JP2556564B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2556564B2 JP2556564B2 JP63256321A JP25632188A JP2556564B2 JP 2556564 B2 JP2556564 B2 JP 2556564B2 JP 63256321 A JP63256321 A JP 63256321A JP 25632188 A JP25632188 A JP 25632188A JP 2556564 B2 JP2556564 B2 JP 2556564B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報の記録・読み出し特性を変えずに、耐
久性及び記録情報の安定性を改善した光磁気記録媒体に
関する。
久性及び記録情報の安定性を改善した光磁気記録媒体に
関する。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記録媒体
は、その耐久性が悪く、希土類元素の選択的酸化、磁性
膜の表面酸化、孔食などの問題があり、この点に関して
さまざまな改善方法の提案がなされている。その一つに
磁性膜自身の耐久性を向上させることを目的とした元素
添加がある（例えば、日本応用磁気学会誌９（1985）9
3）。添加元素の例としては、Cr,Al,Ti,Ni,Co,Ptなどが
ある。
は、その耐久性が悪く、希土類元素の選択的酸化、磁性
膜の表面酸化、孔食などの問題があり、この点に関して
さまざまな改善方法の提案がなされている。その一つに
磁性膜自身の耐久性を向上させることを目的とした元素
添加がある（例えば、日本応用磁気学会誌９（1985）9
3）。添加元素の例としては、Cr,Al,Ti,Ni,Co,Ptなどが
ある。
また、希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記
録媒体は、その読み出し特性が充分ではなく、その改善
方法についてもさまざまな提案がなされている。その一
つに記録特性が良い膜（記録層）と読み出し特性が良い
膜（読み出し層）からなる交換結合二層磁性膜がある
（例えば、特開昭57−78652号）。従来の交換結合二層
磁性膜では、記録層にはTb−Fe,Dy−Fe,Tb−Fe−Co,Dy
−Fe−Co、読み出し層にはGd−Fe,Gd−Co,Gd−Fe−Co,T
b−Fe−Coなどが用いられていた。
録媒体は、その読み出し特性が充分ではなく、その改善
方法についてもさまざまな提案がなされている。その一
つに記録特性が良い膜（記録層）と読み出し特性が良い
膜（読み出し層）からなる交換結合二層磁性膜がある
（例えば、特開昭57−78652号）。従来の交換結合二層
磁性膜では、記録層にはTb−Fe,Dy−Fe,Tb−Fe−Co,Dy
−Fe−Co、読み出し層にはGd−Fe,Gd−Co,Gd−Fe−Co,T
b−Fe−Coなどが用いられていた。
耐久性向上のために元素添加を考えた場合、その効果
だけを考えればCrが最もよいが、キユリー温度が低下
し、かつ磁気光学効果が低下する欠点があった。キユリ
ー温度が低下すると記録感度は高くなるが、温度上昇に
対する記録情報の安定性が悪くなるので、不必要なキユ
リー温度の低下は好ましくない。また、磁気光学効果の
低下は読み出し特性が悪くなるのでやはり好ましくな
い。
だけを考えればCrが最もよいが、キユリー温度が低下
し、かつ磁気光学効果が低下する欠点があった。キユリ
ー温度が低下すると記録感度は高くなるが、温度上昇に
対する記録情報の安定性が悪くなるので、不必要なキユ
リー温度の低下は好ましくない。また、磁気光学効果の
低下は読み出し特性が悪くなるのでやはり好ましくな
い。
耐久性向上のための他の元素としてはCoがあるが、耐
久性の向上の効果がCrよりも劣る。また、磁気光学効果
は増加するもののこれはキユリー温度の上昇を伴ない、
その結果記録感度の低下をもたらす。
久性の向上の効果がCrよりも劣る。また、磁気光学効果
は増加するもののこれはキユリー温度の上昇を伴ない、
その結果記録感度の低下をもたらす。
CrとCoの両元素の添加を考えると、Crの添加によるキ
ユリー温度の低下をCoの添加によって防ぐことができる
が、キユリー温度を変わらないようにしても磁気光学効
果はやはり低下する。
ユリー温度の低下をCoの添加によって防ぐことができる
が、キユリー温度を変わらないようにしても磁気光学効
果はやはり低下する。
したがって、磁気光学効果の低下を実用上問題のない
程度にするためには、Crをあまり添加できず、そのため
耐久性の向上が充分行えなかった。
程度にするためには、Crをあまり添加できず、そのため
耐久性の向上が充分行えなかった。
ところで、希土類−鉄族非晶質合金薄膜では、鉄族元
素としてCoを多量に含むほど耐久性（特に、孔食の防
止）が向上されることがわかっている。交換結合二層磁
性膜では、その読み出し層はキユリー温度はいくら高く
てもよいので、Coを多量に含んだTb−Fe−Coを用いるこ
とができ、読み出し特性の改善とともに耐久性の改善を
ある程度行うことができる。しかし、その記録層にはTb
