JP2972112B2 - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置Info
- Publication number
- JP2972112B2 JP2972112B2 JP7095047A JP9504795A JP2972112B2 JP 2972112 B2 JP2972112 B2 JP 2972112B2 JP 7095047 A JP7095047 A JP 7095047A JP 9504795 A JP9504795 A JP 9504795A JP 2972112 B2 JP2972112 B2 JP 2972112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- frame
- circuit pattern
- shaped case
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性回路基板上に半
導体素子を含む種々の電子部品および外部入出力端子を
搭載し、絶縁性回路基板の周囲を囲むように枠状ケース
を有し、封止樹脂でモールドして所定の機能を有するよ
うモジュール化した、例えばソリッドステートリレー
（以下、「ＳＳＲ」と称す。）モジュール等の電力半導
体装置に関する。
導体素子を含む種々の電子部品および外部入出力端子を
搭載し、絶縁性回路基板の周囲を囲むように枠状ケース
を有し、封止樹脂でモールドして所定の機能を有するよ
うモジュール化した、例えばソリッドステートリレー
（以下、「ＳＳＲ」と称す。）モジュール等の電力半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電力半導体装置の構造の一例を、
図６を参照して説明する。尚、図６（ａ）〜（ｅ）は、
従来の電力半導体装置の製造工程を示す概略図である。
図６を参照して説明する。尚、図６（ａ）〜（ｅ）は、
従来の電力半導体装置の製造工程を示す概略図である。
【０００３】まず、Ａｌ等からなる金属板２０の一面全
体に絶縁層２１が形成され、かつこの絶縁層２１上に導
体により回路パターン１，２が形成された金属ベースか
らなる絶縁性回路基板６の半導体素子を含む電子部品搭
載領域にクリーム状ハンダ１１を塗布し、所定の位置に
半導体素子７および電気部品８，１０を載置し、金属ベ
ースの絶縁性回路基板６全体を加熱、冷却することによ
りクリーム状ハンダ１１を溶融、硬化させ、半導体素子
７および電気部品８，１０をハンダ付する＜図６
（ａ），（ｂ）＞。
体に絶縁層２１が形成され、かつこの絶縁層２１上に導
体により回路パターン１，２が形成された金属ベースか
らなる絶縁性回路基板６の半導体素子を含む電子部品搭
載領域にクリーム状ハンダ１１を塗布し、所定の位置に
半導体素子７および電気部品８，１０を載置し、金属ベ
ースの絶縁性回路基板６全体を加熱、冷却することによ
りクリーム状ハンダ１１を溶融、硬化させ、半導体素子
７および電気部品８，１０をハンダ付する＜図６
（ａ），（ｂ）＞。
【０００４】次に、金属ベース絶縁性回路基板６上の回
路パターン１，２の外部入出力端子３，４搭載領域にク
リーム状ハンダ１１′を塗布し、クリーム状ハンダ１
１′を塗布した箇所に外部入出力端子３，４を治具等に
よりセットした後、金属ベース絶縁性回路基板６全体を
加熱、冷却することによりクリーム状ハンダ１１′を溶
融、硬化させ、外部入出力端子３，４をハンダ付し電気
的に接続する＜図６（ｃ）＞。
路パターン１，２の外部入出力端子３，４搭載領域にク
リーム状ハンダ１１′を塗布し、クリーム状ハンダ１
１′を塗布した箇所に外部入出力端子３，４を治具等に
よりセットした後、金属ベース絶縁性回路基板６全体を
加熱、冷却することによりクリーム状ハンダ１１′を溶
融、硬化させ、外部入出力端子３，４をハンダ付し電気
的に接続する＜図６（ｃ）＞。
【０００５】その後、金属ベース絶縁性回路基板６の外
周部に壁面となる枠状ケース５を、シリコンあるいはエ
ポキシ系等の接着剤２２を用いて固定する＜図６（ｄ）
＞。 最後に、枠状ケース５の内部に外部より遮断、密封し信
頼性を高めるために、エポキシ樹脂等からなる液状の封
止樹脂１２を注入、硬化して電力半導体装置が完成する
＜図６（ｅ）＞。
周部に壁面となる枠状ケース５を、シリコンあるいはエ
ポキシ系等の接着剤２２を用いて固定する＜図６（ｄ）
＞。 最後に、枠状ケース５の内部に外部より遮断、密封し信
頼性を高めるために、エポキシ樹脂等からなる液状の封
止樹脂１２を注入、硬化して電力半導体装置が完成する
＜図６（ｅ）＞。
【０００６】以上のように、従来の電力半導体装置の製
造工程は大きく分けて、図５（ａ）のアセンブリフロー
チャートに示すように、金属ベース絶縁性回路基板に半
導体素子を含む電子部品をハンダ付する部品搭載工程、
金属ベース絶縁性回路基板に外部入出力端子をハンダ付
する入出力端子固定工程、半導体素子を含む電子部品と
外部入出力端子が搭載された金属ベース絶縁性回路基板
に枠状ケースを接着する外枠固定工程および枠状ケース
内部に封止樹脂を注入、硬化する絶縁樹脂注入工程の４
工程からなる。
造工程は大きく分けて、図５（ａ）のアセンブリフロー
チャートに示すように、金属ベース絶縁性回路基板に半
導体素子を含む電子部品をハンダ付する部品搭載工程、
金属ベース絶縁性回路基板に外部入出力端子をハンダ付
する入出力端子固定工程、半導体素子を含む電子部品と
外部入出力端子が搭載された金属ベース絶縁性回路基板
に枠状ケースを接着する外枠固定工程および枠状ケース
内部に封止樹脂を注入、硬化する絶縁樹脂注入工程の４
工程からなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の電力半導体装置
においては、液状の封止樹脂を注入、硬化する際、その
液状樹脂収納部の壁面を形成するために、枠状ケースを
液状樹脂収納部の底面となる金属ベース絶縁性回路基板
に接着する外枠固定工程および金属ベース絶縁性回路基
板上の回路パターンに外部入出力端子を金属ベース絶縁
性回路基板に対して略垂直に固定する外部入出力端子固
定工程が必要となる。
においては、液状の封止樹脂を注入、硬化する際、その
液状樹脂収納部の壁面を形成するために、枠状ケースを
液状樹脂収納部の底面となる金属ベース絶縁性回路基板
に接着する外枠固定工程および金属ベース絶縁性回路基
板上の回路パターンに外部入出力端子を金属ベース絶縁
性回路基板に対して略垂直に固定する外部入出力端子固
定工程が必要となる。
【０００８】外枠固定工程では、接着剤としてシリコン
あるいはエポキシ系等の樹脂が使用されるが、これらを
使用した接着作業は比較的時間を要し、また、熱硬化性
接着剤を使用した場合は、接着剤を加熱して硬化するた
めの恒温槽等の設備が必要となり製造コストが高くな
る。
あるいはエポキシ系等の樹脂が使用されるが、これらを
使用した接着作業は比較的時間を要し、また、熱硬化性
接着剤を使用した場合は、接着剤を加熱して硬化するた
めの恒温槽等の設備が必要となり製造コストが高くな
る。
【０００９】外部入出力端子固定工程では、外部入出力
端子と金属ベース絶縁性回路基板上の回路パターンとの
電気的接続および固定を、ハンダ材を介して行ってお
り、この作業も比較的時間を要し、また、外部入出力端
子を垂直に所望の箇所に固定するための治具等が必要と
なり製造コストが高くなる。
端子と金属ベース絶縁性回路基板上の回路パターンとの
電気的接続および固定を、ハンダ材を介して行ってお
り、この作業も比較的時間を要し、また、外部入出力端
子を垂直に所望の箇所に固定するための治具等が必要と
なり製造コストが高くなる。
【００１０】また、電力半導体装置自体の発熱および周
囲温度の上昇等により、電力半導体装置が高温になった
場合、外部入出力端子と封止樹脂の膨張係数の違いによ
り、外部入出力端子と回路パターンとの接合部であるハ
ンダ材にストレスが加わり、ハンダ材にクラックが発生
することがあり信頼性の問題となっていた。
囲温度の上昇等により、電力半導体装置が高温になった
場合、外部入出力端子と封止樹脂の膨張係数の違いによ
り、外部入出力端子と回路パターンとの接合部であるハ
ンダ材にストレスが加わり、ハンダ材にクラックが発生
することがあり信頼性の問題となっていた。
【００１１】更に、外部入出力端子を回路パターンにハ
ンダ付する領域が必要となり、金属ベース絶縁性回路基
板の小型化の妨げになっていた。
ンダ付する領域が必要となり、金属ベース絶縁性回路基
板の小型化の妨げになっていた。
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、従来品に比べて安価で信頼性が高く、小型化を実現
した電力半導体装置を提供するものである。
で、従来品に比べて安価で信頼性が高く、小型化を実現
した電力半導体装置を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の電力半導体装置は、金属板よりなる回路パ
ターンが内部に埋め込まれた絶縁性回路基板と、絶縁性
回路基板の周縁部から同一材質にて一体に立設し、封止
樹脂収容部の側壁となる枠状ケースと、絶縁性回路基板
の内部に埋め込まれた回路パターンと電気的接続を施し
た半導体素子を含む電子部品および外部入出力端子と、
絶縁性回路基板と枠状ケースとで形成された凹部に注
入、硬化された封止樹脂とを備えてなることを特徴とす
る。
め、本発明の電力半導体装置は、金属板よりなる回路パ
ターンが内部に埋め込まれた絶縁性回路基板と、絶縁性
回路基板の周縁部から同一材質にて一体に立設し、封止
樹脂収容部の側壁となる枠状ケースと、絶縁性回路基板
の内部に埋め込まれた回路パターンと電気的接続を施し
た半導体素子を含む電子部品および外部入出力端子と、
絶縁性回路基板と枠状ケースとで形成された凹部に注
入、硬化された封止樹脂とを備えてなることを特徴とす
る。
【００１４】また、請求項１記載の電力半導体装置にお
いて、外部入出力端子は、絶縁性回路基板に埋め込まれ
た回路パターンと一体に形成され、回路パターンに対し
て略９０度の角度で折曲し、枠状ケースの内部を通り、
枠状ケース外部に導出したことを特徴とする。
いて、外部入出力端子は、絶縁性回路基板に埋め込まれ
た回路パターンと一体に形成され、回路パターンに対し
て略９０度の角度で折曲し、枠状ケースの内部を通り、
枠状ケース外部に導出したことを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成により本発明の請求項１記載の電力半
導体装置によれば、絶縁性回路基板と枠状ケースを同一
樹脂にて一体成形し、絶縁性回路基板内部に金属板によ
り回路パターンを形成した構造なので、絶縁性回路基板
に枠状ケースを固定する煩雑な工程が不要となる。ま
た、電子部品等の搭載領域直下にも回路パターンの形成
が可能となり、回路パターンの設計上の自由度が増す。
導体装置によれば、絶縁性回路基板と枠状ケースを同一
樹脂にて一体成形し、絶縁性回路基板内部に金属板によ
り回路パターンを形成した構造なので、絶縁性回路基板
に枠状ケースを固定する煩雑な工程が不要となる。ま
た、電子部品等の搭載領域直下にも回路パターンの形成
が可能となり、回路パターンの設計上の自由度が増す。
【００１６】請求項２記載の電力半導体装置によれば、
外部入出力端子が回路パターンと一体に形成され、枠状
ケース内部を通り、枠状ケース外部に導出した構造なの
で、外部入出力端子を回路パターンにハンダ付する工程
が不要となり、更に、外部入出力端子と回路パターンの
ハンダ材による接合部が存在しないため、熱ストレス等
による接合部へのクラック発生という問題が解消され
る。
外部入出力端子が回路パターンと一体に形成され、枠状
ケース内部を通り、枠状ケース外部に導出した構造なの
で、外部入出力端子を回路パターンにハンダ付する工程
が不要となり、更に、外部入出力端子と回路パターンの
ハンダ材による接合部が存在しないため、熱ストレス等
による接合部へのクラック発生という問題が解消され
る。
【００１７】更に、外部入出力端子を回路パターンにハ
ンダ付する領域が不要となるため、絶縁性回路基板の小
型化が図れる。
ンダ付する領域が不要となるため、絶縁性回路基板の小
型化が図れる。
【００１８】
【実施例】本発明の電力半導体装置は、半導体素子を含
む電子部品および外部入出力端子を搭載した絶縁性回路
基板の周囲を枠状ケースで取り囲み、絶縁性回路基板と
枠状ケースとで形成された凹部に液状樹脂を注入、硬化
する構造において、絶縁性回路基板と枠状ケースが同一
樹脂にて一体成形され、かつ、絶縁性回路基板内部に回
路パターンが埋め込まれ、外部に導出している外部入出
力端子が枠状ケース内部を通り、絶縁性回路基板内部の
回路パターンと一体的に形成されていることを特徴とす
る。
む電子部品および外部入出力端子を搭載した絶縁性回路
基板の周囲を枠状ケースで取り囲み、絶縁性回路基板と
枠状ケースとで形成された凹部に液状樹脂を注入、硬化
する構造において、絶縁性回路基板と枠状ケースが同一
樹脂にて一体成形され、かつ、絶縁性回路基板内部に回
路パターンが埋め込まれ、外部に導出している外部入出
力端子が枠状ケース内部を通り、絶縁性回路基板内部の
回路パターンと一体的に形成されていることを特徴とす
る。
【００１９】以下、本発明の電力半導体装置の構造を、
一例として、５つのＳＳＲが並列に接続された、いわゆ
る５チャンネル電力用ＳＳＲモジュールについて図面を
参照して詳細に説明する。
一例として、５つのＳＳＲが並列に接続された、いわゆ
る５チャンネル電力用ＳＳＲモジュールについて図面を
参照して詳細に説明する。
【００２０】尚、実施例において、従来例と同一機能部
分には同一記号を付している。
分には同一記号を付している。
【００２１】図１は、本発明の枠状ケース一体型絶縁性
回路基板の構造図であり、（ａ）は上面側からの内部透
視図、（ｂ）は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断
面図である。
回路基板の構造図であり、（ａ）は上面側からの内部透
視図、（ｂ）は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断
面図である。
【００２２】図１の如く、液状封止樹脂収容部の側壁と
なる枠状ケース５と底部の絶縁性回路基板６が同一樹脂
にて一体的に成形されている。
なる枠状ケース５と底部の絶縁性回路基板６が同一樹脂
にて一体的に成形されている。
【００２３】尚、一体的に成形されている枠状ケース５
と絶縁性回路基板６の材質は、後工程のハンダ付時の加
熱に耐えるために熱変形温度２３０℃以上の熱可塑性樹
脂、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）が
用いられる。
と絶縁性回路基板６の材質は、後工程のハンダ付時の加
熱に耐えるために熱変形温度２３０℃以上の熱可塑性樹
脂、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）が
用いられる。
【００２４】所望の回路に作成された入力側回路パター
ン１および出力側回路パターン２は、絶縁性回路基板６
の内部に形成されている。
ン１および出力側回路パターン２は、絶縁性回路基板６
の内部に形成されている。
【００２５】また、外部出力端子４は、出力側回路パタ
ーン２と一体的に形成され、出力側回路パターン２に対
して略９０度の角度で折曲し、枠状ケース５内部を通
り、枠状ケース５外部に導出している。
ーン２と一体的に形成され、出力側回路パターン２に対
して略９０度の角度で折曲し、枠状ケース５内部を通
り、枠状ケース５外部に導出している。
【００２６】尚、本例では、外部出力端子４だけを、出
力側回路パターン２と一体的に形成しているが、外部入
力端子も入力側回路パターン１と一体的に形成しても良
い。回路パターン１，２および外部入出力端子３，４の
材質としては、厚さ０．３〜０．５ｍｍ程度の黄銅板等
が用いられ、必要に応じ、スズメッキ等が施される。
力側回路パターン２と一体的に形成しているが、外部入
力端子も入力側回路パターン１と一体的に形成しても良
い。回路パターン１，２および外部入出力端子３，４の
材質としては、厚さ０．３〜０．５ｍｍ程度の黄銅板等
が用いられ、必要に応じ、スズメッキ等が施される。
【００２７】１３は、外部機器への取り付け時、ネジ固
定するための貫通孔である。
定するための貫通孔である。
【００２８】図２は、上述の枠状ケース一体型絶縁性回
路基板における上面側からの外観図を示している。
路基板における上面側からの外観図を示している。
【００２９】図２の如く、入力側回路パターンおよび出
力側回路パターンの半導体素子を含む電子部品のハンダ
付箇所には、絶縁性回路基板６に窓部１４が設けられ、
回路パターンの一部が露出した状態になっている。
力側回路パターンの半導体素子を含む電子部品のハンダ
付箇所には、絶縁性回路基板６に窓部１４が設けられ、
回路パターンの一部が露出した状態になっている。
【００３０】図３は、半導体素子を含む電子部品を搭載
した構造図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部断面
を含む正面図、（ｃ）は側面断面図である。
した構造図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部断面
を含む正面図、（ｃ）は側面断面図である。
【００３１】図３の如く、入力電流を調整する入力抵抗
１０，半導体素子より構成されるＳＳＲ素子７および外
部からのノイズよりＳＳＲ素子７を保護するスナバ回路
を構成するコンデンサ８、抵抗９が所定の位置にハンダ
付される。
１０，半導体素子より構成されるＳＳＲ素子７および外
部からのノイズよりＳＳＲ素子７を保護するスナバ回路
を構成するコンデンサ８、抵抗９が所定の位置にハンダ
付される。
【００３２】これら半導体素子７および電子部品８，
９，１０は、リード端子タイプのものが使用され、この
リード端子１５が絶縁性回路基板６の表面より露出した
回路パターンに形成された貫通孔１６に挿入され、リー
ド端子１５と回路パターンがハンダ材によりハンダ付さ
れる。ハンダ材としては、例えば、クリーム状の融点１
８３℃のＳｎ／Ｐｂ共晶ハンダが用いられる。
９，１０は、リード端子タイプのものが使用され、この
リード端子１５が絶縁性回路基板６の表面より露出した
回路パターンに形成された貫通孔１６に挿入され、リー
ド端子１５と回路パターンがハンダ材によりハンダ付さ
れる。ハンダ材としては、例えば、クリーム状の融点１
８３℃のＳｎ／Ｐｂ共晶ハンダが用いられる。
【００３３】尚、１７は外部入力コネクターである。こ
の外部入力コネクター１７は、外部出力端子４と同様
に、入力側回路パターン１と一体的に形成し、枠状ケー
ス５内部を通り枠状ケース５より外部に導出する外部入
力端子としても良い。
の外部入力コネクター１７は、外部出力端子４と同様
に、入力側回路パターン１と一体的に形成し、枠状ケー
ス５内部を通り枠状ケース５より外部に導出する外部入
力端子としても良い。
【００３４】次に、本発明の一実施例による電力半導体
装置の製造方法を図４（ａ）〜（ｃ）に示す概略図を参
照して説明する。
装置の製造方法を図４（ａ）〜（ｃ）に示す概略図を参
照して説明する。
【００３５】まず、厚さ０．３〜０．５ｍｍ程度の金属
板からなる入力側回路パターン１，出力側回路パターン
２および回路パターン１，２と一体に作成された外部入
出力端子３，４を金型（図示せず）内の所定の位置に配
置し、いわゆるインサート成形により枠状ケース５と底
部の絶縁性回路基板６を同一樹脂で一体的に成形するこ
とにより、枠状ケース一体型絶縁性回路基板２３が出来
上がる＜図４（ａ）＞。
板からなる入力側回路パターン１，出力側回路パターン
２および回路パターン１，２と一体に作成された外部入
出力端子３，４を金型（図示せず）内の所定の位置に配
置し、いわゆるインサート成形により枠状ケース５と底
部の絶縁性回路基板６を同一樹脂で一体的に成形するこ
とにより、枠状ケース一体型絶縁性回路基板２３が出来
上がる＜図４（ａ）＞。
【００３６】次に、半導体素子７を含む電子部品８，
９，１０を絶縁性回路基板６内部の回路パターン１，２
にハンダ材１１によりハンダ付する。このハンダ材１１
としては、例えば、クリーム状の融点１８３℃のＳｎ／
Ｐｂ共晶ハンダが用いられる＜図４（ｂ）＞。
９，１０を絶縁性回路基板６内部の回路パターン１，２
にハンダ材１１によりハンダ付する。このハンダ材１１
としては、例えば、クリーム状の融点１８３℃のＳｎ／
Ｐｂ共晶ハンダが用いられる＜図４（ｂ）＞。
【００３７】最後に、同一樹脂で形成された絶縁性回路
基板６と枠状ケース５に囲まれた凹部に液状封止樹脂１
２を注入、硬化させて、電力半導体装置が完成する。
基板６と枠状ケース５に囲まれた凹部に液状封止樹脂１
２を注入、硬化させて、電力半導体装置が完成する。
【００３８】ここで、液状封止樹脂１２としては、例え
ば、熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる＜図４（ｃ）
＞。
ば、熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる＜図４（ｃ）
＞。
【００３９】以上のように構成された本発明の電力半導
体装置によれば、図５の従来と本発明の電力半導体装置
のアセンブリフローチャートの対比図に示すように、従
来の電力半導体装置の製造工程で必要であった外部入出
力端子を回路パターンにハンダ付する入出力端子固定工
程および絶縁性回路基板に枠状ケースを接着する外枠固
定工程が不要となり、工程の簡略化が図れる。
体装置によれば、図５の従来と本発明の電力半導体装置
のアセンブリフローチャートの対比図に示すように、従
来の電力半導体装置の製造工程で必要であった外部入出
力端子を回路パターンにハンダ付する入出力端子固定工
程および絶縁性回路基板に枠状ケースを接着する外枠固
定工程が不要となり、工程の簡略化が図れる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明から明らかなように、本発明の
請求項１記載の電力半導体装置によれば、絶縁性回路基
板と枠状ケースを同一樹脂にて一体成形し、絶縁性回路
基板内部に金属板により回路パターンを形成した構成な
ので、絶縁性回路基板に枠状ケースを接着する煩雑な工
程が不要となり、製造コストの低減が可能となる。
請求項１記載の電力半導体装置によれば、絶縁性回路基
板と枠状ケースを同一樹脂にて一体成形し、絶縁性回路
基板内部に金属板により回路パターンを形成した構成な
ので、絶縁性回路基板に枠状ケースを接着する煩雑な工
程が不要となり、製造コストの低減が可能となる。
【００４１】更に、電子部品等の搭載領域直下にも回路
パターンの形成が可能となり、回路パターンの設計上の
自由度が増す。
パターンの形成が可能となり、回路パターンの設計上の
自由度が増す。
【００４２】請求項２記載の電力半導体装置によれば、
外部入出力端子が回路パターンと一体に形成され、枠状
ケース内部を通り、外部に導出した構成なので、外部入
出力端子を回路パターンにハンダ付する工程が不要とな
り、製造コストの低減が可能となる。
外部入出力端子が回路パターンと一体に形成され、枠状
ケース内部を通り、外部に導出した構成なので、外部入
出力端子を回路パターンにハンダ付する工程が不要とな
り、製造コストの低減が可能となる。
【００４３】更に、外部入出力端子と回路パターンとの
ハンダ材による接合部が存在しないため、熱ストレス等
による接合部へのクラック発生という問題が解消され、
高信頼性の電力半導体装置が提供出来る。
ハンダ材による接合部が存在しないため、熱ストレス等
による接合部へのクラック発生という問題が解消され、
高信頼性の電力半導体装置が提供出来る。
【００４４】更に、外部入出力端子を回路パターンにハ
ンダ付する領域が不要となるため、電力半導体装置の小
型化が可能となる。
ンダ付する領域が不要となるため、電力半導体装置の小
型化が可能となる。
【図１】本発明の枠状ケース一体型絶縁性回路基板の構
造図であり、（ａ）は上面側からの内部透視図、（ｂ）
は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断面図である。
造図であり、（ａ）は上面側からの内部透視図、（ｂ）
は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断面図である。
【図２】本発明の枠状ケース一体型絶縁性回路基板の上
面側からの外観図である。
面側からの外観図である。
【図３】本発明の枠状ケース一体型絶縁性回路基板に電
子部品等を搭載した構造図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断面図で
ある。
子部品等を搭載した構造図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は一部断面を含む正面図、（ｃ）は側面断面図で
ある。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の電力半導体装置の製
造工程を示す概略図である。
造工程を示す概略図である。
【図５】従来と本発明の電力半導体装置のアセンブリフ
ローチャートの対比図である。
ローチャートの対比図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は従来例による電力半導体装置
の製造工程を示す概略図である。
の製造工程を示す概略図である。
１ 入力側回路パターン ２ 出力側回路パターン ３，４ 外部入出力端子 ５ 枠状ケース ６ 絶縁性回路基板 ７ 半導体素子 ８，９，１０ 電子部品
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/48 H01L 23/08
Claims (2)
- 【請求項１】 金属板よりなる回路パターンが内部に埋
め込まれた絶縁性回路基板と、 該絶縁性回路基板の周縁部から同一材質にて一体に立設
し、封止樹脂収容部の側壁となる枠状ケースと、 前記絶縁性回路基板の内部に埋め込まれた前記回路パタ
ーンと電気的接続を施した半導体素子を含む電子部品お
よび外部入出力端子と、 前記絶縁性回路基板と前記枠状ケースとで形成された凹
部に注入、硬化された封止樹脂と、 を備えてなることを特徴とする電力半導体装置。 - 【請求項２】 前記外部入出力端子は、前記絶縁性回路
基板に埋め込まれた前記回路パターンと一体に形成さ
れ、該回路パターンに対して略９０度の角度で折曲し、
前記枠状ケースの内部を通り、該枠状ケース外部に導出
したことを特徴とする請求項１記載の電力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095047A JP2972112B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7095047A JP2972112B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 電力半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288441A JPH08288441A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2972112B2 true JP2972112B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14127158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7095047A Expired - Fee Related JP2972112B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 電力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972112B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4527292B2 (ja) * | 2001-01-04 | 2010-08-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
| JP2014093303A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Daikin Ind Ltd | パワーモジュール及びそれを備えた電力変換装置 |
| CN109548349B (zh) * | 2018-11-30 | 2023-09-19 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种高重频固态脉冲功率源集成样机装置 |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP7095047A patent/JP2972112B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288441A (ja) | 1996-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0645805B1 (en) | Method for mounting a semiconductor device on a circuit board, and a circuit board with a semiconductor device mounted thereon | |
| KR100336329B1 (ko) | 반도체장치의제조방법 | |
| US5483740A (en) | Method of making homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package | |
| EP1043771B1 (en) | Method of fabricating a resin sealed electronic device | |
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US6281579B1 (en) | Insert-molded leadframe to optimize interface between powertrain and driver board | |
| JP2972112B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JP2000244077A (ja) | 樹脂成形基板と電子部品組み込み樹脂成形基板 | |
| JPH1051034A (ja) | 面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回路基板 | |
| US20040238940A1 (en) | Electronic device and pressure sensor | |
| JP2765277B2 (ja) | 電子装置 | |
| JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2004165525A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0515450U (ja) | 電力用半導体モジユール | |
| JP2002203940A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2525245B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001230370A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2798861B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH09107009A (ja) | パワーモジュール装置及びその製造方法 | |
| JPH10189792A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2799831B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPH0334561A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2549633Y2 (ja) | パワーモジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |