JP2570746B2 - 位相制御素子 - Google Patents
位相制御素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は入射光に対する複屈折作用を有する位相制御
素子に関する。本発明の位相制御素子は、液晶防眩ミラ
ーなどに利用することができる。
素子に関する。本発明の位相制御素子は、液晶防眩ミラ
ーなどに利用することができる。
［従来の技術］ 従来より、基板表面に誘電体材料の斜め蒸着膜を形成
した位相制御素子が知られている。例えば実開昭60−41
927号、特開昭61−84625号公報などには、位相制御素子
をもつ液晶防眩ミラーが開示されている。
した位相制御素子が知られている。例えば実開昭60−41
927号、特開昭61−84625号公報などには、位相制御素子
をもつ液晶防眩ミラーが開示されている。
この従来の位相制御素子は、第４図に示すように基板
100と、基板100表面に斜め蒸着法により形成された斜め
蒸着膜200とより構成されている。この斜め蒸着膜200
は、蒸発源からの蒸着物質の飛来方向に対して、基板10
0表面を所定角度傾けて配置して蒸着することにより形
成されたものである。この斜め蒸着膜200は、基板100表
面から斜め方向に成長する柱状組織を有し、以て入射光
に対する複屈折作用を有している。そして斜め蒸着膜20
0表面にポリイミドなどの配向膜を形成し、ラビング
法、または特開昭61−138231号公報に開示されている流
体噴射法などにより溝状凹凸面を形成した後、液晶を封
入している。
100と、基板100表面に斜め蒸着法により形成された斜め
蒸着膜200とより構成されている。この斜め蒸着膜200
は、蒸発源からの蒸着物質の飛来方向に対して、基板10
0表面を所定角度傾けて配置して蒸着することにより形
成されたものである。この斜め蒸着膜200は、基板100表
面から斜め方向に成長する柱状組織を有し、以て入射光
に対する複屈折作用を有している。そして斜め蒸着膜20
0表面にポリイミドなどの配向膜を形成し、ラビング
法、または特開昭61−138231号公報に開示されている流
体噴射法などにより溝状凹凸面を形成した後、液晶を封
入している。
［発明が解決しようとする問題点］ 斜め蒸着後は、上記したように柱状組織から構成され
ている。そのため機械的強度に劣るという不具合があ
る。特に膜厚が大きくなるほどその不具合も大きくな
る。例えば酸化タンタルから斜め蒸着膜を形成すると、
1/4波長（λ）板を形成するためにはその膜厚は2.3μｍ
にもなり、通常の限度とされている２μｍよりはるかに
厚くなるため、強度に劣っていた。そのため、液晶素子
を形成する場合において配向膜に溝状凹凸面を形成する
際の摩擦、温度変化などにより、剥離が生ずる不具合が
あった。
ている。そのため機械的強度に劣るという不具合があ
る。特に膜厚が大きくなるほどその不具合も大きくな
る。例えば酸化タンタルから斜め蒸着膜を形成すると、
1/4波長（λ）板を形成するためにはその膜厚は2.3μｍ
にもなり、通常の限度とされている２μｍよりはるかに
厚くなるため、強度に劣っていた。そのため、液晶素子
を形成する場合において配向膜に溝状凹凸面を形成する
際の摩擦、温度変化などにより、剥離が生ずる不具合が
あった。
このような不具合を防止するために、従来種々の提案
がなされている。例えば第５図に示すように、一の斜め
蒸着膜201を形成した後、基板100の傾きを180度逆にし
て二の斜め蒸着膜202を形成したものがある。このよう
にして酸化タンタルから1/4波長（λ）板を形成すれ
ば、一度に厚く蒸着したものに比べて機械的強度を向上
させることができる。しかし一の斜め蒸着膜201と二の
斜め蒸着膜202との界面で剥離しやすいという不具合が
ある。
がなされている。例えば第５図に示すように、一の斜め
蒸着膜201を形成した後、基板100の傾きを180度逆にし
て二の斜め蒸着膜202を形成したものがある。このよう
にして酸化タンタルから1/4波長（λ）板を形成すれ
ば、一度に厚く蒸着したものに比べて機械的強度を向上
させることができる。しかし一の斜め蒸着膜201と二の
斜め蒸着膜202との界面で剥離しやすいという不具合が
ある。
また、特願昭61−262520には、斜め蒸着膜を保護層で
保護した液晶素子が開示され、特願昭61−255318号に
は、ラビング処理後に成膜する透明電極で斜め蒸着膜を
構成した液晶素子が開示されている。
保護した液晶素子が開示され、特願昭61−255318号に
は、ラビング処理後に成膜する透明電極で斜め蒸着膜を
構成した液晶素子が開示されている。
本発明はこれらの提案と同様の観点からなされたもの
