JP2574605Y2 - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
- Publication number
- JP2574605Y2 JP2574605Y2 JP1991068853U JP6885391U JP2574605Y2 JP 2574605 Y2 JP2574605 Y2 JP 2574605Y2 JP 1991068853 U JP1991068853 U JP 1991068853U JP 6885391 U JP6885391 U JP 6885391U JP 2574605 Y2 JP2574605 Y2 JP 2574605Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- hole
- semiconductor device
- composite semiconductor
- main terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48092—Helix
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、組立工数の削減と蓋体
外の主端子の導出を確実に行なうことができる複合半導
体装置に関するものである。
外の主端子の導出を確実に行なうことができる複合半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の複合半導体装置を図１１ないし
図１４に示す。図１１は、組立完了後の複合半導体装置
の斜視図、図１２は、主端子を折曲げる以前の状態の縦
断面図、図１３は、治具内に挿入した組立途上の複合半
導体装置の断面図、図１４は、上記治具を使用して放熱
板上に主端子を半田付けした状態の斜視図である。これ
らの図において、放熱板１上には、絶縁基板２が半田付
けされている。この絶縁基板２上には、その表面に導体
パターン３が形成され、該導体パターン３上には、その
下端部がＬ字状の折曲げられた主端子４とともに、図示
を省略した半導体チップ等の各種の電子部品が固着され
ている。また、信号用リード線９が導体パターン３の所
定の位置に接続され、この信号用リード線９の一端は、
後述の信号端子８の下端に固着されている。
図１４に示す。図１１は、組立完了後の複合半導体装置
の斜視図、図１２は、主端子を折曲げる以前の状態の縦
断面図、図１３は、治具内に挿入した組立途上の複合半
導体装置の断面図、図１４は、上記治具を使用して放熱
板上に主端子を半田付けした状態の斜視図である。これ
らの図において、放熱板１上には、絶縁基板２が半田付
けされている。この絶縁基板２上には、その表面に導体
パターン３が形成され、該導体パターン３上には、その
下端部がＬ字状の折曲げられた主端子４とともに、図示
を省略した半導体チップ等の各種の電子部品が固着され
ている。また、信号用リード線９が導体パターン３の所
定の位置に接続され、この信号用リード線９の一端は、
後述の信号端子８の下端に固着されている。
【０００３】上記の放熱板１の外周には、絶縁ケース５
（図１１、図１２参照）が嵌め合わされ、互いに接着剤
により接着されている。また、絶縁ケース５内には、封
止樹脂が充填され、該絶縁ケース５の上端開口部は、蓋
体６により閉塞されている。上記導体パターン３上に固
着された主端子４は、蓋体６に設けた貫通孔７に挿通さ
れて外部に導出された後、図１１に示すように蓋体６上
に略直角に折曲げれる。また、蓋体６に設けた透孔１０
には、信号端子８が挿通され、該信号端子８の下端に、
前記信号用リード線９の一端が接続される。
（図１１、図１２参照）が嵌め合わされ、互いに接着剤
により接着されている。また、絶縁ケース５内には、封
止樹脂が充填され、該絶縁ケース５の上端開口部は、蓋
体６により閉塞されている。上記導体パターン３上に固
着された主端子４は、蓋体６に設けた貫通孔７に挿通さ
れて外部に導出された後、図１１に示すように蓋体６上
に略直角に折曲げれる。また、蓋体６に設けた透孔１０
には、信号端子８が挿通され、該信号端子８の下端に、
前記信号用リード線９の一端が接続される。
【０００４】上記の構成の複合半導体装置は、次のよう
にして組み立てられる。導体パターン３上に半導体チッ
プや電子部品が搭載された絶縁基板２は、放熱板１上に
半田固着されるが、この場合に、図１３に示すような治
具が使用される。すなわち、第１治具１１の凹部１２内
に放熱板１を載置し、該放熱板１上に半田を介在させて
絶縁基板２を載置する。この絶縁基板２は、第２治具１
３により放熱板１の所定の位置に位置決めされる。次
