JP2565002B2 - 光導波路デバイス用信号電極とその形成方法 - Google Patents
光導波路デバイス用信号電極とその形成方法Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路デバイス用信号
電極とその形成方法に関する。詳しくは、電気光学効果
を有する基板を用いて高周波数帯の光変調器や光スイッ
チなどの光導波路デバイスを構成する際に、それに用い
る信号電極，たとえば、進行波信号電極の基板との密着
性をよくし、かつ、放熱性をよくして光導波路デバイス
の性能および信頼性を向上させる電極構成とその形成方
法に関する。
電極とその形成方法に関する。詳しくは、電気光学効果
を有する基板を用いて高周波数帯の光変調器や光スイッ
チなどの光導波路デバイスを構成する際に、それに用い
る信号電極，たとえば、進行波信号電極の基板との密着
性をよくし、かつ、放熱性をよくして光導波路デバイス
の性能および信頼性を向上させる電極構成とその形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバやレーザ光源の進歩・
発達に伴い、光通信をはじめ光技術を応用した各種のシ
ステム、デバイスが実用化され広く利用されるようにな
る一方で、その高度技術開発，とくに、最近の光通信シ
ステムの高速化の要求から、光導波路型デバイスを用い
て光信号を高速で制御する技術，たとえば、高速光変調
技術が必要になってきた。
発達に伴い、光通信をはじめ光技術を応用した各種のシ
ステム、デバイスが実用化され広く利用されるようにな
る一方で、その高度技術開発，とくに、最近の光通信シ
ステムの高速化の要求から、光導波路型デバイスを用い
て光信号を高速で制御する技術，たとえば、高速光変調
技術が必要になってきた。
【０００３】たとえば、1.6 Gbps程度までの伝送速度の
速光通信システムにおいては、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）を直接変調する方式を用いてきたが、変調周波数が
より高くなると、変調光波長の時間的微小変動, いわゆ
る、チャーピング現象や光ファイバの分散特性などのた
めに高速化と長距離通信への限界が生じる。
速光通信システムにおいては、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）を直接変調する方式を用いてきたが、変調周波数が
より高くなると、変調光波長の時間的微小変動, いわゆ
る、チャーピング現象や光ファイバの分散特性などのた
めに高速化と長距離通信への限界が生じる。
【０００４】一方、高速光変調方式としては半導体レー
ザ光を外部で変調する外部変調方式がよく知られてい
る。とくに、電気光学効果を有する基板上に分岐光導波
路を設け、信号電極，たとえば、進行波信号電極を用い
て駆動するマッハツェンダ型外部変調器が有力視されて
いる。
ザ光を外部で変調する外部変調方式がよく知られてい
る。とくに、電気光学効果を有する基板上に分岐光導波
路を設け、信号電極，たとえば、進行波信号電極を用い
て駆動するマッハツェンダ型外部変調器が有力視されて
いる。
【０００５】図４は光変調器の基本構成例を示す図で、
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はY-Y断面図である。
図中、1 は平面に加工した電気光学効果を有する基板,
たとえば、LiNbO3あるいはLiTaO3基板である。2 は光導
波路で中間に分岐光導波路2a,2b が形成されている。こ
の光導波路は通常基板の表面にTiなどの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしてある。３は信
号電極で, たとえば、進行波信号電極、４は接地電極で
ある。５は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小さ
くするためのバッファ層で、通常、SiO2などの薄膜が用
いられている。
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はY-Y断面図である。
図中、1 は平面に加工した電気光学効果を有する基板,
たとえば、LiNbO3あるいはLiTaO3基板である。2 は光導
波路で中間に分岐光導波路2a,2b が形成されている。こ
の光導波路は通常基板の表面にTiなどの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしてある。３は信
号電極で, たとえば、進行波信号電極、４は接地電極で
ある。５は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小さ
くするためのバッファ層で、通常、SiO2などの薄膜が用
いられている。
【０００６】信号電極３と接地電極４はバッファ層５を
介して光導波路上に、Auなどの金属を蒸着あるいはメッ
キによって形成している。いま, たとえば、図示してな
い半導体レーザから発した直流光が左側の光導波路2 か
ら入り、分岐光導波路2a,2b で２つに分けられ、その間
に、信号電極３に高周波変調用の信号電源６から信号電
圧を印加すると、基板上に設けられた前記分岐光導波路
2a,2b における電気光学効果によって分岐された両光に
位相差が生じる。この両光を再び合流させて、右側の一
本の光導波路2 から変調された光信号出力を取り出し、
図示してない光検知器で電気信号に変換するように構成
されている。前記分岐光導波路2a,2b における両光の位
相差がπ，あるいは、０になるように信号電圧を印加す
れば，たとえば、光信号出力はONーOFF のパルス信号と
して得られる。なお、ＲT は終端抵抗である。
介して光導波路上に、Auなどの金属を蒸着あるいはメッ
キによって形成している。いま, たとえば、図示してな
い半導体レーザから発した直流光が左側の光導波路2 か
ら入り、分岐光導波路2a,2b で２つに分けられ、その間
に、信号電極３に高周波変調用の信号電源６から信号電
圧を印加すると、基板上に設けられた前記分岐光導波路
2a,2b における電気光学効果によって分岐された両光に
位相差が生じる。この両光を再び合流させて、右側の一
本の光導波路2 から変調された光信号出力を取り出し、
図示してない光検知器で電気信号に変換するように構成
されている。前記分岐光導波路2a,2b における両光の位
相差がπ，あるいは、０になるように信号電圧を印加す
れば，たとえば、光信号出力はONーOFF のパルス信号と
して得られる。なお、ＲT は終端抵抗である。
【０００７】通常、このような光導波路デバイス用の電
極は高速のマイクロ波を通すために、電極材料には電気
抵抗の低い金(Au)を用い, しかも、その厚さをできるだ
け厚く形成するようにしている。したがって、その形成
にはメッキ技術を応用しているのが一般的である。以下
にその一例を示す。
極は高速のマイクロ波を通すために、電極材料には電気
抵抗の低い金(Au)を用い, しかも、その厚さをできるだ
け厚く形成するようにしている。したがって、その形成
にはメッキ技術を応用しているのが一般的である。以下
にその一例を示す。
【０００８】図５は従来の電極形成方法の例を示す図
で、主な工程を順を追って図示したものである。なお、
同図（イ）は上面図（基板上の電極，導波路配置），同
図（ロ）は同図（イ）のY-Y断面図である。
で、主な工程を順を追って図示したものである。なお、
同図（イ）は上面図（基板上の電極，導波路配置），同
図（ロ）は同図（イ）のY-Y断面図である。
【０００９】工程(1):たとえば、LiNbO3からなる基板１
に所定の寸法，形状の光導波路2(2a,2b)を, たとえば、
Ti拡散法で形成したあと、バッファ層４として，たとえ
ば、厚さ500ｎｍのSiO2膜をスパッタ形成する。その上
に金属下地層34として、たとえば, 厚さ150 ｎｍの金(A
u)を蒸着する。
に所定の寸法，形状の光導波路2(2a,2b)を, たとえば、
Ti拡散法で形成したあと、バッファ層４として，たとえ
ば、厚さ500ｎｍのSiO2膜をスパッタ形成する。その上
に金属下地層34として、たとえば, 厚さ150 ｎｍの金(A
u)を蒸着する。
【００１０】工程(2):上記処理基板の信号電極３および
接地電極４を形成する領域以外の部分に厚さ10μｍ程度
のレジストパターン７を図示したごとく形成する。 工程(3):上記処理基板の前記レジストパターン７が形成
されていない金属下地層34の上に、たとえば, 金メッキ
層からなる金属メッキ層電極3b,4b を前記レジストパタ
ーン７の上面に一致する程度の厚さに図示したごとく形
成する。このような金メッキは, たとえば、液温65℃の
シアン系金メッキ液を用い３mA/ cm2 の電流密度で30分
程度電気メッキして形成される。
接地電極４を形成する領域以外の部分に厚さ10μｍ程度
のレジストパターン７を図示したごとく形成する。 工程(3):上記処理基板の前記レジストパターン７が形成
されていない金属下地層34の上に、たとえば, 金メッキ
