JP2568883B2 - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
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- resin
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- photoresist composition
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は特定のアルカリ可溶性ノボラツク樹脂と1,2
−キノンジアジド化合物とからなる、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線等の輻射線に感応するポジ型フオトレジスト組成物で
あり、解像力、感度、耐熱性、現像性に優れた微細加工
用フオトレジスト組成物に関するものである。
−キノンジアジド化合物とからなる、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射
線等の輻射線に感応するポジ型フオトレジスト組成物で
あり、解像力、感度、耐熱性、現像性に優れた微細加工
用フオトレジスト組成物に関するものである。
本発明によるポジ型フオトレジストは半導体ウエハ
ー、またはガラス、セラミツクス、金属等の基板上にス
ピン塗布法またはローラー塗布法で0.5〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、
現像してポジ画像が得られる。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングする事により基板にパターン状の加
工を施す事ができる。代表的な応用分野はICなどの半導
体製造工程、液晶、サーマルヘツドなどの回路基板の製
造、更にその他のフオトフアブリケーシヨン工程であ
る。
ー、またはガラス、セラミツクス、金属等の基板上にス
ピン塗布法またはローラー塗布法で0.5〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、
現像してポジ画像が得られる。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングする事により基板にパターン状の加
工を施す事ができる。代表的な応用分野はICなどの半導
体製造工程、液晶、サーマルヘツドなどの回路基板の製
造、更にその他のフオトフアブリケーシヨン工程であ
る。
＜従来技術＞ ポジ型フオトレジスト組成物としては、一般にアルカ
リ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化
合物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボ
ラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化
合物」としてUSP−3666473号、USP−4115128号及びUSP
−4173470号等に、また最も典型的な組成物として「ク
レゾール−ホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イント
ロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」（L.
F.Thompson「Introduction to Microlithography」）
（ACS出版、No.219号、p112〜121）に記載されている。
リ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化
合物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボ
ラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化
合物」としてUSP−3666473号、USP−4115128号及びUSP
−4173470号等に、また最も典型的な組成物として「ク
レゾール−ホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イント
ロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」（L.
F.Thompson「Introduction to Microlithography」）
（ACS出版、No.219号、p112〜121）に記載されている。
結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨潤することなく
アルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像を
エツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエ
ツチングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に
有用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジ
ド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のアルカリ溶解性
を低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を
受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノ
ボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で
特異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ
型フオトレジストの感光物として特に有用である。
アルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像を
エツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエ
ツチングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に
有用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジ
ド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のアルカリ溶解性
を低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を
受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノ
ボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で
特異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ
型フオトレジストの感光物として特に有用である。
これまで、かかる観点からノボラツク樹脂とナフトキ
ノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フオト
レジストが開発、実用化され、1.5μｍ〜２μｍ程度ま
での線幅加工に於ては充分な成果をおさめてきた。
ノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フオト
