JP2570746B2 - Phase control element - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は入射光に対する複屈折作用を有する位相制御
素子に関する。本発明の位相制御素子は、液晶防眩ミラ
ーなどに利用することができる。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a phase control element having a birefringent action on incident light. The phase control element of the present invention can be used for a liquid crystal anti-glare mirror and the like.
[従来の技術] 従来より、基板表面に誘電体材料の斜め蒸着膜を形成
した位相制御素子が知られている。例えば実開昭60−41
927号、特開昭61−84625号公報などには、位相制御素子
をもつ液晶防眩ミラーが開示されている。[Prior Art] Conventionally, a phase control element in which an obliquely deposited film of a dielectric material is formed on a substrate surface is known. For example, 60-41
No. 927 and JP-A-61-84625 disclose a liquid crystal anti-glare mirror having a phase control element.
この従来の位相制御素子は、第4図に示すように基板
100と、基板100表面に斜め蒸着法により形成された斜め
蒸着膜200とより構成されている。この斜め蒸着膜200
は、蒸発源からの蒸着物質の飛来方向に対して、基板10
0表面を所定角度傾けて配置して蒸着することにより形
成されたものである。この斜め蒸着膜200は、基板100表
面から斜め方向に成長する柱状組織を有し、以て入射光
に対する複屈折作用を有している。そして斜め蒸着膜20
0表面にポリイミドなどの配向膜を形成し、ラビング
法、または特開昭61−138231号公報に開示されている流
体噴射法などにより溝状凹凸面を形成した後、液晶を封
入している。As shown in FIG. 4, the conventional phase control element
100 and an obliquely deposited film 200 formed on the surface of the substrate 100 by an oblique deposition method. This obliquely deposited film 200
Corresponds to the direction of the substrate 10
It is formed by arranging the surface at a predetermined angle and depositing it. The obliquely deposited film 200 has a columnar structure that grows in an oblique direction from the surface of the substrate 100, and thus has a birefringent effect on incident light. And obliquely deposited film 20
0 An alignment film such as polyimide is formed on the surface, and a groove-like uneven surface is formed by a rubbing method or a fluid jet method disclosed in JP-A-61-138231, and then liquid crystal is sealed.
[発明が解決しようとする問題点] 斜め蒸着後は、上記したように柱状組織から構成され
ている。そのため機械的強度に劣るという不具合があ
る。特に膜厚が大きくなるほどその不具合も大きくな
る。例えば酸化タンタルから斜め蒸着膜を形成すると、
1/4波長(λ)板を形成するためにはその膜厚は2.3μm
にもなり、通常の限度とされている2μmよりはるかに
厚くなるため、強度に劣っていた。そのため、液晶素子
を形成する場合において配向膜に溝状凹凸面を形成する
際の摩擦、温度変化などにより、剥離が生ずる不具合が
あった。[Problems to be Solved by the Invention] After oblique deposition, it is composed of a columnar structure as described above. Therefore, there is a problem that the mechanical strength is inferior. In particular, the larger the film thickness, the greater the problem. For example, when forming an obliquely deposited film from tantalum oxide,
To form a quarter-wave (λ) plate, its film thickness is 2.3 μm
The thickness was much thicker than the usual limit of 2 μm, resulting in poor strength. For this reason, in forming a liquid crystal element, there is a problem that peeling occurs due to friction, temperature change, and the like when forming a groove-shaped uneven surface on the alignment film.
このような不具合を防止するために、従来種々の提案
がなされている。例えば第5図に示すように、一の斜め
蒸着膜201を形成した後、基板100の傾きを180度逆にし
て二の斜め蒸着膜202を形成したものがある。このよう
にして酸化タンタルから1/4波長(λ)板を形成すれ
ば、一度に厚く蒸着したものに比べて機械的強度を向上
させることができる。しかし一の斜め蒸着膜201と二の
斜め蒸着膜202との界面で剥離しやすいという不具合が
ある。Conventionally, various proposals have been made to prevent such a problem. For example, as shown in FIG. 5, there is one in which after forming one obliquely deposited film 201, the inclination of the substrate 100 is reversed by 180 degrees to form two obliquely deposited films 202. When a quarter-wave (λ) plate is formed from tantalum oxide in this manner, the mechanical strength can be improved as compared with a case in which the plate is thickly deposited at a time. However, there is a disadvantage that the film is easily peeled off at the interface between the one obliquely deposited film 201 and the second obliquely deposited film 202.