層からなる金属メッキ層電極3b,4b を前記レジストパタ
ーン７の上面に一致する程度の厚さに図示したごとく形
成する。このような金メッキは, たとえば、液温65℃の
シアン系金メッキ液を用い３mA/ cm2 の電流密度で30分
程度電気メッキして形成される。
【００１１】工程(4):上記処理基板のレジストパターン
７を適当な剥離液で除去する。 工程(5):上記処理基板を, たとえば、沃素と沃化カリウ
ムの混合水溶液の中で30秒程度エッチングして、信号電
極３および接地電極４の形成領域以外の部分の金属下地
層34のAuを溶解除去して、光導波路デバイス, たとえ
ば、マッハツエンダ型光変調器が形成されている。
７を適当な剥離液で除去する。 工程(5):上記処理基板を, たとえば、沃素と沃化カリウ
ムの混合水溶液の中で30秒程度エッチングして、信号電
極３および接地電極４の形成領域以外の部分の金属下地
層34のAuを溶解除去して、光導波路デバイス, たとえ
ば、マッハツエンダ型光変調器が形成されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の電
極形成方法による光導波路デバイスの電極, とくに、信
号電極３は電極巾が通常10μｍ以下と狭いので、電極形
成の最終工程で金属下地層34のエッチングの際に、図５
における工程(5) の同図（ロ）に示したごとくその金属
下地層34の部分でアンダーエッチ34' を生じ、基板１と
の間の密着性を低下させる。しかも、信号電流による発
熱の影響も加わって基板と電極間の熱膨張の差による歪
みのために、より一層信号電極３の剥離が加速され光導
波路デバイスの信頼性が損なわれるという重大な問題が
生じておりその解決が求められている。
極形成方法による光導波路デバイスの電極, とくに、信
号電極３は電極巾が通常10μｍ以下と狭いので、電極形
成の最終工程で金属下地層34のエッチングの際に、図５
における工程(5) の同図（ロ）に示したごとくその金属
下地層34の部分でアンダーエッチ34' を生じ、基板１と
の間の密着性を低下させる。しかも、信号電流による発
熱の影響も加わって基板と電極間の熱膨張の差による歪
みのために、より一層信号電極３の剥離が加速され光導
波路デバイスの信頼性が損なわれるという重大な問題が
生じておりその解決が求められている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、電気光学
効果を有する基板１上に形成された光導波路２を伝播す
る光を制御するごとくに配設された光導波路デバイス用
信号電極において、前記信号電極３の少なくとも片側の
所々に突起状金属パターン30が形成された光導波路デバ
イス用信号電極により解決することができる。具体的に
は、前記突起状金属パターン30となる部分を薄い金属下
地層電極3aに形成し、前記突起状金属パターン30となる
部分を除く前記金属下地層電極3a上に厚い金属メッキ層
電極3bを形成する光導波路デバイス用信号電極により効
果的に解決できる。
効果を有する基板１上に形成された光導波路２を伝播す
る光を制御するごとくに配設された光導波路デバイス用
信号電極において、前記信号電極３の少なくとも片側の
所々に突起状金属パターン30が形成された光導波路デバ
イス用信号電極により解決することができる。具体的に
は、前記突起状金属パターン30となる部分を薄い金属下
地層電極3aに形成し、前記突起状金属パターン30となる
部分を除く前記金属下地層電極3a上に厚い金属メッキ層
電極3bを形成する光導波路デバイス用信号電極により効
果的に解決できる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、巾の狭い信号電極３を金属下
地層34の段階でパターン化しておき、後工程で行う不要
部分のエッチングの際にエッチング液に触れないように
することでアンダーエッチを防止すると共に、巾の狭い
信号電極３の少なくとも片側の所々に突起状金属パター
ン30を形成しているので、金属下地層34の面積が増して
密着強度が大きくなり、また,信号電流が流れることに
よる信号電極３の発熱に対する放熱フィンの働きをする
ので熱歪みも小さくし、信号電極３が基板１から剥離す
るのが防止されるのである。
地層34の段階でパターン化しておき、後工程で行う不要
部分のエッチングの際にエッチング液に触れないように
することでアンダーエッチを防止すると共に、巾の狭い
信号電極３の少なくとも片側の所々に突起状金属パター