であり、機械的強度の向上した斜め蒸着膜をもつ位相制
御素子を提供することを目的とする。
であり、機械的強度の向上した斜め蒸着膜をもつ位相制
御素子を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の位相制御素子は、第１材料から斜め蒸着によ
り形成された第１層と、透明材料から第１層表面に形成
され光学的に略等方性の中間層と、第２材料から該中間
層表面に斜め蒸着により形成された第２層と、有し、 第１層と中間層との間には第１材料および透明材料が
混在する第１拡散層が、第２層と中間層との間には第２
材料および透明材料が混在する第２拡散層が形成され、
第１層および第２層は中間層と一体的に結合しているこ
とを特徴とする。
り形成された第１層と、透明材料から第１層表面に形成
され光学的に略等方性の中間層と、第２材料から該中間
層表面に斜め蒸着により形成された第２層と、有し、 第１層と中間層との間には第１材料および透明材料が
混在する第１拡散層が、第２層と中間層との間には第２
材料および透明材料が混在する第２拡散層が形成され、
第１層および第２層は中間層と一体的に結合しているこ
とを特徴とする。
第１層は、第１材料を蒸発源として斜め蒸着により形
成された斜め蒸着膜から構成される。この第１材料には
導電性を有する複屈折異方性の大きな材料が用いられ、
二酸化スズ、酸化アンチモン、これらの複合酸化物、酸
化亜鉛とアルミナの複合酸化物、酸化亜鉛と酸化インジ
ウムの複合酸化物などを挙げることができる。
成された斜め蒸着膜から構成される。この第１材料には
導電性を有する複屈折異方性の大きな材料が用いられ、
二酸化スズ、酸化アンチモン、これらの複合酸化物、酸
化亜鉛とアルミナの複合酸化物、酸化亜鉛と酸化インジ
ウムの複合酸化物などを挙げることができる。
この第１層は、通常ガラス、プラスチックなどの透明
基板表面に形成される。また斜め蒸着の方法としては、
真空蒸着、電子ビーム蒸着など公知の真空成膜法を用い
ることができる。
基板表面に形成される。また斜め蒸着の方法としては、
真空蒸着、電子ビーム蒸着など公知の真空成膜法を用い
ることができる。
中間層は透明材料から形成され、光学的に略等方性で
ある。このような材料としてはシリカ（SiO2）、アルミ
ナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO2）などを挙げることが
できる。
ある。このような材料としてはシリカ（SiO2）、アルミ
ナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO2）などを挙げることが
できる。
中間層は斜め蒸着ではなく、通常の垂直蒸着法により
形成するのが望ましい。このようにすればその組織はア
モルファス状となり、機械的強度に一層優れるようにな
る。そしてその膜厚は0.05〜0.5μｍとするのが望まし
い。膜厚が0.05μｍより薄いと第１層と第２層との接合
強度が低下して剥離しやすくなり、0.5μｍより厚くな
ると入射光の位相制御性能などに悪影響が生ずる場合が
ある。0.1〜0.3μｍが特に望ましい。なお、中間層の蒸
着方法は第１層と同様の方法を用いることができるが、
斜め蒸着膜ほど厳密な光学的機能を付与する必要がない
ので、付着力が強いスパッタリング、イオンプレーティ
ングなどの方法を用いるのが好ましい。
形成するのが望ましい。このようにすればその組織はア
モルファス状となり、機械的強度に一層優れるようにな
る。そしてその膜厚は0.05〜0.5μｍとするのが望まし
い。膜厚が0.05μｍより薄いと第１層と第２層との接合
強度が低下して剥離しやすくなり、0.5μｍより厚くな
ると入射光の位相制御性能などに悪影響が生ずる場合が
ある。0.1〜0.3μｍが特に望ましい。なお、中間層の蒸
着方法は第１層と同様の方法を用いることができるが、
斜め蒸着膜ほど厳密な光学的機能を付与する必要がない
ので、付着力が強いスパッタリング、イオンプレーティ
ングなどの方法を用いるのが好ましい。
第２層は、第２材料を蒸発源として斜め蒸着により形
成された斜め蒸着膜から構成される。第２材料としては
第１材料と同様のものを用いることができ、第１材料と
第２材料とは同一材料でもよいし異なった材料を用いる
こともできる。またその蒸着方法は第１図と同様の方法
を用いることができる。なお、第１層の組織の配向方向
と第２層の組織の配向方向とは、基板表面に立てた垂線
に対して対称に構成されているのが好ましい。このよう
にすれば位相制御性能は良好に維持できるとともに、機
械的強度に一層優れるようになる。
成された斜め蒸着膜から構成される。第２材料としては
第１材料と同様のものを用いることができ、第１材料と
第２材料とは同一材料でもよいし異なった材料を用いる
こともできる。またその蒸着方法は第１図と同様の方法
を用いることができる。なお、第１層の組織の配向方向
と第２層の組織の配向方向とは、基板表面に立てた垂線
に対して対称に構成されているのが好ましい。このよう
にすれば位相制御性能は良好に維持できるとともに、機
械的強度に一層優れるようになる。
本発明の最大の特徴は、第１層と中間層との間には第
１材料および透明材料が混在する第１拡散層が、第２層
と中間層との間には第２材料および透明材料が混在する
第２拡散層が形成されているところにある。このように
構成することにより、第１層および第２層は中間層と一
体的に結合するため機械的強度に優れ、剥離などの不具
合を防止することができる。
１材料および透明材料が混在する第１拡散層が、第２層
と中間層との間には第２材料および透明材料が混在する
第２拡散層が形成されているところにある。このように
構成することにより、第１層および第２層は中間層と一
体的に結合するため機械的強度に優れ、剥離などの不具
合を防止することができる。
第１拡散層および第２拡散層中の２つの材料の組成は
特に制限されない。厚さ方向に均一に混在していてもよ
いし、濃度勾配を有していることも望ましい。例えば、
第１拡散層において、第１層に近い側ほど第１材料が多
く、中間層に近いほど透明材料が多くなるように構成す
ることが望ましい。このようにすれば拡散層はその両側
の層との接合強度に優れ、以て位相制御素子の機械的強
度に優れるようになる。
特に制限されない。厚さ方向に均一に混在していてもよ
いし、濃度勾配を有していることも望ましい。例えば、
第１拡散層において、第１層に近い側ほど第１材料が多
く、中間層に近いほど透明材料が多くなるように構成す
ることが望ましい。このようにすれば拡散層はその両側
の層との接合強度に優れ、以て位相制御素子の機械的強
度に優れるようになる。
第１拡散層および第２拡散層は、斜め蒸着によって形
成してもよいし、垂直蒸着によって形成することが望ま
しい。なおこれらの拡散層は複屈折性を有することが多
いので、その膜厚は薄くすることが望ましい。好ましく
は0.02〜0.1μｍである。0.02μｍより薄いと、両側の
層との接合強度の向上にほとんど寄与しない。
成してもよいし、垂直蒸着によって形成することが望ま
しい。なおこれらの拡散層は複屈折性を有することが多
いので、その膜厚は薄くすることが望ましい。好ましく
は0.02〜0.1μｍである。0.02μｍより薄いと、両側の
層との接合強度の向上にほとんど寄与しない。
なお、第２層の表面に、さらに拡散層、中間層を介し
て斜め蒸着膜を積層した多層構造とすることもできる。
て斜め蒸着膜を積層した多層構造とすることもできる。
本発明の位相制御素子を形成するには、まず第１材料
から斜め蒸着により第１層を成膜する。次に第１材料と
透明材料とを蒸発源として第１拡散層を成膜し、次に透
明材料のみを蒸発源として中間層を成膜する。そして透
明材料と第２材料とを蒸発源として第２拡散層を成膜
し、最後に第２材料から斜め蒸着により第２層を成膜す
る。このように連続的に各層を成膜することで位相制御
素子を形成でき、生産性に優れている。
から斜め蒸着により第１層を成膜する。次に第１材料と
透明材料とを蒸発源として第１拡散層を成膜し、次に透
明材料のみを蒸発源として中間層を成膜する。そして透
明材料と第２材料とを蒸発源として第２拡散層を成膜
し、最後に第２材料から斜め蒸着により第２層を成膜す
る。このように連続的に各層を成膜することで位相制御
素子を形成でき、生産性に優れている。
［発明の作用および効果］ 本発明の位相制御素子では、斜め蒸着膜である第１層
と第２層とは、第１拡散層および第２拡散層を介してそ
れぞれ中間層と接合されている。そして中間層は等方性
の透明体であるので入射光に対する悪影響は少なく、第
１層と第２層とで位相制御の作用が奏される。すなわち
第１材料および第２材料の材質、第１層および第２層の
膜厚、それぞれの蒸着される角度によって、いかなる波
長の光を円偏光するかが規定される。また中間層は機械
的強度に優れているとともに、第１層および第２層と拡
散層を介して強固に接合されているので、層間の剥離も
防止される。従って全体としての機械的強度に優れてい
る。
と第２層とは、第１拡散層および第２拡散層を介してそ
れぞれ中間層と接合されている。そして中間層は等方性
の透明体であるので入射光に対する悪影響は少なく、第
１層と第２層とで位相制御の作用が奏される。すなわち
第１材料および第２材料の材質、第１層および第２層の
膜厚、それぞれの蒸着される角度によって、いかなる波
長の光を円偏光するかが規定される。また中間層は機械
