KR20230092634A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20230092634A
KR20230092634A KR1020210182194A KR20210182194A KR20230092634A KR 20230092634 A KR20230092634 A KR 20230092634A KR 1020210182194 A KR1020210182194 A KR 1020210182194A KR 20210182194 A KR20210182194 A KR 20210182194A KR 20230092634 A KR20230092634 A KR 20230092634A
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신지연
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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛의 온도가 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 열을 전달하는 가열 부재; 상기 가열 부재와 함께 상기 지지 유닛이 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 냉기를 전달하는 냉매가 경유하는 냉각 부재; 및 상기 냉매의 유체 흐름을 간섭하도록, 상기 냉각 부재의 내부를 가로질러 마련되는 와류 발생 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus of the present invention includes a support unit for supporting a substrate; a heating member that transfers heat to the support unit so that the temperature of the support unit is maintained at a process temperature; a cooling member through which a refrigerant passing along with the heating member delivers cold air to the support unit so that the support unit is maintained at a process temperature; and a vortex generating member provided across the inside of the cooling member to interfere with the fluid flow of the refrigerant.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

반도체 소자는 기판 상에 소정의 패턴을 형성함으로써 제조될 수 있다. 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등 다수의 공정이 반도체 제조 공정에 사용되는 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있다.A semiconductor device can be manufactured by forming a predetermined pattern on a substrate. When forming a predetermined pattern on a substrate, a number of processes such as a deposition process, a lithography process, and an etching process may be continuously performed in equipment used in a semiconductor manufacturing process. .

최근 들어 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(예를 들어, 웨이퍼(wafer))을 식각하는 건식 식각 공정(dry etching process)이 반도체 소자를 제조하는 데에 많이 이용되고 있다. 식각 공정에서 온도 제어는 공정의 정밀도를 위해 미세하게 조절될 필요가 있고, 이를 위한 개선의 노력이 지속적으로 이루어지고 있다.Recently, a dry etching process in which a substrate (eg, a wafer) is etched using a plasma process is widely used in manufacturing semiconductor devices. Temperature control in the etching process needs to be finely adjusted for process precision, and efforts for improvement are continuously being made.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 냉기를 전달하는 냉매에 와류를 발생시켜 온도 제어가 빠르게 이루어질 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. An object to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of quickly controlling the temperature by generating eddy currents in a refrigerant that delivers cold air.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛의 온도가 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 열을 전달하는 가열 부재; 상기 가열 부재와 함께 상기 지지 유닛이 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 냉기를 전달하는 냉매가 경유하는 냉각 부재; 및 상기 냉매의 유체 흐름을 간섭하도록, 상기 냉각 부재의 내부를 가로질러 마련되는 와류 발생 부재를 포함한다.One aspect (aspect) of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is a support unit for supporting a substrate; a heating member that transfers heat to the support unit so that the temperature of the support unit is maintained at a process temperature; a cooling member through which a refrigerant passing along with the heating member delivers cold air to the support unit so that the support unit is maintained at a process temperature; and a vortex generating member provided across the inside of the cooling member to interfere with the fluid flow of the refrigerant.

상기 냉각 부재는 상기 냉매가 경유하는 냉각 라인을 포함하고, 상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인에서 상기 지지 유닛에 연결되는 말단부에 마련될 수 있다.The cooling member may include a cooling line through which the refrigerant passes, and the vortex generating member may be provided at an end portion of the cooling line connected to the support unit.

상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인의 내주면에서 상기 냉매의 이동 경로를 가로 질러 마련되는 하나 이상의 돌출부를 포함할 수 잇다.The vortex generating member may include one or more protrusions provided on an inner circumferential surface of the cooling line to cross a moving path of the refrigerant.

상기 돌출부는, 상기 냉각 라인의 내주면에 일단이 고정되고 타단이 상기 냉각 라인의 중심부를 향해 연장될 수 있다.The protruding part may have one end fixed to an inner circumferential surface of the cooling line and the other end extending toward the center of the cooling line.

상기 돌출부는, 판 형태를 이룰 수 있다.The protruding part may form a plate shape.

상기 돌출부는, 상기 냉각 라인의 길이 방향을 따라 제1 위치로부터 상기 제1 위치와 이격되는 제2 위치를 향해 점차 두께가 증가될 수 있다.The protrusion may gradually increase in thickness from a first position toward a second position spaced apart from the first position along the length direction of the cooling line.