ン30を形成しているので、金属下地層34の面積が増して
密着強度が大きくなり、また,信号電流が流れることに
よる信号電極３の発熱に対する放熱フィンの働きをする
ので熱歪みも小さくし、信号電極３が基板１から剥離す
るのが防止されるのである。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す図で、同図
（イ）は平面図，同図（ロ）はX-X 断面図，同図（ハ）
はY1-Y1 断面図，同図（ニ）はY2-Y2 断面図である。図
中、30は突起状金属パターンである。
（イ）は平面図，同図（ロ）はX-X 断面図，同図（ハ）
はY1-Y1 断面図，同図（ニ）はY2-Y2 断面図である。図
中、30は突起状金属パターンである。
【００１６】なお、前記の諸図面で説明したものと同等
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。たとえば、LiNbO3のＺ板の表面
を鏡面研磨した基板１の上に形成された、分岐光導波路
2a,2b を含む光導波路2 にバッファ層5 を介して、図示
したごとく信号電極3,たとえば、進行波信号電極と接地
電極4 が形成されている。信号電極3 および接地電極4
はともに薄い金属下地層電極3a,4aと厚い金属メッキ層
電極3b,4bとから構成される。
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。たとえば、LiNbO3のＺ板の表面
を鏡面研磨した基板１の上に形成された、分岐光導波路
2a,2b を含む光導波路2 にバッファ層5 を介して、図示
したごとく信号電極3,たとえば、進行波信号電極と接地
電極4 が形成されている。信号電極3 および接地電極4
はともに薄い金属下地層電極3a,4aと厚い金属メッキ層
電極3b,4bとから構成される。
【００１７】この例では薄い信号電極3 の金属下地層電
極3aの片側, たとえば、図示したごとく外側部分に突起
状金属パターン30が形成してある。突起状金属パターン
30の大きさや配置は, たとえば、厚さ100 〜200 ｎｍ,
巾10〜20μｍ, 出っ張り長さ20〜30μｍ, 間隔100 μｍ
程度に形成してあればよい。
極3aの片側, たとえば、図示したごとく外側部分に突起
状金属パターン30が形成してある。突起状金属パターン
30の大きさや配置は, たとえば、厚さ100 〜200 ｎｍ,
巾10〜20μｍ, 出っ張り長さ20〜30μｍ, 間隔100 μｍ
程度に形成してあればよい。
【００１８】このような突起状金属パターン30が形成さ
れていることにより、その部分が製造工程中の処理, た
とえば、金属下地層エッチングの際にアンダーエッチを
防止する作用をなすと共に、巾の狭い信号電極３に信号
電流が流れて発熱する時の放熱フィンの働きをし熱歪み
も小さくなり、信号電極３が基板１から剥離するのが防
止され、従来の素子構成のものに比較して大巾に信頼性
が向上する。突起状金属パターン30が上記の例のような
大きさであれば、光導波路デバイス，たとえば、光変調
器の特性に何ら影響を与えることはない。
れていることにより、その部分が製造工程中の処理, た
とえば、金属下地層エッチングの際にアンダーエッチを
防止する作用をなすと共に、巾の狭い信号電極３に信号
電流が流れて発熱する時の放熱フィンの働きをし熱歪み
も小さくなり、信号電極３が基板１から剥離するのが防
止され、従来の素子構成のものに比較して大巾に信頼性
が向上する。突起状金属パターン30が上記の例のような
大きさであれば、光導波路デバイス，たとえば、光変調
器の特性に何ら影響を与えることはない。
【００１９】なお、上記実施例では突起状金属パターン
30を信号電極３の金属下地層電極3aの片側，すなわち、
外側だけに形成したが、その両側，すなわち、内外側に
形成すれば一層効果が増すことは言うまでもない。ま
た、金属下地層電極3aだけでなくその上の厚い金属メッ
キ層電極3bまで連続して形成してあっても構わない。さ
らに、必要により接地電極4 の内側端面にも形成してよ
いことは勿論である。
30を信号電極３の金属下地層電極3aの片側，すなわち、
外側だけに形成したが、その両側，すなわち、内外側に
形成すれば一層効果が増すことは言うまでもない。ま
た、金属下地層電極3aだけでなくその上の厚い金属メッ
キ層電極3bまで連続して形成してあっても構わない。さ
らに、必要により接地電極4 の内側端面にも形成してよ
いことは勿論である。
【００２０】図２および図３は本発明の電極形成方法の