また、特願昭61−262520には、斜め蒸着膜を保護層で
保護した液晶素子が開示され、特願昭61−255318号に
は、ラビング処理後に成膜する透明電極で斜め蒸着膜を
構成した液晶素子が開示されている。Japanese Patent Application No. 61-262520 discloses a liquid crystal device in which an obliquely deposited film is protected by a protective layer. The disclosed liquid crystal element is disclosed.
本発明はこれらの提案と同様の観点からなされたもの
であり、機械的強度の向上した斜め蒸着膜をもつ位相制
御素子を提供することを目的とする。The present invention has been made from the same viewpoint as these proposals, and has as its object to provide a phase control element having an obliquely deposited film with improved mechanical strength.
[問題点を解決するための手段] 本発明の位相制御素子は、第1材料から斜め蒸着によ
り形成された第1層と、透明材料から第1層表面に形成
され光学的に略等方性の中間層と、第2材料から該中間
層表面に斜め蒸着により形成された第2層と、有し、 第1層と中間層との間には第1材料および透明材料が
混在する第1拡散層が、第2層と中間層との間には第2
材料および透明材料が混在する第2拡散層が形成され、
第1層および第2層は中間層と一体的に結合しているこ
とを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The phase control element of the present invention comprises a first layer formed by oblique deposition from a first material, and an optically substantially isotropic layer formed on a surface of the first layer by a transparent material. And a second layer formed from the second material on the surface of the intermediate layer by oblique vapor deposition, wherein the first material and the transparent material are mixed between the first layer and the intermediate layer. A diffusion layer is provided between the second layer and the intermediate layer.
Forming a second diffusion layer in which the material and the transparent material are mixed,
It is characterized in that the first layer and the second layer are integrally connected to the intermediate layer.
第1層は、第1材料を蒸発源として斜め蒸着により形
成された斜め蒸着膜から構成される。この第1材料には
導電性を有する複屈折異方性の大きな材料が用いられ、
二酸化スズ、酸化アンチモン、これらの複合酸化物、酸
化亜鉛とアルミナの複合酸化物、酸化亜鉛と酸化インジ
ウムの複合酸化物などを挙げることができる。The first layer is composed of an obliquely deposited film formed by oblique deposition using the first material as an evaporation source. As the first material, a conductive material having a large birefringence anisotropy is used.
Examples include tin dioxide, antimony oxide, composite oxides thereof, composite oxides of zinc oxide and alumina, composite oxides of zinc oxide and indium oxide, and the like.
この第1層は、通常ガラス、プラスチックなどの透明
基板表面に形成される。また斜め蒸着の方法としては、
真空蒸着、電子ビーム蒸着など公知の真空成膜法を用い
ることができる。This first layer is usually formed on the surface of a transparent substrate such as glass or plastic. Also, as a method of oblique deposition,
A known vacuum film formation method such as vacuum evaporation and electron beam evaporation can be used.
中間層は透明材料から形成され、光学的に略等方性で
ある。このような材料としてはシリカ(SiO2)、アルミ
ナ(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)などを挙げることが
できる。The intermediate layer is formed from a transparent material and is optically substantially isotropic. Examples of such a material include silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and zirconia (ZrO 2 ).
