JP2581232B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents
Manufacturing method of magnetic recording mediumInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、コンピュータなどの外部記録装置として
用いられる固定磁気記録装置の記憶素子である磁気記録
媒体の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium that is a storage element of a fixed magnetic recording device used as an external recording device such as a computer.
近年、コンピュータ，ワードプロセッサなどの発達に
伴って、その外部記憶装置として固定磁気記録装置−特
に小型の固定磁気記録装置−が普及してきている。In recent years, with the development of computers, word processors, and the like, fixed magnetic recording devices—particularly, small fixed magnetic recording devices—have become widespread as external storage devices.
固定磁気記録装置においては一般にCSS（Co−ntact S
tart Stop）方式が採られる。磁気記録媒体（以下、単
にメディアとも称する）は磁気ヘッドと組み合わせて装
置内に組み込まれ、磁気ヘッドは装置駆動停止時には停
止しているメディア表面に接触して停止しており、装置
駆動時（情報の記録・再生時）には高速回転しているメ
ディア表面上を僅かに浮上して走行し、装置の駆動の開
始時と中止時には過渡的にメディア表面と接触摺動す
る。従って、メディア表面は磁気ヘッドの接触摺動が円
滑に行われるように低摩擦となるように、しかも、停止
時の磁気ヘッドの吸着が起きないように、適度に粗れて
いることが装置の耐久性，信頼性を確保するために重要
である。また、処理情報がますます多量になり、装置の
記憶容量の大容量化に対する市場要求が強く、記憶素子
として使用されるメディアの高記録密度が強く要求さ
れ、そのために保磁力を増加させることで要求されてい
る。In a fixed magnetic recording apparatus, CSS (Co-ntact S) is generally used.
tart Stop) method is adopted. A magnetic recording medium (hereinafter, also simply referred to as a medium) is incorporated in a device in combination with a magnetic head. The magnetic head comes into contact with the surface of the stopped medium when the device is stopped, and stops when the device is driven (information During recording / reproduction), the device slightly floats on the surface of the medium rotating at high speed and travels. Therefore, the media surface must be appropriately rough so that the magnetic head has low friction so that the magnetic head can slide smoothly, and that the magnetic head does not stick when stopped. It is important to ensure durability and reliability. In addition, since the amount of processing information is increasing, the market demand for a large storage capacity of the device is strong, and the high recording density of the media used as the storage element is strongly demanded. Therefore, by increasing the coercive force, Has been requested.
メディアとしては、一般に、ドーナツ盤状のAl合金板
の表面に無電解めっき法でNi−Ｐ合金層が形成されてな
る非磁性の基板上に、Crからなる非磁性金属下地層,Co
合金からなる強磁性金属磁性層,Cからなる保護層をスパ
ッタ法で順次成膜積層した構成のものが知られている。As a medium, generally, a nonmagnetic metal underlayer made of Cr, a nonmagnetic metal base layer made of Co, is formed on a nonmagnetic substrate in which a Ni--P alloy layer is formed by electroless plating on the surface of a donut-shaped Al alloy plate.
There is known a configuration in which a ferromagnetic metal magnetic layer made of an alloy and a protective layer made of C are sequentially formed and laminated by a sputtering method.
このようなメディアにおいて、その表面粗さはメディ
アを構成する各層の支持体となる基板の表面粗さに左右
されるが、さらに、前記各層を成膜するときの基板温度
に大きく左右され、基板温度が高くなる程成膜後のメデ
ィア表面は滑らかとなり摩擦力が増大することが知られ
ている。In such a medium, the surface roughness depends on the surface roughness of a substrate serving as a support for each layer constituting the medium, but further largely depends on the substrate temperature at which the respective layers are formed. It is known that the higher the temperature, the smoother the surface of the medium after film formation and the higher the frictional force.
