JP2967949B2 - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光の照射によ
り記録層が可逆的に相変化することを利用した、高速、
高密度かつオーバーライト可能な光学的情報記録用媒体
に関するものである。
り記録層が可逆的に相変化することを利用した、高速、
高密度かつオーバーライト可能な光学的情報記録用媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大にともない、高密度
でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒
体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用
途に応えるものとして期待されている。光ディスクには
一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも
可能な書換型がある。
でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒
体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用
途に応えるものとして期待されている。光ディスクには
一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも
可能な書換型がある。
【０００３】書換型光ディスクとしては、光磁気効果を
利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に
伴う反射率変化を利用した相変化媒体があげられる。相
変化媒体は外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワー
を変調するだけで記録・消去が可能であり、記録・再生
装置を小型化できるという利点を有する。さらに、消去
と再記録を単一レーザー光ビームで同時に行う、いわゆ
る１ビームオーバーライトが可能である。
利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に
伴う反射率変化を利用した相変化媒体があげられる。相
変化媒体は外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワー
を変調するだけで記録・消去が可能であり、記録・再生
装置を小型化できるという利点を有する。さらに、消去
と再記録を単一レーザー光ビームで同時に行う、いわゆ
る１ビームオーバーライトが可能である。
【０００４】このような、１ビームオーバーライトが可
能な相変化媒体の記録層材料としては、カルコゲン系合
金薄膜を用いることが多い。たとえば、ＧｅＴｅＳｂ
系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ系等があげられる。
また、実際の媒体は、記録層を誘電体層ではさんで繰り
返しオーバーライトに伴う劣化を防止したり、干渉効果
を利用して反射率差（コントラスト）を改善するのが普
通である。
能な相変化媒体の記録層材料としては、カルコゲン系合
金薄膜を用いることが多い。たとえば、ＧｅＴｅＳｂ
系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ系等があげられる。
また、実際の媒体は、記録層を誘電体層ではさんで繰り
返しオーバーライトに伴う劣化を防止したり、干渉効果
を利用して反射率差（コントラスト）を改善するのが普
通である。
【０００５】一般に、書換型の相変化記録媒体では、未
記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のビットを形成
する。非晶質ビットは記録層を融点より高い温度まで加
熱し、急冷することによって形成される。この場合、誘
電体層は十分な過冷却状態を得るための放熱層として働
く。一方、消去（結晶化）は、記録層の結晶化温度より
は高く融点よりは低い温度まで記録層を加熱して行う。
この場合、誘電体層は結晶化が完了するまでの間、記録
層の温度を高温に保つ蓄熱層として働く。
記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のビットを形成
する。非晶質ビットは記録層を融点より高い温度まで加
熱し、急冷することによって形成される。この場合、誘
電体層は十分な過冷却状態を得るための放熱層として働
く。一方、消去（結晶化）は、記録層の結晶化温度より
は高く融点よりは低い温度まで記録層を加熱して行う。
この場合、誘電体層は結晶化が完了するまでの間、記録
層の温度を高温に保つ蓄熱層として働く。
【０００６】上述のような加熱・冷却における記録層の
溶融・体積膨張に伴う変形や、プラスチック基板への熱
的ダメージを防いだり、湿気による記録層の劣化を防止
するためにも、上記誘電体層からなる保護層は重要であ
る。保護層材料は、レーザー光波長において透明である
こと、融点が高く耐熱性に優れること、酸化等にたいし
て化学的に安定であること、適度な熱伝導率であるこ
と、さらには形成が容易であることなどの多岐にわたる
要求を満たさねばならない。相変化媒体の実用化のため
には記録層もさることながら、この保護層の選定、改良
が極めて重要である。
溶融・体積膨張に伴う変形や、プラスチック基板への熱
的ダメージを防いだり、湿気による記録層の劣化を防止
するためにも、上記誘電体層からなる保護層は重要であ
る。保護層材料は、レーザー光波長において透明である
こと、融点が高く耐熱性に優れること、酸化等にたいし
て化学的に安定であること、適度な熱伝導率であるこ
と、さらには形成が容易であることなどの多岐にわたる
要求を満たさねばならない。相変化媒体の実用化のため
には記録層もさることながら、この保護層の選定、改良
が極めて重要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】保護層材料としては、
高融点で機械的・化学的に安定な誘電体が用いられるこ
とが多い。しかしながら、保護層が十分な耐熱性及び機
械的強度を有していないなどの原因のため、記録・消去
を繰り返すうちに、記録層、保護層、基板が変形したり
クラックが生じたり、剥離が生じたりし、記録・消去の
繰り返し回数とともに欠陥やノイズが増加するなどの問
題がある。
高融点で機械的・化学的に安定な誘電体が用いられるこ
とが多い。しかしながら、保護層が十分な耐熱性及び機
械的強度を有していないなどの原因のため、記録・消去
を繰り返すうちに、記録層、保護層、基板が変形したり
クラックが生じたり、剥離が生じたりし、記録・消去の
繰り返し回数とともに欠陥やノイズが増加するなどの問
題がある。
【０００８】保護層として優れた物性をもつ膜であるか
否かは、材料以外に成膜条件によるところが大きい。例
えば本発明者らは、すでに、上記誘電体保護膜として密
度７．２５ｇ／cm3 以上の酸化タンタルを用いれば繰り
返し特性に優れた媒体が得られることを示した。保護層
誘電体材料としてはこのほかに、Ｓｉ、Ａｌなどの酸化
物・窒化物やＺｎＳ、ＺｎＯ及びこれらの混合物が提案
されている。（特開昭６２−１６７０９０、特開昭６３
−１０２０４８、特開昭６３−２７６７２４）一般にこ
れらの誘電体材料はスパッタリング法によって成膜され
るが、単独のの酸化物、窒化物、硫化物等ではいわゆる
ａｔｏｍｉｃｐｅｅｎｉｎｇ効果（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈ．Ａ７（１９８９）、１１０５）により圧
縮応力を生じ易く、この傾向はスパッタリング時の不活
性ガスの圧力を低くするほど著しい。
否かは、材料以外に成膜条件によるところが大きい。例
えば本発明者らは、すでに、上記誘電体保護膜として密
度７．２５ｇ／cm3 以上の酸化タンタルを用いれば繰り
返し特性に優れた媒体が得られることを示した。保護層
誘電体材料としてはこのほかに、Ｓｉ、Ａｌなどの酸化
物・窒化物やＺｎＳ、ＺｎＯ及びこれらの混合物が提案
されている。（特開昭６２−１６７０９０、特開昭６３
−１０２０４８、特開昭６３−２７６７２４）一般にこ
れらの誘電体材料はスパッタリング法によって成膜され
るが、単独のの酸化物、窒化物、硫化物等ではいわゆる
ａｔｏｍｉｃｐｅｅｎｉｎｇ効果（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃ
ｉ．Ｔｅｃｈ．Ａ７（１９８９）、１１０５）により圧
縮応力を生じ易く、この傾向はスパッタリング時の不活
性ガスの圧力を低くするほど著しい。
【０００９】本発明者らの検討によれば、低圧で成膜し