に、第３治具１４の貫通孔１５に主端子４を挿通させた
後、該第３治具１４を第２治具１３に重ね合わせる。な
お、主端子４の下端は、半田を介して導体パターン３上
の所定の位置に上記第３治具１３により位置決めされ
る。
にして組み立てられる。導体パターン３上に半導体チッ
プや電子部品が搭載された絶縁基板２は、放熱板１上に
半田固着されるが、この場合に、図１３に示すような治
具が使用される。すなわち、第１治具１１の凹部１２内
に放熱板１を載置し、該放熱板１上に半田を介在させて
絶縁基板２を載置する。この絶縁基板２は、第２治具１
３により放熱板１の所定の位置に位置決めされる。次
に、第３治具１４の貫通孔１５に主端子４を挿通させた
後、該第３治具１４を第２治具１３に重ね合わせる。な
お、主端子４の下端は、半田を介して導体パターン３上
の所定の位置に上記第３治具１３により位置決めされ
る。
【０００５】以上の準備の後、第１、第２及び第３治具
１１，１３，１４を図示を省略した熱板上に載せ、各部
品間に介在させた半田を溶融させ、絶縁基板２を放熱板
１に、主端子４を導体パターン３の所定の位置にそれぞ
れ半田付けする。次いで、図１４に示すように信号用リ
ード線９を導体パターン３上の所定の位置にボンディン
グする。次に、図１２に示すように、放熱板１の外周に
蓋体６の嵌め合わせ、該絶縁ケース５の内部に封止樹脂
を注入後、該絶縁ケース５の上端開口部を蓋体６により
閉塞する。この場合、まず、絶縁ケース５の貫通孔７に
主端子４の先端部を挿通させた後に、蓋体６の周縁部と
絶縁ケース５の上端開口部とを接着剤により接着する。
最後に、蓋体６から外部に導出した主端子４の先端部を
該蓋体６の上面に沿うように略直角に折曲げて図１１に
示したような複合半導体装置を完成する。
１１，１３，１４を図示を省略した熱板上に載せ、各部
品間に介在させた半田を溶融させ、絶縁基板２を放熱板
１に、主端子４を導体パターン３の所定の位置にそれぞ
れ半田付けする。次いで、図１４に示すように信号用リ
ード線９を導体パターン３上の所定の位置にボンディン
グする。次に、図１２に示すように、放熱板１の外周に
蓋体６の嵌め合わせ、該絶縁ケース５の内部に封止樹脂
を注入後、該絶縁ケース５の上端開口部を蓋体６により
閉塞する。この場合、まず、絶縁ケース５の貫通孔７に
主端子４の先端部を挿通させた後に、蓋体６の周縁部と
絶縁ケース５の上端開口部とを接着剤により接着する。
最後に、蓋体６から外部に導出した主端子４の先端部を
該蓋体６の上面に沿うように略直角に折曲げて図１１に
示したような複合半導体装置を完成する。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】ところで、上記の複合
半導体装置では、絶縁基板２上に第３治具１４を用いて
主端子４を位置決めしなければならず、組立工数がかか
り、製造コストを高騰させる。すなわち、主端子４は、
その下端部がＬ字状に折曲げられているために、第３治
具１４の貫通孔１５に挿入するのに、該第３治具１４の
下側から、この例で３個の主端子４を挿入し、しかる
後、該主端子４が第３治具１４から落下しないように支
えながら第２治具１３の上に重ねなければならず、作業
が煩雑で工数がかかる。また、蓋体６の貫通孔７に主端
子４を挿通させる際に、該主端子４の位置が正確に絶縁
基板２上に半田付けされていないと、挿通が困難とな
る。すなわち、半田付け位置の多少のずれは、主端子４
を適当に曲げて位置を矯正して挿通させることができる
が、板状の主端子４の幅方向に位置ずれしている場合、
その矯正が困難であり、蓋体６の貫通孔７への挿通が不
可能となる。
半導体装置では、絶縁基板２上に第３治具１４を用いて
主端子４を位置決めしなければならず、組立工数がかか
り、製造コストを高騰させる。すなわち、主端子４は、
その下端部がＬ字状に折曲げられているために、第３治
具１４の貫通孔１５に挿入するのに、該第３治具１４の
下側から、この例で３個の主端子４を挿入し、しかる
後、該主端子４が第３治具１４から落下しないように支
えながら第２治具１３の上に重ねなければならず、作業
が煩雑で工数がかかる。また、蓋体６の貫通孔７に主端
子４を挿通させる際に、該主端子４の位置が正確に絶縁
基板２上に半田付けされていないと、挿通が困難とな
る。すなわち、半田付け位置の多少のずれは、主端子４
を適当に曲げて位置を矯正して挿通させることができる
が、板状の主端子４の幅方向に位置ずれしている場合、
その矯正が困難であり、蓋体６の貫通孔７への挿通が不
可能となる。
【０００７】
【考案の目的】本考案は、上記のような各課題を解決す
るためになされたもので、組立工数がかからず、かつ、
主端子の絶縁基板上での半田付け位置の位置ずれに影響