−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを添加すると
少量でもキユリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪く
なる欠点があった。
素としてCoを多量に含むほど耐久性（特に、孔食の防
止）が向上されることがわかっている。交換結合二層磁
性膜では、その読み出し層はキユリー温度はいくら高く
てもよいので、Coを多量に含んだTb−Fe−Coを用いるこ
とができ、読み出し特性の改善とともに耐久性の改善を
ある程度行うことができる。しかし、その記録層にはTb
−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを添加すると
少量でもキユリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪く
なる欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされた
ものであり、その目的は情報の記録・読み出し特性を変
えずに、耐久性及び記録情報の安定性を改善した光磁気
記録媒体を提供することにある。
ものであり、その目的は情報の記録・読み出し特性を変
えずに、耐久性及び記録情報の安定性を改善した光磁気
記録媒体を提供することにある。
本発明の上記目的は、第１の磁性層と、前記第１の磁
性層のキュリー温度よりも高いキュリー温度及び室温に
おいて前記第１の磁性層の保磁力より低い保磁力を持
ち、第１の磁性層と交換結合した第２の磁性層とを、透
明基板上に第２の磁性層、第１の磁性層の順で積層して
なる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層は希土
類−鉄族非晶質合金からなると共にその組成が、原子比
で以下の式、 （Tbz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （Dyz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （（Tb1-xDyx）zFe1-yCoy）1-z）1-wCrw ｛但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦0.5、0.1≦ｚ≦0.4,0.01
＜ｗ≦0.3｝ のいずれかを満足し、前記第２の磁性層は希土類−鉄族
非晶質合金からなると共にその組成が、原子比で以下の
式、 Tbz（Fe1-yCoy）1-z Dyz（Fe1-yCoy）1-z （Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、０＜ｘ＜１、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.4｝ （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、ＲはTb、Dyの内から選ばれる１種または２種の
元素であり、0.1≦ｘ≦0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.
4｝のいずれかを満足し、且つ前記第１の磁性層におけ
るCoの組成比が、前記第２の磁性層におけるCoの組成比
よりも小さいことによって達成される。
性層のキュリー温度よりも高いキュリー温度及び室温に
おいて前記第１の磁性層の保磁力より低い保磁力を持
ち、第１の磁性層と交換結合した第２の磁性層とを、透
明基板上に第２の磁性層、第１の磁性層の順で積層して
なる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層は希土
類−鉄族非晶質合金からなると共にその組成が、原子比
で以下の式、 （Tbz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （Dyz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （（Tb1-xDyx）zFe1-yCoy）1-z）1-wCrw ｛但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦0.5、0.1≦ｚ≦0.4,0.01
＜ｗ≦0.3｝ のいずれかを満足し、前記第２の磁性層は希土類−鉄族
非晶質合金からなると共にその組成が、原子比で以下の
式、 Tbz（Fe1-yCoy）1-z Dyz（Fe1-yCoy）1-z （Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、０＜ｘ＜１、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.4｝ （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、ＲはTb、Dyの内から選ばれる１種または２種の
元素であり、0.1≦ｘ≦0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.
