JP2570082Y2 - Plasma equipment - Google Patents
Plasma equipmentInfo
- Publication number
- JP2570082Y2 JP2570082Y2 JP1991074797U JP7479791U JP2570082Y2 JP 2570082 Y2 JP2570082 Y2 JP 2570082Y2 JP 1991074797 U JP1991074797 U JP 1991074797U JP 7479791 U JP7479791 U JP 7479791U JP 2570082 Y2 JP2570082 Y2 JP 2570082Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- horn
- process gas
- reaction chamber
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本考案は主に高集積半導体素子の
製造に用いられるプラズマ装置に関し、特にプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma apparatus mainly used for manufacturing a highly integrated semiconductor device, and more particularly to a plasma apparatus.
It relates to a VD device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子サイクロトロン共鳴を利用したプラ
ズマ装置は低ガス圧で活性度の高いプラズマを生成で
き、イオンエネルギ−の広範囲な選択が可能であり、ま
た大きなイオン電流がとれ、イオン流の指向性、均一性
に優れるなどの利点があり、高集積半導体素子の製造を
行ううえで必要とされる成膜、エッチング工程に欠かせ
ないものとしてその研究, 開発が進められている。2. Description of the Related Art A plasma apparatus utilizing electron cyclotron resonance can generate highly active plasma at a low gas pressure, can select a wide range of ion energies, can obtain a large ion current, and can direct ion current. It has advantages such as excellent properties and uniformity, and has been studied and developed as being indispensable for the film forming and etching steps required for manufacturing a highly integrated semiconductor device.
【０００３】図２は特開昭６３−１１４９８５号公報に
開示されたプラズマ装置の縦断面図であり、図中１はプ
ラズマ生成室である。プラズマ生成室１はステンレス鋼
製であって、周囲壁を二重構造として水冷ジャケット１
ａを備える中空円筒形に形成され、上部壁中央には石英
ガラス板１ｂで閉鎖されたマイクロ波導入口１ｃを備
え、また下部壁中央には前記マイクロ波導入口１ｃと対
向する位置にマイクロ波引出窓１ｄを備えており、前記
マイクロ波導入口１Ｃには導波管２の一端部が接続さ
れ、またプラズマ引出窓１ｄにはこれに臨ませて反応室
３が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室１及びこれ
に連結された導波管２の一端部にわたって励磁コイル４
が周設せしめられている。プラズマ生成室１の上面には
ガス供給管１ｇが連結されており、水冷ジャケット１ａ
には冷却水の供給管１ｈ及び排出管１ｉが連結されてい
る。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a plasma apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-114985. In the figure, reference numeral 1 denotes a plasma generation chamber. The plasma generation chamber 1 is made of stainless steel and has a double-walled surrounding wall, and a water-cooled jacket 1.
a microwave inlet 1c closed at the center of the upper wall with a quartz glass plate 1b, and a microwave outlet window at the center of the lower wall facing the microwave inlet 1c. 1d, one end of a waveguide 2 is connected to the microwave introduction port 1C, and a reaction chamber 3 is provided in the plasma extraction window 1d so as to face the plasma extraction window 1d. An exciting coil 4 extends over one end of a chamber 1 and a waveguide 2 connected thereto.
Is set around. A gas supply pipe 1g is connected to the upper surface of the plasma generation chamber 1, and a water cooling jacket 1a is provided.
Is connected to a supply pipe 1h and a discharge pipe 1i of the cooling water.
【０００４】導波管２の他端部は図示しないマイクロ波
発振器に接続されており、ここで発せられたマイクロ波
をマイクロ波導入口１ｃからプラズマ生成室１内に導入
するようにしてある。励磁コイル４は図示しない直流電
源に接続されており、直流電流の通流によってプラズマ
生成室１内にマイクロ波の導入によりプラズマを生成し
得るよう磁界を形成すると共に、反応室３側に向けて磁
束密度が低くなる発散磁界を形成し、プラズマ生成室１
内に生成されたプラズマを反応室３内に導入せしめるよ
うになっている。反応室３は中空の円筒形に形成され、
プラズマ引出窓１ｄと対向する底壁に図示しない排気装
置に連なる排気口3aを開口してあり、また反応室３内に
は前記プラズマ引出窓１ｄと対向する位置に試料の載置
台５が配設されている。The other end of the waveguide 2 is connected to a microwave oscillator (not shown), and the microwave generated here is introduced into the plasma generation chamber 1 from the microwave inlet 1c. The exciting coil 4 is connected to a DC power supply (not shown). The exciting coil 4 forms a magnetic field so that plasma can be generated by introducing microwaves into the plasma generating chamber 1 by passing a DC current, and the magnetic field is directed toward the reaction chamber 3. A divergent magnetic field that reduces the magnetic flux density is formed, and the plasma generation chamber 1
The plasma generated therein is introduced into the reaction chamber 3. The reaction chamber 3 is formed in a hollow cylindrical shape,
An exhaust port 3a connected to an exhaust device (not shown) is opened in a bottom wall facing the plasma extraction window 1d, and a sample mounting table 5 is disposed in the reaction chamber 3 at a position facing the plasma extraction window 1d. Have been.
【０００５】そしてこの装置にあっては前記プラズマ引
出窓１ｄから載置台５に至る間にホーン６が配設されて
いる。このホーン６は上端部の内径がプラズマ引出窓1d
の直径に略等しく設定され、ここから下端部に向かうに
従って内径を拡大し、下端部では内径が載置台５の直径
と略等しくなるよう設定されており、前記上端部をプラ
ズマ引出窓１ｄの反応室側の開口部にこれと同心状に固
定され、上端部は載置台５の上方にこれとの間に所要の
間隔を隔てて位置するよう延在されている。３ｇはプロ
セスガスを供給するガス供給管であり、反応室３の側壁
及びホーン６の周壁を貫通して延在させ、その先端をホ
ーン６の周壁内面に開口せしめてある。In this apparatus, a horn 6 is provided between the plasma extraction window 1d and the mounting table 5. This horn 6 has a plasma extraction window 1d with an inner diameter at the upper end.
The diameter is set to be substantially equal to the diameter of the mounting table 5, and the inner diameter is set to be substantially equal to the diameter of the mounting table 5 at the lower end. It is fixed concentrically to the opening on the chamber side, and its upper end extends above the mounting table 5 so as to be located at a required distance from the mounting table 5. Reference numeral 3g denotes a gas supply pipe for supplying a process gas. The gas supply pipe extends through the side wall of the reaction chamber 3 and the peripheral wall of the horn 6, and its tip is opened on the inner surface of the peripheral wall of the horn 6.
【０００６】而してこのような装置にあっては反応室３
の載置台５上に試料Ｓを装着して所定温度に加熱維持し
プラズマ生成室１，反応室３内を所要の真空度に設定し
た後、ガス供給管１ｇからプラズマ生成室１にＯ2 を供
給し、ガス供給管３ｇから反応室３にＳｉＨ4 を供給
し、励磁コイル４に直流電流を通流すると共に、導波管
２を通じてマイクロ波を導入して電子サイクロトロン共
鳴条件を成立させてプラズマを発生せしめる。発生させ
たプラズマは励磁コイル４にて形成される磁界の作用に
よりプラズマ引出窓１ｄを通じて反応室３内の試料Ｓ周
辺に投射され、試料ＳにＳｉＯ2 が成膜される。この装
置にあっては、ガス供給管３ｇから供給されるプロセス
ガスはプラズマ投射域に沿うよう配したホーン６を通じ
て直接プラズマ流内に導かれることとなり、プラズマ流
との接触機会が多くなって、プロセスガスに無駄を生じ
ない。In such an apparatus, the reaction chamber 3
After mounting the sample S on the mounting table 5 and maintaining the temperature at a predetermined temperature and setting the inside of the plasma generation chamber 1 and the reaction chamber 3 to a required degree of vacuum, O 2 is supplied from the gas supply pipe 1 g to the plasma generation chamber 1. Then, SiH 4 is supplied from the gas supply pipe 3 g to the reaction chamber 3, a DC current is passed through the exciting coil 4, and microwaves are introduced through the waveguide 2 to establish the electron cyclotron resonance conditions, thereby achieving plasma. Cause. The generated plasma is projected around the sample S in the reaction chamber 3 through the plasma extraction window 1d by the action of the magnetic field formed by the excitation coil 4, and SiO 2 is formed on the sample S. In this apparatus, the process gas supplied from the gas supply pipe 3g is directly guided into the plasma flow through the horn 6 arranged along the plasma projection area, and the chance of contact with the plasma flow increases. No waste of process gas.
