JP2555522Y2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、樹脂封止型半導体装置
の構造、特に、表面実装用に適した樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、外部電極を具備する樹脂封止型半
導体装置、特に、外部電極を面状として回路基板等に面
実装を容易とする樹脂封止型半導体装置の構造として
は、例えば、図１の構造図のごときものがあり、（ａ）
は断面図、（ｂ）は底面図である。図１において、１は
リ−ド片、２は半導体素子、３は接続子、４は封止樹脂
であり、通常、リ−ドフレ−ムによる複数のリ−ド片１
の上に半導体素子２及び接続子３を所定の位置に半田付
けし、それらをエポキシ樹脂等の封止樹脂４により成型
封止している。その後、リ−ドフレ−ムの不要部分を切
断除去し、更に、リ−ド片１の外部導出部分をフォ−ミ
ング加工により折り曲げ、外部電極を形成していた。
【０００３】しかして、図１の従来構造において、封止
樹脂４の厚さｔ１は、リ−ド片１ （２） のフォ−ミング加工による加圧やその他の製造上又は構
造上の都合から、一定の厚みを必要とし、半導体装置の
薄型化の障害の一つであった。又、リ−ド片１の厚さｔ
2は、フォ−ミング加工に適した厚み以上にすることは
好ましくなく、従って、リ−ド片１の放熱容積の増加に
制限があり、半導体装置の大電流容量化に問題があっ
た。更に、フォ−ミング加工のストレスがリ−ド片１の
導出部分の封止樹脂４にかかり、導出部分に隙間を生ず
る原因となり、信頼性の面でも問題があった。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、リ−ド片のフォ−ミング加工に伴って、リ−ド片
の折曲げ部における封止樹脂を薄型化することが困難で
あること、リ−ド片の厚さによる放熱容量の増加に制限
があり、大電流容量化が困難であること、及びフォ−ミ
ング加工時のストレスによる封止樹脂のリ−ド片導出部
分における隙間発生の原因となることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】リ−ド片の外部電極部の
厚さを、少なくとも該リ−ド片の半導体素子固着部の厚
さより実装面に向かって厚くすることを特徴とし、リ−
ド片のフォ−ミング加工による製造上の厄介さを解決
し、電流容量の増大、小型化及び信頼性向上を簡単な構
造により実現する。
【０００６】
【実施例】図２は本考案装置の一実施例を示す構造図
で、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図であり、図１と同
一符号は同一部分を示す。本考案装置の要部をなすリ−
ド片１は、外部電極部Ａ、半導体素子固着部Ｂ及び接続
子固着部Ｃの３部分を含んでおり、外部電極部Ａの厚さ
は、半導体素子固着部Ｂ及び接続子固着部Ｃの厚さよ
り、実装面、即ち、図２（ａ）の下方に向かって厚く形
成する。つまり、実装面において、必要とする外部電極
部Ａの間隔ｌを保ち、リ （３） −ド片１のＡ、Ｂ及びＣの各部により形成される凹部は
封止樹脂４の一部によりみたされる。この実施例では、
リ−ドフレ−ムによる複数のリ−ド片１のＡ部の厚さの
約１０〜５０％をエッチング法で薄くしてＢ部及びＣ部
の厚さを形成した。次いで、各部の所定位置に半導体素
子２及び接続子３を半田付けし、モ−ルド法により封止
樹脂４を形成した。その後、不要のリ−ドフレ−ム部分
を所定寸法で切断除去して、個別の半導体装置とした。
【０００７】前記の実施例では、リ−ド片１のＢ部及び
Ｃ部をＡ部に対し、薄くしたが、外部電極部Ａ間の距離
の確保ができれば、接続子固着部Ｃは必ずしも薄くする
必要はない。又、薄くする手段としては、エッチング加
工の他、プレス加工や切削加工の使用も可能であり、薄
くする寸法の程度も設計に応じて任意に選択できる。
【０００８】図２の実施例では、外部電極部Ａを２個と
する２端子型であるが、必要に応じて、３端子型以上に
も適用でき、半導体素子、接続子についても、複数個の
封入してもよい。又、ダイオ−ド、トランジスタ、サイ
リスタ等のいずれの半導体素子でもよく、更に、他部品
との混成装置にも適用できる。なお、接続子は片状又は
ワイヤ−状のいずれでもよい。その他、本考案の要旨の
範囲で任意に変形、変換及び付加をなし得るものであ
る。
【０００９】前記の実施例による整流ダイオ−ドの出力
電流は従来構造に比し、２０％程度増大することができ
た。又、図１（ａ）の厚さｔ3に比し、図２（ａ）の厚
さｔ3の減少分だけ半導体装置の薄型化を達成できた。
【００１０】
【考案の効果】以上説明したように、本考案の樹脂封止
型半導体装置は、表面実装用としてのリ−ド片のフォ−
ミング加工の必要がなく、薄型化、大電流容量化及び高
信頼化を製造容易に、かつ簡単な構造で達成でき、回路
基板への面実装構造 （４） による電子機器等に利用して、産業上の効果大なるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来装置の構造図であり、（ａ）は断面図、
（ｂ）は底面図である。
【図２】本考案の実施例を示す構造図であり、（ａ）は
断面図、（ｂ）は底面図である。
【符号の説明】
１ リ−ド片 ２ 半導体素子 ３ 接続子 ４ 封止樹脂 Ａ １の外部電極部 Ｂ １の半導体素子固着部 Ｃ １の接続子固着部 ｔ1、ｔ2、ｔ3、ｌ 指定の寸法

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】電気的に接続した半導体素子、２個以上の
    リード片、接続子を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装
    置において、前記２個以上のリード片は下部が露出して
    装置下部に外部電極を形成し、前記２個以上のリード片
    の少なくとも一つはリードの内側が外側より薄く形成さ
    れ薄肉部を形成し、かつ前記薄肉部は前記封止樹脂内部
    に覆われるようにして表面が露出しないようにして前記
    外部電極同士の距離をかせいだ事を特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
  2. 【請求項２】 リ−ド片の接続子固着部の厚さより該リ
    −ド片の外部電極部のの厚さを実装面に向かって厚くし
    たことを特徴とする請求項１の樹脂封止型半導体装置。
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