されず、蓋体外へ主端子を確実に導出できる複合半導体
装置を提供することを目的とするものである。
るためになされたもので、組立工数がかからず、かつ、
主端子の絶縁基板上での半田付け位置の位置ずれに影響
されず、蓋体外へ主端子を確実に導出できる複合半導体
装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本考案の複合半導体装
置は、放熱板１上に絶縁層を介して導体パターン３が形
成された絶縁基板２と、前記導体パターン３上に電子部
品とともに固着され、外部に導出される主端子４０と、
前記放熱板１の外周に接するように配置され、内部に封
止樹脂が充填される絶縁ケース６０と、該絶縁ケース６
０の上端開口部を閉塞し、前記主端子４０の一端が導出
される貫通孔３６を形成した蓋体２６とを有する複合半
導体装置において、前記蓋体２６を貫通する貫通孔３６
と、該貫通孔３６と水平方向に連通して蓋体２６を貫通
する狭幅部３８と、該狭幅部３８と水平方向に連通し、
前記貫通孔３６と同じ幅の段付広幅部３９を有する角溝
３７と、前記貫通孔３６に下方から挿通され、前記狭幅
部３８を水平方向に通過可能な狭幅部４１を有し、前記
角溝３７の段付広幅部３９に肩部４２ａを落として係止
させる広幅部４２が前記狭幅部４１の上方に連設され、
さらに前記導体パターン３上に位置決め載置される脚部
４３が前記狭幅部４１の下方に連設された前記主端子４
０とを備えたことを特徴とするものである。
置は、放熱板１上に絶縁層を介して導体パターン３が形
成された絶縁基板２と、前記導体パターン３上に電子部
品とともに固着され、外部に導出される主端子４０と、
前記放熱板１の外周に接するように配置され、内部に封
止樹脂が充填される絶縁ケース６０と、該絶縁ケース６
０の上端開口部を閉塞し、前記主端子４０の一端が導出
される貫通孔３６を形成した蓋体２６とを有する複合半
導体装置において、前記蓋体２６を貫通する貫通孔３６
と、該貫通孔３６と水平方向に連通して蓋体２６を貫通
する狭幅部３８と、該狭幅部３８と水平方向に連通し、
前記貫通孔３６と同じ幅の段付広幅部３９を有する角溝
３７と、前記貫通孔３６に下方から挿通され、前記狭幅
部３８を水平方向に通過可能な狭幅部４１を有し、前記
角溝３７の段付広幅部３９に肩部４２ａを落として係止
させる広幅部４２が前記狭幅部４１の上方に連設され、
さらに前記導体パターン３上に位置決め載置される脚部
４３が前記狭幅部４１の下方に連設された前記主端子４
０とを備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本考案の複合半導体装置は、あらかじめ蓋体の
角溝に主端子を挿通・仮支持しておくので、主端子を導
体パターン上に位置決めするための治具が不要となり、
かつ、主端子の手作業による支持も不要となるので、組
立工が減少し、製造コストを低減することができる。ま
た、また、あらかじめ主端子が蓋体に挿入されているの
で、主端子の絶縁基板上での半田付け位置の位置ずれに
影響されて蓋体への挿入が困難となるなどの不都合も解
消する。
角溝に主端子を挿通・仮支持しておくので、主端子を導
体パターン上に位置決めするための治具が不要となり、
かつ、主端子の手作業による支持も不要となるので、組
立工が減少し、製造コストを低減することができる。ま
た、また、あらかじめ主端子が蓋体に挿入されているの
で、主端子の絶縁基板上での半田付け位置の位置ずれに
影響されて蓋体への挿入が困難となるなどの不都合も解
消する。
【００１０】
【実施例】以下に、本考案を図面に基づいて詳細に説明
する。図１は本考案の複合半導体装置の完成状態の外観
図、図２の本考案の複合半導体装置の主要部品を示す組
立分解図、図３は蓋体の平面図、図４は蓋体の正面図、
図５は蓋体の左側面図、図６は蓋体の右側面図、図７は
図３のＡ−Ａ線に沿う断面図、図８は図３のＢ−Ｂ線に
沿う断面図、図９は主端子の外観図であり、上記図１な
いし図９までが本考案の複合半導体装置に係わる図であ
る。各部品の特徴が良く表われている図２において、放
熱板１上には、絶縁基板２が半田により固着されてい
る。この絶縁基板２上には導体パターン３が形成され、
導体パターン３上には、半導体ペレット１６や図示を省
略した各種の電子部品が搭載・固着されている。さら
に、導体パターン３の所定の位置には、少なくとも２箇
所に位置決め用突起１７が固着されている。
する。図１は本考案の複合半導体装置の完成状態の外観
図、図２の本考案の複合半導体装置の主要部品を示す組
立分解図、図３は蓋体の平面図、図４は蓋体の正面図、
図５は蓋体の左側面図、図６は蓋体の右側面図、図７は