【０００７】[0007]
【考案が解決しようとする課題】ところがこの種のプラ
ズマ装置にあっては、膜形成は試料Ｓ表面以外のホーン
６及び反応室３の内壁でも行われるので、このホーン及
び反応室３の付着物が剥離して試料Ｓに異物として付着
し、試料Ｓの成膜が不良になるという問題があった。However, in this type of plasma apparatus, the film is formed on the horn 6 and the inner wall of the reaction chamber 3 other than the surface of the sample S. There is a problem that the film is peeled off and adheres to the sample S as a foreign substance, and the film formation of the sample S becomes defective.
【０００８】本考案は斯かる事情に鑑みなされたもので
あり、ホーンと前記試料載置台との間にプロセスガス供
給管を設け、ホーンの端部外側にプロセスガスを遮断す
る遮断板を連設し、ホーン及び遮断板に通流路を内設す
ることにより、成膜中に試料表面以外で付着物が生じる
ことを抑制し、試料表面以外における付着物の剥離を抑
制することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and a process gas supply pipe is provided between a horn and the sample mounting table, and a blocking plate for blocking a process gas is provided outside the end of the horn. The purpose of the present invention is to provide a flow path inside the horn and the blocking plate, thereby suppressing the formation of deposits on the surface other than the sample surface during film formation, and suppressing the separation of the deposits on the surface other than the sample surface. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本考案のプラズマ装置
は、プラズマ生成室にて発生させたプラズマをプラズマ
引出窓より反応室に引き出し、該プラズマ引出窓に配設
したホーンを通じて試料載置台に導く一方、該反応室に
プロセスガスを供給するプラズマ装置において、前記ホ
ーンと前記試料載置台との間に設けられたプロセスガス
供給管と、前記ホーンの拡大端部外側に連設され、前記
プロセスガスの拡散を遮断する遮断板と、前記ホーン及
び前記遮断板に内設された、温度調節媒体を通流させる
通流路と、前記遮断板にＤＣ電圧又はＲＦ電圧を選択的
に印加させる手段とを備えたことを特徴とする。According to the plasma apparatus of the present invention, plasma generated in a plasma generation chamber is drawn into a reaction chamber from a plasma extraction window, and is guided to a sample mounting table through a horn provided in the plasma extraction window. On the other hand, in a plasma apparatus for supplying a process gas to the reaction chamber, a process gas supply pipe provided between the horn and the sample mounting table, and a process gas A blocking plate for blocking the diffusion of the horn, a flow passage provided inside the horn and the blocking plate for flowing a temperature control medium, and selectively applying a DC voltage or an RF voltage to the blocking plate.
And means for applying voltage to
【００１０】[0010]
【作用】本考案においては、ホーンに遮断板を連設し、
該遮断板の下側にプロセスガス供給リングを設けている
ので、遮断板によりプロセスガスの拡散が遮断され、プ
ロセスガスは試料周辺部のみに流れ、試料表面以外にお
ける成膜量が減少する。そしてホーン及び遮断板に内設
された通流路に冷却水又は熱水等を通流させて冷却又は
加熱することにより、ホーン及び遮断板の表面温度を一
定にすることができるので、熱膨張又は収縮によりホー
ン及び遮断板の付着物が剥離することが抑制され、更
に、遮断板にＤＣ電圧を印加することで付着物の剥離を
防止し、またＲＦ電圧を印加することで付着物の除去、
即ちクリーニングを行ない得る。 [Function] In the present invention, a horn is provided with a blocking plate,
Since the process gas supply ring is provided below the blocking plate, diffusion of the process gas is blocked by the blocking plate, and the process gas flows only to the peripheral portion of the sample, so that the amount of film formed on the surface other than the sample surface is reduced. By cooling or heating by passing cooling water or hot water through the flow path provided in the horn and the cutoff plate, the surface temperature of the horn and the cutoff plate can be kept constant, so that thermal expansion or deposits of the horn and the blocking plate is prevented from peeling off due to shrinkage, a further
At the same time, applying DC voltage to the cut-off plate
Prevention and removal of deposits by applying RF voltage,
That is, cleaning can be performed.
【００１１】[0011]
【実施例】以下本考案をＣＶＤ装置として構成した実施
例につき図面に基づき具体的に説明する。図１は本考案
に係るプラズマ装置の縦断面図であり、図中１はプラズ
マ生成室である。プラズマ生成室１はステンレス鋼製で
あって、周囲壁を二重構造として水冷ジャケット１ａを
備える中空円筒形に形成され、上部壁中央には石英ガラ
ス板１ｂで閉鎖されたマイクロ波導入口１ｃを備え、ま
た下部壁中央には前記マイクロ波導入口１ｃと対向する
位置にプラズマ引出窓１ｄを備えており、前記マイクロ
波導入口１ｃには導波管２の一端部が接続され、またプ
ラズマ引出窓１ｄにはこれに臨ませて反応室３が配設さ
れ、更に周囲にはプラズマ生成室１及びこれに連結され
た導波管２の一端部にわたって励磁コイル４が周設せし
められている。プラズマ生成室１の上面にはガス供給管
１ｇが連結されており、水冷ジャケット１ａには冷却水
の供給管１ｈ及び排出管１ｉが連結されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is configured as a CVD apparatus will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a plasma device according to the present invention, in which 1 is a plasma generation chamber. The plasma generation chamber 1 is made of stainless steel, has a double walled peripheral wall, is formed in a hollow cylindrical shape having a water cooling jacket 1a, and has a microwave inlet 1c closed at the center of the upper wall by a quartz glass plate 1b. In addition, a plasma extraction window 1d is provided at the center of the lower wall at a position facing the microwave introduction port 1c. One end of the waveguide 2 is connected to the microwave introduction port 1c, and the plasma extraction window 1d is connected to the plasma extraction window 1d. A reaction chamber 3 is disposed in front of this, and an excitation coil 4 is provided around the plasma generation chamber 1 and one end of the waveguide 2 connected thereto. A gas supply pipe 1g is connected to the upper surface of the plasma generation chamber 1, and a cooling water supply pipe 1h and a discharge pipe 1i are connected to the water cooling jacket 1a.
【００１２】導波管２の他端部は図示しないマイクロ波
発振器に接続されており、ここで発せられたマイクロ波
をマイクロ波導入口１ｃからプラズマ生成室１内に導入
するようにしてある。励磁コイル４は図示しない直流電
源に接続されており、直流電流の通流によってプラズマ
生成室１内にマイクロ波の導入によりプラズマを生成し
得るよう磁界を形成すると共に、反応室３側に向けて磁
束密度が低くなる発散磁界を形成し、プラズマ生成室１
内に生成されたプラズマを反応室３内に導入せしめるよ
うになっている。反応室３は中空の円筒形に形成され、
側壁に図示しない排気装置に連なる排気口３ａを開口し
てあり、また反応室３内には前記プラズマ引出窓１ｄと
対向する位置に試料Ｓの載置台５が配設されている。The other end of the waveguide 2 is connected to a microwave oscillator (not shown), and the microwave generated here is introduced into the plasma generation chamber 1 from the microwave inlet 1c. The exciting coil 4 is connected to a DC power supply (not shown). The exciting coil 4 forms a magnetic field so that plasma can be generated by introducing microwaves into the plasma generating chamber 1 by passing a DC current, and the magnetic field is directed toward the reaction chamber 3. A divergent magnetic field that reduces the magnetic flux density is formed, and the plasma generation chamber 1
The plasma generated therein is introduced into the reaction chamber 3. The reaction chamber 3 is formed in a hollow cylindrical shape,
An exhaust port 3a connected to an exhaust device (not shown) is opened on the side wall, and a mounting table 5 for the sample S is disposed in the reaction chamber 3 at a position facing the plasma extraction window 1d.
【００１３】そして前記プラズマ引出窓１ｄから載置台
５に至る間に防着体６が配設されている。防着体６は、
円錐台状であって上端部をプラズマ引出窓１ｄの反応室
３側の開口部に固定され、ここから下端部に向かうに従
って内径が拡大し、下端部では内径が試料Ｓの直径と略
等しくなるよう設定されたホーン６ａと、ホーン６ａの
端部外側に設けられたドーナツ型の遮断板６ｂとから構
成されている。防着体６には通流路６ｃが内設されてお
り、通流路６ｃは遮断板６ｂの側壁に連結された流体供
給管６ｄ及び流体排出管６ｅから冷却水又は熱水等の流
体を通流されるようになっている。そして遮断板６ｂの
下側には載置台５寄りにプロセスガス供給リング６ｆが
設けられている。プロセスガス供給リング６ｆは無数の
穴を有し、図示しないガス供給管に連結されており、該
ガス供給管から供給されたプロセスガスを前記穴より噴
出するようになっている。An attachment body 6 is provided between the plasma extraction window 1d and the mounting table 5. The protective body 6
It has a truncated cone shape, and the upper end is fixed to the opening of the plasma extraction window 1d on the reaction chamber 3 side. The inner diameter increases from here toward the lower end, and the inner diameter becomes substantially equal to the diameter of the sample S at the lower end. The horn 6a is configured as described above, and a donut-shaped blocking plate 6b provided outside the end of the horn 6a. A communication channel 6c is provided in the attachment body 6, and the communication channel 6c receives a fluid such as cooling water or hot water from a fluid supply pipe 6d and a fluid discharge pipe 6e connected to a side wall of the blocking plate 6b. It is made to flow. A process gas supply ring 6f is provided below the blocking plate 6b near the mounting table 5. The process gas supply ring 6f has an infinite number of holes, is connected to a gas supply pipe (not shown), and ejects the process gas supplied from the gas supply pipe through the holes.
【００１４】以上の如く構成された本案装置において
は、反応室３の載置台５上に試料Ｓを装着して所定温度
に加熱維持しプラズマ生成室１，反応室３内を所要の真
空度に設定した後、ガス供給管１ｇからＯ2 ガスをプラ
ズマ生成室１に供給し、プロセスガス供給リングに連結
されたガス供給管を通じて反応室３内にＳｉＨ4 ガスを
供給し、励磁コイル４に直流電流を通流すると共に、導
波管２を通じてマイクロ波を導入して電子サイクロトロ
ン共鳴条件を成立させてプラズマを発生せしめる。発生
させたプラズマは励磁コイル４にて形成される磁界の作
用によりプラズマ引出窓１ｄを通じて反応室３内の試料
Ｓ周辺に投射され、試料Ｓの表面に膜が形成される。In the apparatus of the present invention configured as described above, the sample S is mounted on the mounting table 5 of the reaction chamber 3 and is heated to a predetermined temperature to maintain the inside of the plasma generation chamber 1 and the reaction chamber 3 at a required degree of vacuum. After the setting, O 2 gas is supplied to the plasma generation chamber 1 from the gas supply pipe 1g, and SiH 4 gas is supplied into the reaction chamber 3 through the gas supply pipe connected to the process gas supply ring. A current is passed, and a microwave is introduced through the waveguide 2 to satisfy the electron cyclotron resonance condition and generate plasma. The generated plasma is projected around the sample S in the reaction chamber 3 through the plasma extraction window 1d by the action of the magnetic field formed by the exciting coil 4, and a film is formed on the surface of the sample S.
【００１５】このような本案装置にあっては、プロセス
ガス供給リング６ｆから噴出されるＳｉＨ4 ガスは遮断
板６ｂによりその拡散が抑制され、試料Ｓ周辺のみに流
れるので、試料Ｓ表面以外に成膜される量が少ない。そ
して通流路６ｃに冷却水又は熱水等を通流させて冷却又
は加熱すると防着体６の表面温度が一定に保持されるの
で、防着体６の壁面の付着物が熱膨張又は収縮等によっ
て剥離することが抑制される。また、防着体６の遮断板
６ｂにＤＣ電圧を印加すると遮断板６ｂの付着物が静電
力で拘束され、剥離が抑制される。さらに本案装置の構
造では、載置台５に保護部材を載置し、ＥＣＲプラズマ
を生じせしめてホーン部６ａ内壁の付着物を除去し、遮
断板６ｂにＲＦ電圧を印加してＲＦプラズマを生じせし
めて遮断板６ｂの付着物を除去することができる。In such an apparatus of the present invention, the diffusion of the SiH 4 gas spouted from the process gas supply ring 6f is suppressed by the blocking plate 6b and flows only around the sample S. The amount to be filmed is small. When the cooling or heating is performed by flowing cooling water or hot water through the flow passage 6c, the surface temperature of the deposition-inhibiting body 6 is kept constant, so that the deposit on the wall surface of the deposition-inhibiting body 6 thermally expands or contracts. For example, peeling is suppressed. Further, when a DC voltage is applied to the blocking plate 6b of the deposition-preventing body 6, the adhered matter on the blocking plate 6b is restrained by electrostatic force, and peeling is suppressed. Further, in the structure of the device of the present invention, a protective member is placed on the mounting table 5, ECR plasma is generated to remove deposits on the inner wall of the horn 6a, and an RF voltage is applied to the blocking plate 6b to generate RF plasma. Thus, the deposits on the blocking plate 6b can be removed.
【００１６】なお、本考案の実施例においては、通流路
に冷却水又は熱水等を通流させて冷却又は加熱する場合
につき説明しているが何らこれに限定されるものではな
く、水以外の液体又は空気等の気体を通流させることに
してもよい。そして、本考案の実施例においてはプロセ
スガス供給管としてプロセスガス供給リングを適用した
場合につき説明しているが何らこれに限定されるもので
はない。さらに、本考案の実施例においては本考案をＣ
ＶＤ装置に適用した場合につき説明しているが何らこれ
に限定されるものではなく、例えばエッチング装置、ス
パッタリング装置として適用し得ることは言うまでもな
い。In the embodiment of the present invention, the case where cooling or heating is performed by flowing cooling water or hot water through the flow passage is described, but the present invention is not limited thereto. Other liquids or gases such as air may be allowed to flow. In the embodiment of the present invention, the case where the process gas supply ring is used as the process gas supply pipe has been described, but the present invention is not limited to this. Further, in the embodiment of the present invention, the present invention
The case where the present invention is applied to a VD apparatus has been described, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can be applied to an etching apparatus or a sputtering apparatus.
【００１７】[0017]
【考案の効果】以上の如く本考案にあっては、ホーンと
前記試料載置台との間にプロセスガス供給管を設け、ホ
ーンの端部外側にプロセスガスを遮断する遮断板を連設
させて防着体を構成し、防着体に通流路を内設している
ので、遮断板によりプロセスガスの拡散が抑制されて試
料表面以外で付着物が生じることが抑制され、通流路に
温度調節御媒体を通流させることにより防着体の表面温
度が一定に保持されて防着体の付着物の剥離が抑制さ
れ、更に遮断板にＤＣ電圧又はＲＦ電圧を選択的に印加
させる手段とを備えることにより、試料に所望のプラズ
マ処理を施しているときには、遮断板にＤＣ電圧を印加
することで遮断板に付着した付着物を静電力で拘束し、
剥離を防ぎ、付着物の剥離による試料の汚染を防止でき
る。 また、付着物が多くなってきた際には、遮断板にＲ
Ｆ電圧を印加することにより、ＲＦプラズマを発生さ
せ、プラズマによるエッチング作用を用いて、遮断板の
付着物を除去する（クリーニング）ことができる等、本
考案は優れた効果を奏するものである。As described above, in the present invention, a process gas supply pipe is provided between the horn and the sample mounting table, and a blocking plate for blocking the process gas is provided outside the end of the horn. Since the protection body is formed and the flow passage is provided inside the protection body, the diffusion of the process gas is suppressed by the blocking plate, and the generation of the deposit on the surface other than the sample surface is suppressed. By flowing the temperature control medium, the surface temperature of the anti-adhesion body is kept constant, the separation of the adhered substance on the anti-adhesion body is suppressed , and a DC voltage or an RF voltage is selectively applied to the blocking plate.
Means for causing the sample to have the desired plasma
Apply DC voltage to the cut-off plate when applying
By doing so, the deposits on the blocking plate are restrained by electrostatic force,
Prevents peeling and prevents sample contamination due to peeling off of attached matter
You. When the amount of deposits increases, R
RF plasma is generated by applying the F voltage.
Of the barrier plate using the etching action of the plasma.
The present invention has excellent effects, such as the ability to remove adhered substances (cleaning) .
【図１】本考案の実施例を示す模式的縦断面図である。FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】従来装置の模式的縦断面図である。FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a conventional device.