実施例を示す図（その１）および（その２）で、主な工
程を順を追って図示したものである。なお、同図（イ）
は上面図（基板上の電極，導波路配置），同図（ロ）は
同図（イ）に図示した位置におけるY-Y断面図である。
実施例を示す図（その１）および（その２）で、主な工
程を順を追って図示したものである。なお、同図（イ）
は上面図（基板上の電極，導波路配置），同図（ロ）は
同図（イ）に図示した位置におけるY-Y断面図である。
【００２１】工程(1):基板１には，たとえば、大きさ40
ｍｍ×２ｍｍ，厚さ１ｍｍのLiNbO3のＺ板の表面を鏡面
研磨して使用する。この基板の上にTiを約100 ｎｍの厚
さに真空蒸着し分岐光導波路2aおよび2bを含む光導波路
２に相当する部分にTiが残るように通常のホトエッチン
グ法で処理したのち、約10500C, 10時間加熱しTiをLiNb
O3中に熱拡散させて光導波路２を形成する。 分岐光導
波路部分の長さは25ｍｍ，光導波路の幅は7 μｍになる
ように調整し、分岐光導波路2aおよび2bの間隔は約15μ
ｍとし、分岐部の角度は２°程度に形成する。次いで、
バッファ層としてSiO2膜を500 ｎｍの厚さに真空蒸着法
で形成する。さらに、その上に金属下地層34として、た
とえば, 厚さ150 ｎｍの金(Au)膜を蒸着する。
ｍｍ×２ｍｍ，厚さ１ｍｍのLiNbO3のＺ板の表面を鏡面
研磨して使用する。この基板の上にTiを約100 ｎｍの厚
さに真空蒸着し分岐光導波路2aおよび2bを含む光導波路
２に相当する部分にTiが残るように通常のホトエッチン
グ法で処理したのち、約10500C, 10時間加熱しTiをLiNb
O3中に熱拡散させて光導波路２を形成する。 分岐光導
波路部分の長さは25ｍｍ，光導波路の幅は7 μｍになる
ように調整し、分岐光導波路2aおよび2bの間隔は約15μ
ｍとし、分岐部の角度は２°程度に形成する。次いで、
バッファ層としてSiO2膜を500 ｎｍの厚さに真空蒸着法
で形成する。さらに、その上に金属下地層34として、た
とえば, 厚さ150 ｎｍの金(Au)膜を蒸着する。
【００２２】工程(2):上記処理基板の金属下地層34に、
信号電極３と接地電極４となる領域，基板外周部および
それらを連結し、かつ，突起状金属パターン30となる部
分であるブリッジ部30' を残して、図示したごとくホト
エッチングによりエッチ孔31を形成する。
信号電極３と接地電極４となる領域，基板外周部および
それらを連結し、かつ，突起状金属パターン30となる部
分であるブリッジ部30' を残して、図示したごとくホト
エッチングによりエッチ孔31を形成する。
【００２３】このようなブリッジ部30' が存在しない場
合には信号電極３が細いため、パターン化することによ
って無視できない電気抵抗となりメッキ膜の厚さの不均
一性をもたらす。しかし、ブリッジ部30' を設けること
で巾の狭い信号電極３に外部からメッキに必要な電流を
供給するのに役立ち均一な厚さの金属メッキ層電極3bが
得られる。
合には信号電極３が細いため、パターン化することによ
って無視できない電気抵抗となりメッキ膜の厚さの不均
一性をもたらす。しかし、ブリッジ部30' を設けること
で巾の狭い信号電極３に外部からメッキに必要な電流を
供給するのに役立ち均一な厚さの金属メッキ層電極3bが
得られる。
【００２４】工程(3):上記処理基板の上に厚さ10μｍ程
度のレジストを, たとえば、スピンコートしたあと、信
号電極３と接地電極４となる領域以外の部分に厚さ10μ
ｍ程度のレジストパターン７を図示したごとく形成す
る。
度のレジストを, たとえば、スピンコートしたあと、信
号電極３と接地電極４となる領域以外の部分に厚さ10μ
ｍ程度のレジストパターン７を図示したごとく形成す
る。
【００２５】工程(4):上記処理基板の前記レジストパタ
ーン７が形成されていない金属下地層34の上に、たとえ
ば, 金メッキ層からなる金属メッキ層電極3b,4b を前記
レジストパターン７の上面に一致する程度の厚さに図示
したごとく形成する。このような金メッキは, たとえ
ば、液温65℃のシアン系金メッキ液を用い３mA/ cm2 の
電流密度で30分程度電気メッキして形成される。
ーン７が形成されていない金属下地層34の上に、たとえ
ば, 金メッキ層からなる金属メッキ層電極3b,4b を前記
レジストパターン７の上面に一致する程度の厚さに図示
したごとく形成する。このような金メッキは, たとえ
ば、液温65℃のシアン系金メッキ液を用い３mA/ cm2 の
電流密度で30分程度電気メッキして形成される。
【００２６】工程(5):上記処理基板のレジストパターン
７を適当な剥離液で除去すれば、図示したごとく信号電
極３の外側と内側にブリッジ部31' とエッチ孔31が形成
された金属下地層34, すなわち、金(Au)の蒸着膜が露出
する。
７を適当な剥離液で除去すれば、図示したごとく信号電
極３の外側と内側にブリッジ部31' とエッチ孔31が形成
された金属下地層34, すなわち、金(Au)の蒸着膜が露出
する。
【００２７】工程(6):上記処理基板上の金メッキ層から
なる金属メッキ層電極3b,4b の上に、たとえば，金属メ
ッキ層電極3b,4b の電極パターン巾よりもやゝ広く，す
なわち、側端部がレジストで覆われる程度の広さに、た
とえば，厚さ１μｍ程度のレジストパターン８を図示し
たごとく形成する。
なる金属メッキ層電極3b,4b の上に、たとえば，金属メ
ッキ層電極3b,4b の電極パターン巾よりもやゝ広く，す
なわち、側端部がレジストで覆われる程度の広さに、た
とえば，厚さ１μｍ程度のレジストパターン８を図示し
たごとく形成する。
【００２８】工程(7):上記処理基板の金メッキ層からな
る金属下地層34の露出部を, たとえば、沃素と沃化カリ
ウムの混合水溶液の中で30秒程度エッチングして、金属
下地層34のAuを溶解除去したあと、レジストパターン８
を適当な剥離液で除去すれば、本発明の信号電極３の，
少なくとも、片側に突起状金属パターン30が形成された
光導波路デバイス, たとえば、マッハツエンダ型光変調
器が作製される。
る金属下地層34の露出部を, たとえば、沃素と沃化カリ
ウムの混合水溶液の中で30秒程度エッチングして、金属
下地層34のAuを溶解除去したあと、レジストパターン８
を適当な剥離液で除去すれば、本発明の信号電極３の，
少なくとも、片側に突起状金属パターン30が形成された
光導波路デバイス, たとえば、マッハツエンダ型光変調
器が作製される。
【００２９】このようにして作製された光導波路型デバ
イスは信号電極３の剥離が生じることがなく、しかも,
放熱性がよいので、動作特性が安定し信頼性が向上す
る。以上の実施例ではマッハツエンダ型光変調器の場合
を例にして示したが、本発明はその他各種の光導波路デ
バイスに適用できることは言うまでもない。
イスは信号電極３の剥離が生じることがなく、しかも,
放熱性がよいので、動作特性が安定し信頼性が向上す
る。以上の実施例ではマッハツエンダ型光変調器の場合
を例にして示したが、本発明はその他各種の光導波路デ
バイスに適用できることは言うまでもない。
【００３０】また、上記実施例は例を示したもので本発
明の趣旨に反しない限り、使用する素材や細部のプロセ
スなど適宜他のものを選択使用してよいことは勿論であ
る。
明の趣旨に反しない限り、使用する素材や細部のプロセ
スなど適宜他のものを選択使用してよいことは勿論であ
る。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば巾
の狭い信号電極３の少なくとも片側の所々に突起状金属
パターン30を形成してあるので、その部分が金属下地層
34のエッチングの際にアンダーエッチの抑制作用をなす
と共に、均一な厚さのメッキ膜を得ることができ、信号
電流による信号電極３の発熱に対する放熱フィンの働き
をするので熱歪みも小さくし、信号電極３が基板１から
剥離するのが防止され、光導波路デバイスの性能・品質
ならびに信頼性の向上に寄与するところが極めて大き
い。
の狭い信号電極３の少なくとも片側の所々に突起状金属
パターン30を形成してあるので、その部分が金属下地層
34のエッチングの際にアンダーエッチの抑制作用をなす
と共に、均一な厚さのメッキ膜を得ることができ、信号
電流による信号電極３の発熱に対する放熱フィンの働き
をするので熱歪みも小さくし、信号電極３が基板１から
剥離するのが防止され、光導波路デバイスの性能・品質
ならびに信頼性の向上に寄与するところが極めて大き
い。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】本発明の電極形成方法の実施例を示す図（その
１）である。
１）である。
【図３】本発明の電極形成方法の実施例を示す図（その
２）である。
２）である。
【図４】光変調器の基本構成例を示す図である。
【図５】従来の電極形成方法の例を示す図である。
１は基板、 ２は光導波路、 ２ａ，２ｂは分岐光導波路、 ３は信号電極、 ４は接地電極、 ３ａ，４ａは金属下地層電極、 ３ｂ，４ｂは金属メッキ層電極、 ５はバッファ層、 ７，８はレジストパターン、 ３０は突起状金属パターン、 ３０’はブリッジ部 ３１はエッチ孔、 ３４は金属下地層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅田 邦男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 中澤 忠雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板(1)上に形成
された光導波路(2)を伝播する光を制御するごとくに配
設された光導波路デバイス用信号電極において、前記信
号電極(3)の少なくとも片側の所々に突起状金属パター
ン(30)が形成されていることを特徴した光導波路デバイ
ス用信号電極。 - 【請求項２】 前記突起状金属パターン(30)となる部分
を薄い金属下地層電極(3a)に形成し、前記突起状金属パ
ターン(30)となる部分を除く前記金属下地層電極(3a)上
に厚い金属メッキ層電極(3b)を形成することを特徴とし
た請求項１記載の光導波路デバイス用信号電極の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029781A JP2565002B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光導波路デバイス用信号電極とその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029781A JP2565002B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光導波路デバイス用信号電極とその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268531A JPH04268531A (ja) | 1992-09-24 |
| JP2565002B2 true JP2565002B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=12285560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029781A Expired - Fee Related JP2565002B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 光導波路デバイス用信号電極とその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565002B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2606674B2 (ja) * | 1994-10-27 | 1997-05-07 | 日本電気株式会社 | 導波形光デバイス |
| DE69737430T2 (de) * | 1996-06-14 | 2007-11-29 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optischer Wellenleitermodulator mit Wanderwellenelektroden |
| JP3179408B2 (ja) | 1998-04-06 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 導波路型光デバイス |
| US6449080B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-09-10 | Jds Uniphase Corporation | Electro-optic modulator with enhanced bias stability |
| WO2024075277A1 (ja) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調器並びに光送信装置 |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3029781A patent/JP2565002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04268531A (ja) | 1992-09-24 |
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