4｝のいずれかを満足し、且つ前記第１の磁性層におけ
るCoの組成比が、前記第２の磁性層におけるCoの組成比
よりも小さいことによって達成される。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例の構成
を示す略断面図である。図中、１はガラス或いはプラス
チツクから成る透明基板を示す。この基板１上には、干
渉効果と腐食防止効果を得る為の、Si3N4等の誘電体か
ら成る下引き層２が設けられている。更に、この下引き
層２の上に、読み出し層たる第２の磁性層３と、この第
２の磁性層３よりも室温における高い保磁力と低いキユ
リー温度とを有する、記録層たる第１の磁性層４が形成
されている。これらの磁性層は、媒体の作製時に真空を
破ることなく連続して成膜され、互いに交換結合してい
る。また、第１の磁性層４上には、これらの磁性層の腐
食を防止する為、Si3N4等の誘電体から成る保護層５が
形成されている。
を示す略断面図である。図中、１はガラス或いはプラス
チツクから成る透明基板を示す。この基板１上には、干
渉効果と腐食防止効果を得る為の、Si3N4等の誘電体か
ら成る下引き層２が設けられている。更に、この下引き
層２の上に、読み出し層たる第２の磁性層３と、この第
２の磁性層３よりも室温における高い保磁力と低いキユ
リー温度とを有する、記録層たる第１の磁性層４が形成
されている。これらの磁性層は、媒体の作製時に真空を
破ることなく連続して成膜され、互いに交換結合してい
る。また、第１の磁性層４上には、これらの磁性層の腐
食を防止する為、Si3N4等の誘電体から成る保護層５が
形成されている。
上記の如き交換結合二層膜では、記録層はキユリー温
度が適当に低い必要があるが、読み出しには関係ないの
で、その磁気光学効果はいくら低くても構わない。一
方、読み出し層は磁気光学効果が大きい必要があるが、
記録には関係ないので、そのキユリー温度はいくら高く
ても構わない。
度が適当に低い必要があるが、読み出しには関係ないの
で、その磁気光学効果はいくら低くても構わない。一
方、読み出し層は磁気光学効果が大きい必要があるが、
記録には関係ないので、そのキユリー温度はいくら高く
ても構わない。
本発明はこの点に注目して、記録層では、Coを少量添
加しCrを多量に添加し、磁気光学効果は低下するものの
キユリー温度を変化させないようにして大きな耐久性の
効果を得る。この磁気光学効果の低下は読み出し特性に
影響を与えない。
加しCrを多量に添加し、磁気光学効果は低下するものの
キユリー温度を変化させないようにして大きな耐久性の
効果を得る。この磁気光学効果の低下は読み出し特性に
影響を与えない。
一方、読み出し層では、Coのみを多量に添加し、キユ
リー温度は高くなるものの磁気光学効果を低下させない
ようにして大きな耐久性の効果を得る。このキユリー温
度の上昇は記録感度に影響を与えない。
リー温度は高くなるものの磁気光学効果を低下させない
ようにして大きな耐久性の効果を得る。このキユリー温
度の上昇は記録感度に影響を与えない。
記録層は希土類−鉄族非晶質合金からなると共にその
組成が、原子比で以下の式、 （Tbz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （Dyz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （（Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw ｛但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦0.5、0.1≦ｚ≦0.4,0.01
＜ｗ≦0.3｝のいずれかを満足している。膜厚として
は、100〜2000Å程度が良い。この記録層のキユリー温
度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子数比ｙ、Crの原子数比
ｗとの間には、ほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋（400〜600）ｙ−500w（℃） という関係が得られた。
組成が、原子比で以下の式、 （Tbz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （Dyz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （（Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw ｛但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦0.5、0.1≦ｚ≦0.4,0.01
＜ｗ≦0.3｝のいずれかを満足している。膜厚として
は、100〜2000Å程度が良い。この記録層のキユリー温
度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子数比ｙ、Crの原子数比
ｗとの間には、ほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋（400〜600）ｙ−500w（℃） という関係が得られた。
したがって、記録層のキユリー温度は所望の値になる
ように、x,y,wの値を適宜選べばよい。
ように、x,y,wの値を適宜選べばよい。
光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情
報を記録するので、その磁性膜のキユリー温度が低いほ
ど記憶感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記
録感度を決めるものは記録層のキユリー温度であるの
で、記録層のキユリー温度を下げれば記録感度が高くな
る。しかし、記録情報の安定性を考えると、記録層のキ
ユリー温度はそれほどは下げられない。記録情報の安定
性を考える場合、室温のみならず、室温よりもやや高い
温度における安定性についても考える必要がある。それ
は、光磁気メモリのドライブ装置内は、様々な熱の発生
源が存在するので、その中は50〜60℃程度に温度が上昇
することがあり、さらに情報の読み出しにおいては情報
を記録しない程度の弱いレーザー光を媒体に照射して読
み出しを行うが、それでもある程度の媒体の温度上昇は
避けられないからである。また、ドライブ装置の動作の
都合上、記録・消去用のバイアス磁界が印加された状態
で読み出しをしなければならない場合もあるためであ
る。したがって、50〜60℃程度のドライブ装置の中で、
バイアス磁界の印加のもとで、読み出し光によってさら
に媒体の温度が上昇しても、記録情報が安定である必要
がある。これらをすべて考慮すると、記録層のキユリー
温度は150〜200℃程度が望ましい。
報を記録するので、その磁性膜のキユリー温度が低いほ
ど記憶感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記
録感度を決めるものは記録層のキユリー温度であるの
で、記録層のキユリー温度を下げれば記録感度が高くな
る。しかし、記録情報の安定性を考えると、記録層のキ
ユリー温度はそれほどは下げられない。記録情報の安定
性を考える場合、室温のみならず、室温よりもやや高い
温度における安定性についても考える必要がある。それ
は、光磁気メモリのドライブ装置内は、様々な熱の発生
源が存在するので、その中は50〜60℃程度に温度が上昇
することがあり、さらに情報の読み出しにおいては情報
を記録しない程度の弱いレーザー光を媒体に照射して読
み出しを行うが、それでもある程度の媒体の温度上昇は
避けられないからである。また、ドライブ装置の動作の
都合上、記録・消去用のバイアス磁界が印加された状態
で読み出しをしなければならない場合もあるためであ
る。したがって、50〜60℃程度のドライブ装置の中で、
バイアス磁界の印加のもとで、読み出し光によってさら
に媒体の温度が上昇しても、記録情報が安定である必要
がある。これらをすべて考慮すると、記録層のキユリー
温度は150〜200℃程度が望ましい。
読み出し層は希土類−鉄族非晶質合金からなると共に
その組成が、原子比で以下の式、 Tbz（Fe1-yCoy）1-z Dyz（Fe1-yCoy）1-z （Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、０＜ｘ＜１、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.4｝ （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、ＲはTb、Dyの内から選ばれる１種または２種の
元素であり、0.1≦ｘ≦0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.
4｝のいずれかを満足し、且つ記録層のCoの組成比が、
読み出し層のCoの組成比よりも小さい。膜厚としては、
100〜2000Å程度が良い。
その組成が、原子比で以下の式、 Tbz（Fe1-yCoy）1-z Dyz（Fe1-yCoy）1-z （Tb1-xDyx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、０＜ｘ＜１、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.4｝ （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、ＲはTb、Dyの内から選ばれる１種または２種の
元素であり、0.1≦ｘ≦0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.
4｝のいずれかを満足し、且つ記録層のCoの組成比が、
読み出し層のCoの組成比よりも小さい。膜厚としては、
100〜2000Å程度が良い。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜の可視域の波長における
磁気光学効果は、主に鉄族元素の磁気光学効果によって
いて、室温付近における鉄族磁気モーメントはFe.70Co.
30程度の組成で最大となり、Coがそれより少ないと鉄族
磁気モーメントはかなり減少し、Coがそれよりも多いと
鉄族磁気モーメントはやや減少する。したがって、Coの
組成は、Feに対して30atm.％前後かそれ以上が良い。
磁気光学効果は、主に鉄族元素の磁気光学効果によって
いて、室温付近における鉄族磁気モーメントはFe.70Co.
30程度の組成で最大となり、Coがそれより少ないと鉄族
磁気モーメントはかなり減少し、Coがそれよりも多いと
鉄族磁気モーメントはやや減少する。したがって、Coの
組成は、Feに対して30atm.％前後かそれ以上が良い。
実施例１ 通常のマグネトロンスパツタリング法を用いて、従来
例と本発明の130mmφのデイスク状光磁気記録媒体を作
製し、記録感度、読み出し特性と耐久性の実験を行っ
た。Arガス圧は約0.15Paとした。保護膜としてはSiNを7
00Å記録媒体の両側に設けた。従来例における読み出し
層はGd.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚200Å、記録層はTb.
22（Fe.92Co.08）.78、膜厚600Åとし、本発明における
読み出し層はTb.18（Fe.70Co.30）.82、膜厚200Å、記
録層は（Tb.22（Fe.85Co.15）.78）.93Cr.07、膜厚600
Åとした。基板にはポリカーボネイトを用いた、記録層
のキユリー温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃
であった。
例と本発明の130mmφのデイスク状光磁気記録媒体を作
製し、記録感度、読み出し特性と耐久性の実験を行っ
た。Arガス圧は約0.15Paとした。保護膜としてはSiNを7
00Å記録媒体の両側に設けた。従来例における読み出し
層はGd.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚200Å、記録層はTb.
22（Fe.92Co.08）.78、膜厚600Åとし、本発明における
読み出し層はTb.18（Fe.70Co.30）.82、膜厚200Å、記
録層は（Tb.22（Fe.85Co.15）.78）.93Cr.07、膜厚600
Åとした。基板にはポリカーボネイトを用いた、記録層
のキユリー温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃
であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.9m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.7mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では49dBであ
り、本発明のものは48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.9m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.7mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では49dBであ
り、本発明のものは48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
実施例２ 従来例における記録層としてDy.21（Fe.82C
o.18）.79、膜厚600Åとし、本発明における記録層とし
て（Dy.21（Fe.75Co.25）.79）.93Cr.07、膜厚600Å、
読み出し層はDy.18（Fe.70Co.30）.82、膜厚200Åとし
た以外は上記実施例と同じ条件で実験を行った。記録層
のキユリー温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃
であった。
o.18）.79、膜厚600Åとし、本発明における記録層とし
て（Dy.21（Fe.75Co.25）.79）.93Cr.07、膜厚600Å、
読み出し層はDy.18（Fe.70Co.30）.82、膜厚200Åとし
た以外は上記実施例と同じ条件で実験を行った。記録層
のキユリー温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃
であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.8m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものも48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.8m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものも48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
実施例３ 従来例における記録層として（Tb.50Cy.50）.22（Fe.
87Co.13）.78、膜厚600Åとし、本発明における記録層
として（（Tb.50Dy.50）.22（Fe.80Co.20）.78）.93Cr.
07、膜厚600Å、読み出し層は（Tb.60Dy.40）.18（Fe.
70Co.30）.82、膜厚200Åとした以外は上記実施例と同
じ条件で実験を行った。記録層のキユリー温度は、従来
例も本発明もどちらも約170℃であった。
87Co.13）.78、膜厚600Åとし、本発明における記録層
として（（Tb.50Dy.50）.22（Fe.80Co.20）.78）.93Cr.
07、膜厚600Å、読み出し層は（Tb.60Dy.40）.18（Fe.
70Co.30）.82、膜厚200Åとした以外は上記実施例と同
じ条件で実験を行った。記録層のキユリー温度は、従来
例も本発明もどちらも約170℃であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.8m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では47dBであ
り、本発明のものは48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.8m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では47dBであ
り、本発明のものは48dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
以上の実施例では、読み出し層としてＲ−Fe−Co（Ｒ
はTb及び／又はDy）を用いたが、同様にGd−Ｒ−Fe−Co
（ＲはTb及び／又はDy）も好適に用いることが出来る。
組成としては、 （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z と表わしたとき、0.1ｘ0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1ｚ
0.4である。この例を以下に示す。
はTb及び／又はDy）を用いたが、同様にGd−Ｒ−Fe−Co
（ＲはTb及び／又はDy）も好適に用いることが出来る。
組成としては、 （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z と表わしたとき、0.1ｘ0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1ｚ
0.4である。この例を以下に示す。
実施例４ 通常のマグネトロンスパツタリング法を用いて、従来
例と本発明の130mmφのデイスク状光磁気記録媒体を作
製し、記録感度、読み出し特性と耐久性の実験を行っ
た。Arガス圧は約0.15Paとした。保護膜としてはSiNを7
00Å記録媒体を両側に設けた。従来例における読み出し
層はGd.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚300Å、記録層はTb.
22（Fe.92Co.08）.78、膜厚500Åとし、本発明における
読み出し層は（Gd.50Tb.50）.20（Fe.70Co.30）.80、膜
厚300Å、記録層は（Tb.22（Fe.85Co.15）.78）.93Cr.
07、膜厚500Åとした。基板にはポリカーボネイトを用
いた。記録層のキユリー温度は、従来例も本発明もどち
らも約170℃であった。
例と本発明の130mmφのデイスク状光磁気記録媒体を作
製し、記録感度、読み出し特性と耐久性の実験を行っ
た。Arガス圧は約0.15Paとした。保護膜としてはSiNを7
00Å記録媒体を両側に設けた。従来例における読み出し
層はGd.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚300Å、記録層はTb.
22（Fe.92Co.08）.78、膜厚500Åとし、本発明における
読み出し層は（Gd.50Tb.50）.20（Fe.70Co.30）.80、膜
厚300Å、記録層は（Tb.22（Fe.85Co.15）.78）.93Cr.
07、膜厚500Åとした。基板にはポリカーボネイトを用
いた。記録層のキユリー温度は、従来例も本発明もどち
らも約170℃であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.7m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では49dBであ
り、本発明のものは50dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.7m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.9mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では49dBであ
り、本発明のものは50dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
さらに、記録情報が劣化しない最大再生パワーは、60
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.4mWと低か
ったが、本発明のものは約1.9mWと高かった。
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.4mWと低か
ったが、本発明のものは約1.9mWと高かった。
実施例５ 従来例における記録層としてDy.21（Fe.82C
o.18）.79、膜厚500Åとし、本発明における記録層とし
て（Dy.21（Fe.75Co.25）.79）.93Cr.07、膜厚500Åと
し、読み出し層として（Gd.50Dy.50）.20（Fe.70C
o.30）.80、膜厚300Åとした以外は上記実施例と同じ条
件で実験を行った。記録層のキユリー温度は、従来例も
本発明もどちらも約170℃であった。
o.18）.79、膜厚500Åとし、本発明における記録層とし
て（Dy.21（Fe.75Co.25）.79）.93Cr.07、膜厚500Åと
し、読み出し層として（Gd.50Dy.50）.20（Fe.70C
o.30）.80、膜厚300Åとした以外は上記実施例と同じ条
件で実験を行った。記録層のキユリー温度は、従来例も
本発明もどちらも約170℃であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.6m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.6mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものは49dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.6m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー4.6mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものは49dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
さらに、記録情報が劣化しない最大再生パワーは、60
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.3mWと低か
ったが、本発明のものは約1.9mWと高かった。
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.3mWと低か
ったが、本発明のものは約1.9mWと高かった。
実施例６ 従来例における記録層として（Tb.50Dy.50）.22（Fe.
87Co.13）.78、膜厚500Åとし、本発明における記録層
として（（Tb.50Dy.50）.19（Fe.80Co.20）.81）.93Cr.
07、膜厚500Åとし、読み出し層として（Gd.34Tb.33Dy.
33）.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚300Åとした以外は上
記実施例と同じ条件で実験を行った。記録層のキユリー
温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃であった。
87Co.13）.78、膜厚500Åとし、本発明における記録層
として（（Tb.50Dy.50）.19（Fe.80Co.20）.81）.93Cr.
07、膜厚500Åとし、読み出し層として（Gd.34Tb.33Dy.
33）.22（Fe.70Co.30）.78、膜厚300Åとした以外は上
記実施例と同じ条件で実験を行った。記録層のキユリー
温度は、従来例も本発明もどちらも約170℃であった。
回転数1500rpm、半径35mmにおいて、バイアス磁界200
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.9m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー5.1mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものは59dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
Oeの下で、従来例の媒体の記録にはレーザーパワー4.9m
Wが必要であり、本発明のものはレーザーパワー5.1mWで
記録が可能であり記録特性は変わらなかった。また、3.