図３のＡ−Ａ線に沿う断面図、図８は図３のＢ−Ｂ線に
沿う断面図、図９は主端子の外観図であり、上記図１な
いし図９までが本考案の複合半導体装置に係わる図であ
る。各部品の特徴が良く表われている図２において、放
熱板１上には、絶縁基板２が半田により固着されてい
る。この絶縁基板２上には導体パターン３が形成され、
導体パターン３上には、半導体ペレット１６や図示を省
略した各種の電子部品が搭載・固着されている。さら
に、導体パターン３の所定の位置には、少なくとも２箇
所に位置決め用突起１７が固着されている。
【００１１】符号２６は蓋体であり、この蓋体２６は３
つのブロック２７，２８，２９を備え、各ブロック２
７，２８，２９の上面略中央部には、それぞれナット収
納溝３０が形成されている。各ブロック２７，２８，２
９は、連結部３１，３２により互いに連結され、ブロッ
ク２７，２８間及びブロック２８，２９間には、空隙部
３３がそれぞれ形成されている。この空隙部３３は、後
に封止樹脂の充填により閉塞される。ブロック２７の側
面には、一対の張出部３４が設けられ、この張出部３４
に信号端子８０が挿入・仮固定される４個の角孔３５が
形成されている。上記各ブロック２７，２８の幅方向の
一端及びブロック２９の幅方向の他端には、板状の主端
子４０が挿入される貫通孔３６をそれぞれ有し、該貫通
孔３６と連通して角溝３７が形成されている。
つのブロック２７，２８，２９を備え、各ブロック２
７，２８，２９の上面略中央部には、それぞれナット収
納溝３０が形成されている。各ブロック２７，２８，２
９は、連結部３１，３２により互いに連結され、ブロッ
ク２７，２８間及びブロック２８，２９間には、空隙部
３３がそれぞれ形成されている。この空隙部３３は、後
に封止樹脂の充填により閉塞される。ブロック２７の側
面には、一対の張出部３４が設けられ、この張出部３４
に信号端子８０が挿入・仮固定される４個の角孔３５が
形成されている。上記各ブロック２７，２８の幅方向の
一端及びブロック２９の幅方向の他端には、板状の主端
子４０が挿入される貫通孔３６をそれぞれ有し、該貫通
孔３６と連通して角溝３７が形成されている。
【００１２】図７及び図８に示すように、貫通孔３６
は、図９に示した主端子４０の広幅部４２より若干大き
くした幅を有して蓋体２６を貫通している。また、狭幅
部３８も主端子４０の狭幅部４１より若干大きく形成し
た幅を有して蓋体２６を貫通し、貫通孔３６と水平方向
で連通している。さらに、角溝３７は、主端子４０の広
幅部４２より若干大きく形成した幅を有する段付広幅部
３９を備え、蓋体２６の高さ方向の途中に段部３９ａを
備えている。 前記角溝３７は、貫通孔でもある上記狭幅
部３８と水平方向で連通している。 主端子４０は板材に
より形成され、広幅部４２の下方に連続して狭幅部４１
が、さらに狭幅部４１の下方に連続して脚部４３が折曲
げ形成されている。この脚部４３は、図２に示した導体
パターン３の所定の位置に半田固着されるものである。
なお、主端子４０の広幅部４２の上端近傍には、蓋体２
６のナット収納溝３０に被さる透孔４４が設けられてい
る。
は、図９に示した主端子４０の広幅部４２より若干大き
くした幅を有して蓋体２６を貫通している。また、狭幅
部３８も主端子４０の狭幅部４１より若干大きく形成し
た幅を有して蓋体２６を貫通し、貫通孔３６と水平方向
で連通している。さらに、角溝３７は、主端子４０の広
幅部４２より若干大きく形成した幅を有する段付広幅部
３９を備え、蓋体２６の高さ方向の途中に段部３９ａを
備えている。 前記角溝３７は、貫通孔でもある上記狭幅
部３８と水平方向で連通している。 主端子４０は板材に
より形成され、広幅部４２の下方に連続して狭幅部４１
が、さらに狭幅部４１の下方に連続して脚部４３が折曲
げ形成されている。この脚部４３は、図２に示した導体
パターン３の所定の位置に半田固着されるものである。
なお、主端子４０の広幅部４２の上端近傍には、蓋体２
６のナット収納溝３０に被さる透孔４４が設けられてい
る。
【００１３】次に、蓋体２６の裏面側の構成を述べる。
蓋体２６の裏面側、すなわち、ブロック２７からの張出
部３４，３４の裏面側及びブロック２９の裏面側には、
それぞれ第１支柱部５０が形成され、この第１支柱部５
０の端面は図２に示した放熱板１上に載せられ、蓋体２
６の高さ位置を決める役割を担っている。ブロック２
７，２８の裏面側には、第２支柱部５１が形成されてい
る。この第２支柱部５１は、第１支柱部５０より短く形
成され、その端面には、凹部を有し、この凹部は、図２
の導体パターン３上に半田固着させた位置決め用突起１
７に嵌め合わされ、絶縁基板２と蓋体２６との相対的位
置を決定する役割を果たすものである。上記張出部３
４，３４の裏面側には、第１支柱部５０に近接する位置
に信号端子案内部５２が形成されている。この信号端子
案内部５２には、上記張出部３４，３４に設けた角孔３
５と中心軸線を一致させた切溝５３が形成されている。
蓋体２６の裏面側、すなわち、ブロック２７からの張出
部３４，３４の裏面側及びブロック２９の裏面側には、
それぞれ第１支柱部５０が形成され、この第１支柱部５
０の端面は図２に示した放熱板１上に載せられ、蓋体２
６の高さ位置を決める役割を担っている。ブロック２
７，２８の裏面側には、第２支柱部５１が形成されてい
る。この第２支柱部５１は、第１支柱部５０より短く形
成され、その端面には、凹部を有し、この凹部は、図２
の導体パターン３上に半田固着させた位置決め用突起１
７に嵌め合わされ、絶縁基板２と蓋体２６との相対的位
置を決定する役割を果たすものである。上記張出部３
４，３４の裏面側には、第１支柱部５０に近接する位置
に信号端子案内部５２が形成されている。この信号端子
案内部５２には、上記張出部３４，３４に設けた角孔３
５と中心軸線を一致させた切溝５３が形成されている。
【００１４】図２における符号８０は、信号端子であ
る。この信号端子８０は、板材により略Ｌ字状に形成さ
れ、起立部８１の中央よりやや上端寄りに膨出部８２が
形成され、また、中央よりやや下端寄りには、係止部８
３が形成されている。信号端子８０の起立部８１に連続
して水平方向に略直角に屈曲する差込部８４が形成さ
れ、さらに該差込部８４から水平方向に略直角に屈曲す
る脚部８５が形成されている。
る。この信号端子８０は、板材により略Ｌ字状に形成さ
れ、起立部８１の中央よりやや上端寄りに膨出部８２が
形成され、また、中央よりやや下端寄りには、係止部８
３が形成されている。信号端子８０の起立部８１に連続
して水平方向に略直角に屈曲する差込部８４が形成さ
れ、さらに該差込部８４から水平方向に略直角に屈曲す
る脚部８５が形成されている。
【００１５】次に、上記のような構成の蓋体２６、主端
子４０及び信号端子８０を使用した本考案の複合半導体
装置の組立順序を説明する。図２において、蓋体２６の
貫通孔３６に下方から主端子４０の上端部を挿通し、上
方から引き上げる。主端子４０の狭幅部４１が蓋体２６
の上面より上に出たとこで、図２の矢印で示すように角
溝３７側に主端子４０を水平に移動させる。この場合、
貫通孔３６と角溝３７とは、狭幅部３８で連通している
ので、この狭幅部３８を水平方向に通過して角溝３７側
に主端子４０が移動できる。次に、角溝３７側に移動し
たところで、主端子４０を手放すと、該主端子４０は下
方に落下するが、段付広幅部３９の段部３９ａ（図７参
照）に主端子４０の肩部４２ａ（図９参照）がひっ掛か
り、それ以上は下方に落下しない。同様にして、他の端
子４０も角溝３７に落とすことにより３個の主端子４０
が遊嵌する。
子４０及び信号端子８０を使用した本考案の複合半導体
装置の組立順序を説明する。図２において、蓋体２６の
貫通孔３６に下方から主端子４０の上端部を挿通し、上
方から引き上げる。主端子４０の狭幅部４１が蓋体２６
の上面より上に出たとこで、図２の矢印で示すように角
溝３７側に主端子４０を水平に移動させる。この場合、
貫通孔３６と角溝３７とは、狭幅部３８で連通している
ので、この狭幅部３８を水平方向に通過して角溝３７側
に主端子４０が移動できる。次に、角溝３７側に移動し
たところで、主端子４０を手放すと、該主端子４０は下
方に落下するが、段付広幅部３９の段部３９ａ（図７参
照）に主端子４０の肩部４２ａ（図９参照）がひっ掛か
り、それ以上は下方に落下しない。同様にして、他の端
子４０も角溝３７に落とすことにより３個の主端子４０
が遊嵌する。
【００１６】次に、信号端子８０を蓋体２６に装着す
る。すなわち、張出部３４に形成した角孔３５の下方か
ら信号端子８０の起立部８１の上端部を挿入する。この
場合、膨出部８２が角孔３５の内壁と接触し、さらに強
制的に係止部８３の位置まで挿入することにより、信号
端子８０が下方に落下しないように係止される。一方、
差込部８４は、蓋体２６の信号端子案内部５２に形成さ
れた切溝５３に差し込まれて支持される。以上の準備の
終了後、蓋体２６を治具に収める。すなわち、図１０に
おいて、まず、第１治具１１の凹部１２内に放熱板１を
載置し、この放熱板１上に、あらかじめ電子部品等をそ
の導体パターン３上に搭載・固着させた絶縁基板２を半
田（図示せず）を介して載置する。
る。すなわち、張出部３４に形成した角孔３５の下方か
ら信号端子８０の起立部８１の上端部を挿入する。この
場合、膨出部８２が角孔３５の内壁と接触し、さらに強
制的に係止部８３の位置まで挿入することにより、信号