的強度に優れているとともに、第１層および第２層と拡
散層を介して強固に接合されているので、層間の剥離も
防止される。従って全体としての機械的強度に優れてい
る。
従って本発明の位相制御素子によれば、液晶素子に適
用した場合のラビングによる溝状凹凸面形成時などに剥
離するのが防止され、温度変化などに対する耐久性にも
優れている。
用した場合のラビングによる溝状凹凸面形成時などに剥
離するのが防止され、温度変化などに対する耐久性にも
優れている。
［実施例］ 以下本発明により具体的に説明する。
第１図に本実施例の位相制御素子１の断面図を示す。
この位相制御素子１は、ガラス基板10と、 酸化タンタルから斜め蒸着により形成された第１層11
と、シリカから第１層11表面に形成され光学的に等方性
の中間層13と、酸化タンタルから中間層13表面に斜め蒸
着により形成された第２層15と、を有し、 第１層11と中間層13との間には酸化タンタルおよびシ
リカが混在する第１拡散層12が、第２層15と中間層13と
の間には酸化タンタルおよびシリカが混在する第２拡散
層14が形成され、第１層11および第２層15は中間層13と
一体的に結合している。
この位相制御素子１は、ガラス基板10と、 酸化タンタルから斜め蒸着により形成された第１層11
と、シリカから第１層11表面に形成され光学的に等方性
の中間層13と、酸化タンタルから中間層13表面に斜め蒸
着により形成された第２層15と、を有し、 第１層11と中間層13との間には酸化タンタルおよびシ
リカが混在する第１拡散層12が、第２層15と中間層13と
の間には酸化タンタルおよびシリカが混在する第２拡散
層14が形成され、第１層11および第２層15は中間層13と
一体的に結合している。
次にこの位相制御素子１の形成方法を説明する。
第２図に用いた蒸着装置の概略構成図を示す。この装
置は真空蒸着装置を示し、排気ポンプ306により真空状
態に維持される真空槽300と、真空槽300内に揺動可能に
配置された基板ホルダ301と、基板ホルダ301の下方でケ
ース300内に設けられた２つのるつぼ302、303と、るつ
ぼ302、303の上方に配置されそれぞれのるつぼを開閉す
るシャッター304、305と、より構成される。基板ホルダ
301には50mm×250mm×1.1mmの大きさのガラス基板10が
保持され、ガラス基板10はガラス基板10の表面中央から
下方に向けて降ろした垂線に対して左右対称に角度θ揺
動するように構成されている。また、るつぼ302、303中
には、それぞれ酸化タンタル（Ta2O5）、シリカ（Si
O2）が入れられ、図示しない電子銃により加熱される構
成である。
置は真空蒸着装置を示し、排気ポンプ306により真空状
態に維持される真空槽300と、真空槽300内に揺動可能に
配置された基板ホルダ301と、基板ホルダ301の下方でケ
ース300内に設けられた２つのるつぼ302、303と、るつ
ぼ302、303の上方に配置されそれぞれのるつぼを開閉す
るシャッター304、305と、より構成される。基板ホルダ
301には50mm×250mm×1.1mmの大きさのガラス基板10が
保持され、ガラス基板10はガラス基板10の表面中央から
下方に向けて降ろした垂線に対して左右対称に角度θ揺
動するように構成されている。また、るつぼ302、303中
には、それぞれ酸化タンタル（Ta2O5）、シリカ（Si
O2）が入れられ、図示しない電子銃により加熱される構
成である。
（第１層の形成） まず第２層に示すようにガラス基板10を角度θ＝70度
傾けた状態で、シャッター304を開けてシャッター305を
閉じ、るつぼ302中の酸化タンタルを蒸発させて、ガラ
ス基板10表面に酸化タンタルからなる第１層11を斜め蒸
着により成膜した。この第１層11の厚さは1.76μｍであ
る。
傾けた状態で、シャッター304を開けてシャッター305を
閉じ、るつぼ302中の酸化タンタルを蒸発させて、ガラ
ス基板10表面に酸化タンタルからなる第１層11を斜め蒸
着により成膜した。この第１層11の厚さは1.76μｍであ
る。
（拡散層、中間層の形成） 次に基板ホルダ301を揺動させて角度θ＝０度とし、
シャッター304とシャッター305の両方を開けて、酸化タ
ンタルとシリカの両方を同時に蒸発させ、第１層11表面
に酸化タンタルとシリカが混在した第１拡散層12を垂直
蒸着により成膜した。この第１拡散層12の厚さは0.05μ
ｍである。
シャッター304とシャッター305の両方を開けて、酸化タ
ンタルとシリカの両方を同時に蒸発させ、第１層11表面
に酸化タンタルとシリカが混在した第１拡散層12を垂直
蒸着により成膜した。この第１拡散層12の厚さは0.05μ
ｍである。
そしてシャッター304を閉じ、るつぼ303からシリカの
みを蒸発させて第１拡散層12表面にシリカからなる中間
層13を垂直蒸着により成膜した。この中間層13は透明な
アモルファス状であり、厚さは0.1μｍである。
みを蒸発させて第１拡散層12表面にシリカからなる中間
層13を垂直蒸着により成膜した。この中間層13は透明な
アモルファス状であり、厚さは0.1μｍである。
続いてシャッター304を開けて、酸化タンタルとシリ
カの両方を同時に蒸発させ、中間層13表面に酸化タンタ
ルとシリカが混在した第２拡散層14を垂直蒸着により成
膜した。この第２拡散層14の厚さは0.05μｍである。
カの両方を同時に蒸発させ、中間層13表面に酸化タンタ
ルとシリカが混在した第２拡散層14を垂直蒸着により成
膜した。この第２拡散層14の厚さは0.05μｍである。
（第２層の形成） 次にシャッター304を閉じ、基板ホルダ301を揺動させ
て角度θ＝−70度傾けた状態で、るつぼ303中のシリカ
を蒸発させて、第２拡散層表面にシリカからなる第２層
15を斜め蒸着により成膜した。この第２層15の厚さは1.
76μｍである。
て角度θ＝−70度傾けた状態で、るつぼ303中のシリカ
を蒸発させて、第２拡散層表面にシリカからなる第２層
15を斜め蒸着により成膜した。この第２層15の厚さは1.
76μｍである。
（試験） 上記のようにして形成された位相制御素子１の強度
を、テープ摩耗試験および冷熱サイクル試験により評価
した。テーパ摩耗試験は摩耗輪にCS−10Fを用い、加重5
00gにて100回転させて表面状態を目視で判定した。また
冷熱サイクル試験は、−30℃と＋85℃の条件下に各0.5
時間づつ放置するのを200サイクル行い、その後セロハ
ンテープによる剥離試験を施して表面状態を目視で判定
した。それぞれの結果を表に示す。なお、比較のため
に、第１拡散層、中間層および第２拡散層をもたないこ
と以外は実施例と同様に形成された、すなわち第１層と
第２層のみが形成された位相制御素子を従来例として同
様に試験し、結果を合わせて表に示す。
を、テープ摩耗試験および冷熱サイクル試験により評価
した。テーパ摩耗試験は摩耗輪にCS−10Fを用い、加重5
00gにて100回転させて表面状態を目視で判定した。また
冷熱サイクル試験は、−30℃と＋85℃の条件下に各0.5
時間づつ放置するのを200サイクル行い、その後セロハ
ンテープによる剥離試験を施して表面状態を目視で判定
した。それぞれの結果を表に示す。なお、比較のため
に、第１拡散層、中間層および第２拡散層をもたないこ
と以外は実施例と同様に形成された、すなわち第１層と
第２層のみが形成された位相制御素子を従来例として同
様に試験し、結果を合わせて表に示す。
表より、本実施例の位相制御素子は従来の位相制御素
子に比べて強度が向上していることが明らかである。
子に比べて強度が向上していることが明らかである。
（液晶素子への応用） 上記実施例で得られた位相制御素子１を用いて、第３
図に示す液晶防眩ミラーを製造した。
図に示す液晶防眩ミラーを製造した。
位相制御素子１の第２層15表面にITO（Indium Tin O
×ide）を1200オングストロームの厚さスパッタリング
して、透明電極２を形成した。またガラス基板10の第１
層11と反対側表面には、スパッタリングによりアルミニ
ウム反射膜３を形成した。
×ide）を1200オングストロームの厚さスパッタリング
して、透明電極２を形成した。またガラス基板10の第１
層11と反対側表面には、スパッタリングによりアルミニ
ウム反射膜３を形成した。
一方、ガラス基板10と同形状の表層ガラス基板４の表
面にITOを1200オングストロームの厚さで蒸着し、透明
電極５を形成した。
面にITOを1200オングストロームの厚さで蒸着し、透明
電極５を形成した。
２つの透明電極２、５の表面にポリイミドを塗布し、
300℃で焼成して配向膜６、７を形成した。そして配向
膜６、７表面に綿でラビング処理を施して溝状凹凸面を
形成した後、配向膜６、７の間に液晶８を封入して液晶
防眩ミラーを得た。
300℃で焼成して配向膜６、７を形成した。そして配向
膜６、７表面に綿でラビング処理を施して溝状凹凸面を
形成した後、配向膜６、７の間に液晶８を封入して液晶
防眩ミラーを得た。
この液晶防眩ミラーでは、製造工程中に位相制御素子
１に対してラビング処理を施したが、膜の剥離などの不
具合は生じず、良好な表示を与えることができる。
１に対してラビング処理を施したが、膜の剥離などの不
具合は生じず、良好な表示を与えることができる。
第１図〜第３図は本発明の一実施例の位相制御素子に関
するものであり、第１図はその説明断面図、第２図は用
いた蒸着装置の概略構成説明図、第３図はその位相制御
素子を応用した液晶防眩ミラーの断面図である。第４図
および第５図はそれぞれ従来の位相制御素子の説明断面
図である。 １……位相制御素子、２、５……透明電極 ３……反射膜、４、10……ガラス基板 ６、７……配向膜、８……液晶 11……第１層、12……第１拡散層 13……中間層、14……第２拡散層 15……第２層
するものであり、第１図はその説明断面図、第２図は用
いた蒸着装置の概略構成説明図、第３図はその位相制御
素子を応用した液晶防眩ミラーの断面図である。第４図
および第５図はそれぞれ従来の位相制御素子の説明断面
図である。 １……位相制御素子、２、５……透明電極 ３……反射膜、４、10……ガラス基板 ６、７……配向膜、８……液晶 11……第１層、12……第１拡散層 13……中間層、14……第２拡散層 15……第２層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 康訓 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 元廣 友美 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−49508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−132203（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】第１材料から斜め蒸着により形成された第
１層と、 透明材料から該第１層表面に形成され光学的に略等方性
の中間層と、 第２材料から該中間層表面に斜め蒸着により形成された
第２層と、を有し、 該第１層と該中間層との間には該第１材料および該透明
材料が混在する第１拡散層が、該第２層と該中間層との
間には該第２材料および該透明材料が混在する第２拡散
層が形成され、該第１層および該第２層は該中間層と一
体的に結合していることを特徴とする位相制御素子。 - 【請求項２】中間層は垂直蒸着により形成され、厚さ0.
05〜0.5μｍのアモルファス状である特許請求の範囲第
１項記載の位相制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138599A JP2570746B2 (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 位相制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138599A JP2570746B2 (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 位相制御素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301905A JPS63301905A (ja) | 1988-12-08 |
| JP2570746B2 true JP2570746B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=15225857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138599A Expired - Fee Related JP2570746B2 (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 位相制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570746B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4472505B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-06-02 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、これを用いた光学補償板、光学補償偏光板、積層型光学補償板、液晶表示素子用基板および液晶表示素子、ならびに積層体の製造方法 |
| JP2009093097A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP62138599A patent/JP2570746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63301905A (ja) | 1988-12-08 |
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