また、メディアの保磁力を増大させるためには、 （ａ）磁性層を形成するCo合金と組成を適切に選定する
ことにより磁性層の結晶磁気異方性を高める。Further, in order to increase the coercive force of the medium, (a) the crystal magnetic anisotropy of the magnetic layer is increased by appropriately selecting the Co alloy and the composition forming the magnetic layer.
（ｂ）磁性層の下地層であるCr層の膜厚を厚くして磁性
層の結晶性（配向成長）を高める。(B) Increase the crystallinity (orientation growth) of the magnetic layer by increasing the thickness of the Cr layer, which is the underlayer of the magnetic layer.
（ｃ）成膜時の基板温度を高くして、Cr下地層,Co合金
磁性層の結晶性（配向成長）を高める。(C) The crystallinity (orientation growth) of the Cr underlayer and the Co alloy magnetic layer is increased by increasing the substrate temperature during film formation.
（ｄ）成膜時の基板温度を高くして、磁性層を形成する
Co合金の微結晶粒内の不純物および成分元素の粒内偏析
を促進させる。(D) Forming a magnetic layer by increasing the substrate temperature during film formation
It promotes intragranular segregation of impurities and component elements in microcrystal grains of a Co alloy.
などの方法が知られている。Such methods are known.
上述のように、メディアの表面はメディアを構成する
各層を成膜するときの基板温度が高くなるにつれて滑ら
かとなり摩擦が大きくなり、低くなるにつれて粗面化し
て低摩擦となる。現状では、実用に耐え得る低摩擦のメ
ディアを得るためには、基板温度を200℃以下に抑える
ことが必要であった。As described above, the surface of the medium becomes smoother and friction increases as the substrate temperature increases when the layers constituting the medium are deposited, and becomes rougher and lower as the substrate temperature decreases. At present, it is necessary to keep the substrate temperature at 200 ° C. or lower in order to obtain a low-friction medium that can withstand practical use.
一方、メディアの保磁力は上述の各方法により増大さ
せることができるが、現状では基板温度200℃以下では
市場より要求されている1300Oeを超える保磁力を有する
メディアを安定して量産することはできない。例えば、
基板温度200℃では、Co−Ni−Cr合金からなる磁性層の
場合1000Oe程度,Co−Cr−Ta合金からなる磁性層の場合1
200Oe程度であり、基板温度を低くするにつれて保磁力
は低下する。On the other hand, the coercive force of the media can be increased by the above-described methods, but at present, it is not possible to stably mass-produce media having a coercive force exceeding 1300 Oe required from the market at a substrate temperature of 200 ° C. or less. . For example,
At a substrate temperature of 200 ° C., about 1000 Oe for a magnetic layer made of a Co--Ni--Cr alloy, and 1 for a magnetic layer made of a Co--Cr--Ta alloy.
It is about 200 Oe, and the coercive force decreases as the substrate temperature decreases.
上述のように、メディア表面を低摩擦化するためには
基板温度を200℃以下と低くする必要があり、メディア
の保磁力を高めるためには基板温度を200℃以上と高く
する必要があり、前述のような従来の方法では、市場か
ら要求されるレベルの低摩擦，高保磁力を有するメディ
アは得られない。As described above, it is necessary to lower the substrate temperature to 200 ° C. or lower in order to reduce the friction of the media surface, and it is necessary to increase the substrate temperature to 200 ° C. or higher to increase the coercive force of the media. With the above-described conventional method, a medium having low friction and high coercive force at the level required from the market cannot be obtained.
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであ
って、低摩擦で、かつ、高保磁力のメディアを安定して
量産できる製造方法を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to provide a manufacturing method capable of stably mass-producing media having low friction and high coercive force.
上記の課題は、この発明によれば、表面をテクスチュ
ア加工した非磁性基板上にCr下地層,Co合金磁性層およ
び硬質保護層をスパッタ法でこの順序に成膜し、積層す
る工程を含む面内磁気記録媒体の製造方法において、前
記非磁性基板の温度を150℃以上200℃以下の範囲内の温
度に保持し、かつこの非磁性基板にバイアス電圧を印加
した状態でCr下地層およびCo合金磁性層をスパッタ法で
成膜して、表面形状の相対負荷曲線の相対負荷長さ10％
におけるカッティング深さから相対負荷長さ１％におけ
るカッティング深さを差し引いた値が150Å以上の表面
粗さを有するものとすることによって解決される。According to the present invention, a surface including a step of depositing and laminating a Cr underlayer, a Co alloy magnetic layer, and a hard protective layer in this order on a textured nonmagnetic substrate by a sputtering method. In the method for manufacturing an internal magnetic recording medium, the temperature of the non-magnetic substrate is maintained at a temperature in a range of 150 ° C. or more and 200 ° C. or less, and a Cr underlayer and a Co alloy are applied while a bias voltage is applied to the non-magnetic substrate. The magnetic layer is formed by sputtering, and the relative load length of the relative load curve of the surface shape is 10%.
The value obtained by subtracting the cutting depth at a relative load length of 1% from the cutting depth at 150% has a surface roughness of 150 ° or more.
Cr下地層およびCo合金磁性層の成膜時に基板に印加さ
れるバイアスは両層の結晶性を改善し、かつ、強磁性金
属磁性層の微結晶粒内偏析を促進する作用があり、メデ
ィアの保磁力を高める効果が得られ、しかもバイアス電
圧が高くなる程その効果は大きくなる。従って、基板温
度を200℃以下の比較的低い温度に保持し、基板にバイ
アスを印加した状態で前記両層を成膜することにより、
低摩擦で高保磁力を有するメディアを得ることが可能と
なる。The bias applied to the substrate during the formation of the Cr underlayer and the Co alloy magnetic layer has the effect of improving the crystallinity of both layers and promoting the segregation within the microcrystal grains of the ferromagnetic metal magnetic layer. The effect of increasing the coercive force can be obtained, and the effect increases as the bias voltage increases. Therefore, by holding the substrate temperature at a relatively low temperature of 200 ° C. or less, by forming the two layers while applying a bias to the substrate,
A medium having low friction and high coercive force can be obtained.
基板温度を低くすればする程メディア表面は低摩擦と
なるが、保磁力は低下してくる。従ってバイアス電圧よ
り高くして保磁力を高めることが必要となる。ところ
が、バイアス電圧を高くしていくとスパッタ電圧が不安
定となり、成膜が良好に行えなくなる。バイアス印加に
より保磁力を増大させることには限度があり、したがっ
て基板温度をあまり低くすることはできない。The lower the substrate temperature, the lower the friction of the media surface, but the lower the coercive force. Therefore, it is necessary to increase the coercive force by setting the bias voltage higher than the bias voltage. However, as the bias voltage is increased, the sputtering voltage becomes unstable, and film formation cannot be performed satisfactorily. There is a limit to increasing the coercive force by applying a bias, so that the substrate temperature cannot be lowered too much.
基板温度を150℃以上200℃以下の範囲内の温度に保持
し、かつ、適切なバイアス電圧を基板に印加した状態で
前記両層を成膜することにより、低摩擦で高保磁力を有
するメディアを安定して量産することが可能となる。By holding the substrate temperature at a temperature in the range of 150 ° C. or more and 200 ° C. or less, and by forming the two layers while applying an appropriate bias voltage to the substrate, a medium having low friction and high coercive force can be obtained. Mass production can be performed stably.
Al合金円板をドーナツ盤状に内外径を加工し、表面を
研削，研磨により平坦に加工する。この表面に無電解め
っき法で厚さ約20μｍのNi−Ｐ合金層を形成し、約15μ
ｍの厚さまで研磨し、表面粗さが中心線平均粗さRaで20
Å程度となるように鏡面研磨し、さらにテクスチュアを
施して表面粗さがRaで70Å程度となるようにし、これを
メディアの基板とする。The inner and outer diameters of an Al alloy disk are machined into a donut shape, and the surface is machined flat by grinding and polishing. A Ni-P alloy layer with a thickness of about 20 μm is formed on this surface by electroless plating,
polished to a thickness of m, and the surface roughness is center line average roughness Ra of 20
Mirror-polished to about Å, and further textured to make the surface roughness about 70 ° in Ra, which is used as the substrate of the media.