１ プラズマ生成室 1d プラズマ引出窓 1g ガス供給管 ２ 導波管 ３ 反応室 ４ 励磁コイル ５ 載置台 ６ 防着体 6a ホーン 6b 遮断板 6c 通流路 6d 流体供給管 6e 流体排出管 6f プロセスガス供給リング Ｓ 試料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma generation chamber 1d Plasma extraction window 1g Gas supply pipe 2 Waveguide 3 Reaction chamber 4 Exciting coil 5 Mounting table 6 Protective body 6a Horn 6b Cut-off plate 6c Flow path 6d Fluid supply pipe 6e Fluid discharge pipe 6f Process gas supply Ring S sample
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 村上 智美 東京都千代田区大手町一丁目１番３号 住友金属工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−114985（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−104222（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tomomi Murakami 1-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Sumitomo Metal Industries, Ltd. (56) References JP-A-63-114985 (JP, A) JP-A Hei 3-104222 (JP, A)
Claims (1)
をプラズマ引出窓より反応室に引き出し、該プラズマ引
出窓に配設したホーンを通じて試料載置台に導く一方、
該反応室にプロセスガスを供給するプラズマ装置におい
て、前記ホーンと前記試料載置台との間に設けられたプ
ロセスガス供給管と、前記ホーンの拡大端部外側に連設
され、前記プロセスガスの拡散を遮断する遮断板と、前
記ホーン及び前記遮断板に内設された、温度調節媒体を
通流させる通流路と、前記遮断板にＤＣ電圧又はＲＦ電
圧を選択的に印加させる手段とを備えたことを特徴とす
るプラズマ装置。1. A plasma generated in a plasma generation chamber is drawn out of a plasma extraction window into a reaction chamber and guided to a sample mounting table through a horn provided in the plasma extraction window.
In a plasma apparatus for supplying a process gas to the reaction chamber, a process gas supply pipe provided between the horn and the sample mounting table, and a process gas diffusion pipe connected to an outside of an enlarged end of the horn, A cut-off plate, a flow path inside the horn and the cut-off plate, through which a temperature control medium flows, and a DC voltage or an RF voltage applied to the cut-off plate.
Means for selectively applying pressure .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991074797U JP2570082Y2 (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Plasma equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991074797U JP2570082Y2 (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Plasma equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519353U JPH0519353U (en) | 1993-03-09 |
| JP2570082Y2 true JP2570082Y2 (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=13557659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991074797U Expired - Fee Related JP2570082Y2 (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Plasma equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570082Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432203B1 (en) * | 1997-03-17 | 2002-08-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heated and cooled vacuum chamber shield |
| MX356141B (en) * | 2007-07-06 | 2018-05-16 | Evaco Llc | Carbon free dissociation of water and production of hydrogen related power. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0723547B2 (en) * | 1986-10-30 | 1995-03-15 | 住友金属工業株式会社 | Plasma equipment |
| JPH03104222A (en) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma treating device |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP1991074797U patent/JP2570082Y2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519353U (en) | 1993-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5423942A (en) | Method and apparatus for reducing etching erosion in a plasma containment tube | |
| JP5166591B2 (en) | Plasma etching reactor components, plasma etching reactor and method for processing semiconductor substrates | |
| JP2532401Y2 (en) | Bias ECR plasma CVD equipment | |
| TWI334173B (en) | ||
| JP3171222B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2002057146A (en) | Plasma processing chamber and baffle plate assembly | |
| JP3699142B2 (en) | Thin film forming equipment | |
| JPH0373523A (en) | Plasma etching device and plasma etching | |
| JP2005276618A (en) | Device and method for generating microplasma | |
| JPH07263353A (en) | Device and method for plasma treatment | |
| JPS6367332B2 (en) | ||
| JP2570082Y2 (en) | Plasma equipment | |
| JP2949874B2 (en) | ECR plasma CVD apparatus dry cleaning method | |
| JP3077516B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2005135801A (en) | Processor | |
| JP3432722B2 (en) | Plasma film forming method and plasma processing apparatus | |
| TWI830599B (en) | Manufacturing method for interior member of plasma processing chamber | |
| JP2001284331A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH06136541A (en) | Thin film forming device | |
| JP2901331B2 (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JP2000269202A (en) | Plasma treatment method and apparatus | |
| KR20230092634A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPH04318175A (en) | Bias ecr plasma cvd device | |
| JP2000082694A (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20240037738A (en) | Apparatus And Method for Treating Substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |