JP2551728Y2 - Height adjustment dummy for total reflection X-ray fluorescence spectrometer - Google Patents
Height adjustment dummy for total reflection X-ray fluorescence spectrometerInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この考案は、試料表面に一次Ｘ線
を微小な入射角度で照射して、試料の表面層からの蛍光
Ｘ線を分析する全反射蛍光Ｘ線分析装置における高さ調
節用ダミーに関するものである。This invention relates to a height adjustment in a total reflection X-ray fluorescence analyzer for irradiating a sample surface with primary X-rays at a small incident angle and analyzing X-ray fluorescence from the surface layer of the sample. It is related to a dummy for use.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、全反射蛍光Ｘ線分析装置は、
試料表面層に付着した不純物や、液体試料を基板上に滴
下して乾燥させた乾燥試料を分析する装置として用いら
れている（たとえば、特開昭63-78056号公報参照）。こ
の種の装置の一例を図３に示す。2. Description of the Related Art Conventionally, a total reflection X-ray fluorescence analyzer has
It is used as a device for analyzing a dry sample obtained by dropping a liquid sample or an impurity attached to a sample surface layer onto a substrate and drying the sample (see, for example, JP-A-63-78056). An example of this type of device is shown in FIG.
【０００３】図３において、図示しないＸ線源から出た
一次Ｘ線Ｂ１は、乾燥試料７２の表面に微小な入射角度
α (たとえば、0.05°〜0.10°程度) で照射される。乾
燥試料７２は、フッ酸溶液や塩酸などの液体試料を基板
７０の表面７１に滴下して乾燥させることで付着したも
のであり、上記基板７０としては、物性の安定したガラ
ス板が用いられる。一次Ｘ線Ｂ１は、全反射蛍光Ｘ線分
析の場合、効率を上げるために、その広がりが小さく設
定されている。入射した一次Ｘ線Ｂ１は、その一部が全
反射されて反射Ｘ線Ｂ２となり、他の一部が乾燥試料７
２の原子を励起して、乾燥試料７２を構成する元素固有
の蛍光Ｘ線Ｂ３を発生させる。蛍光Ｘ線Ｂ３は、乾燥試
料７２に対向して配置した蛍光Ｘ線検出器６０に入射す
る。この入射した蛍光Ｘ線Ｂ３は、蛍光Ｘ線検出器６０
において、そのＸ線強度が検出された後、蛍光Ｘ線検出
器６０からの分析信号ａに基づき、多重波高分析器６１
によって目的とするＸ線スペクトルが得られる。In FIG. 3, a primary X-ray B1 emitted from an X-ray source (not shown) is irradiated on the surface of a dried sample 72 at a small incident angle α (for example, about 0.05 ° to 0.10 °). The dried sample 72 is obtained by attaching a liquid sample such as a hydrofluoric acid solution or hydrochloric acid to the surface 71 of the substrate 70 by being dropped and dried, and a glass plate having stable physical properties is used as the substrate 70. In the case of total reflection X-ray fluorescence analysis, the primary X-ray B1 is set to have a small spread in order to increase the efficiency. A part of the incident primary X-ray B1 is totally reflected and becomes a reflected X-ray B2, and another part is a dried sample 7.
2 are excited to generate fluorescent X-rays B3 unique to the elements constituting the dried sample 72. The fluorescent X-ray B3 is incident on the fluorescent X-ray detector 60 arranged to face the dry sample 72. The incident fluorescent X-ray B3 is transmitted to the fluorescent X-ray detector 60.
In the above, after the X-ray intensity is detected, based on the analysis signal a from the fluorescent X-ray detector 60, the multiplex height analyzer 61
As a result, a desired X-ray spectrum is obtained.
【０００４】この種の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、一次
Ｘ線Ｂ１の入射角度αが微小であることから、反射Ｘ線
Ｂ２や散乱Ｘ線が蛍光Ｘ線検出器６０に入射しにくく、
蛍光Ｘ線検出器６０により検出される蛍光Ｘ線Ｂ３の出
力レベルに比べてノイズが小さいという利点がある。つ
まり、大きなS/N 比が得られ、そのため、分析精度が良
く、たとえば、微量の不純物でも検出できるという利点
がある。また、一次Ｘ線Ｂ１の大部分が乾燥試料７２の
層内に達するのみで、乾燥試料７２よりも下方の基板７
０内へは進入しない。したがって、厚みの殆どない乾燥
試料７２からの蛍光Ｘ線Ｂ３の強度が大きくなるので、
この種の液体を乾燥させた乾燥試料７２の分析に適して
いる。In this type of total reflection X-ray fluorescence spectrometer, since the incident angle α of the primary X-ray B1 is very small, reflected X-rays B2 and scattered X-rays are hardly incident on the X-ray fluorescence detector 60.
There is an advantage that noise is smaller than the output level of the fluorescent X-ray B3 detected by the fluorescent X-ray detector 60. That is, a large S / N ratio can be obtained, and therefore, there is an advantage that the analysis accuracy is high and, for example, even a trace amount of impurities can be detected. Also, most of the primary X-rays B1 only reach inside the layer of the dried sample 72, and the substrate 7 below the dried sample 72
Do not enter inside 0. Therefore, the intensity of the fluorescent X-rays B3 from the dried sample 72 having almost no thickness is increased.
This type of liquid is suitable for analyzing a dried sample 72 obtained by drying the liquid.
【０００５】ところで、乾燥試料７２は基板７０に付着
しているのであるが、基板７０の厚みに、ばらつきが生
じるのは避けられず、そのため、乾燥試料７２の表面の
レベルが乾燥試料７２ごとに異なる。ここで、全反射蛍
光Ｘ線分析においては、一次Ｘ線Ｂ１を乾燥試料７２の
表面に微小な入射角度α (0.05°〜0.10°) で、入射さ
せるから、厚みがΔｚ変化すると、入射位置Ｐの横方向
の変化量Δｘは、Δｚの500 倍〜1000倍程度になる。そ
のため、広がりの少ない一次Ｘ線Ｂ１によって励起され
る乾燥試料７２の位置 (入射位置Ｐ) は、蛍光Ｘ線検出
器６０の正面 (真下) から大きくずれる。したがって、
蛍光Ｘ線検出器６０に入射する蛍光Ｘ線Ｂ３の相対強度
が著しく小さくなってS/N 比も小さくなるので、分析結
果に大きな誤差が生じる。また、位置ずれが大きい場合
には、入射位置Ｐが蛍光Ｘ線検出器６０の視野から外れ
てしまい、検出ができない。[0005] Incidentally, although the dried sample 72 adheres to the substrate 70, it is inevitable that the thickness of the substrate 70 varies, so that the surface level of the dried sample 72 is different for each dried sample 72. different. Here, in the total reflection X-ray fluorescence analysis, since the primary X-ray B1 is incident on the surface of the dried sample 72 at a small incident angle α (0.05 ° to 0.10 °), if the thickness changes by Δz, the incident position P Is about 500 to 1000 times Δz. Therefore, the position (incident position P) of the dried sample 72 excited by the primary X-ray B1 having a small spread is largely shifted from the front (directly below) the fluorescent X-ray detector 60. Therefore,
Since the relative intensity of the fluorescent X-ray B3 incident on the fluorescent X-ray detector 60 is significantly reduced and the S / N ratio is also reduced, a large error occurs in the analysis result. If the displacement is large, the incident position P deviates from the field of view of the fluorescent X-ray detector 60, and detection is not possible.
【０００６】[0006]
【考案が解決しようとする課題】ここで、ウェハなどの
試料においては、試料の高さ方向の変位量Δｚを距離検
出器で検出し、この変位量Δｚに合わせて、ウェハを載
せた試料台を上下に移動させる方法が採用されている。
しかし、距離検出器は、一般に、赤外線を出射して、そ
の反射光を検出するのに対し、乾燥試料７２の場合に
は、基板７０が赤外線を反射しないガラス板であること
から、距離検出ができない。この対策として、ガラス板
の厚みを機械的に測定することも考えられるが、測定精
度が不正確であるから、十分な分析精度が得られないう
え面倒である。Here, in the case of a sample such as a wafer, a displacement Δz in the height direction of the sample is detected by a distance detector, and a sample table on which a wafer is mounted is adjusted in accordance with the displacement Δz. Is moved up and down.
However, the distance detector generally emits infrared rays and detects the reflected light. On the other hand, in the case of the dried sample 72, the distance detection is performed because the substrate 70 is a glass plate that does not reflect the infrared rays. Can not. As a countermeasure, it is conceivable to measure the thickness of the glass plate mechanically. However, since the measurement accuracy is inaccurate, sufficient analysis accuracy cannot be obtained and it is troublesome.