端子８０が下方に落下しないように係止される。一方、
差込部８４は、蓋体２６の信号端子案内部５２に形成さ
れた切溝５３に差し込まれて支持される。以上の準備の
終了後、蓋体２６を治具に収める。すなわち、図１０に
おいて、まず、第１治具１１の凹部１２内に放熱板１を
載置し、この放熱板１上に、あらかじめ電子部品等をそ
の導体パターン３上に搭載・固着させた絶縁基板２を半
田（図示せず）を介して載置する。
【００１７】次に、第２治具１３を第１治具１１上の所
定の位置に嵌め合わせ、この状態で上記の準備完了後の
蓋体２６を第２治具１３内に入れる。蓋体２６の裏面側
には、第１支柱部５０と第２支柱部５１とが形成され、
第１支柱部５０の端面は、放熱板１の表面と当接するた
め、蓋体２６の高さ位置が定められる。また、第２支柱
部５１の端面に設けた凹部（図示せず）を絶縁基板２の
位置決め用突起１７に嵌合させることにより、当該絶縁
基板２の蓋体２６に対する相対位置が決定される。各主
端子４０は、角溝３７に遊嵌しており、該主端子４０の
下端に設けた脚部４３が絶縁基板２の導体パターン３の
所定の位置に板状半田を挟んで当接する。また、信号端
子８０は、蓋体２６の角孔３５に膨出部８２により仮固
定されているが、蓋体２６を第２治具１３にセットした
後に、信号端子８の上端を下方に押し下げることによ
り、差込部８４が下方に移動し、下端の脚部８５が絶縁
基板２の導体パターン３の所定の位置に板状半田を挟ん
で当接する。
定の位置に嵌め合わせ、この状態で上記の準備完了後の
蓋体２６を第２治具１３内に入れる。蓋体２６の裏面側
には、第１支柱部５０と第２支柱部５１とが形成され、
第１支柱部５０の端面は、放熱板１の表面と当接するた
め、蓋体２６の高さ位置が定められる。また、第２支柱
部５１の端面に設けた凹部（図示せず）を絶縁基板２の
位置決め用突起１７に嵌合させることにより、当該絶縁
基板２の蓋体２６に対する相対位置が決定される。各主
端子４０は、角溝３７に遊嵌しており、該主端子４０の
下端に設けた脚部４３が絶縁基板２の導体パターン３の
所定の位置に板状半田を挟んで当接する。また、信号端
子８０は、蓋体２６の角孔３５に膨出部８２により仮固
定されているが、蓋体２６を第２治具１３にセットした
後に、信号端子８の上端を下方に押し下げることによ
り、差込部８４が下方に移動し、下端の脚部８５が絶縁
基板２の導体パターン３の所定の位置に板状半田を挟ん
で当接する。
【００１８】上記の状態で熱板上に載せて加熱し、放熱
板１と絶縁基板２、絶縁基板２上の導体パターン３と主
端子４０及び信号端子８０とをそれぞれ半田固着させ
る。次に、第１治具１１及び第２治具１３を取り外し、
半田固着部を洗浄した後、放熱板１１の外周に、図１に
表われている絶縁ケース６０を被せ、蓋体２６の各ブロ
ック２７，２８，２９間に形成された空隙部３３から封
止樹脂を該絶縁ケース６０内に充填し・硬化させる。次
に、蓋体２６の各ブロック２７，２８，２９の上面に設
けたナット収納孔３０にナット（図示せず）を収納した
後、主端子４０がナット収納孔３０を覆うように略直角
折曲げて図１の外観のような複合半導体装置を完成す
る。なお、上記の実施例では、主端子４０が３個、信号
端子が４個のものについて説明したが、勿論、これらの
個数に限定されるものではない。また、蓋体２６の裏面
側に設けた第１支柱５０及び第２支柱５１の個数も同様
に上記のものに限定されるものではない。
板１と絶縁基板２、絶縁基板２上の導体パターン３と主
端子４０及び信号端子８０とをそれぞれ半田固着させ
る。次に、第１治具１１及び第２治具１３を取り外し、
半田固着部を洗浄した後、放熱板１１の外周に、図１に
表われている絶縁ケース６０を被せ、蓋体２６の各ブロ
ック２７，２８，２９間に形成された空隙部３３から封
止樹脂を該絶縁ケース６０内に充填し・硬化させる。次
に、蓋体２６の各ブロック２７，２８，２９の上面に設
けたナット収納孔３０にナット（図示せず）を収納した
後、主端子４０がナット収納孔３０を覆うように略直角
折曲げて図１の外観のような複合半導体装置を完成す
る。なお、上記の実施例では、主端子４０が３個、信号
端子が４個のものについて説明したが、勿論、これらの
個数に限定されるものではない。また、蓋体２６の裏面
側に設けた第１支柱５０及び第２支柱５１の個数も同様
に上記のものに限定されるものではない。
【００１９】
【考案の効果】以上のように、本考案によれば、蓋体に
主端子を装着してから絶縁基板の導体パターン上に半田
固着するようにしたので、蓋体が位置決め治具の役割を
果たし、従来必要としていた第３治具が不要となる。こ
のため、手作業による主端子の支えを不要とし、組立工