た誘電体膜を用いた方が、繰り返しオーバーライトによ
る劣化がすくないことが判明したが、これらの膜では圧
縮応力が極めて高いためにふくれや剥離を生じやすく、
経時安定性に問題があることが多い。特に、上部誘電体
保護層と記録層との間で剥離が生じ易く、上部誘電体保
護層の圧縮応力を軽減する必要があった。
た誘電体膜を用いた方が、繰り返しオーバーライトによ
る劣化がすくないことが判明したが、これらの膜では圧
縮応力が極めて高いためにふくれや剥離を生じやすく、
経時安定性に問題があることが多い。特に、上部誘電体
保護層と記録層との間で剥離が生じ易く、上部誘電体保
護層の圧縮応力を軽減する必要があった。
【００１０】圧縮応力を軽減するためにスパッタリング
中の圧力を高くしたり、ＺｎＳ及びＺｎＳをベースとす
る混合膜を用いれば、膨れや剥離を生じにくいものの、
機械的強度が十分でなく繰り返しオーバーライトに伴う
劣化がはやい。従って、繰り返しオーバーライト特性、
および経時安定性の両方に優れた誘電体保護層を得るこ
とは互いに対立する関係となり、本発明者らはこの矛盾
を解決するために、種々の検討を行った。
中の圧力を高くしたり、ＺｎＳ及びＺｎＳをベースとす
る混合膜を用いれば、膨れや剥離を生じにくいものの、
機械的強度が十分でなく繰り返しオーバーライトに伴う
劣化がはやい。従って、繰り返しオーバーライト特性、
および経時安定性の両方に優れた誘電体保護層を得るこ
とは互いに対立する関係となり、本発明者らはこの矛盾
を解決するために、種々の検討を行った。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、記録層を誘電体保護層ではさみ、その上部
に反射層を設けた相変化型記録媒体において、特に上部
誘電体保護層を圧縮応力の異なる誘電体層を積層して形
成したものであり、高圧縮応力の誘電体層の膜厚を低圧
縮応力の誘電体層より薄くして、誘電体層の耐熱性・機
械的強度を損なうこと無く、全体として上部誘電体保護
層の圧縮応力を軽減したものである。
するために、記録層を誘電体保護層ではさみ、その上部
に反射層を設けた相変化型記録媒体において、特に上部
誘電体保護層を圧縮応力の異なる誘電体層を積層して形
成したものであり、高圧縮応力の誘電体層の膜厚を低圧
縮応力の誘電体層より薄くして、誘電体層の耐熱性・機
械的強度を損なうこと無く、全体として上部誘電体保護
層の圧縮応力を軽減したものである。
【００１２】以下、本発明の内容について更に詳細に述
べる。本発明の各層はいずれもスパッタリング法や蒸着
法で作成できるが、量産性に優れるスパッタリング法を
用い、一貫して真空中で成膜するインライン装置で成膜
するのが望ましい。また、各層の厚みは、以下に述べる
ような理由のほかに、光学的な干渉効果を考慮して結晶
状態と非晶質状態の反射率差（コントラスト）を大きく
するように選ばれる。
べる。本発明の各層はいずれもスパッタリング法や蒸着
法で作成できるが、量産性に優れるスパッタリング法を
用い、一貫して真空中で成膜するインライン装置で成膜
するのが望ましい。また、各層の厚みは、以下に述べる
ような理由のほかに、光学的な干渉効果を考慮して結晶
状態と非晶質状態の反射率差（コントラスト）を大きく
するように選ばれる。
【００１３】基板としてはポリカーボネート、アクリ
ル、ポリオレフィン等の透明樹脂、あるいはガラス等が
あげられる。基板にまず設けられる第１誘電体保護層は
特に基板との密着性と耐熱性・機械的強度に優れた誘電
体が望ましく、例えば酸化タンタルなどの金属酸化膜
や、ＺｎＳと他の金属の酸化物との混合物があげられ
る。本発明者らの検討によれば、第１誘電体保護層は金
属反射層による放熱効果が期待できないため、上部保護
層より耐熱性・機械的強度に優れた誘電体が望ましい。
例えば酸化タンタルは基板との密着性に優れているため
膨れ・剥離が生じにくいので好ましい。特にスパッタリ
ング中の圧力を低くして得られる高密度・高圧縮応力の
膜をもちいるのが望ましく、２×１０9 ｄｙｎ／cm2 以
上の高圧縮応力膜とするのが望ましい。また、その厚み
は１００Åから５０００Åの範囲であることが望まし
い。厚みが１００Å未満であると基板や記録膜の変形防
止効果が不十分であり、５０００Å以上ではクラックが
発生しやすい。
ル、ポリオレフィン等の透明樹脂、あるいはガラス等が
あげられる。基板にまず設けられる第１誘電体保護層は
特に基板との密着性と耐熱性・機械的強度に優れた誘電
体が望ましく、例えば酸化タンタルなどの金属酸化膜
や、ＺｎＳと他の金属の酸化物との混合物があげられ
る。本発明者らの検討によれば、第１誘電体保護層は金
属反射層による放熱効果が期待できないため、上部保護
層より耐熱性・機械的強度に優れた誘電体が望ましい。
例えば酸化タンタルは基板との密着性に優れているため
膨れ・剥離が生じにくいので好ましい。特にスパッタリ
ング中の圧力を低くして得られる高密度・高圧縮応力の
膜をもちいるのが望ましく、２×１０9 ｄｙｎ／cm2 以
上の高圧縮応力膜とするのが望ましい。また、その厚み
は１００Åから５０００Åの範囲であることが望まし
い。厚みが１００Å未満であると基板や記録膜の変形防
止効果が不十分であり、５０００Å以上ではクラックが
発生しやすい。
【００１４】本発明においては、特に記録層材料を限定
するものではないが、記録層としてはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
等のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例えば
ＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｎＴｅ等の３元合
金や、これらにさらにＴａ、Ｃｏ、Ａｇ等を添加したも
のがあげられる。特に、ＧｅＳｂＴｅ３元合金系は、結
晶化速度が速く、非晶質ビットの経時安定性に優れてお
り、実用上十分な特性を有する。記録層の厚みは通常１
００Åから１０００Åの範囲に選ばれる。記録層の厚み
が１００Åより薄いと結晶状態と非晶質状態との間で十
分な反射率差が得られず、一方、１０００Åを越すとク
ラックが生じやすくなる。
するものではないが、記録層としてはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
等のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例えば
ＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｎＴｅ等の３元合
金や、これらにさらにＴａ、Ｃｏ、Ａｇ等を添加したも
のがあげられる。特に、ＧｅＳｂＴｅ３元合金系は、結
晶化速度が速く、非晶質ビットの経時安定性に優れてお
り、実用上十分な特性を有する。記録層の厚みは通常１
００Åから１０００Åの範囲に選ばれる。記録層の厚み
が１００Åより薄いと結晶状態と非晶質状態との間で十
分な反射率差が得られず、一方、１０００Åを越すとク
ラックが生じやすくなる。
【００１５】さて、本発明のポイントである第２誘電体
保護層であるが、高圧縮応力誘電体層としては、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔａなどの金属の酸化物誘電体が望ましく、低圧
縮応力誘電体層としては、ＺｎＳまたはＺｎＳと上記金
属酸化物の誘電体との混合物が望ましい。ＺｎＳに金属
酸化物の誘電体を混合する場合は、金属酸化物が５〜５
０モル％、好ましくは１０〜３０モル％程度とするのが
良い。特に高圧縮応力の金属酸化物としては、酸化タン
タルが耐熱性、機械的強度、化学的安定性にすぐれ、本
発明に用いる誘電体層として適している。さらに酸化タ
ンタルとして２×１０9 ｄｙｎ／cm2 以上の高圧縮応力
膜をもちいると、いっそう繰り返しオーバーライト特性
が向上する。ＺｎＳまたはＺｎＳと金属酸化物誘電体と
の混合物の圧縮応力は、逆に２×１０9 ｄｙｎ／cm2 未
満であることが望ましい。
保護層であるが、高圧縮応力誘電体層としては、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔａなどの金属の酸化物誘電体が望ましく、低圧
縮応力誘電体層としては、ＺｎＳまたはＺｎＳと上記金
属酸化物の誘電体との混合物が望ましい。ＺｎＳに金属
酸化物の誘電体を混合する場合は、金属酸化物が５〜５
０モル％、好ましくは１０〜３０モル％程度とするのが
良い。特に高圧縮応力の金属酸化物としては、酸化タン
タルが耐熱性、機械的強度、化学的安定性にすぐれ、本
発明に用いる誘電体層として適している。さらに酸化タ
ンタルとして２×１０9 ｄｙｎ／cm2 以上の高圧縮応力
膜をもちいると、いっそう繰り返しオーバーライト特性
が向上する。ＺｎＳまたはＺｎＳと金属酸化物誘電体と
の混合物の圧縮応力は、逆に２×１０9 ｄｙｎ／cm2 未
満であることが望ましい。
【００１６】繰り返しオーバーライト特性を向上させる
ためには、特に高温にさらされる記録層に面する側の誘
電体層を、高圧縮応力の誘電体とし、上部誘電体層全体
の膜厚を１０００Å以上にすることが望ましい。全体の
膜厚が１０００Å未満では実用上必要といわれる１０5
以上の繰り返しオーバーライトに耐えられない。さら
に、誘電体層４ａを５００Å未満とすると、より効果的
に全体の圧縮応力を軽減して膨れや剥離を防止できる。
ためには、特に高温にさらされる記録層に面する側の誘
電体層を、高圧縮応力の誘電体とし、上部誘電体層全体
の膜厚を１０００Å以上にすることが望ましい。全体の
膜厚が１０００Å未満では実用上必要といわれる１０5
以上の繰り返しオーバーライトに耐えられない。さら
に、誘電体層４ａを５００Å未満とすると、より効果的
に全体の圧縮応力を軽減して膨れや剥離を防止できる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に説明す
る。基板としては表面にグルーブを設けた厚さ１．２mm
のポリカーボネート樹脂基板を用いた。記録層として、
Ｇｅ 14Ｓｂ34Ｔｅ52（原子％）なる組成の３元合金をＤ
Ｃスパッタリング法で厚み７００Åに成膜した。また、
ハードコート層としては厚さ４mmの紫外線硬化型樹脂を
用いた。
る。基板としては表面にグルーブを設けた厚さ１．２mm
のポリカーボネート樹脂基板を用いた。記録層として、
Ｇｅ 14Ｓｂ34Ｔｅ52（原子％）なる組成の３元合金をＤ
Ｃスパッタリング法で厚み７００Åに成膜した。また、
ハードコート層としては厚さ４mmの紫外線硬化型樹脂を
用いた。
【００１８】実施例１ 第２誘電体保護層のうち記録層に面する高圧縮応力誘電
体層として厚さ１５０Åの酸化タンタル、その上の低圧
縮応力誘電体層として厚さ１３５０ÅのＺｎＳとＳｉＯ
2 （ＳｉＯ2 ２０ mol％含有）の混合膜を用い、また第
１誘電体保護層としてやはり厚さ１１００Åの酸化タン
タルを用いた。これらの誘電体は高周波スパッタリング
（周波数１３．５６ＭＨｚ）法により作成した。成膜時
のＡｒガスの圧力は０．２８Ｐａとした。この時の酸化
タンタルの圧縮応力は５×１０9 ｄｙｎ／cm2 、ＺｎＳ
・ＳｉＯ2 混合膜の圧縮応力は１．４×１０9 ｄｙｎ／
cm 2 であった。なお、圧縮応力は別途、Ｓｉウェハー上
に誘電体層のみを成膜し、ウェハーのそりから求めた。
体層として厚さ１５０Åの酸化タンタル、その上の低圧
縮応力誘電体層として厚さ１３５０ÅのＺｎＳとＳｉＯ
2 （ＳｉＯ2 ２０ mol％含有）の混合膜を用い、また第
１誘電体保護層としてやはり厚さ１１００Åの酸化タン
タルを用いた。これらの誘電体は高周波スパッタリング
（周波数１３．５６ＭＨｚ）法により作成した。成膜時
のＡｒガスの圧力は０．２８Ｐａとした。この時の酸化
タンタルの圧縮応力は５×１０9 ｄｙｎ／cm2 、ＺｎＳ
・ＳｉＯ2 混合膜の圧縮応力は１．４×１０9 ｄｙｎ／
cm 2 であった。なお、圧縮応力は別途、Ｓｉウェハー上
に誘電体層のみを成膜し、ウェハーのそりから求めた。
【００１９】繰り返しオーバーライト特性は、線速１０
ｍ／ｓ、記録パワー１５ｍｗ、消去パワー８ｍｗとし単
一周波数（４ＭＨｚ，ｄｕｔｙ５０％）で行った。所定
回数のオーバーライトを行った後Ｃ／Ｎ比を測定し、消
去用レーザー光を１回照射して、キャリアレベルの減少
分から消去比を求めた。上記実施例の記録媒体において
は初期のＣＮ／Ｎ比５５ｄＢ、消去比２５ｄＢが得られ
る。繰り返しオーバーライト１０6 回後のＣ／Ｎ比は５
０ｄＢ、消去比は２２ｄＢであり、極めて良好な繰り返
し特性が得られた。また、この媒体を温度８５℃、相対
湿度８５％ＲＨの条件下で加速テストを行ったところ、
１０００時間を経過しても欠陥の増加はみられず、ま
た、Ｃ／Ｎ比、消去比、繰り返し特性にも劣化は見られ
なかった。
ｍ／ｓ、記録パワー１５ｍｗ、消去パワー８ｍｗとし単
一周波数（４ＭＨｚ，ｄｕｔｙ５０％）で行った。所定
回数のオーバーライトを行った後Ｃ／Ｎ比を測定し、消
去用レーザー光を１回照射して、キャリアレベルの減少
分から消去比を求めた。上記実施例の記録媒体において
は初期のＣＮ／Ｎ比５５ｄＢ、消去比２５ｄＢが得られ
る。繰り返しオーバーライト１０6 回後のＣ／Ｎ比は５
０ｄＢ、消去比は２２ｄＢであり、極めて良好な繰り返
し特性が得られた。また、この媒体を温度８５℃、相対
湿度８５％ＲＨの条件下で加速テストを行ったところ、
１０００時間を経過しても欠陥の増加はみられず、ま
た、Ｃ／Ｎ比、消去比、繰り返し特性にも劣化は見られ
なかった。
【００２０】実施例２ 低圧縮応力の誘電体層として厚み１３５０ÅのＺｎＳと
酸化タンタルの混合膜（酸化タンタル２０ mol％含有）
を用い、他はまったく実施例１と同様にして記録媒体を
作製した。上記混合膜の圧縮応力は１．７×１０9 ｄｙ
ｎ／cm2 であった。初期の特性としてＣ／Ｎ比５６ｄ
Ｂ、消去比２７ｄＢが得られ、１０6 回後のＣ／Ｎ比は
５０ｄＢ、消去比は２５ｄＢと良好な特性がえられた。
また、加速テスト１０００時間後にも欠陥の増加、Ｃ／
Ｎ比、消去比、繰り返し特性の劣化は見られなかった。
酸化タンタルの混合膜（酸化タンタル２０ mol％含有）
を用い、他はまったく実施例１と同様にして記録媒体を
作製した。上記混合膜の圧縮応力は１．７×１０9 ｄｙ
ｎ／cm2 であった。初期の特性としてＣ／Ｎ比５６ｄ
Ｂ、消去比２７ｄＢが得られ、１０6 回後のＣ／Ｎ比は
５０ｄＢ、消去比は２５ｄＢと良好な特性がえられた。
また、加速テスト１０００時間後にも欠陥の増加、Ｃ／
Ｎ比、消去比、繰り返し特性の劣化は見られなかった。
【００２１】比較例１ 第２誘電体保護層を厚さ１５００Å、圧縮応力５×１０
9 ｄｙｎ／cm2 の酸化タンタルのみとし、他は実施例１
と同じにした記録媒体を作製した。繰り返し特性は１０
6 回まで良好であったが、加速テストでは、１００時間
後に記録層と上部酸化タンタル層との間に剥離・膨れを
生じた。
9 ｄｙｎ／cm2 の酸化タンタルのみとし、他は実施例１
と同じにした記録媒体を作製した。繰り返し特性は１０
6 回まで良好であったが、加速テストでは、１００時間
後に記録層と上部酸化タンタル層との間に剥離・膨れを
生じた。
【００２２】比較例２ 第２誘電体保護層を厚さ１５００Å、圧縮応力１．４×
１０9 ｄｙｎ／cm2 のＺｎＳとＳｉＯ2 混合膜のみと
し、他は実施例１と同じにした記録媒体を作製した。加
速テストでは、１０００時間後もまったく劣化がみられ
なかった。繰り返しオーバーライトでは、初期のＣ／Ｎ
比５５ｄＢが１０6 回後には４５ｄＢにまで低下した。
１０9 ｄｙｎ／cm2 のＺｎＳとＳｉＯ2 混合膜のみと
し、他は実施例１と同じにした記録媒体を作製した。加
速テストでは、１０００時間後もまったく劣化がみられ
なかった。繰り返しオーバーライトでは、初期のＣ／Ｎ
比５５ｄＢが１０6 回後には４５ｄＢにまで低下した。
【００２３】比較例３ 第２誘電体保護層のうち記録層に面する側の高圧縮応力
の酸化タンタル誘電体層の膜厚を１０００Å、低圧縮応
力のＺｎＳとＳｉＯ2 混合膜の膜厚を５００Åとして、
他は実施例１と同じ記録媒体を作製した。繰り返しオー
バーライト特性は良好であったが、加速テスト１００時
間後に剥離・膨れを生じた。
の酸化タンタル誘電体層の膜厚を１０００Å、低圧縮応
力のＺｎＳとＳｉＯ2 混合膜の膜厚を５００Åとして、
他は実施例１と同じ記録媒体を作製した。繰り返しオー
バーライト特性は良好であったが、加速テスト１００時
間後に剥離・膨れを生じた。
【００２４】比較例４ 第２誘電体層のうち記録層に面する側を膜厚１５０Åの
ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜とし、その上に膜厚１３５０
Å、圧縮応力４×１０9 ｄｙｎ／cm2 の酸化タンタル膜
を設けた。初期のＣ／Ｎ比５５ｄＢであったものが、１
０5 回の繰り返しオーバーライトにより４５ｄＢにまで
劣化した。
ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜とし、その上に膜厚１３５０
Å、圧縮応力４×１０9 ｄｙｎ／cm2 の酸化タンタル膜
を設けた。初期のＣ／Ｎ比５５ｄＢであったものが、１
０5 回の繰り返しオーバーライトにより４５ｄＢにまで
劣化した。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明の層構成を用いれ
ば繰り返し特性、経時安定性に優れた相変化型情報記録
媒体が得られる。
ば繰り返し特性、経時安定性に優れた相変化型情報記録
媒体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 健一 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (72)発明者 大野 孝志 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (72)発明者 鈴木 奈津子 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−73436（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、第１誘電体保護層、レー
ザー光の照射により結晶−非晶質間の可逆的相変化に伴
う光学的変化を利用して情報の記録を行う記録層、第２
誘電体保護層、反射層を順次形成してなる光学的情報記
録用媒体において、上記第２誘電体保護層を圧縮応力の
異なる材料からなる誘電体層を積層した多層保護層と
し、かつ、該第２誘電体層を構成する層のうち、高圧縮
応力の誘電体層を記録層に面する側に設け、その膜厚
を、低圧縮応力の誘電体層の膜厚よりも薄くしたことを
特徴とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 第２誘電体保護層を構成する誘電体層の
うち、記録層に面する高圧縮応力の誘電体層の膜厚が５
００Å未満であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項３】 第２誘電体保護層を構成する誘電体層の
うち、高圧縮応力の誘電体層が酸化タンタルであり、低
圧縮応力の誘電体層がＺｎＳと他の誘電体との混合物か
らなる膜であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の光学的情報記録用媒体。 - 【請求項４】 ＺｎＳと他の誘電体との混合物からなる
膜が、ＺｎＳと酸化シリコンまたは酸化タンタルとの混
合物からなる膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の光学的情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134379A JP2967949B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光学的情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134379A JP2967949B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04358334A JPH04358334A (ja) | 1992-12-11 |
| JP2967949B2 true JP2967949B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=15127020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3134379A Expired - Lifetime JP2967949B2 (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967949B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373436A (ja) * | 1989-05-08 | 1991-03-28 | Hitachi Ltd | 情報記録用部材 |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP3134379A patent/JP2967949B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04358334A (ja) | 1992-12-11 |
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