中間層は斜め蒸着ではなく、通常の垂直蒸着法により
形成するのが望ましい。このようにすればその組織はア
モルファス状となり、機械的強度に一層優れるようにな
る。そしてその膜厚は0.05〜0.5μmとするのが望まし
い。膜厚が0.05μmより薄いと第1層と第2層との接合
強度が低下して剥離しやすくなり、0.5μmより厚くな
ると入射光の位相制御性能などに悪影響が生ずる場合が
ある。0.1〜0.3μmが特に望ましい。なお、中間層の蒸
着方法は第1層と同様の方法を用いることができるが、
斜め蒸着膜ほど厳密な光学的機能を付与する必要がない
ので、付着力が強いスパッタリング、イオンプレーティ
ングなどの方法を用いるのが好ましい。The intermediate layer is desirably formed not by oblique evaporation but by a normal vertical evaporation method. By doing so, the structure becomes amorphous and the mechanical strength is further improved. The thickness is desirably 0.05 to 0.5 μm. When the thickness is less than 0.05 μm, the bonding strength between the first layer and the second layer is reduced and the film is easily peeled off. When the thickness is more than 0.5 μm, the phase control performance of incident light may be adversely affected. 0.1 to 0.3 μm is particularly desirable. In addition, the method of vapor deposition of the intermediate layer can be the same as that of the first layer,
Since it is not necessary to provide a strict optical function as in the case of the obliquely deposited film, it is preferable to use a method such as sputtering or ion plating which has a strong adhesive force.
第2層は、第2材料を蒸発源として斜め蒸着により形
成された斜め蒸着膜から構成される。第2材料としては
第1材料と同様のものを用いることができ、第1材料と
第2材料とは同一材料でもよいし異なった材料を用いる
こともできる。またその蒸着方法は第1図と同様の方法
を用いることができる。なお、第1層の組織の配向方向
と第2層の組織の配向方向とは、基板表面に立てた垂線
に対して対称に構成されているのが好ましい。このよう
にすれば位相制御性能は良好に維持できるとともに、機
械的強度に一層優れるようになる。The second layer is composed of an obliquely deposited film formed by oblique deposition using the second material as an evaporation source. As the second material, the same material as the first material can be used, and the first material and the second material can be the same material or different materials. In addition, the vapor deposition method can be the same as that shown in FIG. It is preferable that the orientation direction of the texture of the first layer and the orientation direction of the texture of the second layer are symmetric with respect to a vertical line formed on the substrate surface. By doing so, the phase control performance can be maintained satisfactorily, and the mechanical strength can be further improved.
本発明の最大の特徴は、第1層と中間層との間には第
1材料および透明材料が混在する第1拡散層が、第2層
と中間層との間には第2材料および透明材料が混在する
第2拡散層が形成されているところにある。このように
構成することにより、第1層および第2層は中間層と一
体的に結合するため機械的強度に優れ、剥離などの不具
合を防止することができる。The most important feature of the present invention is that a first diffusion layer in which a first material and a transparent material are mixed between a first layer and an intermediate layer, and a second material and a transparent material between the second layer and the intermediate layer. This is where a second diffusion layer in which materials are mixed is formed. With such a configuration, the first layer and the second layer are integrally bonded to the intermediate layer, so that the first layer and the second layer have excellent mechanical strength and can prevent a problem such as peeling.
第1拡散層および第2拡散層中の2つの材料の組成は
特に制限されない。厚さ方向に均一に混在していてもよ
いし、濃度勾配を有していることも望ましい。例えば、
第1拡散層において、第1層に近い側ほど第1材料が多
く、中間層に近いほど透明材料が多くなるように構成す
ることが望ましい。このようにすれば拡散層はその両側
の層との接合強度に優れ、以て位相制御素子の機械的強
度に優れるようになる。The composition of the two materials in the first diffusion layer and the second diffusion layer is not particularly limited. It may be uniformly mixed in the thickness direction, and it is also desirable to have a concentration gradient. For example,
In the first diffusion layer, it is desirable that the first material be more near the first layer and the transparent material be more near the intermediate layer. With this configuration, the diffusion layer has excellent bonding strength with the layers on both sides thereof, and thus has excellent mechanical strength of the phase control element.
第1拡散層および第2拡散層は、斜め蒸着によって形
成してもよいし、垂直蒸着によって形成することが望ま
しい。なおこれらの拡散層は複屈折性を有することが多
いので、その膜厚は薄くすることが望ましい。好ましく
は0.02〜0.1μmである。0.02μmより薄いと、両側の
層との接合強度の向上にほとんど寄与しない。The first diffusion layer and the second diffusion layer may be formed by oblique evaporation, or desirably formed by vertical evaporation. Since these diffusion layers often have birefringence, it is desirable to reduce the film thickness. Preferably it is 0.02-0.1 μm. When it is thinner than 0.02 μm, it hardly contributes to improvement of the bonding strength between the layers on both sides.