상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인의 내측에 이중의 관으로 제공되며 상기 돌출부가 마련되는 관 부재를 더 포함할 수 있다.The vortex generating member may further include a tube member provided as a double tube inside the cooling line and provided with the protrusion.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재를 도시한 전개도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인과 분리된 모습을 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
2 is a perspective view showing a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is installed in a cooling line.
3 is a front view showing a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention is installed in a cooling line.
4 is a perspective view showing a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention is installed in a cooling line.
5 is a front view illustrating a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention is installed in a cooling line.
6 is a development view showing a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
7 is a perspective view illustrating a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is separated from a cooling line.
8 is a front view illustrating a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is installed in a cooling line.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to completely inform the person who has the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as being "on" or "on" another element or layer, it is not only directly on the other element or layer, but also when another layer or other element is intervening therebetween. all inclusive On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that another element or layer is not intervened.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, it is needless to say that these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.Terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" means that a stated component, step, operation, and/or element is present in the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements. or do not rule out additions.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 건식 식각 공정을 이용하여 기판(W)을 처리하는 장치로서, 하우징(110), 지지 유닛(120), 플라즈마 생성 유닛(130), 샤워 헤드 유닛(140), 제1 가스 공급 유닛(150), 제2 가스 공급 유닛(160), 라이너(liner; 170), 배플 유닛(baffle unit; 180) 및 상부 모듈(190)을 포함할 수 있다. 예시적으로 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 100 is an apparatus for processing a substrate W using a dry etching process, and includes a housing 110, a support unit 120, a plasma generating unit 130, and a shower head unit. 140 , a first gas supply unit 150 , a second gas supply unit 160 , a liner 170 , a baffle unit 180 and an upper module 190 . Illustratively, the substrate processing apparatus 100 may process the substrate W using a plasma process.

하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 그 하부에 배기 홀(111)이 형성될 수 있다. 배기 홀(111)은 펌프(112)가 장착된 배기 라인(113)과 연결될 수 있다. 배기 홀(111)은 배기 라인(113)을 통해 플라즈마 공정 과정에서 발생된 반응 부산물과 하우징(110)의 내부에 잔여하는 가스를 하우징(110)의 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 하우징(110)의 내부 공간은 소정의 압력으로 감압될 수 있고, 진공이 형성될 수도 있다.The housing 110 provides a space in which a plasma process is performed. An exhaust hole 111 may be formed at a lower portion of the housing 110 . The exhaust hole 111 may be connected to the exhaust line 113 in which the pump 112 is mounted. The exhaust hole 111 may discharge reaction by-products generated during the plasma process and gas remaining inside the housing 110 to the outside of the housing 110 through the exhaust line 113 . In this case, the inner space of the housing 110 may be decompressed to a predetermined pressure, and a vacuum may be formed.

하우징(110)의 측벽에는 개구부(114)가 형성될 수 있다. 개구부(114)는 하우징(110)의 내부로 기판(W)이 출입하는 통로를 이룰 수 있다. 개구부(114)는 도어 어셈블리(115)에 의해 개폐될 수 있다.An opening 114 may be formed in a sidewall of the housing 110 . The opening 114 may form a passage through which the substrate W enters and exits the housing 110 . The opening 114 may be opened and closed by the door assembly 115 .

도어 어셈블리(115)는 외측 도어(115a) 및 도어 구동기(115b)를 포함할 수 있다. 외측 도어(115a)는 하우징(110)의 외벽에 제공될 수 있다. 외측 도어(115a)는 도어 구동기(115b)를 통해 상하 방향(제3 방향(30))으로 이동될 수 있다. 도어 구동기(115b)는 모터, 유압 실린더, 공압 실린더 등을 포함하여, 이에 의한 작동으로 구동될 수 있다.The door assembly 115 may include an outer door 115a and a door driver 115b. The outer door 115a may be provided on an outer wall of the housing 110 . The outer door 115a may be moved in a vertical direction (third direction 30) through a door driver 115b. The door actuator 115b may include a motor, a hydraulic cylinder, a pneumatic cylinder, and the like, and may be driven by operation thereof.

지지 유닛(120)은 하우징(110)의 내부 하측 영역에 설치될 수 있다. 지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있으나 이외에 다양한 구성의 변경이 가능하다. 다른 예로 지지 유닛(120)은 기계적 클램핑(mechanical clamping), 진공(vacuum) 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The support unit 120 may be installed in an inner lower region of the housing 110 . The support unit 120 may support the substrate W using electrostatic force, but other configurations may be changed. As another example, the support unit 120 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping or vacuum.

지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 경우, 베이스(121) 및 정전 척(ESC; Electro-Static Chuck)(122)을 포함할 수 있다.The support unit 120 may include a base 121 and an electro-static chuck (ESC) 122 when the substrate W is supported using electrostatic force.

정전 척(122)은 정전기력을 이용하여 그 상부에 안착되는 기판(W)을 지지할 수 있다. 정전 척(122)은 세라믹 재질로 제공될 수 있으며, 베이스(121) 상에 고정되도록 베이스(121)와 결합될 수 있다. 정전 척(122)은 구동 부재(미도시)를 이용하여 하우징(110)의 내부에서 상하 방향(제3 방향(30))으로 이동될 수도 있다. The electrostatic chuck 122 may support the substrate W to be seated thereon using electrostatic force. The electrostatic chuck 122 may be made of a ceramic material and may be coupled to the base 121 to be fixed on the base 121 . The electrostatic chuck 122 may be moved in a vertical direction (third direction 30) inside the housing 110 by using a driving member (not shown).

