JP2572082B2 - 光半導体デバイス - Google Patents
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入射光と同位相、同波長の光を誘導放出する
ことにより光を増幅して、レーザ光を得る光半導体デバ
イスに関する。
ことにより光を増幅して、レーザ光を得る光半導体デバ
イスに関する。
従来の半導体光増幅器では、電極は半導体領域のそれ
ぞれの主面上に各一個設けられており、電極間に流れる
電流値は、それぞれ無反射コーテイングされた光の入射
側端面から出射側端面に亘って一定となっており、この
結果活性領域への電流密度は一様となっている（キャリ
ア密度が一様）。
ぞれの主面上に各一個設けられており、電極間に流れる
電流値は、それぞれ無反射コーテイングされた光の入射
側端面から出射側端面に亘って一定となっており、この
結果活性領域への電流密度は一様となっている（キャリ
ア密度が一様）。
ところが、このような半導体光増幅器では、キャリア
の消費の速さは一様でないため、入射側端面に近い部分
ではキャリアが過剰で出射側端面に近い部分ではキャリ
アが不足となることになる。
の消費の速さは一様でないため、入射側端面に近い部分
ではキャリアが過剰で出射側端面に近い部分ではキャリ
アが不足となることになる。
また、入射側端面及び出射側端面に無反射コーティン
グをしていない半導体レーザとして適用する場合は、両
端面ではキャリアが不足となり、中央付近ではキャリア
が過剰となることになる。
グをしていない半導体レーザとして適用する場合は、両
端面ではキャリアが不足となり、中央付近ではキャリア
が過剰となることになる。
これを解消するため、電極の一方を複数に分割し入射
側端面から出射側端面にかけて他方の電極との間にそれ
ぞれ異なる電流値を付与することが開示されている（特
公昭62−37909号（特開昭58−50790号）） この公報には、半導体光増幅器として第７図に示され
るような特性図が示されており、この第７図を見てもわ
かるように、光子密度Ｓの分布に対応して電流密度J1、
J2を制御し、光の出力限界を効果的に向上させることが
できる。
側端面から出射側端面にかけて他方の電極との間にそれ
ぞれ異なる電流値を付与することが開示されている（特
公昭62−37909号（特開昭58−50790号）） この公報には、半導体光増幅器として第７図に示され
るような特性図が示されており、この第７図を見てもわ
かるように、光子密度Ｓの分布に対応して電流密度J1、
J2を制御し、光の出力限界を効果的に向上させることが
できる。
しかしながら、電極を分割してキャリアの密度を変化
させ、光子密度Ｓを入射側から出射側にかけて徐々に増
加させるようにした場合、第７図に示されるように連続
的な増加となる光子密度Ｓの特性を持たせるためには、
電極を可能な限り細かく分割する必要がある。なお、上
記公報の実施例で示されているように電極を２分割又は
３分割した場合は、実際には第８図に示されるように光
子密度の特性は階段状とならざるを得ない。また、上記
のように電極を細かく分割しても少なからずその光子密
度の特性は階段状となり、キャリアの密度分布が乱れや
すく、この結果横モード（光の強度分布）が不安定とな
り、出力モードが高次モードに移行しやすくなるという
問題点がある。また、電極を連続的に近似する程度に分
割するのは、製作上極めて困難であると共に、電極の数
だけ電源が必要となり、装置自体が大型となると共に、
制御も困難となる。
させ、光子密度Ｓを入射側から出射側にかけて徐々に増
加させるようにした場合、第７図に示されるように連続
的な増加となる光子密度Ｓの特性を持たせるためには、
電極を可能な限り細かく分割する必要がある。なお、上
記公報の実施例で示されているように電極を２分割又は
３分割した場合は、実際には第８図に示されるように光
子密度の特性は階段状とならざるを得ない。また、上記
のように電極を細かく分割しても少なからずその光子密
度の特性は階段状となり、キャリアの密度分布が乱れや
すく、この結果横モード（光の強度分布）が不安定とな
り、出力モードが高次モードに移行しやすくなるという
問題点がある。また、電極を連続的に近似する程度に分
割するのは、製作上極めて困難であると共に、電極の数
だけ電源が必要となり、装置自体が大型となると共に、
制御も困難となる。
本発明は上記事実を考慮し、一方の電極へ与える電流
値は一定のままで、活性領域のキャリアの密度を入射側
端面から出射側端面にかけて連続的に変更することがで
きる光半導体デバイスを得ることが目的である。
値は一定のままで、活性領域のキャリアの密度を入射側
端面から出射側端面にかけて連続的に変更することがで
きる光半導体デバイスを得ることが目的である。
本発明の特許請求の範囲第１項に係る光半導体デバイ
スは、それぞれの主面上に電極を設けた半導体領域と、
入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間に形成
された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記電極間
に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入されるキャ
リアにより光子密度を増加させて光を増幅させる光半導
体デバイスであって、少なくとも一方の前記半導体領域
が光の進行方向に向かって不純物が高密度となるように
添加されて形成されていることを特徴としている。
スは、それぞれの主面上に電極を設けた半導体領域と、
入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間に形成
された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記電極間
に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入されるキャ
リアにより光子密度を増加させて光を増幅させる光半導
体デバイスであって、少なくとも一方の前記半導体領域
が光の進行方向に向かって不純物が高密度となるように
添加されて形成されていることを特徴としている。
本発明の特許請求の範囲第２項に係る光半導体デバイ
スは、それぞれの主面上に電極を設けた半導体領域と、
入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間に形成
された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記電極間
に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入されるキャ
リアにより光子密度を増加させて光を増幅させる光半導
体デバイスであって、それぞれ対とされる前記半導体領
域と前記電極との少なくとも一方の間に介在され、両前
記電極に一定電圧を印加した場合に光の進行方向に向か
って電流値が徐々に高くなる電気材料を有することを特
徴としている。
スは、それぞれの主面上に電極を設けた半導体領域と、
入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間に形成
された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記電極間
に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入されるキャ
リアにより光子密度を増加させて光を増幅させる光半導
体デバイスであって、それぞれ対とされる前記半導体領
域と前記電極との少なくとも一方の間に介在され、両前
記電極に一定電圧を印加した場合に光の進行方向に向か
って電流値が徐々に高くなる電気材料を有することを特
徴としている。
本願発明によれば、活性領域での光の増幅は電極間を
流れる電流値に応じて活性領域に分布されるキャリアを
消費して、光子密度が増加されることによりなされる。
活性領域無いの場所によりキャリアが消費される量が異
なるため、このキャリアの密度分布と光子密度の分布と
を少なくとも相似させることが必要である。
流れる電流値に応じて活性領域に分布されるキャリアを
消費して、光子密度が増加されることによりなされる。
活性領域無いの場所によりキャリアが消費される量が異
なるため、このキャリアの密度分布と光子密度の分布と
を少なくとも相似させることが必要である。
本発明では両電極間に一定電圧を印加し、かつ電流値
を入射側端面と出射側端面との間で連続的に大きくなる
ように変化させている。これは、一方の電極に与える基
本となる電流値は一定のまま（一定電圧）で、電極間の
導電率（抵抗率）を変化させることにより、活性領域で
の電流密度を変化させることが前提である。言い換えれ
ば、『従来技術』の項で示した先行技術のように、それ
ぞれの電極を複数に分割して並べ、それぞれに印加する
電圧を変えるような、極めて組付けに高精度が必要とさ
れる技術を用いずに、電流値の変化を実現させている。
を入射側端面と出射側端面との間で連続的に大きくなる
ように変化させている。これは、一方の電極に与える基
本となる電流値は一定のまま（一定電圧）で、電極間の
導電率（抵抗率）を変化させることにより、活性領域で
の電流密度を変化させることが前提である。言い換えれ
ば、『従来技術』の項で示した先行技術のように、それ
ぞれの電極を複数に分割して並べ、それぞれに印加する
電圧を変えるような、極めて組付けに高精度が必要とさ
れる技術を用いずに、電流値の変化を実現させている。
第１の発明としては、一方の半導体領域に光の進行方
向に沿って徐々に高密度の不純物を添加する。半導体領
域では、不純物が添加される量に応じてそれ自体の抵抗
率が小さくなるため、一定の電圧を印加しても活性領域
での電流密度分布を入射側から出射側にかけて徐々に、
かつ連続的に高くすることができる。
向に沿って徐々に高密度の不純物を添加する。半導体領
域では、不純物が添加される量に応じてそれ自体の抵抗
率が小さくなるため、一定の電圧を印加しても活性領域
での電流密度分布を入射側から出射側にかけて徐々に、
かつ連続的に高くすることができる。
第２の発明としては、別途抵抗率を変化させるための
層（電気材料）を設ける。この層の構成は、層に一定の
抵抗率を持つ材料を用いて層の肉厚寸法を光の進行方向
に沿って徐々に薄くしてもよいし、半導体領域と同質と
して不純物を添加させてもよい。このような別層を設け
ることにより、既存の部材に手を加えることがないた
め、光半導体デバイスの組付け作業性を容易にすること
ができる。
層（電気材料）を設ける。この層の構成は、層に一定の
抵抗率を持つ材料を用いて層の肉厚寸法を光の進行方向
に沿って徐々に薄くしてもよいし、半導体領域と同質と
して不純物を添加させてもよい。このような別層を設け
ることにより、既存の部材に手を加えることがないた
め、光半導体デバイスの組付け作業性を容易にすること
ができる。
上記２発明の何れかによって実現した電流密度分布に
よって、入射側端面から出射側端面にわたって、任意の
曲線でキャリア密度分布を連続的に変化させることがで
き、特に、電極を複数に分割させて組み付けたときに生
じる、組付け精度誤差による横モードの不安定さを解消
し、横モードを安定させた状態でキャリア密度を制御す
ることができる。すなわち、光の強度分布が安定し、光
の出力時に横モードを基本モード（０次モード）に保持
することができる。また、一定電圧を印加すればよいた
め、電気制御系も簡略化できる。
よって、入射側端面から出射側端面にわたって、任意の
曲線でキャリア密度分布を連続的に変化させることがで
き、特に、電極を複数に分割させて組み付けたときに生
じる、組付け精度誤差による横モードの不安定さを解消
し、横モードを安定させた状態でキャリア密度を制御す
ることができる。すなわち、光の強度分布が安定し、光
の出力時に横モードを基本モード（０次モード）に保持
することができる。また、一定電圧を印加すればよいた
め、電気制御系も簡略化できる。
〔第１実施例〕 第１図及び第２図には本第１実施例に係る半導体光増
幅器30が示されている。活性領域16の上下にはそれぞれ
ｐ型半導体領域12及びｎ型半導体領域14が存在し、これ
らの間が活性領域16とされている。この結果活性領域16
はストライプ状となっている。ｐ型半導体領域12及びｎ
型半導体領域14のそれぞれの主面には陽極電極18及び陰
極電極20が取り付けられ、両電極間に電流が流れること
により、入射側端面22から入射される光（第１図左側端
面）が活性領域16で両端面を往復して徐々に増幅され、
出射側端面24（第１図右側端面）から出力されるように
なっている。なお、この入射側端面22及び出射側端面24
には無反射コーティングが施されている。
幅器30が示されている。活性領域16の上下にはそれぞれ
ｐ型半導体領域12及びｎ型半導体領域14が存在し、これ
らの間が活性領域16とされている。この結果活性領域16
はストライプ状となっている。ｐ型半導体領域12及びｎ
型半導体領域14のそれぞれの主面には陽極電極18及び陰
極電極20が取り付けられ、両電極間に電流が流れること
により、入射側端面22から入射される光（第１図左側端
面）が活性領域16で両端面を往復して徐々に増幅され、
出射側端面24（第１図右側端面）から出力されるように
なっている。なお、この入射側端面22及び出射側端面24
には無反射コーティングが施されている。
本第１実施例において、第１図に示される如く、ｐ型
半導体領域に不純物（第１図にドットで示す）を添加し
て、このｐ型半導体領域12の抵抗率を変化させることに
より電極間の電流値を制御している。不純物の添加量は
出射側端面24及びその近傍の方が入射側端面22及びその
近傍よりも多くなっており、その量は連続的に変化させ
ている。なお、入射側端面22の近傍の活性領域16では添
加量が０であってもよい。
半導体領域に不純物（第１図にドットで示す）を添加し
て、このｐ型半導体領域12の抵抗率を変化させることに
より電極間の電流値を制御している。不純物の添加量は
出射側端面24及びその近傍の方が入射側端面22及びその
近傍よりも多くなっており、その量は連続的に変化させ
ている。なお、入射側端面22の近傍の活性領域16では添
加量が０であってもよい。
この不純物としては本第１実施例のようにｐ型半導体
22であればＰ−GaAs基板に正孔に寄与するアクセプタが
適用される。なお、不純物を添加する半導体領域はｎ型
であってもよく、この場合はドナーが適用される。この
不純物添加（ドーピング）は結晶成長過程時に行っても
よいし、高温状態で結晶表面から拡散しても、あるいは
イオン注入してもよい。
22であればＰ−GaAs基板に正孔に寄与するアクセプタが
適用される。なお、不純物を添加する半導体領域はｎ型
であってもよく、この場合はドナーが適用される。この
不純物添加（ドーピング）は結晶成長過程時に行っても
よいし、高温状態で結晶表面から拡散しても、あるいは
イオン注入してもよい。
これにより、ｐ型半導体領域12は不純物が多いほど抵
抗率が下がり、電流が多く流れることになる。
抗率が下がり、電流が多く流れることになる。
以下に本第１実施例の作用を説明する。
半導体光増幅器30の陽極電極18に所定の電流を付与す
ると各電極間に電流が流れ、活性領域16にはキャリアが
分布される。この状態で入射側端面22から光が入射され
ると、キャリアが消費され光子密度が増加され、光はそ
のまま位置方向に進行し出射側端面24から放射される。
ると各電極間に電流が流れ、活性領域16にはキャリアが
分布される。この状態で入射側端面22から光が入射され
ると、キャリアが消費され光子密度が増加され、光はそ
のまま位置方向に進行し出射側端面24から放射される。
ここで、キャリアの消費量は入射側端面22及びその近
傍は少なく、出射側端面24及びその近傍は多い。本第１
実施例ではｐ型半導体領域に不純物を添加することによ
り、活性領域16での電流密度分布を第３図に示される如
く、入射側から出射側にかけて連続的に高くなるように
している。これにより、キャリアの密度分布と光子密度
との差がいずれの領域においても一致され、キャリアを
有効に消費することができる。この結果光の出力限界を
効果的に向上させることがきる。また、キャリアの密度
が連続的に変化しているので、光の横モード、すなわち
光の強度分布が安定し、光の出力時においても基本モー