なお、第2層の表面に、さらに拡散層、中間層を介し
て斜め蒸着膜を積層した多層構造とすることもできる。Note that a multi-layer structure in which an obliquely deposited film is further laminated on the surface of the second layer via a diffusion layer and an intermediate layer may be employed.
本発明の位相制御素子を形成するには、まず第1材料
から斜め蒸着により第1層を成膜する。次に第1材料と
透明材料とを蒸発源として第1拡散層を成膜し、次に透
明材料のみを蒸発源として中間層を成膜する。そして透
明材料と第2材料とを蒸発源として第2拡散層を成膜
し、最後に第2材料から斜め蒸着により第2層を成膜す
る。このように連続的に各層を成膜することで位相制御
素子を形成でき、生産性に優れている。In order to form the phase control element of the present invention, first, a first layer is formed by oblique deposition from a first material. Next, a first diffusion layer is formed using the first material and the transparent material as an evaporation source, and then an intermediate layer is formed using only the transparent material as an evaporation source. Then, a second diffusion layer is formed using the transparent material and the second material as evaporation sources, and finally, a second layer is formed from the second material by oblique deposition. By continuously forming each layer as described above, a phase control element can be formed, and the productivity is excellent.
[発明の作用および効果] 本発明の位相制御素子では、斜め蒸着膜である第1層
と第2層とは、第1拡散層および第2拡散層を介してそ
れぞれ中間層と接合されている。そして中間層は等方性
の透明体であるので入射光に対する悪影響は少なく、第
1層と第2層とで位相制御の作用が奏される。すなわち
第1材料および第2材料の材質、第1層および第2層の
膜厚、それぞれの蒸着される角度によって、いかなる波
長の光を円偏光するかが規定される。また中間層は機械
的強度に優れているとともに、第1層および第2層と拡
散層を介して強固に接合されているので、層間の剥離も
防止される。従って全体としての機械的強度に優れてい
る。[Operation and Effect of the Invention] In the phase control element of the present invention, the first layer and the second layer, which are obliquely deposited films, are respectively connected to the intermediate layer via the first diffusion layer and the second diffusion layer. . Further, since the intermediate layer is an isotropic transparent body, there is little adverse effect on the incident light, and the first layer and the second layer exhibit a phase control action. That is, the wavelength of light to be circularly polarized is defined by the materials of the first and second materials, the thicknesses of the first and second layers, and the angles at which they are deposited. Further, the intermediate layer has excellent mechanical strength and is firmly joined to the first and second layers via the diffusion layer, so that separation between the layers is also prevented. Therefore, it has excellent mechanical strength as a whole.
従って本発明の位相制御素子によれば、液晶素子に適
用した場合のラビングによる溝状凹凸面形成時などに剥
離するのが防止され、温度変化などに対する耐久性にも
優れている。Therefore, according to the phase control element of the present invention, when applied to a liquid crystal element, the phase control element is prevented from peeling off at the time of forming a grooved uneven surface by rubbing, and is excellent in durability against temperature change and the like.
[実施例] 以下本発明により具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be described specifically.
第1図に本実施例の位相制御素子1の断面図を示す。
この位相制御素子1は、ガラス基板10と、 酸化タンタルから斜め蒸着により形成された第1層11
と、シリカから第1層11表面に形成され光学的に等方性
の中間層13と、酸化タンタルから中間層13表面に斜め蒸
着により形成された第2層15と、を有し、 第1層11と中間層13との間には酸化タンタルおよびシ
リカが混在する第1拡散層12が、第2層15と中間層13と
の間には酸化タンタルおよびシリカが混在する第2拡散
層14が形成され、第1層11および第2層15は中間層13と
一体的に結合している。FIG. 1 shows a sectional view of the phase control element 1 of the present embodiment.
The phase control element 1 includes a glass substrate 10 and a first layer 11 formed by oblique deposition from tantalum oxide.
And an optically isotropic intermediate layer 13 formed on the surface of the first layer 11 from silica, and a second layer 15 formed obliquely on the surface of the intermediate layer 13 from tantalum oxide. A first diffusion layer 12 in which tantalum oxide and silica are mixed between the layer 11 and the intermediate layer 13, and a second diffusion layer 14 in which tantalum oxide and silica are mixed between the second layer 15 and the intermediate layer 13. Is formed, and the first layer 11 and the second layer 15 are integrally connected to the intermediate layer 13.
次にこの位相制御素子1の形成方法を説明する。 Next, a method of forming the phase control element 1 will be described.
第2図に用いた蒸着装置の概略構成図を示す。この装
置は真空蒸着装置を示し、排気ポンプ306により真空状
態に維持される真空槽300と、真空槽300内に揺動可能に
配置された基板ホルダ301と、基板ホルダ301の下方でケ
ース300内に設けられた2つのるつぼ302、303と、るつ
ぼ302、303の上方に配置されそれぞれのるつぼを開閉す
るシャッター304、305と、より構成される。基板ホルダ
301には50mm×250mm×1.1mmの大きさのガラス基板10が
保持され、ガラス基板10はガラス基板10の表面中央から
下方に向けて降ろした垂線に対して左右対称に角度θ揺
動するように構成されている。また、るつぼ302、303中
には、それぞれ酸化タンタル(Ta2O5)、シリカ(Si
O2)が入れられ、図示しない電子銃により加熱される構
成である。FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of the vapor deposition apparatus used in FIG. This apparatus is a vacuum deposition apparatus, and includes a vacuum chamber 300 maintained in a vacuum state by an exhaust pump 306, a substrate holder 301 swingably disposed in the vacuum chamber 300, and a case 300 below the substrate holder 301 in a case 300. , Two crucibles 302 and 303, and shutters 304 and 305 arranged above the crucibles 302 and 303 to open and close the respective crucibles. Substrate holder
A glass substrate 10 having a size of 50 mm x 250 mm x 1.1 mm is held on the 301, and the glass substrate 10 swings at an angle θ symmetrically with respect to a vertical line lowered from the center of the surface of the glass substrate 10 downward. Is configured. The crucibles 302 and 303 contain tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) and silica (Si
O 2 ) is charged and heated by an electron gun (not shown).
(第1層の形成) まず第2層に示すようにガラス基板10を角度θ=70度
傾けた状態で、シャッター304を開けてシャッター305を
閉じ、るつぼ302中の酸化タンタルを蒸発させて、ガラ
ス基板10表面に酸化タンタルからなる第1層11を斜め蒸
着により成膜した。この第1層11の厚さは1.76μmであ
る。(Formation of First Layer) First, as shown in the second layer, with the glass substrate 10 tilted at an angle θ = 70 degrees, the shutter 304 is opened and the shutter 305 is closed, and the tantalum oxide in the crucible 302 is evaporated. A first layer 11 made of tantalum oxide was formed on the surface of the glass substrate 10 by oblique evaporation. The thickness of the first layer 11 is 1.76 μm.
(拡散層、中間層の形成) 次に基板ホルダ301を揺動させて角度θ=0度とし、
シャッター304とシャッター305の両方を開けて、酸化タ
ンタルとシリカの両方を同時に蒸発させ、第1層11表面
に酸化タンタルとシリカが混在した第1拡散層12を垂直
蒸着により成膜した。この第1拡散層12の厚さは0.05μ
mである。(Formation of Diffusion Layer and Intermediate Layer) Next, the substrate holder 301 is swung to set the angle θ to 0 degree,
Both the shutter 304 and the shutter 305 were opened to evaporate both tantalum oxide and silica at the same time, and a first diffusion layer 12 containing both tantalum oxide and silica was formed on the surface of the first layer 11 by vertical evaporation. The thickness of the first diffusion layer 12 is 0.05 μm.
m.
そしてシャッター304を閉じ、るつぼ303からシリカの
みを蒸発させて第1拡散層12表面にシリカからなる中間
層13を垂直蒸着により成膜した。この中間層13は透明な
アモルファス状であり、厚さは0.1μmである。Then, the shutter 304 was closed, and only silica was evaporated from the crucible 303 to form an intermediate layer 13 made of silica on the surface of the first diffusion layer 12 by vertical evaporation. This intermediate layer 13 is transparent and amorphous and has a thickness of 0.1 μm.
続いてシャッター304を開けて、酸化タンタルとシリ
カの両方を同時に蒸発させ、中間層13表面に酸化タンタ
ルとシリカが混在した第2拡散層14を垂直蒸着により成
膜した。この第2拡散層14の厚さは0.05μmである。Subsequently, the shutter 304 was opened to evaporate both tantalum oxide and silica at the same time, and a second diffusion layer 14 in which tantalum oxide and silica were mixed was formed on the surface of the intermediate layer 13 by vertical evaporation. The thickness of the second diffusion layer 14 is 0.05 μm.
(第2層の形成) 次にシャッター304を閉じ、基板ホルダ301を揺動させ
て角度θ=−70度傾けた状態で、るつぼ303中のシリカ
を蒸発させて、第2拡散層表面にシリカからなる第2層
15を斜め蒸着により成膜した。この第2層15の厚さは1.
76μmである。(Formation of Second Layer) Next, the shutter 304 is closed, and the substrate holder 301 is swung to incline the angle θ = −70 degrees to evaporate the silica in the crucible 303, and the silica is deposited on the second diffusion layer surface. The second layer consisting of
15 was formed by oblique evaporation. The thickness of the second layer 15 is 1.
76 μm.
(試験) 上記のようにして形成された位相制御素子1の強度
を、テープ摩耗試験および冷熱サイクル試験により評価
した。テーパ摩耗試験は摩耗輪にCS−10Fを用い、加重5
00gにて100回転させて表面状態を目視で判定した。また
冷熱サイクル試験は、−30℃と+85℃の条件下に各0.5
時間づつ放置するのを200サイクル行い、その後セロハ
ンテープによる剥離試験を施して表面状態を目視で判定
した。それぞれの結果を表に示す。なお、比較のため
に、第1拡散層、中間層および第2拡散層をもたないこ
と以外は実施例と同様に形成された、すなわち第1層と
第2層のみが形成された位相制御素子を従来例として同
様に試験し、結果を合わせて表に示す。(Test) The strength of the phase control element 1 formed as described above was evaluated by a tape wear test and a thermal cycle test. The taper wear test uses CS-10F for the wear wheel,
After 100 rotations at 00 g, the surface condition was visually determined. In addition, the thermal cycle test was performed at -30 ° C and + 85 ° C for 0.5
It was left to stand for 200 cycles, followed by a peel test with a cellophane tape, and the surface condition was visually determined. The results are shown in the table. For comparison, the phase control was performed in the same manner as in the example except that the first and second layers were not formed, except that the first and second layers were not formed. The device was similarly tested as a conventional example, and the results are shown in the table.
表より、本実施例の位相制御素子は従来の位相制御素
子に比べて強度が向上していることが明らかである。 From the table, it is clear that the phase control element of this embodiment has improved strength as compared with the conventional phase control element.
(液晶素子への応用) 上記実施例で得られた位相制御素子1を用いて、第3
図に示す液晶防眩ミラーを製造した。(Application to Liquid Crystal Element) Using the phase control element 1 obtained in the above embodiment,
The liquid crystal anti-glare mirror shown in the figure was manufactured.
位相制御素子1の第2層15表面にITO(Indium Tin O
×ide)を1200オングストロームの厚さスパッタリング
して、透明電極2を形成した。またガラス基板10の第1
層11と反対側表面には、スパッタリングによりアルミニ
ウム反射膜3を形成した。On the surface of the second layer 15 of the phase control element 1, ITO (Indium Tin O
× ide) was sputtered to a thickness of 1200 angstroms to form a transparent electrode 2. The first of the glass substrate 10
An aluminum reflective film 3 was formed on the surface opposite to the layer 11 by sputtering.
一方、ガラス基板10と同形状の表層ガラス基板4の表
面にITOを1200オングストロームの厚さで蒸着し、透明
電極5を形成した。On the other hand, a transparent electrode 5 was formed on the surface of the surface glass substrate 4 having the same shape as the glass substrate 10 by depositing ITO to a thickness of 1200 Å.
2つの透明電極2、5の表面にポリイミドを塗布し、
300℃で焼成して配向膜6、7を形成した。そして配向
膜6、7表面に綿でラビング処理を施して溝状凹凸面を
形成した後、配向膜6、7の間に液晶8を封入して液晶
防眩ミラーを得た。A polyimide is applied to the surfaces of the two transparent electrodes 2, 5,
By firing at 300 ° C., alignment films 6 and 7 were formed. The surfaces of the alignment films 6 and 7 were subjected to a rubbing treatment with cotton to form groove-shaped uneven surfaces, and then liquid crystal 8 was sealed between the alignment films 6 and 7 to obtain a liquid crystal anti-glare mirror.
この液晶防眩ミラーでは、製造工程中に位相制御素子
1に対してラビング処理を施したが、膜の剥離などの不
具合は生じず、良好な表示を与えることができる。In this liquid crystal anti-glare mirror, the rubbing treatment is performed on the phase control element 1 during the manufacturing process, but no problem such as peeling of the film occurs and a good display can be provided.
第1図〜第3図は本発明の一実施例の位相制御素子に関
するものであり、第1図はその説明断面図、第2図は用
いた蒸着装置の概略構成説明図、第3図はその位相制御
素子を応用した液晶防眩ミラーの断面図である。第4図
および第5図はそれぞれ従来の位相制御素子の説明断面
図である。 1……位相制御素子、2、5……透明電極 3……反射膜、4、10……ガラス基板 6、7……配向膜、8……液晶 11……第1層、12……第1拡散層 13……中間層、14……第2拡散層 15……第2層1 to 3 relate to a phase control element according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is an explanatory sectional view, FIG. 2 is a schematic structural explanatory view of a vapor deposition apparatus used, and FIG. It is sectional drawing of the liquid crystal anti-glare mirror to which the phase control element is applied. 4 and 5 are explanatory sectional views of a conventional phase control element. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Phase control element, 2,5 ... Transparent electrode 3 ... Reflection film, 4,10 ... Glass substrate 6,7 ... Alignment film, 8 ... Liquid crystal 11 ... First layer, 12 ... Second 1 diffusion layer 13 ... intermediate layer, 14 ... second diffusion layer 15 ... second layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 康訓 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の1 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 元廣 友美 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の1 株式会社豊田中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−49508(JP,A) 特開 昭63−132203(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor: Yasukun Taga 41-Cho, Yokomichi, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi Prefecture Inside Toyota Central R & D Laboratories Co., Ltd. 41, Yokomichi, Toyoda Central Research Institute, Inc. (56) References JP-A-59-49508 (JP, A) JP-A-63-132203 (JP, A)
Claims (2)
1層と、 透明材料から該第1層表面に形成され光学的に略等方性
の中間層と、 第2材料から該中間層表面に斜め蒸着により形成された
第2層と、を有し、 該第1層と該中間層との間には該第1材料および該透明
材料が混在する第1拡散層が、該第2層と該中間層との
間には該第2材料および該透明材料が混在する第2拡散
層が形成され、該第1層および該第2層は該中間層と一
体的に結合していることを特徴とする位相制御素子。A first layer formed by oblique deposition from a first material; an optically substantially isotropic intermediate layer formed on a surface of the first layer from a transparent material; and an intermediate layer formed from a second material. A second layer formed on the surface by oblique vapor deposition, and a first diffusion layer in which the first material and the transparent material are mixed between the first layer and the intermediate layer; A second diffusion layer in which the second material and the transparent material are mixed is formed between the layer and the intermediate layer, and the first layer and the second layer are integrally bonded to the intermediate layer. A phase control element characterized by the above-mentioned.
05〜0.5μmのアモルファス状である特許請求の範囲第
1項記載の位相制御素子。2. The method according to claim 1, wherein the intermediate layer is formed by vertical vapor deposition and has a thickness of 0.1 mm.
2. The phase control device according to claim 1, wherein said phase control device is in an amorphous state having a thickness of from 0.05 to 0.5 [mu] m.
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JP62138599A JP2570746B2 (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Phase control element |
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JPS63301905A JPS63301905A (en) | 1988-12-08 |
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- 1987-06-02 JP JP62138599A patent/JP2570746B2/en not_active Expired - Fee Related
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