【０００７】この考案は上記従来の問題に鑑みてなされ
たもので、試料を全反射蛍光Ｘ線分析装置で分析する際
に、試料の表面レベルをレザー式の距離検出器で検出可
能とする高さ調節用ダミーを提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems. When analyzing a sample with a total reflection X-ray fluorescence spectrometer, the surface level of the sample can be detected with a laser type distance detector. It is an object of the present invention to provide an adjustment dummy.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この考案は、試料を付着させた基板の表面に載置さ
れる一対の上板と、距離検出器からの光を反射する材料
からなり、上記上板の下面に上面が接合された一対の下
板とで高さ調節用ダミーを構成し、この高さ調節用ダミ
ーが中央に一次Ｘ線の入射用開口を形成している。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a pair of upper plates mounted on a surface of a substrate on which a sample is attached; and a material for reflecting light from a distance detector. And a pair of lower plates having an upper surface joined to a lower surface of the upper plate to form a height adjustment dummy, and the height adjustment dummy forms a primary X-ray incidence opening at the center. .
【０００９】[0009]
【作用】この考案によれば、下板の上面は、基板の表面
に載置される一対の上板の下面に接合されているので、
基板の表面と同一レベルになる。したがって、距離検出
器からの光を反射する材料からなる下板の上面レベル
を、上記距離検出器で検出することにより、基板の表面
レベルを、つまり試料の表面レベルを測定することがで
きる。According to this invention, since the upper surface of the lower plate is joined to the lower surfaces of a pair of upper plates mounted on the surface of the substrate,
It is at the same level as the surface of the substrate. Therefore, the surface level of the substrate, that is, the surface level of the sample can be measured by detecting the upper surface level of the lower plate made of a material reflecting the light from the distance detector with the distance detector.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、この考案の一実施例を図面にしたがっ
て説明する。図１において、照射装置５０はＸ線源５１
と、平行光学系５２とを備えている。Ｘ線源５１から出
射された一次Ｘ線Ｂ１は、平行光学系５２により平行光
線にされて、乾燥試料７２の表面に微小な入射角度α
（図２）で照射される。乾燥試料７２が付着した基板７
０は、試料台４０に載置されている。なお、図２の基板
７０の厚さｔは、基板７０ごとに、若干のばらつきがあ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, an irradiation device 50 includes an X-ray source 51.
And a parallel optical system 52. The primary X-ray B1 emitted from the X-ray source 51 is converted into a parallel light by the parallel optical system 52, and is incident on the surface of the dry sample 72 at a small incident angle α.
(FIG. 2). Substrate 7 with dry sample 72 attached
0 is placed on the sample stage 40. It should be noted that the thickness t of the substrate 70 shown in FIG.
【００１１】図１の蛍光Ｘ線検出器６０の近傍には、距
離検出器３０が配置されている。この距離検出器３０と
蛍光Ｘ線検出器６０は、試料台４０に対向して配置され
ている。上記距離検出器３０は、赤外線のような光Ｂ４
を出射し、真下の測定点２０からの反射光Ｂ５の入射位
置によって、測定点２０のレベルを検出する変位センサ
からなり、検出したレベルＺ（図２）をレベル信号ｂと
して制御装置３１に出力する。距離検出器３０が検出す
る精度は、 1.0μｍ程度である。A distance detector 30 is disposed near the fluorescent X-ray detector 60 shown in FIG. The distance detector 30 and the fluorescent X-ray detector 60 are arranged to face the sample table 40. The distance detector 30 outputs light B4 such as infrared light.
And outputs the detected level Z (FIG. 2) to the control device 31 as a level signal b by detecting the level of the measuring point 20 according to the incident position of the reflected light B5 from the measuring point 20 immediately below. I do. The accuracy of detection by the distance detector 30 is about 1.0 μm.