数が削減できるとともに、製造コストを低減することが
できる。また、あらかじめ主端子が蓋体に挿入されてい
るので、従来のように主端子の絶縁基板上での半田付け
位置の位置ずれに影響されて蓋体への挿入が困難となる
などの不都合も解消する。
主端子を装着してから絶縁基板の導体パターン上に半田
固着するようにしたので、蓋体が位置決め治具の役割を
果たし、従来必要としていた第３治具が不要となる。こ
のため、手作業による主端子の支えを不要とし、組立工
数が削減できるとともに、製造コストを低減することが
できる。また、あらかじめ主端子が蓋体に挿入されてい
るので、従来のように主端子の絶縁基板上での半田付け
位置の位置ずれに影響されて蓋体への挿入が困難となる
などの不都合も解消する。
【図１】本考案の複合半導体装置の外観図である。
【図２】上記複合半導体装置の主要部品を示す組立分解
図である。
図である。
【図３】蓋体の平面図である。
【図４】上記蓋体の正面図である。
【図５】上記蓋体の左側面図である。
【図６】上記蓋体の右側面図である。
【図７】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図９】主端子の斜視図である。
【図１０】上記複合半導体装置の組立工程を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図１１】従来の複合半導体装置の斜視図である。
【図１２】主端子を折曲げる以前の状態の従来の複合半
導体装置の縦断面図である。
導体装置の縦断面図である。
【図１３】治具内に挿入した組立途上の従来の複合半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
【図１４】上記治具を使用して放熱板上に主端子を半田
付けした状態の従来の複合半導体装置の斜視図である。
付けした状態の従来の複合半導体装置の斜視図である。
１ 放熱板 ２ 絶縁基板 ３ 導体パターン １７ 位置決め用突起 ２６ 蓋体 ３４ 張出部 ３５ 角孔 ３６ 貫通孔 ３７ 角溝 ３８ 狭幅部 ３９ 段付広幅部 ４０ 主端子 ４１ 狭幅部 ４２ 広幅部 ４３ 脚部 ４４ 透孔 ５０ 第１支柱部 ５１ 第２支柱部 ５２ 信号端子案内部 ５３ 切溝 ６０ 絶縁ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−48453（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−178156（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/48 H01L 25/04
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱板１上に絶縁層を介して導体パター
ン３が形成された絶縁基板２と、前記導体パターン３上
に電子部品とともに固着され、外部に導出される主端子
４０と、前記放熱板１の外周に接するように配置され、
内部に封止樹脂が充填される絶縁ケース６０と、該絶縁
ケース６０の上端開口部を閉塞し、前記主端子４０の一
端が導出される貫通孔３６を形成した蓋体２６とを有す
る複合半導体装置において、 前記蓋体２６を貫通する貫通孔３６と、該貫通孔３６と
水平方向に連通して蓋体２６を貫通する狭幅部３８と、
該狭幅部３８と水平方向に連通し、前記貫通孔３６と同
じ幅の段付広幅部３９を有する角溝３７と、前記貫通孔
３６に下方から挿通され、前記角溝３７の狭幅部３８を
水平方向に通過可能な狭幅部４１を有し、前記角溝３７
の段付広幅部３９に肩部４２ａを落として係止させる広
幅部４２が前記狭幅部４１の上方に連設され、さらに前
記導体パターン３上に位置決め載置される脚部４３が前
記狭幅部４１の下方に連設された前記主端子４０とを備
えたことを特徴とする複合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991068853U JP2574605Y2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991068853U JP2574605Y2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0515444U JPH0515444U (ja) | 1993-02-26 |
| JP2574605Y2 true JP2574605Y2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=13385649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991068853U Expired - Fee Related JP2574605Y2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574605Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047101A1 (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5257530B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7163819B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2022-11-01 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2898694B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1999-06-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP1991068853U patent/JP2574605Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515444U (ja) | 1993-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6213786B1 (en) | Electronic device and multi-pin connector therefor | |
| US20010038143A1 (en) | Power semiconductor module | |
| US5352851A (en) | Edge-mounted, surface-mount integrated circuit device | |
| JPH06268101A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板 | |
| JP2747634B2 (ja) | 面実装型ダイオード | |
| US4839713A (en) | Package structure for semiconductor device | |
| EP0144343A1 (en) | Integrated circuit module and method of making same | |
| US5834836A (en) | Multi-layer bottom lead package | |
| JP2765278B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JP2560909Y2 (ja) | 複合半導体装置 | |
| JP3217876B2 (ja) | 半導体電子素子構造を製造するためのモールドおよびそれを用いて半導体電子素子構造を製造する方法 | |
| JP2574605Y2 (ja) | 複合半導体装置 | |
| JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JPH10116961A (ja) | 複合半導体装置及びそれに使用する絶縁ケース | |
| JP2555565Y2 (ja) | 複合半導体装置 | |
| JP2805471B2 (ja) | 面実装型ダイオードの製造方法 | |
| JPH08340164A (ja) | Ｂｇａ型パッケージの面実装構造 | |
| JP2972112B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
| JPH07211847A (ja) | 半導体装置とその製造方法及びその搭載構造と搭載方法 | |
| KR100280597B1 (ko) | 반도체장치와반도체장치유닛및반도체장치유닛의제조방법 | |
| JPS635248Y2 (ja) | ||
| JPH0515446U (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPH0749802Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2536568B2 (ja) | リ―ドフレ―ム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |