JP2574297B2 - ドライエッチング装置の電極構造 - Google Patents
ドライエッチング装置の電極構造Info
- Publication number
- JP2574297B2 JP2574297B2 JP62117311A JP11731187A JP2574297B2 JP 2574297 B2 JP2574297 B2 JP 2574297B2 JP 62117311 A JP62117311 A JP 62117311A JP 11731187 A JP11731187 A JP 11731187A JP 2574297 B2 JP2574297 B2 JP 2574297B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dry etching
- push
- electrode structure
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体基板等のドライエッチング装置、特に
カソードカップリング型ドライエッチング装置の電極構
造に関するものである。
カソードカップリング型ドライエッチング装置の電極構
造に関するものである。
従来の技術 従来のカソードカップリング型ドライエッチング装置
の反応室の構造を第2図に示す。1は真空容器、2は上
部電極で接地されており、3は下部電極でウエハ4が載
置され、高周波電源5が接続されている。上下電極共に
セラミックリング6で絶縁されている。反応ガスはガス
導入口8より導入され、排気口9より排気される。ウエ
ハ4はウエハ突上げピン7によって上昇して搬送用アー
ムに乗せられ真空容器外への搬出される。下部電極3は
アルミニウム製でプラズマにさらされる表面はアルミナ
溶射されている。さらにウエハ突上げピン7もプラズマ
にさらされる表面はアルミナ溶射されている。アルミナ
溶射はスパッタによる消耗や重金属汚染を防ぐために行
なっている。
の反応室の構造を第2図に示す。1は真空容器、2は上
部電極で接地されており、3は下部電極でウエハ4が載
置され、高周波電源5が接続されている。上下電極共に
セラミックリング6で絶縁されている。反応ガスはガス
導入口8より導入され、排気口9より排気される。ウエ
ハ4はウエハ突上げピン7によって上昇して搬送用アー
ムに乗せられ真空容器外への搬出される。下部電極3は
アルミニウム製でプラズマにさらされる表面はアルミナ
溶射されている。さらにウエハ突上げピン7もプラズマ
にさらされる表面はアルミナ溶射されている。アルミナ
溶射はスパッタによる消耗や重金属汚染を防ぐために行
なっている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記構成では連続して数十枚のウエハを
エッチングすると、電極表面とウエハ表面が帯電し、静
電吸着現象によって電極とウエハが強く引合うようにな
る。この場合、ウエハを突上げる際反動でウエハが大き
く振動したり傾くためウエハがアームにきちんと乗らず
真空容器内で落下するという問題があった。
エッチングすると、電極表面とウエハ表面が帯電し、静
電吸着現象によって電極とウエハが強く引合うようにな
る。この場合、ウエハを突上げる際反動でウエハが大き
く振動したり傾くためウエハがアームにきちんと乗らず
真空容器内で落下するという問題があった。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、ウエハ突上げピ
ンのウエハとの接触部のみ金属表面を露出させてプラズ
マにさらされる他の表面にアルミナ溶射したものであ
る。
ンのウエハとの接触部のみ金属表面を露出させてプラズ
マにさらされる他の表面にアルミナ溶射したものであ
る。
作用 ウエア突上げピンの一部を金属を露出させることによ
り電極表面の帯電を抑制でき、しかも突上げ時にウエハ
と接触してウエハ表面の静電気を突上げピンの方へ分散
させることができる。このようにして電極とウエハの静
電吸着力を弱めることによってウエハ突上げ時の振動や
傾斜の発生を防ぐことができる。
り電極表面の帯電を抑制でき、しかも突上げ時にウエハ
と接触してウエハ表面の静電気を突上げピンの方へ分散
させることができる。このようにして電極とウエハの静
電吸着力を弱めることによってウエハ突上げ時の振動や
傾斜の発生を防ぐことができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を図面を参照しつつ述べる。
第1図はウエハ載置電極である下部電極及びウエハ突上
げピンの概略断面図である。ステンレス製突上げピン10
の表面には溶射にて厚さ約100μmのアルミナ層11が形
成され、ウエハとの接触部12は金属が露出してる。下部
電極13はプラズマにさらされる表面全体に約50μmのア
ルミナ層14が溶射にて形成されている。
第1図はウエハ載置電極である下部電極及びウエハ突上
げピンの概略断面図である。ステンレス製突上げピン10
の表面には溶射にて厚さ約100μmのアルミナ層11が形
成され、ウエハとの接触部12は金属が露出してる。下部
電極13はプラズマにさらされる表面全体に約50μmのア
ルミナ層14が溶射にて形成されている。
前記下部電極13及びウエハ突上げピン10を第2図に示
した真空容器1に取り付けでエッチングを行なった。CF
4とCHF3とO2との混合ガスを用い、圧力300mTorr,高周波
出力350Wでシリコン酸化膜を形成したウエハを200枚連
続してエッチングしたが、その間ウエハ突上げ時の振動
はほとんど見られなかった。
した真空容器1に取り付けでエッチングを行なった。CF
4とCHF3とO2との混合ガスを用い、圧力300mTorr,高周波
出力350Wでシリコン酸化膜を形成したウエハを200枚連
続してエッチングしたが、その間ウエハ突上げ時の振動
はほとんど見られなかった。
発明の効果 以上のように、本発明によれば電極とウエハの静電吸
着を弱めることができ、ウエハ突上げ時の反発力による
振動や傾斜が起こらず搬送の信頼性を高めることができ
る。さらに、電極及び突上げピンの表面はアルミナコー
ティングが施されているので消耗や重金属汚染の恐れが
ない。
着を弱めることができ、ウエハ突上げ時の反発力による
振動や傾斜が起こらず搬送の信頼性を高めることができ
る。さらに、電極及び突上げピンの表面はアルミナコー
ティングが施されているので消耗や重金属汚染の恐れが
ない。
第1図は本発明の一実施例の電極構造の概要を示す断面
図、第2図は従来のドライエッチング装置の概要を示す
断面図である。 10……突上げピン、11,14……アルミナ層、12……ウエ
ハ接触部、13……下部電極。
図、第2図は従来のドライエッチング装置の概要を示す
断面図である。 10……突上げピン、11,14……アルミナ層、12……ウエ
ハ接触部、13……下部電極。
Claims (1)
- 【請求項1】プラズマにさらされる表面をアルミナ溶射
したウエハ載置用電極と、ウエハとの接触部のみ金属を
露出させてプラズマにさらされる表面をアルミナ溶射し
たウエハ突上げピンとからなるドライエッチング装置の
電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117311A JP2574297B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | ドライエッチング装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117311A JP2574297B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | ドライエッチング装置の電極構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63281430A JPS63281430A (ja) | 1988-11-17 |
JP2574297B2 true JP2574297B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=14708610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62117311A Expired - Lifetime JP2574297B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | ドライエッチング装置の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2574297B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01120328U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
JP4868649B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2012-02-01 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置 |
CN100390955C (zh) * | 2003-03-19 | 2008-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | 使用静电卡盘的基板保持机构及其制造方法 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117311A patent/JP2574297B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63281430A (ja) | 1988-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5593490B2 (ja) | プラズマエッチング反応器及びその構成部品並びに半導体基板を処理する方法 | |
US6373681B2 (en) | Electrostatic chuck, and method of and apparatus for processing sample using the chuck | |
JP4180913B2 (ja) | プラズマ処理の均一性のためのステップのある上部電極 | |
JP4421305B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2002313898A (ja) | 基板載置台およびその製造方法ならびに処理装置 | |
JPH08339895A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10150100A (ja) | 静電チャックとそれを用いた試料処理方法及び装置 | |
JP2574297B2 (ja) | ドライエッチング装置の電極構造 | |
JP2000252261A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10326772A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH0618182B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPS59139628A (ja) | ドライエツチング装置 | |
JPH1032192A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100677169B1 (ko) | 평판 패널용 대면적 정전척 | |
JPS63131519A (ja) | ドライエツチング装置 | |
KR20040040103A (ko) | 전도성 재질의 리프트 핀을 갖는 정전척 어셈블리 | |
JP2574838B2 (ja) | Alのスパッタエッチング装置 | |
KR100667675B1 (ko) | 기판 식각에 사용되는 상압 플라즈마 장치 | |
JPS6355939A (ja) | ドライエツチング装置 | |
CN112542415B (zh) | 晶圆处理装置及半导体加工站 | |
KR0155905B1 (ko) | 하부 전극에 아이솔레이션 링을 구비한 건식 에칭 장치 | |
JP2004134437A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
KR200222132Y1 (ko) | 반도체 건식각장비의 전극조립체 구조 | |
KR20170015615A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JPH01175738A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024 Year of fee payment: 11 |