08MHzの読み出しCN比も、従来例の媒体では48dBであ
り、本発明のものは59dBであり読み出し特性も変わらな
かった。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐久性の試験で
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
は、従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピ
ンホールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホ
ールの発生は見られなかった。
さらに、記録情報が劣化しない最大再生パワーは、60
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.4mWと低か
ったが、本発明のものは約2.0mWと高かった。
0Oeの磁界中において、従来例の媒体では約1.4mWと低か
ったが、本発明のものは約2.0mWと高かった。
以上説明したように、記録層にＲ−Fe−Co−Crを用
い、読み出し層にＲ−Fe−Co又はGd−Ｒ−Fe−Co（Ｒは
Tb,Dyの内少なくとも一種の元素）を用いた本発明の光
磁気記録媒体により、情報の記録・読み出し特性を変え
ずに、耐久性及び記録情報の安定性が改善された。
い、読み出し層にＲ−Fe−Co又はGd−Ｒ−Fe−Co（Ｒは
Tb,Dyの内少なくとも一種の元素）を用いた本発明の光
磁気記録媒体により、情報の記録・読み出し特性を変え
ずに、耐久性及び記録情報の安定性が改善された。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一構成例を示す略断
面図である。 １……透明基板 ２……下引き層 ３……第２の磁性層 ４……第１の磁性層 ５……保護層
面図である。 １……透明基板 ２……下引き層 ３……第２の磁性層 ４……第１の磁性層 ５……保護層
Claims (1)
- 【請求項１】第１の磁性層と、前記第１の磁性層のキュ
リー温度よりも高いキュリー温度及び室温において前記
第１の磁性層の保磁力より低い保磁力を持ち、第１の磁
性層と交換結合した第２の磁性層とを、透明基板上に第
２の磁性層、第１の磁性層の順で積層してなる光磁気記
録媒体において、 前記第１の磁性層は希土類−鉄族非晶質合金からなると
共にその組成が、原子比で以下の式、 （Tbz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （Dyz（Fe1-yCoy）1-z）1-wCrw （（Tb1-xDyx）zFe1-yCoy）1-z）1-wCrw ｛但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ≦0.5、0.1≦ｚ≦0.4,0.01
＜ｗ≦0.3｝ のいずれかを満足し、前記第２の磁性層は希土類−鉄族
非晶質合金からなると共にその組成が、原子比で以下の
式、 Tbz（Fe1-yCoy）1-z Dyz（Fe1-yCoy）1-z （Tb1-xDyx）zFe1-yCoy）1-z ｛但し、０＜ｘ＜１、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.4｝ （Gd1-xRx）ｚ（Fe1-yCoy）1-z ｛但し、ＲはTb、Dyの内から選ばれる１種または２種の
元素であり、0.1≦ｘ≦0.9、0.1＜ｙ＜１、0.1≦ｚ≦0.
4｝のいずれかを満足し、且つ前記第１の磁性層におけ
るCoの組成比が、前記第２の磁性層におけるCoの組成比
よりも小さいことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256321A JP2556564B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光磁気記録媒体 |
| EP89310351A EP0364212A1 (en) | 1988-10-11 | 1989-10-10 | Magneto-optical recording medium having a reading-out layer and a recording layer containing Cr |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63256321A JP2556564B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103756A JPH02103756A (ja) | 1990-04-16 |
| JP2556564B2 true JP2556564B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17291046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63256321A Expired - Fee Related JP2556564B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0364212A1 (ja) |
| JP (1) | JP2556564B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094925A (en) * | 1989-06-30 | 1992-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
| US5235569A (en) * | 1990-06-13 | 1993-08-10 | Nikon Corporation | Magnetooptical recording method, and apparatus used in the method |
| JP2528088B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1996-08-28 | 日本コロムビア株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法及び光磁気記録媒体 |
| DE4029874A1 (de) * | 1990-09-21 | 1992-03-26 | Basf Ag | Magnetooptische datenplatte mit pt-haltiger leseschicht |
| DE4039919A1 (de) * | 1990-12-14 | 1992-06-17 | Basf Ag | Magnetooptische datenplatte mit korrosionsstabiler magnetooptischer doppelschicht |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0045183B1 (en) * | 1980-07-25 | 1984-12-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Recording material |
| JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPH0677346B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1994-09-28 | キヤノン株式会社 | 光磁気メモリ用媒体 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63256321A patent/JP2556564B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-10 EP EP89310351A patent/EP0364212A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0364212A1 (en) | 1990-04-18 |
| JPH02103756A (ja) | 1990-04-16 |
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Legal Events
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