【００１２】上記基板７０の表面７１には、高さ調節用
ダミー１の一対の上板２が載置されている。この高さ調
節用ダミー１は、上記両上板２の下面３に、一対の下板
４の上面５が接着剤で接合されて構成されており、全体
がロの字状で、中央に一次Ｘ線Ｂ１の入射用開口６が形
成されている。両下板４，４は、一次Ｘ線Ｂ１と交差す
る方向に互いに平行に配置され、一方、両上板２，２は
一次Ｘ線Ｂ１の入射方向とほぼ平行に配置されている。
上記両上板２と下板４は、たとえばシリコン板からな
り、距離検出器３０からの出射光Ｂ４を反射する材料で
構成されている。上記上板２の下面３および上記下板４
の上面５は、鏡面加工されており、１．０μｍＲmax 程
度に仕上げられている。On the front surface 71 of the substrate 70, a pair of upper plates 2 of the dummy 1 for height adjustment is mounted. The height adjusting dummy 1 is formed by bonding the upper surfaces 5 of a pair of lower plates 4 to the lower surfaces 3 of the upper plates 2 with an adhesive. An entrance aperture 6 for the X-ray B1 is formed. The lower plates 4, 4 are arranged parallel to each other in a direction intersecting with the primary X-ray B1, while the upper plates 2, 2 are arranged substantially parallel to the incident direction of the primary X-ray B1.
The upper plate 2 and the lower plate 4 are made of, for example, a silicon plate, and are made of a material that reflects light B4 emitted from the distance detector 30. Lower surface 3 of upper plate 2 and lower plate 4
Upper surface 5 of is mirror-finished, and finished to about 1.0μmR max.
【００１３】上記試料台４０は、図２のように、旋回ベ
ース４１に上下動および回転自在に取り付けられてお
り、モータなどからなる駆動装置Ｍによって駆動され
る。この旋回ベース４１は、図示しない駆動モータによ
り、スライドベース４２上を水平に移動する。As shown in FIG. 2, the sample table 40 is vertically and rotatably mounted on a swivel base 41, and is driven by a driving device M such as a motor. The turning base 41 is horizontally moved on a slide base 42 by a drive motor (not shown).
【００１４】上記制御装置３１は、たとえば、マイクロ
コンピュータで構成されており、上記距離検出器３０か
らのレベル信号ｂを受けて、駆動装置Ｍに駆動信号ｃを
出力する。その他の構成は、従来例と同様であり、同一
部分または相当部分に同一符号を付して、その詳しい説
明を省略する。The control device 31 is composed of, for example, a microcomputer, and receives a level signal b from the distance detector 30 and outputs a drive signal c to a drive device M. Other configurations are the same as those of the conventional example, and the same or corresponding portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
【００１５】つぎに、試料表面のレベルの調節方法につ
いて説明する。まず、図１の乾燥試料７２を付着させた
基板７０を試料台４０上に載置する。ついで、基板７０
の表面に、高さ調節用ダミー１の上板２の下面３を載せ
る。この後、この図に示すように、ダミー１の一方の下
板４が距離検出器３０の真下になるように、試料台４０
を径方向ｒに移動させる。この移動後、距離検出器３０
が下板４の上面５の任意の測定点２０に光Ｂ４を出射し
て、その反射光Ｂ５の入射位置に基づいて、下板４の上
面５のレベルＺ（図２）を測定し、レベル信号ｂを制御
装置３１に出力する。つづいて、試料台４０を径方向ｒ
に移動させ、他方の下板４の上面５のレベルＺ（図２）
を測定し、レベル信号ｂを制御装置３１に出力する。上
記２つのレベル信号ｂを受けた制御装置３１は、その平
均値に基づいて、基準レベルとの誤差ΔＺを演算し、こ
の誤差ΔＺに相当する量だけ、図２の試料台４０を矢印
Ｄ方向に昇降させる。これにより、下板４の上面５のレ
ベルが所定のレベルになる。Next, a method for adjusting the level of the sample surface will be described. First, the substrate 70 to which the dried sample 72 of FIG. Then, the substrate 70
Is placed on the lower surface 3 of the upper plate 2 of the height adjusting dummy 1. Thereafter, as shown in this figure, the sample table 40 is set so that one lower plate 4 of the dummy 1 is directly below the distance detector 30.
Is moved in the radial direction r. After this movement, the distance detector 30
Emits light B4 to an arbitrary measurement point 20 on the upper surface 5 of the lower plate 4, measures the level Z (FIG. 2) of the upper surface 5 of the lower plate 4 based on the incident position of the reflected light B5, The signal b is output to the control device 31. Subsequently, the sample table 40 is moved in the radial direction r.
And the level Z of the upper surface 5 of the other lower plate 4 (FIG. 2)
And outputs a level signal b to the control device 31. The control device 31 having received the two level signals b calculates an error ΔZ from the reference level based on the average value, and moves the sample stage 40 of FIG. Up and down. Thereby, the level of the upper surface 5 of the lower plate 4 becomes a predetermined level.
【００１６】ここで、図１の上記下板４の上面５は、基
板７０の表面７１に載置された上板２の下面３に接合さ
れているから、基板７０の表面７１と同一レベルにあ
る。したがって、上記のように、下板４の上面５のレベ
ルを所定レベルにすることによって、基板７０の表面７
１、つまり、乾燥試料７２の表面レベルが所定のレベル
に設定される。その結果、一次Ｘ線Ｂ１の照射範囲Ａ
（二点鎖線で示す）が乾燥試料７２における蛍光Ｘ線検
出器６０の真下の位置になるので、蛍光Ｘ線Ｂ３の相対
強度が大きく保たれるから、分析精度が向上する。Here, since the upper surface 5 of the lower plate 4 in FIG. 1 is joined to the lower surface 3 of the upper plate 2 placed on the surface 71 of the substrate 70, the upper surface 5 is at the same level as the surface 71 of the substrate 70. is there. Therefore, by setting the level of the upper surface 5 of the lower plate 4 to a predetermined level as described above,
1, that is, the surface level of the dried sample 72 is set to a predetermined level. As a result, the irradiation range A of the primary X-ray B1
(Indicated by a two-dot chain line) is located immediately below the fluorescent X-ray detector 60 in the dried sample 72, so that the relative intensity of the fluorescent X-ray B3 is kept large, so that the analysis accuracy is improved.
【００１７】ところで、下板４の上面５は、凹凸の小さ
い滑らかな表面を有している必要がある。ここで、この
実施例では、高さ調節用ダミー１をシリコン板で形成し
ており、シリコン板は表面の滑らかなウェハの材料とし
て汎用的であることから、高さ調節用ダミー１の製造が
容易である。Incidentally, the upper surface 5 of the lower plate 4 needs to have a smooth surface with small irregularities. Here, in this embodiment, the height adjustment dummy 1 is formed of a silicon plate, and since the silicon plate is generally used as a material for a wafer having a smooth surface, the production of the height adjustment dummy 1 is not required. Easy.
【００１８】また、この種の蛍光Ｘ線分析装置は、ウェ
ハの不純物を分析する装置として用いられる場合が多い
ので、高さ調節用ダミー１をシリコン板で形成すること
により、ウェハと乾燥試料７２のレベルを同一の距離検
出器３０によって測定することができる。In addition, since this type of X-ray fluorescence analyzer is often used as an apparatus for analyzing impurities on a wafer, the wafer 1 and the dried sample 72 are formed by forming the height adjusting dummy 1 on a silicon plate. Can be measured by the same distance detector 30.
【００１９】なお、上記実施例では、高さ調節用ダミー
１をシリコン板で構成したが、高さ調節用ダミー１の材
質はシリコンに限定されず、下板４の上面５が距離検出
器３０からの光Ｂ４を反射する材料で構成されていれば
よい。In the above embodiment, the height adjustment dummy 1 is made of a silicon plate. However, the material of the height adjustment dummy 1 is not limited to silicon. What is necessary is just to be comprised with the material which reflects the light B4 from a light source.
【００２０】[0020]
【考案の効果】以上説明したように、この考案によれ
ば、基板の表面に載置される一対の上板の下面と、距離
検出器からの光を反射する材料で形成された下板の上面
とを接合して、高さ調節用ダミーを形成したので、上記
下板の上面レベルを測定することにより、基板の表面に
付着した試料の表面レベルを測定することができる。し
たがって、試料の表面レベルの誤差が小さくなるので、
全反射蛍光Ｘ線による分析精度が向上する。As described above, according to the present invention, the lower surface of the pair of upper plates mounted on the surface of the substrate and the lower plate formed of a material reflecting light from the distance detector are provided. Since the dummy for height adjustment is formed by joining the upper surface, the surface level of the sample adhered to the surface of the substrate can be measured by measuring the upper surface level of the lower plate. Therefore, the error at the surface level of the sample becomes smaller,
Analysis accuracy by total reflection X-ray fluorescence is improved.
【図１】この考案の一実施例にかかる全反射蛍光Ｘ線分
析装置の概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of a total reflection X-ray fluorescence spectrometer according to an embodiment of the present invention.
【図２】同側面図である。FIG. 2 is a side view of the same.
【図３】一般的な全反射蛍光Ｘ線分析の原理を示す側面
図である。FIG. 3 is a side view showing the principle of general total reflection X-ray fluorescence analysis.
１…高さ調節用ダミー、２…上板、３…上板の下面、４
…下板、５…下板の上面、６…入射用開口、３０…距離
検出器、５０…照射装置、６０…蛍光Ｘ線検出器、７０
…基板、７１…基板の表面、７２…乾燥試料、Ｂ１…一
次Ｘ線、Ｂ３…蛍光Ｘ線、Ｂ４…光、Ｂ５…反射光。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Height adjustment dummy, 2 ... Upper plate, 3 ... Lower surface of upper plate, 4
... lower plate, 5 ... upper surface of the lower plate, 6 ... opening for incidence, 30 ... distance detector, 50 ... irradiation device, 60 ... fluorescent X-ray detector, 70
... substrate, 71 ... substrate surface, 72 ... dry sample, B1 ... primary X-ray, B3 ... fluorescent X-ray, B4 ... light, B5 ... reflected light.
Claims (1)
次Ｘ線を微小な入射角度で照射する照射装置と、上記試
料に対向し上記一次Ｘ線を受けた試料からの蛍光Ｘ線を
検出する蛍光Ｘ線検出器と、出射した光の反射光によっ
て測定点のレベルを検出する距離検出器とを備え、上記
蛍光Ｘ線検出器での検出結果に基づいて上記蛍光Ｘ線を
分析する全反射蛍光Ｘ線分析装置における高さ調節用ダ
ミーであって、基板の表面に載置される一対の上板と、
上記距離検出器からの光を反射する材料からなり、上記
両上板の下面に上面が接合された一対の下板とで構成さ
れ、中央に一次Ｘ線の入射用開口を形成している全反射
蛍光Ｘ線分析装置における高さ調節用ダミー。An irradiation device for irradiating a primary X-ray to a surface of a sample attached to a surface of a substrate at a small incident angle, and a fluorescent X-ray from a sample facing the sample and receiving the primary X-ray. An X-ray fluorescence detector for detection and a distance detector for detecting a level of a measurement point by reflected light of emitted light are provided, and the X-ray fluorescence is analyzed based on a detection result of the X-ray fluorescence detector. A height adjustment dummy in the total reflection X-ray fluorescence analyzer, and a pair of upper plates mounted on the surface of the substrate;
It is made of a material that reflects light from the distance detector, and is composed of a pair of lower plates whose upper surfaces are joined to the lower surfaces of the upper plates, and has a central X-ray incidence opening formed at the center. Height adjustment dummy in reflection X-ray fluorescence analyzer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666891U JP2551728Y2 (en) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | Height adjustment dummy for total reflection X-ray fluorescence spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP5666891U JP2551728Y2 (en) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | Height adjustment dummy for total reflection X-ray fluorescence spectrometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052057U JPH052057U (en) | 1993-01-14 |
| JP2551728Y2 true JP2551728Y2 (en) | 1997-10-27 |
Family
ID=13033797
Family Applications (1)
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| JP5666891U Expired - Lifetime JP2551728Y2 (en) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | Height adjustment dummy for total reflection X-ray fluorescence spectrometer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551728Y2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4092037B2 (en) * | 1999-03-05 | 2008-05-28 | 株式会社堀場製作所 | Substance identification device |
| JP5846469B2 (en) * | 2008-09-02 | 2016-01-20 | 国立大学法人京都大学 | Total reflection X-ray fluorescence analyzer and total reflection X-ray fluorescence analysis method |
| IT201700100060A1 (en) * | 2017-09-06 | 2019-03-06 | De Tec Tor S R L | SELECTION SYSTEM OF PRODUCTS BASED ON THEIR COMPOSITION THROUGH X-RAY FLUORESCENCE SPECTROSCOPY AND ITS SELECTION PROCEDURE |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP5666891U patent/JP2551728Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052057U (en) | 1993-01-14 |
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