링 어셈블리(123)는 정전 척(122)의 테두리를 감쌀 수 있다. 링 어셈블리(123)는 링 형상으로 제공되어, 기판(W)의 테두리 영역을 지지하도록 구성될 수 있다. 링 어셈블리(123)는 포커스 링(focus ring; 123a) 및 절연 링(123b)을 포함할 수 있다. 포커스 링(123a)은 절연 링(123b)의 내측에 형성되며, 정전 척(122)을 감싸도록 제공된다. 이러한 포커스 링(123a)은 실리콘 재질로 이루어질 수 있으며, 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다. 절연 링(123b)은 포커스 링(123a)의 외측에 형성될 수 있으며, 포커스 링(123a)을 감쌀 수 있다. 절연 링(123b)은 쿼츠(quartz) 재질로 제공될 수 있다.The ring assembly 123 may surround an edge of the electrostatic chuck 122 . The ring assembly 123 may be provided in a ring shape and configured to support the edge area of the substrate (W). The ring assembly 123 may include a focus ring 123a and an insulating ring 123b. The focus ring 123a is formed inside the insulating ring 123b and is provided to surround the electrostatic chuck 122 . The focus ring 123a may be made of silicon, and may focus plasma onto the substrate W. The insulating ring 123b may be formed outside the focus ring 123a and may surround the focus ring 123a. The insulating ring 123b may be made of a quartz material.

한편, 링 어셈블리(123)는 포커스 링(123a)의 테두리에 밀착 형성되는 에지 링(edge ring)(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 에지 링은 플라즈마에 의해 정전 척(122)의 측면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the ring assembly 123 may further include an edge ring (not shown) formed in close contact with the edge of the focus ring 123a. The edge ring can prevent the side surface of the electrostatic chuck 122 from being damaged by plasma.

제1 가스 공급 유닛(150)은 링 어셈블리(123)의 상부나 정전 척(122)의 테두리 부분에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 가스를 공급할 수 있다. 제1 가스 공급 유닛(150)은 제1 가스 공급원(151) 및 제1 가스 공급 라인(152)을 포함할 수 있다.The first gas supply unit 150 may supply gas to remove foreign substances remaining on the top of the ring assembly 123 or on the rim of the electrostatic chuck 122 . The first gas supply unit 150 may include a first gas supply source 151 and a first gas supply line 152 .

제1 가스 공급원(151)은 이물질을 제거하기 위한 가스로 질소 가스(N2 gas)를 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 가스 공급원(151)은 다른 가스나 세정제 등을 공급할 수도 있다.The first gas supply source 151 may supply nitrogen gas (N2 gas) as a gas for removing foreign substances. However, the present embodiment is not limited thereto. The first gas supply source 151 may supply other gases or cleaning agents.

제1 가스 공급 라인(152)은 정전 척(122)과 링 어셈블리(123) 사이에 구비될 수 있다. 제1 가스 공급 라인(152)은 예를 들어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결될 수 있다. 그리고 제1 가스 공급 라인(152)은 포커스 링(123a)의 내부에 마련되어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결되도록 절곡되거나 구부러질 수도 있다.The first gas supply line 152 may be provided between the electrostatic chuck 122 and the ring assembly 123 . The first gas supply line 152 may be connected between the electrostatic chuck 122 and the focus ring 123a, for example. Also, the first gas supply line 152 may be provided inside the focus ring 123a and may be bent or bent to be connected between the electrostatic chuck 122 and the focus ring 123a.

가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는, 하우징(110)의 내부에서 식각 공정이 진행되면, 기판(W)의 온도가 공정 온도로 유지되도록 할 수 있다. 가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 지지 유닛(120)의 내부에 설치될 수 있다. 일례로, 가열 부재(124)는 정전 척(122)의 내부에 설치될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 베이스(121)의 내부에 설치될 수 있다.The heating member 124 and the cooling member 125 may maintain the temperature of the substrate W at the process temperature when the etching process proceeds inside the housing 110 . The heating member 124 and the cooling member 125 may be installed inside the support unit 120 . For example, the heating member 124 may be installed inside the electrostatic chuck 122 and the cooling member 125 may be installed inside the base 121 .

가열 부재(124)는 지지 유닛(120)의 온도가 공정 온도로 유지되도록 지지 유닛(120)으로 열을 전달할 수 있다. 예를 들어 가열 부재(124)는 열선을 포함할 수 있다. 냉각 부재(125)는 지지 유닛(120)의 온도가 공정 온도로 유지되도록 지지 유닛(120)으로 냉기를 전달할 수 있다. 예시적으로 냉각 부재(125)는 냉매가 흐르는 냉각 라인(127)을 포함할 수 있다. 게다가 냉각 부재(125)에는 후술하겠으나 간략하게 와류 발생 부재(128)가 마련되어 냉매가 지지 유닛(120)으로 냉기를 빠르게 전달할 수 있다.The heating element 124 may transfer heat to the support unit 120 so that the temperature of the support unit 120 is maintained at a process temperature. For example, the heating member 124 may include a heating wire. The cooling member 125 may transfer cold air to the support unit 120 so that the temperature of the support unit 120 is maintained at a process temperature. For example, the cooling member 125 may include a cooling line 127 through which a refrigerant flows. In addition, a vortex generating member 128, which will be described later, is provided in the cooling member 125 so that the refrigerant can rapidly transfer cold air to the support unit 120.