ド（０次モード）を保持することができる。
傍は少なく、出射側端面24及びその近傍は多い。本第１
実施例ではｐ型半導体領域に不純物を添加することによ
り、活性領域16での電流密度分布を第３図に示される如
く、入射側から出射側にかけて連続的に高くなるように
している。これにより、キャリアの密度分布と光子密度
との差がいずれの領域においても一致され、キャリアを
有効に消費することができる。この結果光の出力限界を
効果的に向上させることがきる。また、キャリアの密度
が連続的に変化しているので、光の横モード、すなわち
光の強度分布が安定し、光の出力時においても基本モー
ド（０次モード）を保持することができる。
さらに、陽極電極18へ付与する電流値は一定でよく、
予め陽極電極18と陰極電極20との電極間の抵抗値を光の
進行方向に沿って変化させているので、例えば従来技術
の項で説明したように電極を分割してそれぞれの電極の
電流値を制御する必要がなく、制御が容易となると共に
電源も単一となり装置自体の小型化が計れる。
予め陽極電極18と陰極電極20との電極間の抵抗値を光の
進行方向に沿って変化させているので、例えば従来技術
の項で説明したように電極を分割してそれぞれの電極の
電流値を制御する必要がなく、制御が容易となると共に
電源も単一となり装置自体の小型化が計れる。
なお、本第１実施例では、不純物を添加してｐ型半導
体領域12の抵抗率を変化させるようにしたが、第４図に
示される如く、Ｐ−GaAs基板にZnなどで拡散してもよい
（第４図斜線部分）。これは、拡散時間をマスキング等
により変化させて拡散量を制御し、抵抗率を加減するよ
うにする。また、Ｐ−GaAs基板にZnで拡散したものを別
個に製作して不純物が添加されないＰ−GaAn基板と結合
するようにしてもよい。
体領域12の抵抗率を変化させるようにしたが、第４図に
示される如く、Ｐ−GaAs基板にZnなどで拡散してもよい
（第４図斜線部分）。これは、拡散時間をマスキング等
により変化させて拡散量を制御し、抵抗率を加減するよ
うにする。また、Ｐ−GaAs基板にZnで拡散したものを別
個に製作して不純物が添加されないＰ−GaAn基板と結合
するようにしてもよい。
〔第２実施例〕 次に第２実施例について説明する。
第５図に示される如く、本第２実施例で示す半導体光
増幅器40では、既存の各領域12、14、16や電極18、20は
変更せず、ｐ型半導体領域12と陽極電極18との間に抵抗
値可変領域42を追加して、電極間を流れる電流値を制御
している。抵抗値可変領域の材質としてはｐ型半導体と
同質のもので不純物を添加させたものでもよく、陽極電
極と同質のもので既存の陽極電極と組み合わせて肉厚寸
法を連続的に変化させるようにしてよい。さらに、電極
間に流れる電流値を変更可能なものであれば、どのよう
な電気材料を用いてもよい。
増幅器40では、既存の各領域12、14、16や電極18、20は
変更せず、ｐ型半導体領域12と陽極電極18との間に抵抗
値可変領域42を追加して、電極間を流れる電流値を制御
している。抵抗値可変領域の材質としてはｐ型半導体と
同質のもので不純物を添加させたものでもよく、陽極電
極と同質のもので既存の陽極電極と組み合わせて肉厚寸
法を連続的に変化させるようにしてよい。さらに、電極
間に流れる電流値を変更可能なものであれば、どのよう
な電気材料を用いてもよい。
すなわち、本第２実施例では抵抗値可変領域のみ別個
とすることにより、半導体光増幅器の製作を容易とし、
作業性を向上することができる。
とすることにより、半導体光増幅器の製作を容易とし、
作業性を向上することができる。
以上第１実施例乃至第２実施例では、半導体光増幅器
30、40を例にとって、その活性領域16のキャリア密度を
光子密度と合わせ、キャリアを有効に消費することがで
きることを説明したが、この半導体光増幅器30、40の入
射側端面及び出射側端面に無反射コーティングをしない
ことにより得られる半導体レーザについても同様の効果
を得ることができる。この半導体レーザにおいては、活
性領域16内で光が両端面で反射されてこの両端面を往復
し、この間に誘導放出により増幅される。増幅された光
量が途中の吸収や両端の反射面からの透過などにより失
われる光量と等しくなったとき発振が起こり、光は出射
側端面24から放射されることになる。従って、半導体レ
ーザにおいては、光は活性領域内で往復するため、光子
密度分布が半導体光増幅器として適用した場合と異な
る。
30、40を例にとって、その活性領域16のキャリア密度を
光子密度と合わせ、キャリアを有効に消費することがで
きることを説明したが、この半導体光増幅器30、40の入
射側端面及び出射側端面に無反射コーティングをしない
ことにより得られる半導体レーザについても同様の効果
を得ることができる。この半導体レーザにおいては、活
性領域16内で光が両端面で反射されてこの両端面を往復
し、この間に誘導放出により増幅される。増幅された光
量が途中の吸収や両端の反射面からの透過などにより失
われる光量と等しくなったとき発振が起こり、光は出射
側端面24から放射されることになる。従って、半導体レ
ーザにおいては、光は活性領域内で往復するため、光子
密度分布が半導体光増幅器として適用した場合と異な
る。
すなわち、半導体レーザとして適用した場合の光子密
度分布Ｓの特性は第６図のようになるため、中央部のキ
ャリア密度を両端面のキャリアの密度よりも小さくする
ように、半導体領域に不純物を添加したりする必要があ
るが、この場合においても電流密度Ｊは連続的に変化す
ることになり（第６図参照）、横モードが不安定となる
ことはない。
度分布Ｓの特性は第６図のようになるため、中央部のキ
ャリア密度を両端面のキャリアの密度よりも小さくする
ように、半導体領域に不純物を添加したりする必要があ
るが、この場合においても電流密度Ｊは連続的に変化す
ることになり（第６図参照）、横モードが不安定となる
ことはない。
以上説明した如く本発明に係る光半導体デバイスは、
一方の電極へ与える電流値は一定のままで、活性領域の
キャリアの密度を入射側端面から出射側端面にかけて連
続的に変更することができるという優れた効果を有す
る。
一方の電極へ与える電流値は一定のままで、活性領域の
キャリアの密度を入射側端面から出射側端面にかけて連
続的に変更することができるという優れた効果を有す
る。
第１図は第１実施例に係る半導体光増幅器の側断面図、
第２図は第１実施例に係る半導体光増幅器の平断面図、
第３図は本第１実施例に係る陽極電極と陰極電極との間
の電流値を光の進行方向に亘って連続的に変化させた場
合の電流密度と光子密度との関係を示す特性図、第４図
は第１実施例の変形例を示す半導体光増幅器の側断面
図、第５図は第２実施例に係る半導体光増幅器の側断面
図、第６図は半導体光増幅器を半導体レーザとして適用
した場合の電流密度と光子密度との関係を示す特性図、
第７図は電極を分割して電流値を制御した場合の電流密
度と光子密度との関係を示す特性図、第８図は電極の分
割数が少ない場合の電流密度と光子密度との関係を示す
特性図である。 30,40……半導体光増幅器、 12……ｐ型半導体領域、 14……ｎ型半導体領域、 16……活性領域、 18……陽極電極、 20……陰極電極、 22……入射側端面、 24……出射側端面。
第２図は第１実施例に係る半導体光増幅器の平断面図、
第３図は本第１実施例に係る陽極電極と陰極電極との間
の電流値を光の進行方向に亘って連続的に変化させた場
合の電流密度と光子密度との関係を示す特性図、第４図
は第１実施例の変形例を示す半導体光増幅器の側断面
図、第５図は第２実施例に係る半導体光増幅器の側断面
図、第６図は半導体光増幅器を半導体レーザとして適用
した場合の電流密度と光子密度との関係を示す特性図、
第７図は電極を分割して電流値を制御した場合の電流密
度と光子密度との関係を示す特性図、第８図は電極の分
割数が少ない場合の電流密度と光子密度との関係を示す
特性図である。 30,40……半導体光増幅器、 12……ｐ型半導体領域、 14……ｎ型半導体領域、 16……活性領域、 18……陽極電極、 20……陰極電極、 22……入射側端面、 24……出射側端面。
Claims (2)
- 【請求項１】それぞれの主面上に電極を設けた半導体領
域と、入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間
に形成された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記
電極間に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入され
るキャリアにより光子密度を増加させて光を増幅させる
光半導体デバイスであって、 少なくとも一方の前記半導体領域が光の進行方向に向か
って不純物が高密度となるように添加されて形成されて
いることを特徴とする光半導体デバイス。 - 【請求項２】それぞれの主面上に電極を設けた半導体領
域と、入射側及び出射側端面を備えかつ各半導体領域間
に形成された活性領域と、を有し一定電圧の印加で前記
電極間に流れる電流密度に応じて、活性領域へ注入され
るキャリアにより光子密度を増加させて光を増幅させる
光半導体デバイスであって、 それぞれ対とされる前記半導体領域と前記電極との少な
くとも一方の間に介在され、両前記電極に一定電圧を印
加した場合に光の進行方向に向かって電流値が徐々に高
くなる電気材料を有することを特徴とする光半導体デバ
イス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272714A JP2572082B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光半導体デバイス |
| US07/263,857 US4882607A (en) | 1987-10-28 | 1988-10-28 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272714A JP2572082B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光半導体デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115188A JPH01115188A (ja) | 1989-05-08 |
| JP2572082B2 true JP2572082B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17517763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272714A Expired - Fee Related JP2572082B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光半導体デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882607A (ja) |
