JP2551118B2 - 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気ディスク媒体およびその製造方法Info
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- JP2551118B2 JP2551118B2 JP63230702A JP23070288A JP2551118B2 JP 2551118 B2 JP2551118 B2 JP 2551118B2 JP 63230702 A JP63230702 A JP 63230702A JP 23070288 A JP23070288 A JP 23070288A JP 2551118 B2 JP2551118 B2 JP 2551118B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 光磁気ディスクに関し、 優れた密着力および平坦性を共に実現するとともに透
湿による記録再生特性の経時的劣化を防止することを目
的とし、 光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体に
おいて、Zr,Ti,Nb,TaおよびＶからなる群の少なくとも
１種の金属の窒素酸化物からなる膜を光磁気記録層と基
板の間ならびに光磁気記録層の上に設けるように構成す
る。
湿による記録再生特性の経時的劣化を防止することを目
的とし、 光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体に
おいて、Zr,Ti,Nb,TaおよびＶからなる群の少なくとも
１種の金属の窒素酸化物からなる膜を光磁気記録層と基
板の間ならびに光磁気記録層の上に設けるように構成す
る。
［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気ディスクおよびその製造方法に関し、
さらに詳しく述べるならばプラスチックもしくはガラス
等の基板を使用した光磁気ディスクおよびその製造方法
に関する。
さらに詳しく述べるならばプラスチックもしくはガラス
等の基板を使用した光磁気ディスクおよびその製造方法
に関する。
［従来の技術］ 従来の光磁気ディスクにおいては、反りや記録再生特
性の安定性の等の特性面から、基板にガラス基板が使用
されてきた。しかしながら、ガラス基板は高価であり、
また割れが生じる危険性があるため、最近は基板にプラ
スチック材料が使用され始めている。
性の安定性の等の特性面から、基板にガラス基板が使用
されてきた。しかしながら、ガラス基板は高価であり、
また割れが生じる危険性があるため、最近は基板にプラ
スチック材料が使用され始めている。
プラスチック基板は上記特性の面では問題があるた
め、この対策としてTiO2,TiO等の酸化物材料あるいはSi
3N4、AlN等の酸化物材料をプラスチック基板に下地膜と
して施すことが提案されている。
め、この対策としてTiO2,TiO等の酸化物材料あるいはSi
3N4、AlN等の酸化物材料をプラスチック基板に下地膜と
して施すことが提案されている。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明者等の研究によると、酸化物材料をプラスチッ
ク等の基板に直接製膜してもその密着力が弱いために、
光磁気ディスクが使用される大気環境下で下地酸化膜が
基板から光磁気記録層とともに膜が剥離してしまい、一
方、窒化物膜は基板との密着力が強すぎるために、基板
を反らせ、基板を大きく変形させることが分かった。さ
らに、上記酸化物材料および窒化物材料は透湿性に優れ
ておらないため、これらの材料を光磁気記録層の保護皮
膜として使用して大気中の湿分から光磁気記録層を保護
するために用いたとしても、十分な透湿防止効果は得ら
れない。同様に、これら材料を下地保護膜として使用し
たとしてもプラスチック基板の場合プラスチック基板側
からの透湿を防止する十分な効果は得られず、結局記録
再生特性が経時的に劣化する。したがって、本発明は光
磁気ディスクにおいて密着力が高い窒化物保護膜は反り
が生じ易く、反りが生じない酸化物保護膜は密着力が弱
いという欠点を解消し、優れた密着力および平坦性を共
に実現するとともに透湿による記録再生特性の経時的劣
化を防止することを目的とする。
ク等の基板に直接製膜してもその密着力が弱いために、
光磁気ディスクが使用される大気環境下で下地酸化膜が
基板から光磁気記録層とともに膜が剥離してしまい、一
方、窒化物膜は基板との密着力が強すぎるために、基板
を反らせ、基板を大きく変形させることが分かった。さ
らに、上記酸化物材料および窒化物材料は透湿性に優れ
ておらないため、これらの材料を光磁気記録層の保護皮
膜として使用して大気中の湿分から光磁気記録層を保護
するために用いたとしても、十分な透湿防止効果は得ら
れない。同様に、これら材料を下地保護膜として使用し
たとしてもプラスチック基板の場合プラスチック基板側
からの透湿を防止する十分な効果は得られず、結局記録
再生特性が経時的に劣化する。したがって、本発明は光
磁気ディスクにおいて密着力が高い窒化物保護膜は反り
が生じ易く、反りが生じない酸化物保護膜は密着力が弱
いという欠点を解消し、優れた密着力および平坦性を共
に実現するとともに透湿による記録再生特性の経時的劣
化を防止することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明に関する光磁気ディスク媒体は、光磁気記録層
を基板で担持した光磁気ディスク媒体において、Zr,Ti,
Nb,TaおよびＶからなる群の少なくとも１種の金属の窒
素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記基板の間
ならびに前記光磁気記録層の上に設けたことを特徴とす
る。
を基板で担持した光磁気ディスク媒体において、Zr,Ti,
Nb,TaおよびＶからなる群の少なくとも１種の金属の窒
素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記基板の間
ならびに前記光磁気記録層の上に設けたことを特徴とす
る。
以下、本発明の構成を詳しく説明する。
光磁気記録層の上に設けた膜を、以下、上地保護膜と
いう。光磁気記録層と基板の間に設けた膜を、以下、下
地保護膜という。
いう。光磁気記録層と基板の間に設けた膜を、以下、下
地保護膜という。
上地保護膜は主として大気中からの湿分が光磁気膜に
透過するのを遮断する効果をもつ。一方下地保護膜は光
磁気膜をプラスチック等の基板に対して密着させるとと
もにプラスチック等の基板からの湿分から光磁気膜を遮
断する効果をもつ。
透過するのを遮断する効果をもつ。一方下地保護膜は光
磁気膜をプラスチック等の基板に対して密着させるとと
もにプラスチック等の基板からの湿分から光磁気膜を遮
断する効果をもつ。
本発明の光磁気ディスク媒体は上地保護膜も下地保護
膜も同一材料から構成すると構成上簡単になるが、両保
護膜を別種材料から構成することも本発明の範囲に含ま
れる。上地保護膜の厚みは80〜120nmが好ましく、下地
保護膜の厚みは80〜120nmが好ましい。これらの下限値
および上限値は次の理由で定められた。すなわち、下限
値未満では各保護膜の効果は少なく、一方上地保護膜の
厚みが上限値を越えるとレーザーの透過効率が低下し、
下地保護膜の厚みが上限値を越えてもとくに効果は増大
せず経済性が低下する。好ましい厚みは両保護膜とも80
〜100nmである。
膜も同一材料から構成すると構成上簡単になるが、両保
護膜を別種材料から構成することも本発明の範囲に含ま
れる。上地保護膜の厚みは80〜120nmが好ましく、下地
保護膜の厚みは80〜120nmが好ましい。これらの下限値
および上限値は次の理由で定められた。すなわち、下限
値未満では各保護膜の効果は少なく、一方上地保護膜の
厚みが上限値を越えるとレーザーの透過効率が低下し、
下地保護膜の厚みが上限値を越えてもとくに効果は増大
せず経済性が低下する。好ましい厚みは両保護膜とも80
〜100nmである。
本発明においては、基板／下地保護膜／光磁気記録層
／上地保護膜の積層構造が最も好ましく、また窒素酸化
物としてはZrONが最も好ましい。しかしながら、本発明
の効果を損なわず、反り等の欠点を招かないならば、本
発明以外の積層材料の膜を付加的に成膜することができ
る。例えばSiO2,SiON等を下地保護膜あるいは上地保護
膜と光磁気記録層の間に積層することもできる。
／上地保護膜の積層構造が最も好ましく、また窒素酸化
物としてはZrONが最も好ましい。しかしながら、本発明
の効果を損なわず、反り等の欠点を招かないならば、本
発明以外の積層材料の膜を付加的に成膜することができ
る。例えばSiO2,SiON等を下地保護膜あるいは上地保護
膜と光磁気記録層の間に積層することもできる。
プラスチック基板には通常1.2mmの厚みのポリカーボ
ネート、アクリル、APO基板等が使用される。
ネート、アクリル、APO基板等が使用される。
プラスチック基板以外にもガラス−2P基板に対しても
上記上地保護膜および下地保護膜を使用することができ
る。
上記上地保護膜および下地保護膜を使用することができ
る。
上記した上地および下地保護膜の製法としてはスパッ
タ法が膜組成および厚みの均一性の点で好ましい。
タ法が膜組成および厚みの均一性の点で好ましい。
また、スパッタの具体的方法は真空スパッタ法と雰囲
気ガスによる反応を利用するスパッタ法の２つが可能で
ある。
気ガスによる反応を利用するスパッタ法の２つが可能で
ある。
真空スパッタ法では、Zr,Ti,Nb,TaおよびＶからなる
群の少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなるターゲ
ットを用いて真空中でスパッタを行ない、前記少なくと
も１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録
層と前記プラスチック基板の間ならびに前記光磁気記録
層の上に設ける。この方法では、ターゲットの組成は、
窒化物50〜99モル％、酸化物が残部となるように調節す
ることが好ましい。窒化物が50モル％未満であると密着
力が低下する。
群の少なくとも１種の金属の窒素酸化物からなるターゲ
ットを用いて真空中でスパッタを行ない、前記少なくと
も１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録
層と前記プラスチック基板の間ならびに前記光磁気記録
層の上に設ける。この方法では、ターゲットの組成は、
窒化物50〜99モル％、酸化物が残部となるように調節す
ることが好ましい。窒化物が50モル％未満であると密着
力が低下する。
一方窒化物が99モル％を越えると、積層膜が反りを生
じ易くなり、また透湿性が劣化するため、上記組成が好
ましい。このターゲットは例えば窒化ジルコニウムの粉
末と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成して調製さ
れる。予めジルコニウムの窒素酸化物を化合物として用
意し、これを焼成する方法でターゲットを調製してもよ
いのは当然である。本発明における窒素酸化物は上記の
ように化合物または混合物から選ばれるものであり、保
護膜中においてＮとＯを含む物質である。次に、スパッ
タ製膜を行なう真空雰囲気の真空度は特に制限はない
が、10-1Torr〜数Torrが好ましい。真空度がこの下限値
未満であると放電にくくなる。上限値を越えるとスパッ
タ効率が低下する。よって上記範囲の真空度が好まし
い。
じ易くなり、また透湿性が劣化するため、上記組成が好
ましい。このターゲットは例えば窒化ジルコニウムの粉
末と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成して調製さ
れる。予めジルコニウムの窒素酸化物を化合物として用
意し、これを焼成する方法でターゲットを調製してもよ
いのは当然である。本発明における窒素酸化物は上記の
ように化合物または混合物から選ばれるものであり、保
護膜中においてＮとＯを含む物質である。次に、スパッ
タ製膜を行なう真空雰囲気の真空度は特に制限はない
が、10-1Torr〜数Torrが好ましい。真空度がこの下限値
未満であると放電にくくなる。上限値を越えるとスパッ
タ効率が低下する。よって上記範囲の真空度が好まし
い。
雰囲気との反応を利用するスパッタ法においては、ス
パッタされた物質が窒素および／または酸素と反応する
方法であれば各種ターゲットおよび雰囲気を採用するこ
とができる。
パッタされた物質が窒素および／または酸素と反応する
方法であれば各種ターゲットおよび雰囲気を採用するこ
とができる。
好ましいスパッタ法としてはZr,Ti,Nb,TaおよびＶか
らなる群の少なくとも１種の金属の窒化物または酸化物
からなるターゲットを用いて酸素雰囲気中（窒化物ター
ゲットの場合）または窒素雰囲気中（酸化物ターゲット
の場合）でスパッタして、前記少なくとも１種の金属の
窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記プラス
チック基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設ける
方法がある。
らなる群の少なくとも１種の金属の窒化物または酸化物
からなるターゲットを用いて酸素雰囲気中（窒化物ター
ゲットの場合）または窒素雰囲気中（酸化物ターゲット
の場合）でスパッタして、前記少なくとも１種の金属の
窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記プラス
チック基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設ける
方法がある。
この方法においては、Tiの酸化物としてTiO,TiO2O3,T
i2O5等を、Nbの酸化物としてはNbO,Nb2O5等を、Taの酸
化物としてはTaO,TaO2等を、Ｖの酸化物としてはV2O5等
をターゲットとして使用することができる。また、Tiの
窒化物としてTiN,等を、Zrの窒化物としてはZrN等をNb
の窒化物としてはNbN,等を、Taの窒化物としてはTaN,等
を、Ｖの窒化物といてはVN等をターゲットとして使用す
ることができる。ターゲットの酸化物（窒化物）はスパ
ッチ装置のチャンバ内で窒素ガス（酸素ガス）と反応し
て窒素酸化物として基板上に製膜される。
i2O5等を、Nbの酸化物としてはNbO,Nb2O5等を、Taの酸
化物としてはTaO,TaO2等を、Ｖの酸化物としてはV2O5等
をターゲットとして使用することができる。また、Tiの
窒化物としてTiN,等を、Zrの窒化物としてはZrN等をNb
の窒化物としてはNbN,等を、Taの窒化物としてはTaN,等
を、Ｖの窒化物といてはVN等をターゲットとして使用す
ることができる。ターゲットの酸化物（窒化物）はスパ
ッチ装置のチャンバ内で窒素ガス（酸素ガス）と反応し
て窒素酸化物として基板上に製膜される。
（作用） 一般に酸化物は程度の差はあるが、プラスチックとの
密着力が悪いので、プラスチックに被着された酸化膜は
容易にプラスチック基板から剥離する。そこで、この酸
化物に窒素または窒化物を添加することにより若干窒化
させると密着力が向上する。
密着力が悪いので、プラスチックに被着された酸化膜は
容易にプラスチック基板から剥離する。そこで、この酸
化物に窒素または窒化物を添加することにより若干窒化
させると密着力が向上する。
窒化物は、プラスチックと密着力が良いが、プラスチ
ック基板と積層された場合に膜面内方向の応力が強すぎ
て、基板を変形させる難点がある。そこで、この窒化物
に酸素または酸化物を添加することにより、密着力をそ
こなわず、基板を変形させないようにする。
ック基板と積層された場合に膜面内方向の応力が強すぎ
て、基板を変形させる難点がある。そこで、この窒化物
に酸素または酸化物を添加することにより、密着力をそ
こなわず、基板を変形させないようにする。
以上のように、酸化膜に添加された窒素等は密着性を
高めるが基板の反りをもたらさず、一方窒化膜に添加さ
れた酸素等は密着力を低下させずに基板の反りを防止す
る。したがって、本発明によれば、酸化物または窒化物
単独膜の欠点が解消され、各膜のすぐれた性質のみが備
わった下地保護膜および上地保護膜が提供される。
高めるが基板の反りをもたらさず、一方窒化膜に添加さ
れた酸素等は密着力を低下させずに基板の反りを防止す
る。したがって、本発明によれば、酸化物または窒化物
単独膜の欠点が解消され、各膜のすぐれた性質のみが備
わった下地保護膜および上地保護膜が提供される。
以下、実施例によりさらに詳しく本発明を説明する。
以下の実施例において、下地膜と基板との密着力を調
べるために、第２図に示すような剥離試験を行なった。
下地膜に図のような碁盤目状に切って100個のマス目を
つくり、これにテープを密着させ、そしてテープを剥が
したあと、マス目に何個の膜が残っているかで密着性を
判断する。
べるために、第２図に示すような剥離試験を行なった。
下地膜に図のような碁盤目状に切って100個のマス目を
つくり、これにテープを密着させ、そしてテープを剥が
したあと、マス目に何個の膜が残っているかで密着性を
判断する。
反りを調べるために、第３図に示すような試験を行な
った。すなわち、上地保護膜および下地保護膜を形成し
たプラスチック基板を台の上に置き、基板変形（そり）
の経時変化を80℃の加速試験で調べた。測定は第３図の
ように基板端部の反り量を測定する方法に依った。
った。すなわち、上地保護膜および下地保護膜を形成し
たプラスチック基板を台の上に置き、基板変形（そり）
の経時変化を80℃の加速試験で調べた。測定は第３図の
ように基板端部の反り量を測定する方法に依った。
透湿に対する保護効果を調べるために、上地および下
地保護膜を形成したプラスチック基板を85℃、90％RHの
大気中に放置し、C/Nを測定した。
地保護膜を形成したプラスチック基板を85℃、90％RHの
大気中に放置し、C/Nを測定した。
C/N測定条件は以下のとおりであった。
回転数 900rpm 周波数 1.0MHz 線速度 4.0mW/S 記録磁界 300 Oe 実施例１ 本実施例で使用したターゲットは、ZrNを母相に、ZrO
2を添加し、焼結したターゲットを使用した。
2を添加し、焼結したターゲットを使用した。
このターゲットを用いて光磁気ディスクの上地および
下地保護膜（ZrON）を製膜した。基板は厚み1.2mm、直
径５インチのポリカーボネート樹脂基板（PC）を用い
た。ディスクの構造は次の通りであった。
下地保護膜（ZrON）を製膜した。基板は厚み1.2mm、直
径５インチのポリカーボネート樹脂基板（PC）を用い
た。ディスクの構造は次の通りであった。
PC基板/ZrON下地保護膜（厚み80nm）/TbFeCo（厚み90
nm）/ZrON上地保護膜（厚み80nm） 試験の結果は剥離試験を表１に、反りを第１図に、透
湿に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２
に、それぞれ示す。
nm）/ZrON上地保護膜（厚み80nm） 試験の結果は剥離試験を表１に、反りを第１図に、透
湿に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２
に、それぞれ示す。
実施例２ 本実施例では、TiNを母相に、TiO2を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
実施例３ 本実施例では、NbNを母相に、Nb2O5を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
実施例４ 本実施例では、HfNを母相に、HfO2を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
たターゲットを使用して実施例１と同様の処理を行なっ
た。
比較例１ 本比較例では、ZrO2を焼結したターゲットを使用して
実施例１と同様の処理を行なった。
実施例１と同様の処理を行なった。
比較例２ 本比較例では、SiO2を焼結したターゲットを使用して
実施例１と同様の処理を行なった。
実施例１と同様の処理を行なった。
比較例３ 本比較例では、Si3N4を焼結したターゲットを使用し
て実施例１と同様の処理を行なった。
て実施例１と同様の処理を行なった。
第４図に加速試験によるC/Nの経時変化を示す。これ
より酸化物単独および窒化物単独を上地および下地保護
膜とした場合は透湿によりC/Nが劣化が起こるが、窒素
酸化物の場合はC/Nの劣化は起こらないことが分かる。
より酸化物単独および窒化物単独を上地および下地保護
膜とした場合は透湿によりC/Nが劣化が起こるが、窒素
酸化物の場合はC/Nの劣化は起こらないことが分かる。
以上で説明した本発明の実施例は、（イ）保護膜の剥
離がなく、Si3N4と同等の密着性を有し（表１）、
（ロ）はSi3N4のような変形はなく（第１図）、（ハ）
酸化物および窒化物のように透湿による劣化がなく（第
４図）、また（ニ）ディスク特性は表２に示すようにZr
O2を保護膜としたものと全く違いはみられない。
離がなく、Si3N4と同等の密着性を有し（表１）、
（ロ）はSi3N4のような変形はなく（第１図）、（ハ）
酸化物および窒化物のように透湿による劣化がなく（第
４図）、また（ニ）ディスク特性は表２に示すようにZr
O2を保護膜としたものと全く違いはみられない。
実施例５ 本実施例での製膜方法は、ターゲットに100％ZrO2を
用い、100％窒素雰囲気中でスパッタを行ないZrONを基
板上にデポジットする方法であった。
用い、100％窒素雰囲気中でスパッタを行ないZrONを基
板上にデポジットする方法であった。
基板は実施例１と同様のポリカーボネート樹脂（PC）
を用いた。ディスクの構造は実施例１と同様であった。
を用いた。ディスクの構造は実施例１と同様であった。
試験の結果は剥離試験を表３に、反りを第１図に、透
湿に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２
に、それぞれ示す。なお、本実施例で得られた反りおよ
び透湿に対する保護効果は実施例１と同じであったの
で、結果は実施例１と同じ図に示す。
湿に対する保護効果を第３図に、ディスク特性を表２
に、それぞれ示す。なお、本実施例で得られた反りおよ
び透湿に対する保護効果は実施例１と同じであったの
で、結果は実施例１と同じ図に示す。
実施例６ 本実施例ではターゲットに100％TiO2を用い実施例５
と同様に処理を行なった。
と同様に処理を行なった。
実施例７ 本実施例ではターゲットに100％Nb2O5を用い実施例５
と同様に処理を行なった。
と同様に処理を行なった。
実施例８ 本実施例ではターゲットに100％HfO2を用い実施例５
と同様に処理を行なった。
と同様に処理を行なった。
100％N2雰囲気に代えてAr＋N2混合ガスを用いても同
様の結果が得られた。
様の結果が得られた。
（発明の効果） 以上説明したように窒素酸化物を上地／下地保護膜と
して設けた本発明の光磁気ディスク媒体は耐透湿性にす
ぐれ、反りが少ない。また、プラスチック基板使用にも
係わらずガラス基板使用の光磁気ディスクと同等以上の
性能をもつので、基板のプラスチック化を確実に前進さ
せるものである。
して設けた本発明の光磁気ディスク媒体は耐透湿性にす
ぐれ、反りが少ない。また、プラスチック基板使用にも
係わらずガラス基板使用の光磁気ディスクと同等以上の
性能をもつので、基板のプラスチック化を確実に前進さ
せるものである。
第１図は光磁気ディスクの反り量の経時変化を示すグラ
フ、 第２図は剥離試験説明図、 第３図は基板の反り量測定図、 第４図はC/Nの経時変化を示すグラフである。
フ、 第２図は剥離試験説明図、 第３図は基板の反り量測定図、 第４図はC/Nの経時変化を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 巳代三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−193150（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22458（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディ
スク媒体に於いて、Zr,Ti,Nb,Ta,及びＶからなる群の少
なくとも１種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁
気記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上
に設けたことを特徴とする光磁気ディスク媒体。 - 【請求項２】光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディ
スク媒体の製造方法に於いて、Zr,Ti,Nb,Ta,及びＶから
なる群の少なくとも１種の金属の50〜99モル％の窒化物
と残部が酸化物の窒素酸化物からなるターゲットを用い
て真空中でスパッタを行い、前記少なくとも１種の金属
の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記基板
の間ならびに前記光磁気記録層の上に設けることを特徴
とする光磁気ディスク媒体の製造方法。 - 【請求項３】上記ターゲットが窒化ジルコニウムの粉末
と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成してなるター
ゲット、或いは、ジルコニウムの窒素酸化物化合物を焼
成してなるターゲットである請求項２記載の光磁気ディ
スク媒体の製造方法。 - 【請求項４】上記ターゲットがZrNを母相にZrO2を添加
し焼結したターゲット、TiNを母相にTiO2を添加し焼結
したターゲット、NbNを母相にNb2O5を添加し焼結したタ
ーゲット、或いは、HfNを母相にHfO2を添加し焼結した
ターゲットである請求項２記載の光磁気ディスク媒体の
製造方法。 - 【請求項５】光磁気記録層の基板で担持した光磁気ディ
スク媒体の製造方法に於いて、TiN,ZrN,NbN,TaN,VNから
選択される窒化物からなるターゲットを用いて酸素雰囲
気中でスパッタして窒素酸化物からなる膜を前記光磁気
記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に
設ける、又は、TiO,Ti2O3,Ti2O5,NbO,Nb2O5,TaO,TaO2,V
2O5から選択される酸化物からなるターゲットを用いて
窒素雰囲気中でスパッタして、窒素酸化物からなる膜を
前記光磁気記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記
録層の上に設けることを特徴とする光磁気ディスク媒体
の製造方法。 - 【請求項６】ターゲットにZrO2を用い窒素雰囲気中でス
パッタを行いZrON膜を形成するか、ターゲットにTiO2を
用い窒素雰囲気中でスパッタを行いTiON膜を形成する
か、ターゲットにNb2O5を用い窒素雰囲気中でスパッタ
を行いNbON膜を形成するか、ターゲットにHfO2を用い窒
素雰囲気中でスパッタを行いHfON膜を形成する請求項５
記載の光磁気ディスク媒体の製造方法。 - 【請求項７】上記窒素雰囲気が100％N2雰囲気である
か、或いは、不活性ガスとN2の混合ガス雰囲気である請
求項5,6記載の光磁気ディスク媒体の製造方法。 - 【請求項８】上記不活性ガスがArである請求項７記載の
光磁気ディスク媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230702A JP2551118B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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