냉각 부재(125)는 냉각 장치(126)(chiller)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다. 냉각 장치(126)는 하우징(110)의 외부에 설치될 수 있다. 게다가 냉각 부재(125)는 배기 모듈(129)이 마련될 수 있다. 배기 모듈(129)은 냉매를 배출할 수 있는데, 유체의 흐름이 가속되도록 예시적으로 냉매를 강제 배출할 수 있고, 펌프 등의 구성이 마련될 수 있다.The cooling member 125 may receive a refrigerant using a cooling device 126 (chiller). The cooling device 126 may be installed outside the housing 110 . In addition, the cooling member 125 may be provided with an exhaust module 129 . The exhaust module 129 may discharge the refrigerant, illustratively forcibly discharges the refrigerant so that the flow of the fluid is accelerated, and a configuration such as a pump may be provided.

플라즈마 생성 유닛(130)은 방전 공간에 잔류하는 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 방전 공간은 하우징(110)의 내부 공간 중에서 지지 유닛(120)의 상부에 위치하는 공간을 의미할 수 있다.The plasma generating unit 130 may generate plasma from gas remaining in the discharge space. The discharge space may refer to a space located above the support unit 120 in the inner space of the housing 110 .

플라즈마 생성 유닛(130)은 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 모듈(190)에 설치되는 안테나 유닛(193)(antenna unit)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(122)을 하부 전극으로 이용할 수 있다. 예를 들어 플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 전극, 하부 전극, 상부 전원(131) 및 하부 전원(133)을 포함하여 구성될 수 있다.The plasma generating unit 130 may generate plasma in a discharge space inside the housing 110 using an inductively coupled plasma (ICP) source. In this case, the plasma generating unit 130 may use the antenna unit 193 installed on the upper module 190 as an upper electrode and use the electrostatic chuck 122 as a lower electrode. For example, the plasma generating unit 130 may include an upper electrode, a lower electrode, an upper power source 131 and a lower power source 133 .

상부 전원(131)은 상부 전극, 즉 안테나 유닛(193)에 전력을 인가할 수 있다. 상부 전원(131)은 플라즈마의 특성을 제어하도록 제공될 수 있다. 상부 전원(131)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(ion bombardment energy)를 조절할 수 있다.The upper power source 131 may apply power to the upper electrode, that is, the antenna unit 193 . An upper power source 131 may be provided to control the characteristics of plasma. The upper power source 131 may control, for example, ion bombardment energy.

상부 전원(131)과 안테나 유닛(193)을 연결하는 제1 전송 선로(132) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제1 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다. 제1 임피던스 정합 회로는 무손실 수동 회로로 작용하여 상부 전원(131)으로부터 안테나 유닛(193)으로 전기 에너지가 효과적으로(최대로) 전달되도록 할 수 있다.A first impedance matching circuit (not shown) may be provided on the first transmission line 132 connecting the upper power supply 131 and the antenna unit 193 for the purpose of impedance matching. The first impedance matching circuit may act as a lossless passive circuit to effectively (maximally) transfer electrical energy from the upper power source 131 to the antenna unit 193 .

하부 전원(133)은 하부 전극, 즉 정전 척(122)에 전력을 인가할 수 있다. 하부 전원(133)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 상부 전원(131)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.The lower power source 133 may apply power to the lower electrode, that is, the electrostatic chuck 122 . The lower power source 133 may serve as a plasma source for generating plasma or may serve to control characteristics of plasma together with the upper power source 131 .

하부 전원(133)과 정전 척(122)을 연결하는 제2 전송 선로(134) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제2 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다. 제2 임피던스 정합 회로는 제1 임피던스 정합 회로와 마찬가지로 무손실 수동 회로로 작용하여 하부 전원(133)으로부터 정전 척(122)으로 전기 에너지가 효과적으로(최대로) 전달되도록 할 수 있다.A second impedance matching circuit (not shown) may be provided on the second transmission line 134 connecting the lower power source 133 and the electrostatic chuck 122 for the purpose of impedance matching. Like the first impedance matching circuit, the second impedance matching circuit acts as a lossless passive circuit to effectively (maximally) transfer electrical energy from the lower power source 133 to the electrostatic chuck 122 .

샤워 헤드 유닛(140)은 정전 척(122)과 하우징(110)의 내부에서 상하로 대향되도록 설치될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(140)은 하우징(110)의 내부로 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 분사 홀(141)이 형성될 수 있으며, 정전 척(122)보다 더 큰 직경을 가지도록 마련될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(140)은 실리콘 재질로 제공되거나, 금속 재질로 제공될 수 있다.The shower head unit 140 may be installed so that the electrostatic chuck 122 and the inside of the housing 110 are vertically opposed. The shower head unit 140 may have a plurality of gas dispensing holes 141 to inject gas into the housing 110 and may have a larger diameter than the electrostatic chuck 122 . The shower head unit 140 may be made of silicon or metal.

제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)을 통해 하우징(110)의 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 제2 가스 공급 유닛(160)은 제2 가스 공급원(161) 및 제2 가스 공급 라인(162)을 포함할 수 있다.The second gas supply unit 160 may supply process gas into the housing 110 through the shower head unit 140 . The second gas supply unit 160 may include a second gas supply source 161 and a second gas supply line 162 .

제2 가스 공급원(161)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 에칭 가스(etching gas)를 공정 가스로 공급할 수 있다. 제2 가스 공급원(161)은 에칭 가스로 불소(fluorine) 성분을 포함하는 가스(예를 들어, SF6, CF4 등의 가스)를 공급할 수 있다.The second gas supply source 161 may supply an etching gas used to process the substrate W as a process gas. The second gas supply source 161 may supply a gas containing a fluorine component (eg, a gas such as SF6 or CF4) as an etching gas.

제2 가스 공급원(161)은 단일 개 구비되어 에칭 가스를 샤워 헤드 유닛(140)로 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 가스 공급원(161)은 복수 개 구비되어 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 공급하는 것도 가능하다.A single second gas supply source 161 may be provided to supply etching gas to the shower head unit 140 . However, the present embodiment is not limited thereto. A plurality of second gas supply sources 161 may be provided to supply process gas to the shower head unit 140 .

제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)과 샤워 헤드 유닛(140)을 연결할 수 있다. 제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)을 통해 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 이송하여, 에칭 가스가 하우징(110)의 내부로 유입될 수 있도록 한다.The second gas supply line 162 may connect the second gas supply source 161 and the shower head unit 140 . The second gas supply line 162 transfers the process gas supplied through the second gas supply source 161 to the shower head unit 140 so that the etching gas can flow into the housing 110 .

한편, 제2 가스 공급 유닛(160)은 증착 가스(deposition gas)를 공급하는 제2 가스 공급원(미도시)을 더 포함하는 것도 가능하다. 제2 가스 공급원은 기판(W) 패턴의 측면을 보호하여 이방성 에칭이 가능해지도록 샤워 헤드 유닛(140)으로 공급할 수 있다. 제2 가스 공급원은 C4F8, C2F4 등의 가스를 증착 가스로 공급할 수 있다.Meanwhile, the second gas supply unit 160 may further include a second gas supply source (not shown) for supplying deposition gas. The second gas supply source may be supplied to the shower head unit 140 to enable anisotropic etching by protecting the side surface of the substrate W pattern. The second gas supply source may supply a gas such as C4F8 or C2F4 as a deposition gas.

라이너(170)(월 라이너(wall-liner)일 수 있음)는 공정 가스가 여기되는 과정에서 발생되는 아크 방전, 기판 처리 공정 중에 발생되는 불순물 등으로부터 하우징(110)의 내측면을 보호할 수 있다. 라이너(170)는 하우징(110)의 내부에 상부와 하부가 각각 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다.The liner 170 (which may be a wall-liner) may protect the inner surface of the housing 110 from arc discharge generated during process gas excitation and impurities generated during a substrate processing process. . The liner 170 may be provided inside the housing 110 in a cylindrical shape with upper and lower portions respectively open.

라이너(170)는 하우징(110)의 내측벽에 인접하도록 제공될 수 있다. 라이너(170)의 상부에는 지지 링(171)이 구비될 수 있다. 지지 링(171)은 라이너(170)의 상부에서 외측 방향(제1 방향(10))으로 돌출될 수 있고, 하우징(110)의 상단에 놓여 라이너(170)를 지지할 수 있다.The liner 170 may be provided adjacent to the inner wall of the housing 110 . A support ring 171 may be provided on top of the liner 170 . The support ring 171 may protrude from the top of the liner 170 in an outward direction (first direction 10 ) and may be placed on top of the housing 110 to support the liner 170 .

배플 유닛(180)은 플라즈마의 공정 부산물, 미반응 가스 등을 배기하는 역할을 할 수 있다. 배플 유닛(180)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(120) 사이에 설치될 수 있다. 예를 들어 배플 유닛(180)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 상하 방향(제3 방향(30))으로 관통되는 복수 개의 관통 홀을 구비할 수 있다. 배플 유닛(180)은 관통 홀의 개수 및 형상에 따라 공정 가스의 흐름을 제어할 수 있다.The baffle unit 180 may serve to exhaust process by-products of plasma, unreacted gases, and the like. The baffle unit 180 may be installed between the inner wall of the housing 110 and the support unit 120 . For example, the baffle unit 180 may be provided in an annular ring shape and may include a plurality of through holes penetrating in a vertical direction (third direction 30 ). The baffle unit 180 may control the flow of process gas according to the number and shape of through holes.

상부 모듈(190)은 하우징(110)의 개방된 상부를 덮을 수 있다. 상부 모듈(190)은 윈도우 부재(191), 안테나 부재(192) 및 안테나 유닛(193)을 포함할 수 있다.The upper module 190 may cover the open top of the housing 110 . The upper module 190 may include a window member 191 , an antenna member 192 and an antenna unit 193 .

윈도우 부재(191)는 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시키기 위해 하우징(110)의 상부를 덮을 수 있다. 윈도우 부재(191)는 판(예를 들어, 원판) 형상으로 제공될 수 있으며, 절연 물질(예를 들어, 알루미나(Al2O3))을 소재로 하여 형성될 수 있다.The window member 191 may cover the top of the housing 110 to seal the inner space of the housing 110 . The window member 191 may be provided in a plate (eg, disk) shape, and may be formed of an insulating material (eg, alumina (Al 2 O 3 )).

윈도우 부재(191)는 유전체 창(dielectric window)을 포함할 수 있다 윈도우 부재(191)는 제2 가스 공급 라인(162)이 삽입되기 위한 통공이 형성될 수 있으며, 하우징(110)의 내부에서 플라즈마 공정이 수행될 때 파티클(particle)의 발생을 억제하기 위해 그 표면에 코팅막이 형성될 수 있다.The window member 191 may include a dielectric window. The window member 191 may have a through hole through which the second gas supply line 162 is inserted, and the plasma inside the housing 110 may be formed. A coating film may be formed on the surface to suppress the generation of particles when the process is performed.

안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)의 상부에 설치될 수 있고, 안테나 유닛(193)이 그 내부에 배치될 수 있도록 소정 크기의 공간이 제공될 수 있다. 예를 들어 안테나 부재(192)는 하부가 개방된 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 하우징(110)과 대응되는 직경을 가질 수 있다. 안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.The antenna member 192 may be installed above the window member 191, and a space of a predetermined size may be provided so that the antenna unit 193 may be disposed therein. For example, the antenna member 192 may be formed in a cylindrical shape with an open bottom and may have a diameter corresponding to that of the housing 110 . The antenna member 192 may be detachably attached to the window member 191 .

안테나 유닛(193)은 상부 전극으로서, 폐루프를 이루는 코일(평판 스파이럴(planar spiral) 형태일 수 있음)이 포함될 수 있다. 안테나 유닛(193)은 상부 전원(131)으로부터 공급되는 전력을 기초로 하우징(110)의 내부에 자기장 및 전기장을 생성하여, 샤워 헤드 유닛(140)를 통해 하우징(110)의 내부로 유입된 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다.The antenna unit 193, as an upper electrode, may include a coil (which may be in the form of a planar spiral) forming a closed loop. The antenna unit 193 generates a magnetic field and an electric field inside the housing 110 based on power supplied from the upper power source 131, and the gas introduced into the housing 110 through the shower head unit 140. can be excited into plasma.

이하에서는 도면을 참조하여 와류 발생 부재에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the vortex generating member will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 사시도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이다. 여기서 도 2 및 도 3에 개시되는 실시예는 와류 발생 부재(128)의 두께에 차이가 있고, 유체의 흐름을 간섭하는 기능은 서로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라 도 2와 도 3을 함께 설명하도록 한다.2 is a perspective view showing a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is installed in a cooling line. And Figure 3 is a front view showing a state in which the vortex generating member of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention is installed in the cooling line. Here, in the embodiments disclosed in FIGS. 2 and 3, the thickness of the vortex generating member 128 is different, and the function of interfering with the flow of fluid may be the same or similar to each other. Accordingly, FIGS. 2 and 3 will be described together.

도 2 및 도 3을 참조하면, 와류 발생 부재(128)는, 냉매의 유체 흐름을 간섭하여 냉매의 유체 흐름에 와류가 발생되도록, 냉각 부재(125)의 내부를 가로질러 마련될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the vortex generating member 128 may be provided across the inside of the cooling member 125 to interfere with the fluid flow of the refrigerant to generate a vortex in the fluid flow of the refrigerant.

냉각 부재(125)는 앞서 언급되는 바와 같이 냉매가 경유하는 냉각 라인(127)을 포함할 수 있고, 예시적으로 와류 발생 부재(128)는, 냉각 라인(127)에서 지지 유닛(120)에 연결되는 말단부에 마련될 수 있다. 냉각 라인(127)의 말단부는 지지 유닛(120)과 연결되는 냉각 라인(127)의 출구일 수 있다.As mentioned above, the cooling member 125 may include a cooling line 127 through which the refrigerant passes, and illustratively, the vortex generating member 128 is connected to the support unit 120 in the cooling line 127 It may be provided at the distal end. The distal end of the cooling line 127 may be an outlet of the cooling line 127 connected to the support unit 120 .

와류 발생 부재(128)는, 냉각 라인(127)의 내주면에서 냉매의 이동 경로를 가로 질러 마련되는 하나 이상의 돌출부를 포함할 수 있다.The vortex generating member 128 may include one or more protrusions provided across the refrigerant movement path on the inner circumferential surface of the cooling line 127 .

도 2를 참조하면 돌출부로 이루어지는 와류 발생 부재(128)는, 냉각 라인(127)의 내주면에 일단이 고정되고 타단이 냉각 라인(127)의 중심부를 향해 연장되는 판 형태를 이룰 수 있다. Referring to FIG. 2 , the vortex generating member 128 formed of a protrusion may have a plate shape in which one end is fixed to the inner circumferential surface of the cooling line 127 and the other end extends toward the center of the cooling line 127 .

도 3을 참조하면 와류 발생 부재(128)는, 도 2의 실시예와 유사하게 냉각 라인(127)의 내주면에 일단(고정단)이 고정되고 타단(자유단일 수 있음)이 냉각 라인(127)의 중심부를 향해 연장되는 돌출 구조를 가질 수 있다. Referring to FIG. 3, the vortex generating member 128 has one end (fixed end) fixed to the inner circumferential surface of the cooling line 127 and the other end (which may be a free end) similar to the embodiment of FIG. It may have a protruding structure extending toward the center of.

다만 와류 발생 부재(128)는 다양한 변형예가 가능하여, 돌출부가 냉각 라인(127)의 길이 방향을 따라 제1 위치(냉각 라인(127)의 길이 방향에서 후방일 있음)로부터 제2 위치(냉각 라인(127)의 길이 방향에서 후방으로서, 출구에 인접한 위치일 수 있음)를 향해 점차 두께가 증가될 수 있다. 이에 따라 유체는 와류 발생 부재(128)의 면을을 따라 이동되면서 흐름에 변화가 발생될 수 있다.However, the vortex generating member 128 may be modified in various ways, so that the protruding portion may move from a first position (rearward in the longitudinal direction of the cooling line 127) to a second position (cooling line 127) along the length direction of the cooling line 127. The thickness may gradually increase toward the rear in the longitudinal direction of 127, which may be a position adjacent to the outlet). Accordingly, the fluid may change in flow while moving along the surface of the vortex generating member 128 .

게다가 와류 발생 부재(128)는 유체의 흐름에 와류가 더욱 용이하게 발생되거나 회오리 형태가 더욱 큰 형태로 발생될 수 있게, 돌출부의 제1 위치와 제2 위치가 냉각 라인(127)의 길이 방향을 따라 가상의 직선 방향으로 마련되지 않고, 제1 위치에 대비하여 제2 위치가 좌우 어느 한 방향으로 꺾이는 구조를 가질 수 있다.In addition, the vortex generating member 128 has a first position and a second position of the protrusion in the longitudinal direction of the cooling line 127 so that a vortex can be more easily generated in the flow of the fluid or a whirlpool can be generated in a larger form. Accordingly, it may not be provided in a virtual straight direction, and may have a structure in which the second position is bent in either left or right direction compared to the first position.

그리고 와류 발생 부재(128)는 도 2 및 도 3을 참조하는 바와 같이, 냉각 라인(127)의 내주면을 따라 하나 이상(도 3 참조, 4개를 예시함) 마련되고, 삼각형의 형태를 이루는 것을 예시하였다. 그러나 이외에 다양한 변형예가 가능하다.And, as shown in FIGS. 2 and 3, one or more vortex generating members 128 are provided along the inner circumferential surface of the cooling line 127 (see FIG. 3, four are exemplified), forming a triangular shape exemplified. However, other various modifications are possible.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여 본 실시예의 변형예를 설명하도록 하며, 동일한 기능을 하는 동일한 구성의 중복되는 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, a modified example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5, and duplicate descriptions of the same components performing the same function will be omitted.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 사시도이며, 도 5는 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이고, 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재를 도시한 전개도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하여, 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.4 is a perspective view showing a state in which a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention is installed in a cooling line, and FIG. 5 is a cooling vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention 6 is a development view showing a vortex generating member of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. With reference to FIGS. 4 to 6 , differences from those described with reference to FIGS. 2 and 3 will be mainly described.

와류 발생 부재(128)는 앞서 설명되는 실시예와 달리 사각형의 판 형태를 이룰 수 있고, 평판이 아닌 곡판으로 이루어질 수 있다. 더불어 와류 발생 부재(128)는 앞서 설명되는 실시예와 동일하거나 유사하게 제1 위치와 제2 위치가 동일 선상에 마련되지 않고 좌우측 방향으로 꺾이는 구조를 가질 수도 있다.Unlike the above-described embodiment, the vortex generating member 128 may have a rectangular plate shape, and may be formed of a curved plate rather than a flat plate. In addition, the vortex generating member 128 may have a structure in which the first position and the second position are not provided on the same line but are bent in the left and right directions, the same as or similar to the above-described embodiment.

한편 앞서 설명되는 실시예에서는 돌출부로 이루어지는 와류 발생 부재(128)가 냉각 라인(127)의 내주면에 연결되는 것을 예시하였다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 이중 관 구조에 의해 탈착이 이루어지는 구조를 가질 수도 있다. 이에 대하여 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하도록 한다.Meanwhile, in the above-described embodiment, it was exemplified that the vortex generating member 128 formed of a protrusion is connected to the inner circumferential surface of the cooling line 127 . However, it is not limited thereto, and may have a structure in which attachment and detachment are performed by a double tube structure. This will be described with reference to FIGS. 7 and 8 .