| JP (1) | JP2572082B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655433B1 (fr) * | 1989-12-01 | 1992-06-26 | France Etat | Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple. |
| JP3123670B2 (ja) * | 1991-11-11 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | 半導体光増幅素子およびその使用法 |
| AU3941293A (en) * | 1992-04-06 | 1993-11-08 | Uroplasty, Inc. | Treatment of reflux disorder by microparticles injection |
| JP2005223353A (ja) * | 2000-11-01 | 2005-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びその駆動方法 |
| FR2829306B1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-12-19 | Cit Alcatel | Composant optique semiconducteur et procede de fabrication d'un tel composant |
| CN101431215A (zh) * | 2003-12-22 | 2009-05-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体激光装置和激光投影装置 |
| US7079310B2 (en) * | 2004-01-08 | 2006-07-18 | Chih-Hsiao Chen | Gain-clamped optical amplifier |
| GB2427752A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-03 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diode |
| JP6303222B2 (ja) | 2013-11-29 | 2018-04-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光受信器および光受信モジュール |
| WO2019160039A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
| US10547159B1 (en) * | 2018-12-12 | 2020-01-28 | Trumpf Photonics Inc. | Laterally tailoring current injection for laser diodes |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127086A (en) * | 1976-04-17 | 1977-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Uni-directional dfb laser |
| JPS5850790A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
| JPS6273690A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ−素子 |
| DE3604293A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Telefunken Electronic Gmbh | Heterostruktur-halbleiterlaserdiode |
| JPS62245690A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
| US4760579A (en) * | 1986-07-01 | 1988-07-26 | Hughes Aircraft Company | Quantum well laser with charge carrier density enhancement |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272714A patent/JP2572082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-10-28 US US07/263,857 patent/US4882607A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4882607A (en) | 1989-11-21 |
| JPH01115188A (ja) | 1989-05-08 |
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