ
ンサ部の一方の電極と配線導体との接続点，及びシール
ドケースより突出される端子部とは貫通コンデンサ部を
挟んで相対峙する形となり、電磁波シールド効果の良好
な回路構成となる。また、貫通コンデンサ部は他のコン
デンサと同時に形成可能な為、貫通コンデンサ形成の為
に特別な工程を必要としないものである。しかも、貫通
コンデンサの中央部にスルーホール部を設けたことで、
信号ラインを基板表面から裏面に引回すことが余分なス
ペースをとらずに行える。
ースに収納される基板側に形成されるので、貫通コンデ
ンサ部の一方の電極と配線導体との接続点，及びシール
ドケースより突出される端子部とは貫通コンデンサ部を
挟んで相対峙する形となり、電磁波シールド効果の良好
な回路構成となる。また、貫通コンデンサ部は他のコン
デンサと同時に形成可能な為、貫通コンデンサ形成の為
に特別な工程を必要としないものである。しかも、貫通
コンデンサの中央部にスルーホール部を設けたことで、
信号ラインを基板表面から裏面に引回すことが余分なス
ペースをとらずに行える。
（実施例） 以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を説明す
る。
る。
第１図は本発明の高周波回路基板装置に係る一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
この図において、符号24は入出力端子部分を構成する
リード端子、26は高周波回路基板を収納するシールドケ
ース、28はアルミナ基板等の絶縁基板である。絶縁基板
28には銀・パラジウム系導体ペーストをスクリーン印刷
法にて印刷し、900℃で１時間焼成して、絶縁基板２の
両面に下部導体層29a,29bを形成する。この際、予め基
板28に透孔33を形成し、基板両面を導通させるために透
孔33内周にも導体層29cを形成して、スルーホールを構
成する。
リード端子、26は高周波回路基板を収納するシールドケ
ース、28はアルミナ基板等の絶縁基板である。絶縁基板
28には銀・パラジウム系導体ペーストをスクリーン印刷
法にて印刷し、900℃で１時間焼成して、絶縁基板２の
両面に下部導体層29a,29bを形成する。この際、予め基
板28に透孔33を形成し、基板両面を導通させるために透
孔33内周にも導体層29cを形成して、スルーホールを構
成する。
次に、高誘電率セラミックスペーストを用いて誘電体
層31a,31bを形成するが、このとき高周波回路用バイパ
スコンデンサ用の誘電体層31aと貫通コンデンサ用の誘
電体層31bを同じ材料を用いて同時に印刷し、900℃で１
時間空気中で焼成して形成した。次に、誘電体層31a,31
bに上部電極32を前記と同じ材料の銀・パラジウム系導
体ペーストを用いてスクリーン印刷法で前記と同じ条件
で形成した。その後に、酸化ルテニウム系の抵抗体ペー
ストを用い850℃で１時間焼成して厚膜抵抗体30を形成
し、トランジスタ等のチップ部品34を半田付けして基板
上に実装する。次に、挟着部を有したリード端子24を絶
縁基板28の端部に圧入し、端子上部を半田35にて上部電
極32に半田付けする。
層31a,31bを形成するが、このとき高周波回路用バイパ
スコンデンサ用の誘電体層31aと貫通コンデンサ用の誘
電体層31bを同じ材料を用いて同時に印刷し、900℃で１
時間空気中で焼成して形成した。次に、誘電体層31a,31
bに上部電極32を前記と同じ材料の銀・パラジウム系導
体ペーストを用いてスクリーン印刷法で前記と同じ条件
で形成した。その後に、酸化ルテニウム系の抵抗体ペー
ストを用い850℃で１時間焼成して厚膜抵抗体30を形成
し、トランジスタ等のチップ部品34を半田付けして基板
上に実装する。次に、挟着部を有したリード端子24を絶
縁基板28の端部に圧入し、端子上部を半田35にて上部電
極32に半田付けする。
そして、以上のように構成された高周波回路基板を、
リード端子24の一部を外部に導出するようにしてシール
ドケース26内に収納し、前記貫通コンデンサの下部電極
29aとシールドケース26を半田36にて接続する。なお、
上記スルーホールの導体層26cは上部電極32を印刷する
際に形成することも可能である。
リード端子24の一部を外部に導出するようにしてシール
ドケース26内に収納し、前記貫通コンデンサの下部電極
29aとシールドケース26を半田36にて接続する。なお、
上記スルーホールの導体層26cは上部電極32を印刷する
際に形成することも可能である。
上記実施例では、貫通コンデンサの中央部にスルーホ
ール部が設けられており、信号ラインを基板表面から裏
面に余分なスペースをとらずに引回すことができる。ま
た、貫通コンデンサの中央部にスルーホール部が設けら
れているので、表面と裏面とのスルーホールを介した電
気的な接続において、電磁波シールド効果を著しく向上
させることができる。しかも、バイパスコンデンサと貫
通コンデンサを同時に形成でき製造プロセスを大幅に簡
略化できる。
ール部が設けられており、信号ラインを基板表面から裏
面に余分なスペースをとらずに引回すことができる。ま
た、貫通コンデンサの中央部にスルーホール部が設けら
れているので、表面と裏面とのスルーホールを介した電
気的な接続において、電磁波シールド効果を著しく向上
させることができる。しかも、バイパスコンデンサと貫
通コンデンサを同時に形成でき製造プロセスを大幅に簡
略化できる。
第２図は上記の高周波回路基板の貫通コンデンサ部の
一例を示す平面図である。貫通コンデンサ部は例えば角
形に形成してあり、下部導体層29aの一端部にはシール
ドケースと接続する為の接続部29a′が形成されてい
る。この時、例えば上部電極32は2.2mm角の大きさで、
容積値は3500pFであった。
一例を示す平面図である。貫通コンデンサ部は例えば角
形に形成してあり、下部導体層29aの一端部にはシール
ドケースと接続する為の接続部29a′が形成されてい
る。この時、例えば上部電極32は2.2mm角の大きさで、
容積値は3500pFであった。
本実施例による貫通コンデンサの実装面積は、同じ容
量の従来のものに比し、略半分以下の面積で形成するこ
とができる。
量の従来のものに比し、略半分以下の面積で形成するこ
とができる。
第３図は第２図に対応する貫通コンデンサの等価回路
図を示す。この等価回路図と第７図の等価回路図を比較
すると明らかなように、第７図の貫通コンデンサはコン
デンサ部が端子部12と反対側にあるのに対し、本実施例
による貫通コンデンサは端子部24と配線ライン29bとの
間に貫通コンデンサが位置しているので、電磁波シール
ド性能が良好となっている。
図を示す。この等価回路図と第７図の等価回路図を比較
すると明らかなように、第７図の貫通コンデンサはコン
デンサ部が端子部12と反対側にあるのに対し、本実施例
による貫通コンデンサは端子部24と配線ライン29bとの
間に貫通コンデンサが位置しているので、電磁波シール
ド性能が良好となっている。
［発明の効果］ 以上説明したように、貫通コンデンサ形成工程が簡略
化でき、且つ電磁波シールド効果を高くすることができ
る。
化でき、且つ電磁波シールド効果を高くすることができ
る。
第１図は本発明の高周波回路基板装置に係る一実施例を
示す断面図、第２図は第１図における高周波回路基板の
要部を示す平面図、第３図は第２図の貫通コンデンサの
等価回路図、第４図は従来の貫通コンデンサに用いられ
るセラミック誘電体を示す説明図、第５図は従来の貫通
コンデンサの製造工程を示す説明図、第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す断面図、第７図は第６図の貫通
コンデンサの等価回路図である。 24……リード端子、26……シールドケース、 28……絶縁基板、29a,29b……下部導体層、 29c……スルーホール導体層、 31a……バイパスコンデンサの誘電体層、 31b……貫通コンデンサの誘電体層、 35,36……半田。
示す断面図、第２図は第１図における高周波回路基板の
要部を示す平面図、第３図は第２図の貫通コンデンサの
等価回路図、第４図は従来の貫通コンデンサに用いられ
るセラミック誘電体を示す説明図、第５図は従来の貫通
コンデンサの製造工程を示す説明図、第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す断面図、第７図は第６図の貫通
コンデンサの等価回路図である。 24……リード端子、26……シールドケース、 28……絶縁基板、29a,29b……下部導体層、 29c……スルーホール導体層、 31a……バイパスコンデンサの誘電体層、 31b……貫通コンデンサの誘電体層、 35,36……半田。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板と、 少なくとも前記絶縁基板に固着した第１の導体と、 前記第１の導体上に形成した誘電体層と、 前記第１の導体と対向配置されるとともに前記誘電体層
上に固着した第２の導体とを備え、 前記第１および第２の導体のうち、一方は前記絶縁基板
の表面より裏面にスルーホールを介して信号ラインに接
続し、他方は少なくとも前記絶縁基板上では前記スルー
ホールを囲んだ誘電体層を介して電気的に接地してなる
ことを特徴とする高周波回路基板装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011607A JP2585337B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 高周波回路基板装置 |
| KR1019880012885A KR910004957B1 (ko) | 1987-10-29 | 1988-09-30 | 고주파 회로장치 |
| US07/251,747 US4858064A (en) | 1987-10-29 | 1988-10-03 | Thick-film high frequency signal circuit apparatus with feedthrough capacitor |
| EP88309154A EP0315320A3 (en) | 1987-10-29 | 1988-10-03 | Thick-film high frequency signal circuit apparatus with feedthrough capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63011607A JP2585337B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 高周波回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185998A JPH01185998A (ja) | 1989-07-25 |
| JP2585337B2 true JP2585337B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=11782596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63011607A Expired - Lifetime JP2585337B2 (ja) | 1987-10-29 | 1988-01-20 | 高周波回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585337B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567177Y2 (ja) * | 1991-08-27 | 1998-03-30 | 松下電工株式会社 | 熱線式検知器 |
| JP5493825B2 (ja) | 2009-12-22 | 2014-05-14 | 船井電機株式会社 | 液晶モジュールのベゼル取付け構造 |
| JP2014045539A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Denso Corp | スタータ用ノイズ抑制装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645256B2 (ja) * | 1985-09-26 | 1994-06-15 | 三洋電機株式会社 | プリンタ装置 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63011607A patent/JP2585337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01185998A (ja) | 1989-07-25 |
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