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인과 분리된 모습을 도시한 사시도이고, 도 8은 본 발명의 제4 실시예에 기판 처리 장치의 와류 발생 부재가 냉각 라인에 설치된 모습을 도시한 정면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하여, 도 2 내지 도 6을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.7 is a perspective view showing a state in which the vortex generating member of the substrate processing apparatus is separated from the cooling line according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is the vortex generating member of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. It is a front view showing the state installed in the cooling line. With reference to FIGS. 7 and 8 , differences from those described with reference to FIGS. 2 to 6 will be mainly described.

와류 발생 부재(128)는 앞서 설명되는 제3 실시예의 와류 발생 부재(128)와 동일하거나 유사하게 사각형의 곡판 형태로 이루어지는 돌출부(128A)를 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며 제1 실시예의 와류 발생 부재(128)와 동일하거나 유사하게 삼삭형의 판 또는 삼각형의 곡판 형태로 이루어지는 돌출부(128A)를 포함할 수도 있다. The vortex generating member 128 may include a protrusion 128A having a rectangular curved plate shape identical to or similar to the vortex generating member 128 of the third embodiment described above. However, it is not limited thereto, and may include a protrusion 128A formed in the form of a triangular plate or a triangular curved plate, the same as or similar to the vortex generating member 128 of the first embodiment.

한편 앞서 설명되는 실시예와 달리, 본 실시예의 와류 발생 부재(128)는 관 부재(부호 도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다. 관 부재는 냉각 라인(127)의 내측에 이중의 관으로 제공될 수 있고, 돌출부(128A)가 설치될 수 있다.Meanwhile, unlike the previously described embodiment, the vortex generating member 128 of this embodiment may further include a pipe member (not shown). The tube member may be provided as a double tube inside the cooling line 127, and a protrusion 128A may be installed.

이에 따라 와류 발생 부재(128)는 냉각 라인(127)에 탈착되는 형태로 구비될 수 있어, 교체 등이 용이하고 기존의 장비에 설치 또한 가능하다. Accordingly, the vortex generating member 128 may be provided in a form that is detachable from the cooling line 127, so that replacement or the like is easy and installation in existing equipment is also possible.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.

100: 기판 처리 장치 110: 하우징
120: 지지 유닛 125: 냉각 부재
126: 냉각 장치 127: 냉각 라인
128: 와류 발생 부재 130: 플라즈마 생성 유닛
140: 샤워 헤드 유닛100: substrate processing device 110: housing
120: support unit 125: cooling member
126 cooling device 127 cooling line
128: vortex generating member 130: plasma generating unit
140: shower head unit

Claims (7)

기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛의 온도가 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 열을 전달하는 가열 부재;
상기 가열 부재와 함께 상기 지지 유닛이 공정 온도로 유지되도록 상기 지지 유닛으로 냉기를 전달하는 냉매가 경유하는 냉각 부재; 및
상기 냉매의 유체 흐름을 간섭하도록, 상기 냉각 부재의 내부를 가로질러 마련되는 와류 발생 부재를 포함하는, 기판 처리 장치.a support unit supporting the substrate;
a heating member that transfers heat to the support unit so that the temperature of the support unit is maintained at a process temperature;
a cooling member through which a refrigerant passing along with the heating member delivers cold air to the support unit so that the support unit is maintained at a process temperature; and
and a vortex generating member provided across the inside of the cooling member so as to interfere with the fluid flow of the coolant. 제1항에 있어서,
상기 냉각 부재는 상기 냉매가 경유하는 냉각 라인을 포함하고,
상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인에서 상기 지지 유닛에 연결되는 말단부에 마련되는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The cooling member includes a cooling line through which the refrigerant passes,
The substrate processing apparatus, wherein the vortex generating member is provided at a distal end connected to the support unit in the cooling line. 제1항에 있어서,
상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인의 내주면에서 상기 냉매의 이동 경로를 가로 질러 마련되는 하나 이상의 돌출부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
The vortex generating member includes one or more protrusions provided across a moving path of the coolant on an inner circumferential surface of the cooling line. 제3항에 있어서,
상기 돌출부는, 상기 냉각 라인의 내주면에 일단이 고정되고 타단이 상기 냉각 라인의 중심부를 향해 연장되는, 기판 처리 장치.According to claim 3,
The protruding part has one end fixed to the inner circumferential surface of the cooling line and the other end extending toward the center of the cooling line. 제4항에 있어서,
상기 돌출부는, 판 형태를 이루는, 기판 처리 장치.According to claim 4,
The protruding portion forms a plate shape, a substrate processing apparatus. 제4항에 있어서,
상기 돌출부는, 상기 냉각 라인의 길이 방향을 따라 제1 위치로부터 상기 제1 위치와 이격되는 제2 위치를 향해 점차 두께가 증가되는, 기판 처리 장치.According to claim 4,
The protruding portion gradually increases in thickness from a first position toward a second position spaced apart from the first position along the longitudinal direction of the cooling line. 제3항에 있어서,
상기 와류 발생 부재는, 상기 냉각 라인의 내측에 이중의 관으로 제공되며 상기 돌출부가 마련되는 관 부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.

According to claim 3,
The vortex generating member further includes a tube member provided as a double tube inside the cooling line and provided with the protruding portion.
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