このようにして得られた基板を超精密洗浄した後、ホ
ルダに装着し、第１図の概念図に示したようなインライ
ンスパッタ装置により、基板表面にCr下地層,Co合金磁
性層,C保護層をDCマグネトロン方式のスパッタ法で順次
成膜する。After the substrate obtained in this way is ultra-precisely cleaned, it is mounted on a holder, and a Cr underlayer, a Co alloy magnetic layer, and a C protection layer are formed on the substrate surface by an inline sputtering apparatus as shown in the conceptual diagram of FIG. The layers are sequentially formed by a DC magnetron sputtering method.
第２図はホルダおよびホルダを装置内で搬送する状態
を示す概念図で、第２図（ａ）はホルダを正面から見た
図であり、第２図（ｂ）はホルダを側面から見た図を示
す。第２図において、ホルダ６は下端に設けられた車輪
103により装置内に敷設されているレール102上を移動す
る。ホルダ６には複数個（図では９個の場合を示す）の
基板101が装着できるようになっており、ホルダ６の基
板101の装着される部分は絶縁物104によりアースから絶
縁されている。基板101へのバイアス印加は、装置外に
設けられたDCバイアス電源（図示はされていない）か
ら、装置の側壁１に取り付けられた電極導入ポート106
およびこれに接続されホルダ６の表面と弾性を持って接
触しホルダ６の移動につれてその表面を摺動し得るバイ
アス印加シュウ12を介して、ホルダ６の基板101の装着
部分に電圧を印加することにより行われる。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a holder and a state in which the holder is conveyed in the apparatus. FIG. 2 (a) is a view of the holder as viewed from the front, and FIG. 2 (b) is a view of the holder as viewed from the side. The figure is shown. In FIG. 2, a holder 6 is a wheel provided at a lower end.
103 moves on a rail 102 laid in the apparatus. A plurality of (in the figure, nine cases) substrates 101 can be mounted on the holder 6, and the portion of the holder 6 where the substrates 101 are mounted is insulated from the ground by an insulator 104. A bias is applied to the substrate 101 from a DC bias power supply (not shown) provided outside the device, from an electrode introduction port 106 attached to the side wall 1 of the device.
And applying a voltage to a mounting portion of the holder 6 on the substrate 101 via a bias applying shoe 12 connected thereto and having elastic contact with the surface of the holder 6 and sliding on the surface as the holder 6 moves. It is performed by
基板の装着されたホルダ６を第１図に示した仕込室２
内のレール（図示されてはいない）上にセットし、５×
10-5Torrの高真空にして、基板加熱ヒータ７により基板
を加熱する。基板が所定温度に達した後、仕込りドア5a
を開閉してホルダ６を成膜室３内へ搬送する。成膜室３
内を10mTorrのAr雰囲気として、ホルダ６を搬送しなが
らCrターゲット8,Co合金ターゲット9,Cターゲット10を
順次スパッタリングして基板上にCr下地層（膜厚1500
Å）,Co合金磁性層（膜厚450Å）,C保護層（膜厚400
Å）を順次成膜し積層する。Cr下地層およびCo合金磁性
層を成膜するときには、側壁１の外部に設けられたDCバ
イアス電源11より側壁１に取り付けられた電極導入ポー
ト（図示はしてない）とこれに接続されたバイアス印加
シュウ12を介してホルダ６にバイアスを印加する。電極
導入ポートおよびバイアス印加シュウ12は複数個（図で
は４個の場合を示す）設けられており、ホルダ６の搬送
につれてこれらのバイアス印加シュウ12が順次接触する
ことにより、成膜中をとおしてバイアスが途切れないよ
うにする。Ｃ保護層まで成膜された後、ホルダ６は仕切
りドア5bを開閉して取出室４に搬送され、取出室４を大
気圧とした後に装置より取り出し、成膜の完了した基板
をホルダ６より取りはずす。The loading chamber 2 shown in FIG.
Set on a rail (not shown) in the 5x
The substrate is heated by a substrate heater 7 with a high vacuum of 10 −5 Torr. After the board reaches the specified temperature, the loading door 5a
Is opened and closed to transfer the holder 6 into the film forming chamber 3. Deposition chamber 3
The inside is set to an Ar atmosphere of 10 mTorr, and a Cr target 8, a Co alloy target 9, and a C target 10 are sequentially sputtered while transporting the holder 6, and a Cr underlayer (film thickness 1500) is formed on the substrate.
Å), Co alloy magnetic layer (thickness 450,), C protective layer (thickness 400)
Å) are sequentially formed and laminated. When forming the Cr underlayer and the Co alloy magnetic layer, an electrode introduction port (not shown) attached to the side wall 1 and a bias connected to the electrode are provided by a DC bias power supply 11 provided outside the side wall 1. A bias is applied to the holder 6 via the application shoe 12. A plurality of electrode introduction ports and bias application shoes 12 are shown (four are shown in the figure). These bias application shoes 12 come into contact with each other as the holder 6 is conveyed, so that the film is formed throughout the film formation. Make sure that the bias is not interrupted. After the film is formed up to the C protective layer, the holder 6 is conveyed to the extraction chamber 4 by opening and closing the partition door 5b. Remove it.
上述のようにして、磁性層の組成をCo−30Ni−7.5Cr
（数値は原子％を示す）とするメディアと、Co−12Cr−
2Taとするメディアと二種類のメディアを作製した。ま
た、成膜に際して、基板温度およびバイアス電圧を変化
させて各種類についてこれらの条件の異なるメディアを
作製した。その際、基板温度は基板の熱変形および基板
表面のNi−Ｐ合金の磁化を考慮して最高300℃に抑え、
バイアス電圧は−600V以上になるとスパッタ放電が不安
定となるので−500Vを上限とした。As described above, the composition of the magnetic layer Co- 30 Ni- 7.5 Cr
(Numerical values indicate atomic%) and Co- 12 Cr-
Two kinds of media and 2 Ta media were produced. Further, at the time of film formation, media having different conditions for each type were manufactured by changing the substrate temperature and the bias voltage. At that time, the substrate temperature was suppressed to a maximum of 300 ° C in consideration of the thermal deformation of the substrate and the magnetization of the Ni-P alloy on the substrate surface,
Since the sputter discharge becomes unstable when the bias voltage exceeds -600 V, the upper limit is -500 V.
このようにして作製したメディアについて、成膜時の
基板温度，バイアス電圧とメディア表面粗さ，保磁力と
の関係を調べた。With respect to the media thus manufactured, the relationship between the substrate temperature during film formation, the bias voltage, the media surface roughness, and the coercive force was examined.
メディア表面粗さは、表面形状の相対負荷曲線の相対
負荷長さ10％におけるカッティング深さから相対負荷長
さ１％におけるカッティング深さを差し引いた値tp10−
１で表示した。The media surface roughness is a value tp10− obtained by subtracting the cutting depth at a relative load length of 1% from the cutting depth at a relative load length of 10% in the relative load curve of the surface shape.
Indicated by 1.
調査の結果、メディア表面粗さは磁性層の組成には依
存しなかった。基板温度とメディア表面粗さとの関係を
バイアス電圧をパラメータとして第３図に示す。また、
バイアス電圧とメディア表面粗さとの関係を基板温度を
パラメータとして第４図に示す。第３図および第４図よ
り、バイアス印加の有無にかかわらず、基板温度が低く
なるにつれてメディア表面粗さは大きくなるが、バイア
ス電圧が増加するにつれてその大きくなる度合が減少す
ることが判る。As a result of the investigation, the media surface roughness did not depend on the composition of the magnetic layer. FIG. 3 shows the relationship between the substrate temperature and the media surface roughness using the bias voltage as a parameter. Also,
FIG. 4 shows the relationship between the bias voltage and the media surface roughness using the substrate temperature as a parameter. From FIGS. 3 and 4, it can be seen that the media surface roughness increases as the substrate temperature decreases, irrespective of the presence or absence of bias application, but the degree of the increase decreases as the bias voltage increases.
また、メディア表面粗さとその動摩擦係数との間には
第７図に示す関係があることは知られている。第７図に
おいて、横軸はメディア表面粗さtp10−１を示し、縦軸
はメディアを磁気ヘッドが浮上しない程度の低速で回転
させ、磁気ヘッドをメディア表面上で１時間接触摺動さ
せたとき動摩擦係数μ60minを示し、メディア表面粗さ
が大きくなる程動摩擦係数μ60minが小さくなる関係が
示されている。メディア表面を市場要求を充たす程度に
低摩擦とするためにはμ60minが約0.5以下であることが
必要とされ、第７図よりtp10−１は150Å程度以上でな
ければならないことが判る。従って第３図より基板温度
は200℃以下とすることが必要であることが判る。It is known that there is a relationship shown in FIG. 7 between the media surface roughness and the dynamic friction coefficient. In FIG. 7, the abscissa indicates the media surface roughness tp10-1, and the ordinate indicates when the media is rotated at such a low speed that the magnetic head does not float and the magnetic head is slid over the media surface for one hour. The dynamic friction coefficient μ60min is shown, and the relationship that the dynamic friction coefficient μ60min decreases as the media surface roughness increases is shown. To a low friction media surface to such an extent to satisfy the market demand is required that mu 60min is about 0.5 or less, Tp10-1 from Figure 7 it can be seen that shall be not less than about 150 Å. Therefore, it can be seen from FIG. 3 that the substrate temperature needs to be 200 ° C. or less.
次に、磁性層の組成がCo−30Ni−7.5Crであるメディ
アについて、基板温度と保磁力Hcとの関係をバイアス電
圧をパラメータとして第５図に示す。第５図に見られる
とおり、基板温度の上昇につれて保磁力は増大する。ま
た、バイアスを印加することにより同一の基板温度で保
磁力を増加させることができ、しかも、バイアス電圧が
高い程その増加量は大きい。例えば、基板温度200℃に
おいては、バイアス電圧0Vの場合保磁力は約1050Oeであ
るが、バイアスを印加し、その電圧を高めるにつれて保
持力は増大し、バイアス電圧−500V印加することにより
約1650Oeまで高めることができる。しかもこの場合、第
３図に見られるようにメディア表面粗さの変化は少な
い。また、基板温度150℃においては、バイアス電圧0V
の場合保磁力は約900Oeであるが、適切なバイアス電圧
を印加することにより、最低限必要なメディア表面粗さ
を維持しながら保磁力を約1400Oeまで高めることができ
る。Next, the media composition of the magnetic layer is Co- 30 Ni- 7.5 Cr, showing the relationship between the substrate temperature and the coercive force Hc in Fig. 5 a bias voltage as a parameter. As can be seen from FIG. 5, the coercive force increases as the substrate temperature increases. Further, by applying a bias, the coercive force can be increased at the same substrate temperature, and the higher the bias voltage, the greater the increase. For example, at a substrate temperature of 200 ° C., the coercive force is about 1050 Oe when the bias voltage is 0 V, but the coercive force increases as the bias is applied and the voltage is increased, and is increased to about 1650 Oe by applying the bias voltage −500 V. Can be enhanced. Moreover, in this case, the change in the media surface roughness is small as seen in FIG. When the substrate temperature is 150 ° C, the bias voltage is 0V
In this case, the coercive force is about 900 Oe, but by applying an appropriate bias voltage, the coercive force can be increased to about 1400 Oe while maintaining the minimum required media surface roughness.
また、磁性層の組成がCo−12Cr−2Taであるメディア
についての基板温度と保磁力との関係をバイアス電圧を
パラメータとして第６図に示すが、第５図と同様の傾向
の関係にあり、成膜時にバイアスを印加することによ
り、比較的低い基板温度で高保磁力を実現することがで
きる。FIG. 6 shows the relationship between the substrate temperature and the coercive force of a medium having a magnetic layer composition of Co- 12 Cr- 2 Ta using the bias voltage as a parameter. Yes, a high coercive force can be realized at a relatively low substrate temperature by applying a bias during film formation.
かくして、成膜時の基板温度を150℃以上200℃以下の
範囲内の温度に保持し、かつ、Cr下値層,Co合金磁性層
の成膜時に基板に適切なバイアス電圧を印加することに
より、低摩擦で高保磁力を有するメディアを安定して量
産することが可能となる。Thus, by maintaining the substrate temperature at the time of film formation in the range of 150 ° C. or more and 200 ° C. or less, and applying an appropriate bias voltage to the substrate during the formation of the Cr lower layer and the Co alloy magnetic layer, It is possible to stably mass-produce media having low friction and high coercive force.
以上の実施例においては、DCマグネトロン方式のスパ
ッタ法で成膜を行ったが、RFマグネトロン方式のスパッ
タ法においてもバイアス印加は同様に有効である。ま
た、基板へのバイアスの印加方法は実施例の方法に限定
されるものではない。さらに、保護層の材質もＣに限定
されないことは勿論である。In the above embodiment, the film is formed by the DC magnetron sputtering method, but the bias application is similarly effective in the RF magnetron sputtering method. The method of applying a bias to the substrate is not limited to the method of the embodiment. Further, it goes without saying that the material of the protective layer is not limited to C.
この発明によれば、表面をテクスチュア加工した非磁
性基板上にCr下地層,Co合金磁性層をスパッタ法で成膜
するに際し、基板温度を150℃以上200℃以下の範囲内の
温度に保持し、基板にバイアスを印加した状態で成膜を
行い、表面形状の相対負荷曲線の相対負荷長さ10％にお
けるカッティング深さから相対負荷長さ１％におけるカ
ッティング深さを差し引いた値が150Å以上の表面粗さ
を有するものとする。このようにバイアスを印加するこ
とにより、上述のような比較的低い基板温度で成膜を行
っても高保磁力が実現できるようになり、低摩擦で、か
つ、高保磁力を有する磁気記録媒体を安定して量産する
ことが可能となり、固定磁気記録装置の大容量化，高信
頼化に対応することが可能となる。According to the present invention, when forming a Cr underlayer and a Co alloy magnetic layer on a non-magnetic substrate having a textured surface by sputtering, the substrate temperature is maintained at a temperature within a range of 150 ° C. or more and 200 ° C. or less. The film is formed while applying a bias to the substrate, and the value obtained by subtracting the cutting depth at a relative load length of 1% from the cutting depth at a relative load length of 10% in the relative load curve of the surface shape is 150 ° or more. It has surface roughness. By applying a bias in this manner, a high coercive force can be realized even when a film is formed at a relatively low substrate temperature as described above, and a magnetic recording medium having a low friction and a high coercive force can be stabilized. It is possible to mass-produce the fixed magnetic recording device, and to cope with an increase in the capacity and reliability of the fixed magnetic recording device.
第１図はこの発明の一実施例に用いられたインラインス
パッタ装置の概念図、第２図はこの発明の一実施例にお
ける基板のホルダおよびホルダの搬送状態を示す概念
図、第３図は基板温度とメディア表面粗さとの関係をバ
イアス電圧をパラメータとして示す線図、第４図はバイ
アス電圧とメディア表面粗さとの関係を基板温度をパラ
メータとして示す線図、第５図はCo−30Ni−7.5Cr合金
からなる磁性層を備えたメディアについて基板温度と保
磁力との関係をバイアス電圧をパラメータとして示す線
図、第６図はCo−12Cr−2Ta合金からなる磁性層を備え
たメディアについて基板温度と保磁力との関係をバイア
ス電圧をパラメータとして示す線図、第７図はメディア
表面粗さと動摩擦係数との関係を示す線図である。 ６……ホルダ、７……基板加熱ヒータ、８……Crターゲ
ット、９……Co合金ターゲット、11……DCバイアス電
源、12……バイアス印加シュウ、101……基板、104……
絶縁物、106……電極導入ポート。FIG. 1 is a conceptual diagram of an in-line sputtering apparatus used in one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram showing a holder of a substrate and a transfer state of the holder in one embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the temperature and the media surface roughness using the bias voltage as a parameter, FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the bias voltage and the media surface roughness using the substrate temperature as a parameter, and FIG. 5 is Co- 30 Ni- FIG. 6 is a diagram showing the relationship between substrate temperature and coercive force using a bias voltage as a parameter for a medium provided with a magnetic layer made of a 7.5 Cr alloy, and FIG. 6 shows a medium provided with a magnetic layer made of a Co- 12 Cr- 2 Ta alloy. 7 is a diagram showing the relationship between the substrate temperature and the coercive force using the bias voltage as a parameter, and FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the media surface roughness and the dynamic friction coefficient. 6 Holder, 7 Substrate heater, 8 Cr target, 9 Co alloy target, 11 DC bias power supply, 12 Bias power supply, 101 Substrate, 104
Insulator, 106 ... Electrode introduction port.
Claims (1)
にCr下地層,Co合金磁性層および硬質保護層をスパッタ
法でこの順序に成膜し、積層する工程を含む面内磁気記
録媒体の製造方法において、前記非磁性基板の温度を15
0℃以上200℃以下の範囲内の温度に保持し、かつこの非
磁性基板にバイアス電圧を印加した状態でCr下地層およ
びCo合金磁性層をスパッタ法で成膜して、表面形状の相
対負荷曲線の相対負荷長さ10％におけるカッティング深
さから相対負荷長さ１％におけるカッティング深さを差
し引いた値が150Å以上の表面粗さを有するものとする
ことを特徴とする面内磁気記録媒体の製造方法。1. A method of manufacturing a longitudinal magnetic recording medium, comprising the steps of forming a Cr underlayer, a Co alloy magnetic layer, and a hard protective layer on a non-magnetic substrate having a textured surface in this order by sputtering and laminating the layers. In the method, the temperature of the non-magnetic substrate is increased by 15
A Cr underlayer and a Co alloy magnetic layer were formed by sputtering while maintaining a temperature in the range of 0 ° C or more and 200 ° C or less, and a bias voltage was applied to the non-magnetic substrate. A longitudinal magnetic recording medium characterized in that a value obtained by subtracting a cutting depth at a relative load length of 1% from a cutting depth at a relative load length of 10% of the curve has a surface roughness of 150 ° or more. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266533A JP2581232B2 (en) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266533A JP2581232B2 (en) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127329A JPH03127329A (en) | 1991-05-30 |
| JP2581232B2 true JP2581232B2 (en) | 1997-02-12 |
Family
ID=17432199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266533A Expired - Lifetime JP2581232B2 (en) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581232B2 (en) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227453A (en) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Vinyl chloride resin composition |
| JPH0647722B2 (en) * | 1986-09-24 | 1994-06-22 | 富士電機株式会社 | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| JPH0731810B2 (en) * | 1987-09-25 | 1995-04-10 | 富士電機株式会社 | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| JPH02161617A (en) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | Production of magnetic recording medium |
| JPH0740342B2 (en) * | 1989-04-04 | 1995-05-01 | 三菱化学株式会社 | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1266533A patent/JP2581232B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03127329A (en) | 1991-05-30 |
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