レジストが開発、実用化され、1.5μｍ〜２μｍ程度ま
での線幅加工に於ては充分な成果をおさめてきた。
＜本発明が解決しようとする問題点＞ しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超
LSIなどの半導体基板の製造に於ては１μｍ以下の線幅
から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になつ
てきている。かかる用途に於ては、特に高い解像力、露
光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状再現
精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフオトレ
ジストが要求されている。
LSIなどの半導体基板の製造に於ては１μｍ以下の線幅
から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になつ
てきている。かかる用途に於ては、特に高い解像力、露
光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状再現
精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフオトレ
ジストが要求されている。
また、集積回路の集積度を高めるために、エツチング
方式が従来のウエツトエツチング方式からドライエツチ
ング方式に移行しているが、ドライエツチングの際には
レジストの温度が上昇するため熱変形等を起こさないよ
う、レジストには高い耐熱性が要求されている。レジス
トの耐熱性を改善するために重量平均分子量が2000以下
の成分を含まない樹脂を用いる（特開昭60−97347）こ
と、及びモノマーからトリマーまでの含量合計が10重量
％以下の樹脂を用いる（特開昭60−189739）ことが公開
されている。ところが、上記の低分子量成分を除去ある
いは減少させた樹脂を用いた場合、通常、感度が低下
し、さらにシリコン基板に対する密着性が悪化するとい
う欠点を有していた。
方式が従来のウエツトエツチング方式からドライエツチ
ング方式に移行しているが、ドライエツチングの際には
レジストの温度が上昇するため熱変形等を起こさないよ
う、レジストには高い耐熱性が要求されている。レジス
トの耐熱性を改善するために重量平均分子量が2000以下
の成分を含まない樹脂を用いる（特開昭60−97347）こ
と、及びモノマーからトリマーまでの含量合計が10重量
％以下の樹脂を用いる（特開昭60−189739）ことが公開
されている。ところが、上記の低分子量成分を除去ある
いは減少させた樹脂を用いた場合、通常、感度が低下
し、さらにシリコン基板に対する密着性が悪化するとい
う欠点を有していた。
一方、現像によつて本来除去されるべき露光部が十分
除去されずにわずかに残渣が生じたり、未露光部の微細
なレジストパターンの表層はがれが生じた場合には、現
像不良が起こる。この現像不良のあるレジストパターン
を有する基板をエツチングすると、本来エツチングされ
るべき箇所がエツチングされないことになり、その結果
１枚のウエハー内での全チツプ数に対する不良チツプの
割合が高まる。また特にパターンの間にこのような残渣
が生ずると実質的な解像力が低下することになり、現像
不良を起こさないレジストが同時に要求されてきたが、
これらの要求に対して、従来のポジ型フオトレジストで
は十分対応できないのが実情である。
除去されずにわずかに残渣が生じたり、未露光部の微細
なレジストパターンの表層はがれが生じた場合には、現
像不良が起こる。この現像不良のあるレジストパターン
を有する基板をエツチングすると、本来エツチングされ
るべき箇所がエツチングされないことになり、その結果
１枚のウエハー内での全チツプ数に対する不良チツプの
割合が高まる。また特にパターンの間にこのような残渣
が生ずると実質的な解像力が低下することになり、現像
不良を起こさないレジストが同時に要求されてきたが、
これらの要求に対して、従来のポジ型フオトレジストで
は十分対応できないのが実情である。
従つて、本発明の目的は、特に半導体デバイスの製造
において、 第一に露光部でのレジスト残渣及びスカムを生じない
ポジ型フオトレジスト組成物を提供することにある。
において、 第一に露光部でのレジスト残渣及びスカムを生じない
ポジ型フオトレジスト組成物を提供することにある。
第二に高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成
物を提供することにある。
物を提供することにある。
第三に高感度で、耐熱性に優れたレジスト像が得られ
るポジ型フオトレジスト組成物を提供することにある。
るポジ型フオトレジスト組成物を提供することにある。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討した結
果、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂を含むポジ型感光性樹脂組成物において、該ノボ
ラツク樹脂のダイマー含量が特定の範囲になるようコン
トロールすることにより現像不良を無くし、高解像力を
得るのに有用であることを見いだし本発明をなすにいた
つた。
果、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂を含むポジ型感光性樹脂組成物において、該ノボ
ラツク樹脂のダイマー含量が特定の範囲になるようコン
トロールすることにより現像不良を無くし、高解像力を
得るのに有用であることを見いだし本発明をなすにいた
つた。
更に、本発明者等は、該特定なノボラツク樹脂に特定
なキノンジアジド化合物を配合するとこの効果が特に顕
著であることを見いだした。
なキノンジアジド化合物を配合するとこの効果が特に顕
著であることを見いだした。
即ち、本発明の目的は、 キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラック
樹脂を含む感光性樹脂組成物において、該アルカリ可溶
性ノボラック樹脂が、合成されたノボラック樹脂を極性
溶媒に溶解し次いで水もしくは水−極性溶媒混合物に入
れて樹脂分を沈殿させる方法、又は250℃以上で10mmHg
以下の減圧留去方法により、その樹脂の中に含まれるダ
イマー量がノボラック樹脂の２〜６重量％の範囲に調整
されたものであり、更に該キノンジアジド化合物が、１
分子内に５個以上の芳香族水酸基を有するポリヒドロキ
シ化合物の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト
組成物。
樹脂を含む感光性樹脂組成物において、該アルカリ可溶
性ノボラック樹脂が、合成されたノボラック樹脂を極性
溶媒に溶解し次いで水もしくは水−極性溶媒混合物に入
れて樹脂分を沈殿させる方法、又は250℃以上で10mmHg
以下の減圧留去方法により、その樹脂の中に含まれるダ
イマー量がノボラック樹脂の２〜６重量％の範囲に調整
されたものであり、更に該キノンジアジド化合物が、１
分子内に５個以上の芳香族水酸基を有するポリヒドロキ
シ化合物の1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト
組成物。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラツク樹脂は、フ
エノール類１モルに対してアルデヒド類0.5〜1.0モルを
酸性触媒下付加縮合した後、ダイマー成分を一部除去す
ることによつて得られる。
エノール類１モルに対してアルデヒド類0.5〜1.0モルを
酸性触媒下付加縮合した後、ダイマー成分を一部除去す
ることによつて得られる。
フエノール類としては、フエノール、ｍ−クロルフエ
ノール、ｐ−クロルフエノール、ｏ−クロルフエノー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾー
ル、エチルフエノール、キシレノール、レゾルシノー
ル、ナフトール等を単独または２種以上の組み合わせで
使用することができる。また、アルデヒド類としては、
ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、フルフラール等を、酸性触媒としては塩酸、硫
酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を使用することができ
る。
ノール、ｐ−クロルフエノール、ｏ−クロルフエノー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾー
ル、エチルフエノール、キシレノール、レゾルシノー
ル、ナフトール等を単独または２種以上の組み合わせで
使用することができる。また、アルデヒド類としては、
ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、フルフラール等を、酸性触媒としては塩酸、硫
酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を使用することができ
る。
こうして得られたノボラツク樹脂の重量平均分子量
は、2000〜30000の範囲であることが好ましい。2000未
満では未露光部の現像後の膜減りが大きく、30000を越
えると現像速度が小さくなつてしまう。特に好適なのは
6000〜20000の範囲である。
は、2000〜30000の範囲であることが好ましい。2000未
満では未露光部の現像後の膜減りが大きく、30000を越
えると現像速度が小さくなつてしまう。特に好適なのは
6000〜20000の範囲である。
ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーシヨンクロ
マトグラフイーのポリスチレン換算値をもつて定義され
る。
マトグラフイーのポリスチレン換算値をもつて定義され
る。
ダイマー成分を調整する方法としては、例えば、常法
に従つてノボラツク樹脂を合成した後メタノール、エタ
ノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等の極性溶媒に溶解し、次いで水又
は水−極性溶媒混合物に入れて樹脂分を沈澱させる方法
がある。別の方法としては、アルカリ可溶性樹脂の合成
の際、所定時間反応後、通常は150℃〜200℃で減圧留去
を行つて水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シ
ユウ酸を除いているのに対し、230℃以上、好ましくは2
50℃以上で10mmHg以下の減圧留去を行うことにより、ダ
イマー成分を効率良く留去することができる。
に従つてノボラツク樹脂を合成した後メタノール、エタ
ノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等の極性溶媒に溶解し、次いで水又
は水−極性溶媒混合物に入れて樹脂分を沈澱させる方法
がある。別の方法としては、アルカリ可溶性樹脂の合成
の際、所定時間反応後、通常は150℃〜200℃で減圧留去
を行つて水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シ
ユウ酸を除いているのに対し、230℃以上、好ましくは2
50℃以上で10mmHg以下の減圧留去を行うことにより、ダ
イマー成分を効率良く留去することができる。
本発明で用いるノボラツク樹脂のダイマー含量は樹脂
全体の２〜６重量％の範囲にある。ダイマーの含量が少
ない方が現像不良をなくし、解像力を高める上で好まし
いが、２％未満に減少させるとアルカリ水溶液への溶解
性が悪化して感度が低下するのみならず、本発明の主目
的の一つである解像力も低下してしまう。更にシリコン
基板との密着性が悪くなるという欠点を生じ、好ましく
ない。
全体の２〜６重量％の範囲にある。ダイマーの含量が少
ない方が現像不良をなくし、解像力を高める上で好まし
いが、２％未満に減少させるとアルカリ水溶液への溶解
性が悪化して感度が低下するのみならず、本発明の主目
的の一つである解像力も低下してしまう。更にシリコン
基板との密着性が悪くなるという欠点を生じ、好ましく
ない。
ダイマー含量がなぜフオトレジストの解像力や現像性
と関係するのかは定かではないが、ノボラツク樹脂中の
他の低分子量成分、即ち残存モノマーやトリマーの量を
調節しても同様な効果は得られないことから、これはダ
イマーに特有な効果であるものと推定される。
と関係するのかは定かではないが、ノボラツク樹脂中の
他の低分子量成分、即ち残存モノマーやトリマーの量を
調節しても同様な効果は得られないことから、これはダ
イマーに特有な効果であるものと推定される。
本発明の効果を発現する上で、ノボラツク樹脂の原料
となるフエノール性化合物は既述のようにその種類を問
わないが、その成分の一つにｐ−クレゾールが含まれて
いることが好ましい。
となるフエノール性化合物は既述のようにその種類を問
わないが、その成分の一つにｐ−クレゾールが含まれて
いることが好ましい。
本発明に用いられる1,2−キノンジアジド化合物とし
ては、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、
1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸或いは1,2
−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸とポリヒドロ
キシ芳香族化合物とのエステルが用いられる。
ては、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、
1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸或いは1,2
−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸とポリヒドロ
キシ芳香族化合物とのエステルが用いられる。
該ポリヒドロキシ芳香族化合物としては、１分子中に
５個以上の芳香族水酸基を有するポリヒドロキシ化合物
であり、例えば、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキ
シベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロ
キシベンゾフエノン等のポリヒドロキシベンゾフエノン
類、ポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、ビス
（2,3,4−トリヒドロキシフエニル）メタン等のビス
〔（ポリ）ヒドロキシフエニル〕アルカン類、ポリヒド
ロキシ安息香酸エステル類、ビス（2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾイル）メタン、ビス（2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベン
ゾイル）アルカンまたはビス（ポリヒドロキシベンゾイ
ル）アリール類、アルキレン−ジ（ポリヒドロキシベン
ゾエート）類、2,4,6,3′,5′−ビフエニルペントー
ル、2,4,6,2′,4′,6′−ビフエニルヘキソール等のポ
リヒドロキシビフエニル類、4,4′,2″,3″,4″−ペン
タヒドロキシ−3,5,3′,5′−テトラメチルトリフエニ
ルメタン、2,3,4,2′,3′,4′,3″,4″−オクタヒドロ
キシ−5,5′−ジアセチルトリフエニルメタン等のポリ
ヒドロキシトリフエニルメタン類、3,3,3′,3′−テト
ラメチル−1,1′−スピロビ−インダン−5,6,7,5′,
6′,7′−ヘキソオール、3,3,3′,3′−テトラメチル−
1,1′−スピロビ−インダン−4,5,6,4′,5′,6′−ヘキ
ソオール、3,3,3′,3′−テトラメチル−1,1′−スピロ
ビ−インダン−4,5,6,5′,6′,7′−ヘキソオール等の
ポリヒドロキシスピロビ−インダン類あるいはケルセチ
ン、ルチン等のフラボノ色素類等を用いることができ
る。
５個以上の芳香族水酸基を有するポリヒドロキシ化合物
であり、例えば、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキ
シベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロ
キシベンゾフエノン等のポリヒドロキシベンゾフエノン
類、ポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、ビス
（2,3,4−トリヒドロキシフエニル）メタン等のビス
〔（ポリ）ヒドロキシフエニル〕アルカン類、ポリヒド
ロキシ安息香酸エステル類、ビス（2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾイル）メタン、ビス（2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベン
ゾイル）アルカンまたはビス（ポリヒドロキシベンゾイ
ル）アリール類、アルキレン−ジ（ポリヒドロキシベン
ゾエート）類、2,4,6,3′,5′−ビフエニルペントー
ル、2,4,6,2′,4′,6′−ビフエニルヘキソール等のポ
リヒドロキシビフエニル類、4,4′,2″,3″,4″−ペン
タヒドロキシ−3,5,3′,5′−テトラメチルトリフエニ
ルメタン、2,3,4,2′,3′,4′,3″,4″−オクタヒドロ
キシ−5,5′−ジアセチルトリフエニルメタン等のポリ
ヒドロキシトリフエニルメタン類、3,3,3′,3′−テト
ラメチル−1,1′−スピロビ−インダン−5,6,7,5′,
6′,7′−ヘキソオール、3,3,3′,3′−テトラメチル−
1,1′−スピロビ−インダン−4,5,6,4′,5′,6′−ヘキ
ソオール、3,3,3′,3′−テトラメチル−1,1′−スピロ
ビ−インダン−4,5,6,5′,6′,7′−ヘキソオール等の
ポリヒドロキシスピロビ−インダン類あるいはケルセチ
ン、ルチン等のフラボノ色素類等を用いることができ
る。
このような１分子中に５個以上の芳香族水酸基を有す
るポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルから成る感光剤を感光剤の一部また
は全部に用いることによつて、本発明の効果は一層顕著
となる。
るポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルから成る感光剤を感光剤の一部また
は全部に用いることによつて、本発明の効果は一層顕著
となる。
このようなポリヒドロキシ化合物の例として好ましく
は前記の感光剤例示化合物のうちペンタヒドロキシベン
ゾフエノン類、ヘキサヒドロキシベンゾフエノン類、ビ
ス（トリヒドロキシフエニル）メタン類、ビス（トリヒ
ドロキシベンゾイル）メタン類、及び同ベンゼン類、ビ
フエニルペントール及び同ヘキソール類、ペンタヒドロ
キシトリフエニルメタン類、ヘキサヒドロキシトリフエ
ニルメタン類、オクタヒドロキシトリフエニルメタン
類、スピロビインダンヘキソオール類、一部のフラボノ
色素類などをあげることができる。
は前記の感光剤例示化合物のうちペンタヒドロキシベン
ゾフエノン類、ヘキサヒドロキシベンゾフエノン類、ビ
ス（トリヒドロキシフエニル）メタン類、ビス（トリヒ
ドロキシベンゾイル）メタン類、及び同ベンゼン類、ビ
フエニルペントール及び同ヘキソール類、ペンタヒドロ
キシトリフエニルメタン類、ヘキサヒドロキシトリフエ
ニルメタン類、オクタヒドロキシトリフエニルメタン
類、スピロビインダンヘキソオール類、一部のフラボノ
色素類などをあげることができる。
本発明における感光物とアルカリ可溶性ノボラツク樹
脂の使用比率は、ノボラツク樹脂100重量部に対し感光
物５〜100重量部、好ましくは10〜50重量部である。こ
の使用比率が５重量部以下では残膜率が著しく低下し、
また100重量部を超えると感度及び溶剤への溶解性が低
下する。
脂の使用比率は、ノボラツク樹脂100重量部に対し感光
物５〜100重量部、好ましくは10〜50重量部である。こ
の使用比率が５重量部以下では残膜率が著しく低下し、
また100重量部を超えると感度及び溶剤への溶解性が低
下する。
本発明には更に現像液への溶解促進のために、ポリヒ
ドロキシ化合物を含有させることができる。好ましいポ
リヒドロキシ化合物にはフエノール類、レゾルシン、フ
ロログルシン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、ア
セトン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルシドなどが
含まれる。
ドロキシ化合物を含有させることができる。好ましいポ
リヒドロキシ化合物にはフエノール類、レゾルシン、フ
ロログルシン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、ア
セトン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルシドなどが
含まれる。
本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を
溶解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等
のアルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソ
ルブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル
などの脂肪酸エステル類、1,1,2−トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。
これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合して使
用することもできる。
溶解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等
のアルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソ
ルブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル
などの脂肪酸エステル類、1,1,2−トリクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。
これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合して使
用することもできる。
本発明のポジ型フオトレジスト用組成物には、必要に
応じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合す
ることができる。その具体例を挙げるならば、メチルバ
イオレツト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグリ
ーン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノ
キシ樹脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジ
シラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニル
フエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オクチ
ルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール等の界
面活性剤がある。
応じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合す
ることができる。その具体例を挙げるならば、メチルバ
イオレツト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグリ
ーン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノ
キシ樹脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジ
シラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニル
フエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オクチ
ルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール等の界
面活性剤がある。
上記ポジ型フオトレジスト組成物を精密集積回路素子
の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化
シリコン被覆）上にスピンナー、コーター等の適当な塗
布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現
像することにより良好なレジストを得ることができる。
の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化
シリコン被覆）上にスピンナー、コーター等の適当な塗
布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現
像することにより良好なレジストを得ることができる。
本発明のポジ型フオトレジスト用組成物の現像液とし
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アン
モニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロ
ピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールア
ミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニ
ウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のア
ルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記
アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当
量添加して使用することもできる。
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アン
モニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロ
ピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールア
ミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニ
ウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のア
ルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記
アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当
量添加して使用することもできる。
＜発明の効果＞ 本発明のポジ型フオトレジストは、解像力、現像性に
特に優れ露光部にスカム等の現像残渣を残さず、また優
れた耐熱性を有し、微細加工用フオトレジストとして好
適に用いられるものである。
特に優れ露光部にスカム等の現像残渣を残さず、また優
れた耐熱性を有し、微細加工用フオトレジストとして好
適に用いられるものである。
＜実施例＞ 以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、これら
に限定されるものではない。なお、％は他に指定のない
限り重量％を示す。また、重量平均分子量及びモノマ
ー、ダイマー、もしくはトリマーの含量は次の様にして
測定した。
に限定されるものではない。なお、％は他に指定のない
限り重量％を示す。また、重量平均分子量及びモノマ
ー、ダイマー、もしくはトリマーの含量は次の様にして
測定した。
ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー（GPC）を
用い、40℃、流速1ml/min、THF溶媒、検出波長282nmに
て測定した。用いたカラムは東洋曹達工業製TSK gel G
MHXL、G4000HXL、G3000HXL、G2000HXLをそれぞれ各１本
ずつ接続し、単分散ポリスチレンを標準とする重量平均
分子量を算出した。
用い、40℃、流速1ml/min、THF溶媒、検出波長282nmに
て測定した。用いたカラムは東洋曹達工業製TSK gel G
MHXL、G4000HXL、G3000HXL、G2000HXLをそれぞれ各１本
ずつ接続し、単分散ポリスチレンを標準とする重量平均
分子量を算出した。
モノマー〜トリマーの含量も同様の条件で測定、算出
した。
した。
比較例１〜３ （１） ノボラツク樹脂（ａ）の合成（比較例） （１）−（ｉ） ｍ−クレゾール60g、ｐ−クレゾール40g、37％ホルマ
リン水溶液53g及びシユウ酸0.1gを三ツ口フラスコに仕
込み撹拌しながら100℃まで昇温し、15時間反応させ
た。その後温度を200℃まで上げ徐々に5mmHgまで減圧に
して、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シユ
ウ酸等を留去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボ
ラツク樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツ
ク樹脂は重量平均分子量11000（ポリスチレン換算）で
あり、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は、各々0.
50％、13.4％、6.9％（計20.8％）であつた。
リン水溶液53g及びシユウ酸0.1gを三ツ口フラスコに仕
込み撹拌しながら100℃まで昇温し、15時間反応させ
た。その後温度を200℃まで上げ徐々に5mmHgまで減圧に
して、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シユ
ウ酸等を留去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボ
ラツク樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツ
ク樹脂は重量平均分子量11000（ポリスチレン換算）で
あり、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は、各々0.
50％、13.4％、6.9％（計20.8％）であつた。
（１）−（ii） （１）−（ｉ）で得られたノボラツク樹脂20gをメタ
ノール62gに完全に溶解した後、これに水28gを撹拌しな
がら徐々に加え樹脂分を沈殿させた。上層をデカンテー
シヨンにより除去し沈殿した樹脂分を回収し、40℃に加
熱し減圧下で24時間乾燥させて目的とするアルカリ可溶
性ノボラツク樹脂（ａ）を得た。得られたノボラツク樹
脂は重量平均分子量14500（ポリスチレン換算）であ
り、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０％、
7.0％、4.0％（計11.0％）であつた。
ノール62gに完全に溶解した後、これに水28gを撹拌しな
がら徐々に加え樹脂分を沈殿させた。上層をデカンテー
シヨンにより除去し沈殿した樹脂分を回収し、40℃に加
熱し減圧下で24時間乾燥させて目的とするアルカリ可溶
性ノボラツク樹脂（ａ）を得た。得られたノボラツク樹
脂は重量平均分子量14500（ポリスチレン換算）であ
り、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０％、
7.0％、4.0％（計11.0％）であつた。
（２） ノボラツク樹脂（ｂ）の合成（本発明） ｍ−クレゾール40g、ｐ−クレゾール60g、37％ホルマ
リン水溶液47g及びシユウ酸0.1gを三ツ口フラスコに仕
込み、撹拌しながら100℃まで昇温し、15時間反応させ
た。その後温度を250℃まで上げ徐々に1mmHgまで減圧に
して、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シユ
ウ酸、およびダイマー成分等を留去した。次いで溶融し
たアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して回収し
た。得られたノボラツク樹脂は重量平均分子量7700（ポ
リスチレン換算）であり、モノマー、ダイマー、トリマ
ーの含量は各々０％、5.2％、8.1％（計13.3％）であつ
た。
リン水溶液47g及びシユウ酸0.1gを三ツ口フラスコに仕
込み、撹拌しながら100℃まで昇温し、15時間反応させ
た。その後温度を250℃まで上げ徐々に1mmHgまで減圧に
して、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シユ
ウ酸、およびダイマー成分等を留去した。次いで溶融し
たアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して回収し
た。得られたノボラツク樹脂は重量平均分子量7700（ポ
リスチレン換算）であり、モノマー、ダイマー、トリマ
ーの含量は各々０％、5.2％、8.1％（計13.3％）であつ
た。
（３） ノボラツク樹脂（ｃ）の合成（本発明） ｍ−クレゾール25g、ｐ−クレゾール50g、2,5−キシ
レノール28g、37％ホルマリン水溶液53g及びシユウ酸0.
1gを三ツ口フラスコに仕込み、撹拌しながら100℃まで
昇温し15時間反応させた。その後温度を250℃まで上げ
徐々に1mmHgまで減圧にして、水、未反応のモノマー、
ホルムアルデヒド、シユウ酸、およびダイマー成分等を
留去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹
脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツク樹脂は
重量平均分子量4800（ポリスチレン換算）であり、モノ
マー、ダイマー、トリマーの含量は各々0.5％、5.9％、
9.0％（計15.4％）であつた。
レノール28g、37％ホルマリン水溶液53g及びシユウ酸0.
1gを三ツ口フラスコに仕込み、撹拌しながら100℃まで
昇温し15時間反応させた。その後温度を250℃まで上げ
徐々に1mmHgまで減圧にして、水、未反応のモノマー、
ホルムアルデヒド、シユウ酸、およびダイマー成分等を
留去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹
脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツク樹脂は
重量平均分子量4800（ポリスチレン換算）であり、モノ
マー、ダイマー、トリマーの含量は各々0.5％、5.9％、
9.0％（計15.4％）であつた。
（４） 感光物の合成（比較例） 2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン9.3g、
1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライ
ド28.0g及びアセトン270mlを三ツ口フラスコに仕込み、
撹拌下均一に溶解した。次いでトリエチルアミン11.1g
を徐々に滴下し、室温下１時間反応させた。反応終了
後、内容物を１％塩酸水溶液中に滴下し、生じた沈殿物
を別し、メタノールで洗浄後乾燥して2,3,4,4′−テ
トラヒドロキシベンゾフエノンのエステル化合物を得
た。
1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライ
ド28.0g及びアセトン270mlを三ツ口フラスコに仕込み、
撹拌下均一に溶解した。次いでトリエチルアミン11.1g
を徐々に滴下し、室温下１時間反応させた。反応終了
後、内容物を１％塩酸水溶液中に滴下し、生じた沈殿物
を別し、メタノールで洗浄後乾燥して2,3,4,4′−テ
トラヒドロキシベンゾフエノンのエステル化合物を得
た。
（５） ポジ型フオトレジスト組成物の調製と評価 （４）で得られた感光物1.30g及び（１）〜（３）で
得られたノボラツク樹脂（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）それ
ぞれ5gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解し、0.2
μｍのミクロフイルターを用いて過し、フオトレジス
ト組成物を調製した。このフオトレジスト組成物をスピ
ンナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、窒素雰囲気
下の対流オーブンで90℃、30分間乾燥して膜厚1.5μｍ
のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置を用い
露光した後、2.38％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
オキシド水溶液で１分間現像し、30秒間水洗して乾燥し
た。このようにして得られたシリコンウエハーのレジス
トパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評
価した。その結果を下記表−１に示す。感度は2.0μｍ
のマスクパターンを再現する露光量の逆数をもつて定義
し、比較例１の感度の相対値で示した。解像力は2.0μ
ｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像
力を表わす。耐熱性はレジストがパターン形成されたシ
リコンウエハーを対流オーブンで30分間ベークし、その
パターンの変形が起こらない温度を示した。現像性は、
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、露光部
でのレジスト残渣及びスカムの有無を調べた。その結果
をノボラツク樹脂（ａ）〜（ｃ）につき、比較例１〜３
として表１に示した。
得られたノボラツク樹脂（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）それ
ぞれ5gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解し、0.2
μｍのミクロフイルターを用いて過し、フオトレジス
ト組成物を調製した。このフオトレジスト組成物をスピ
ンナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、窒素雰囲気
下の対流オーブンで90℃、30分間乾燥して膜厚1.5μｍ
のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置を用い
露光した後、2.38％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
オキシド水溶液で１分間現像し、30秒間水洗して乾燥し
た。このようにして得られたシリコンウエハーのレジス
トパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評
価した。その結果を下記表−１に示す。感度は2.0μｍ
のマスクパターンを再現する露光量の逆数をもつて定義
し、比較例１の感度の相対値で示した。解像力は2.0μ
ｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像
力を表わす。耐熱性はレジストがパターン形成されたシ
リコンウエハーを対流オーブンで30分間ベークし、その
パターンの変形が起こらない温度を示した。現像性は、
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、露光部
でのレジスト残渣及びスカムの有無を調べた。その結果
をノボラツク樹脂（ａ）〜（ｃ）につき、比較例１〜３
として表１に示した。
実施例１〜４ 上記（２）（３）で合成したノボラツク樹脂を用い、
下記表−２記載の各感光物を（４）と同様の方法で合成
し、（５）と同様にしてレジスト組成物を評価した。そ
の結果を表１に示した。
下記表−２記載の各感光物を（４）と同様の方法で合成
し、（５）と同様にしてレジスト組成物を評価した。そ
の結果を表１に示した。
これからわかるように本発明のポジ型のフオトレジス
トは解像力、耐熱性、現像性のいずれも優れていた。
トは解像力、耐熱性、現像性のいずれも優れていた。
また特にこれらの比較例に於ては、実施例２、３との
比較で明らかなように、きわ立つて優れた解像力が得ら
れており、特定の感光剤との組み合わせが、本発明の効
果を更にきわ立たせるものである事が理解されよう。
比較で明らかなように、きわ立つて優れた解像力が得ら
れており、特定の感光剤との組み合わせが、本発明の効
果を更にきわ立たせるものである事が理解されよう。
比較例４〜５ 下記表３記載のノボラツク樹脂（ｄ）、（ｅ）を上記
（１）−（ｉ）と同様の方法で合成した。このノボラツ
ク樹脂5gと上記（４）で得られた感光物1.30gをエチル
セロソルブアセテート15gに溶解し、実施例と同様にし
てレジスト組成物を評価した。その結果を表１に示し
た。実施例に比較し、感度、解像力、耐熱性および現像
性が劣るものであつた。
（１）−（ｉ）と同様の方法で合成した。このノボラツ
ク樹脂5gと上記（４）で得られた感光物1.30gをエチル
セロソルブアセテート15gに溶解し、実施例と同様にし
てレジスト組成物を評価した。その結果を表１に示し
た。実施例に比較し、感度、解像力、耐熱性および現像
性が劣るものであつた。
比較例６ 下記表３記載のノボラツク樹脂（ｆ）を上記（２）と
同様の方法で合成した。この際ダイマー留去時間を延長
することにより、ダイマー含量を1.3％にまで減少させ
た。このノボラツク樹脂5gと上記（４）で得られた感光
物1.30gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解し、実
施例と同様にしてレジスト組成物を評価した。その結果
を表１に示した。実施例に比較し、感度、解像力に劣
り、パターンの密着性も悪いものであつた。
同様の方法で合成した。この際ダイマー留去時間を延長
することにより、ダイマー含量を1.3％にまで減少させ
た。このノボラツク樹脂5gと上記（４）で得られた感光
物1.30gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解し、実
施例と同様にしてレジスト組成物を評価した。その結果
を表１に示した。実施例に比較し、感度、解像力に劣
り、パターンの密着性も悪いものであつた。
比較例７ 比較例４で用いたノボラツク樹脂5gと実施例２で用い
た感光物1.3gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解
し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価をし、結果
を表１に示した。
た感光物1.3gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解
し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価をし、結果
を表１に示した。
比較例８ 比較例５で用いたノボラツク樹脂5gと実施例３で用い
た感光物1.3gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解
し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価をし、結果
を表１に示した。
た感光物1.3gをエチルセロソルブアセテート15gに溶解
し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価をし、結果
を表１に示した。
これら比較例７、８は、いずれも実施例に比べて解像
力、耐熱性、現像性が劣るものであつた。
力、耐熱性、現像性が劣るものであつた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小久保 忠嘉 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士 写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−150047（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−10646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−45238（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−227144（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−284354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−150245（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を含む感光性樹脂組成物において、該ア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂が、合成されたノボラック
樹脂を極性溶媒に溶解し次いで水もしくは水−極性溶媒
混合物に入れて樹脂分を沈殿させる方法、又は250℃以
上で10mmHg以下の減圧留去方法により、その樹脂の中に
含まれるダイマー量がノボラック樹脂の２〜６重量％の
範囲に調整されたものであり、更に該キノンジアジド化
合物が、１分子内に５個以上の芳香族水酸基を有するポ
リヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型フオ
トレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105686A JP2568883B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105686A JP2568883B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276131A JPH01276131A (ja) | 1989-11-06 |
| JP2568883B2 true JP2568883B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=14414288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63105686A Expired - Lifetime JP2568883B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568883B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222955A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH02282745A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物および該組成物を使用した微細パターンの形成方法 |
| JP2559145B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1996-12-04 | 三菱電機株式会社 | フォトレジスト塗布組成物 |
| JP6621233B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2019-12-18 | 東京応化工業株式会社 | 有機ｅｌ表示素子における絶縁膜形成用の感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045238A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
| DE3344202A1 (de) * | 1983-12-07 | 1985-06-20 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Positiv-fotoresistzusammensetzungen |
| JPS60150047A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS6210646A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-19 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0654381B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-07-20 | 日本合成ゴム株式会社 | 集積回路作製用ポジ型レジスト |
| JPS62153950A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS62201430A (ja) * | 1986-03-01 | 1987-09-05 | Nippon Zeon Co Ltd | 耐熱性の改良されたポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0654386B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1994-07-20 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPS62229138A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-07 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
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-
1988
- 1988-04-28 JP JP63105686A patent/JP2568883B2/ja not_active Expired - Lifetime
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