JPH0524572B2 - - Google Patents
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- JPH0524572B2 JPH0524572B2 JP62158918A JP15891887A JPH0524572B2 JP H0524572 B2 JPH0524572 B2 JP H0524572B2 JP 62158918 A JP62158918 A JP 62158918A JP 15891887 A JP15891887 A JP 15891887A JP H0524572 B2 JPH0524572 B2 JP H0524572B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体
に関する。
に関する。
(従来の技術とその問題点)
光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能
な、イレーザブル型メモリーは、光磁気記録方式
が最も実用化に近い段階にいる。光磁気記録媒体
の記録層としては総合的な特性から見て、現在の
所、希土類、遷移金属薄膜が最も多く用いられて
いる。
な、イレーザブル型メモリーは、光磁気記録方式
が最も実用化に近い段階にいる。光磁気記録媒体
の記録層としては総合的な特性から見て、現在の
所、希土類、遷移金属薄膜が最も多く用いられて
いる。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時
の記録・再生効率を向上させる為に基板上の光磁
気記録層上に反射層を設ける方式も提案されてい
る。この方式はカー効果とフアラデー効果の併用
により高いC/N比を得られるという点で優れて
いる。
の記録・再生効率を向上させる為に基板上の光磁
気記録層上に反射層を設ける方式も提案されてい
る。この方式はカー効果とフアラデー効果の併用
により高いC/N比を得られるという点で優れて
いる。
従来、反射層としてAlを用いるものや、Teを
用いるものが提案されている。(特開昭62−
52744) しかしながら、Alを使用した場合にはその高
熱伝導性のため記録感度が大幅に低下し、また、
Teを用いた場合には記録感度は向上するが反射
率が低いため十分なC/N比が得られないという
欠点を有する。
用いるものが提案されている。(特開昭62−
52744) しかしながら、Alを使用した場合にはその高
熱伝導性のため記録感度が大幅に低下し、また、
Teを用いた場合には記録感度は向上するが反射
率が低いため十分なC/N比が得られないという
欠点を有する。
(問題点を解決するための手段)
本発明者等は上述の欠点を克服した、高感度で
高C/N比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意
検討した結果、特定の物質で反射層を構成するこ
とにより記録感度が高く、キヤリアレベルが高
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得
られることを見出した。
高C/N比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意
検討した結果、特定の物質で反射層を構成するこ
とにより記録感度が高く、キヤリアレベルが高
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得
られることを見出した。
本発明の要旨は、基板上に干渉層、光磁気記録
層および反射層を順次設けてなる光磁記録録媒体
において、反射層をTaを0.1〜15at%含有するAl
合金によつて形成したことを特徴とする光磁気記
録媒体に存する。
層および反射層を順次設けてなる光磁記録録媒体
において、反射層をTaを0.1〜15at%含有するAl
合金によつて形成したことを特徴とする光磁気記
録媒体に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板として
は、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂等のプラスチツク、又はアルミニウム等の金
属、ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙
げられる。
は、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂等のプラスチツク、又はアルミニウム等の金
属、ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙
げられる。
基板の厚みは1〜2mm程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、TbFe,
TbFeCo,TbCo,DyFeCoなどの希土類と遷移
金属の非晶質磁性合金、及びMnBi,MnCuBiな
どの多結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希土系
の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光磁気
記録層の膜厚は150〜100Å、好ましくは200〜500
Åである。
TbFeCo,TbCo,DyFeCoなどの希土類と遷移
金属の非晶質磁性合金、及びMnBi,MnCuBiな
どの多結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希土系
の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光磁気
記録層の膜厚は150〜100Å、好ましくは200〜500
Åである。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の
間に干渉層を設ける。この層は高屈折率の透明膜
による光の干渉効果を用い反射率を落とすことで
ノイズを低下させC/N比を向上させるためのも
のである。干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。
干渉層としては金属酸化物や金属チッ化物、無機
炭化物などが用いられる。金属酸化物としては
Al2O3,Ta2O5,SiO,SiO2の金属酸化物単独あ
るいはこれらの混合物、あるいはAl−Ta−Oの
複合酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他
の元素、例えばTi,Zr,W,Mo,Yb等が酸化
物の形で単独あるいはAl−Taと複合して酸化物
を形成していてもよい。これらの金属酸化物は緻
密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性
が高く光磁気記録層との反応性も小であり、ま
た、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性に優れる。
間に干渉層を設ける。この層は高屈折率の透明膜
による光の干渉効果を用い反射率を落とすことで
ノイズを低下させC/N比を向上させるためのも
のである。干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。
干渉層としては金属酸化物や金属チッ化物、無機
炭化物などが用いられる。金属酸化物としては
Al2O3,Ta2O5,SiO,SiO2の金属酸化物単独あ
るいはこれらの混合物、あるいはAl−Ta−Oの
複合酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他
の元素、例えばTi,Zr,W,Mo,Yb等が酸化
物の形で単独あるいはAl−Taと複合して酸化物
を形成していてもよい。これらの金属酸化物は緻
密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性
が高く光磁気記録層との反応性も小であり、ま
た、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性に優れる。
金属チツ化物としては、具体的にはSi,Al,
Ge等の金属のチツ化物あるいはこれらの2種以
上の複合チツ化物又はこれらとNb,Taとの複合
チツ化物(例えば、SiNbN,SiTaN等)が挙げ
られる。なかでもSiを含有するチツ化物が良好な
結果をもたらす。
Ge等の金属のチツ化物あるいはこれらの2種以
上の複合チツ化物又はこれらとNb,Taとの複合
チツ化物(例えば、SiNbN,SiTaN等)が挙げ
られる。なかでもSiを含有するチツ化物が良好な
結果をもたらす。
金属チツ化物は緻密で外部からの水分や酸素の
侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記
録層との反応性が小である。
侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記
録層との反応性が小である。
無機炭化物としてはB4C,SiC等が挙げられ
る。
る。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異
なるが、通常400Å〜1500Å程度、特に500Å〜
1000Åが適当である。
なるが、通常400Å〜1500Å程度、特に500Å〜
1000Åが適当である。
本発明においては光磁気記録層上にTaを含有
するAl合金からなる反射膜を設ける。Taの含有
量は0.1〜15原子%(at%)であることが必要で、
特に0.5〜10at%が好ましい。また、Al合金中に
他の元素例えばCu,Mn,Mg等を少量含有させ
ても良い。この反射層の厚さは100〜1000Å程度、
好ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた場合
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下す
る。
するAl合金からなる反射膜を設ける。Taの含有
量は0.1〜15原子%(at%)であることが必要で、
特に0.5〜10at%が好ましい。また、Al合金中に
他の元素例えばCu,Mn,Mg等を少量含有させ
ても良い。この反射層の厚さは100〜1000Å程度、
好ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた場合
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下す
る。
基板上に干渉層、記録層、反射層の各層を形成
するには、スパツタリング等の物理蒸着法
(PVD)、プラズマCVDのような化学蒸着法
(CVD)等が適用される。
するには、スパツタリング等の物理蒸着法
(PVD)、プラズマCVDのような化学蒸着法
(CVD)等が適用される。
PVD法にて光磁気記録層、干渉層及び反射層
を成膜形成するには、所定の組成をもつたターゲ
ツトを用いて電子ビーム蒸着またはスパツタリン
グにより基板上に各層を堆積するのが通常の方法
である。
を成膜形成するには、所定の組成をもつたターゲ
ツトを用いて電子ビーム蒸着またはスパツタリン
グにより基板上に各層を堆積するのが通常の方法
である。
また、イオンプレーテイングを用いる方法も考
えられる。
えられる。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、
遅すぎれば生産性に影響するので通常0.1Å/sec
〜100Å/sec程度とされる。
遅すぎれば生産性に影響するので通常0.1Å/sec
〜100Å/sec程度とされる。
以下に実施例をもつて本発明を更に詳細に説明
するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
実施例 1
ポリカーボネート基板をスパツタリング装置に
導入し、先ず8×10-7torr以下まで排気し、Arと
O2との混合ガスを用いてTaターゲツトの反応性
スパツタを行いTa2O5からなる800Åの干渉層を
形成した。次いでTbターゲツト及びFeCoターゲ
ツトを用いたArガスによる2元同時スパツタに
よりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にTaチ
ツプを配置したAlターゲツトをArガス中でスパ
ツターし300Åの反射層を形成した。反射層中の
Ta量の調節はTaチツプの数を変えることにより
行つた。
導入し、先ず8×10-7torr以下まで排気し、Arと
O2との混合ガスを用いてTaターゲツトの反応性
スパツタを行いTa2O5からなる800Åの干渉層を
形成した。次いでTbターゲツト及びFeCoターゲ
ツトを用いたArガスによる2元同時スパツタに
よりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にTaチ
ツプを配置したAlターゲツトをArガス中でスパ
ツターし300Åの反射層を形成した。反射層中の
Ta量の調節はTaチツプの数を変えることにより
行つた。
この光磁気記録媒体をPINフオトダイオード差
動検出器をもつた動特性検出器により記録感度及
びキヤリア・レベル(Al膜を用いた場合を0dbと
する)を測定した。記録感度は、2次歪みが最小
のところの記録パワー(最適記録パワー)とし
た。
動検出器をもつた動特性検出器により記録感度及
びキヤリア・レベル(Al膜を用いた場合を0dbと
する)を測定した。記録感度は、2次歪みが最小
のところの記録パワー(最適記録パワー)とし
た。
記録条件:CAV(定角速度)1800rpm
半径30mm位置、溝上記録
記録周波数0.5MHz
duty50%
再生条件:CAV1800rpm
再生パワー0.8mW
反射層の組成は螢光X線法により分析した。結
果を第1図に示した。最適記録パワーの低い媒体
ほど感度の良い媒体であり、キヤリア・レベルの
高い媒体ほど再生信号品質が高い。
果を第1図に示した。最適記録パワーの低い媒体
ほど感度の良い媒体であり、キヤリア・レベルの
高い媒体ほど再生信号品質が高い。
又このデイスクを接着剤を用いて他のポリカー
ボネート基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85%
の条件で350時間の加速試験を行ないその前後の
ドロツプインエラーレートを測定したところ劣化
は全く見られなかつた。
ボネート基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85%
の条件で350時間の加速試験を行ないその前後の
ドロツプインエラーレートを測定したところ劣化
は全く見られなかつた。
比較例1,2
実施例1と同様にTbFeCo層までほ作製し、次
にAl又はTa膜からなる反射層を300Å形成した。
実施例1と同一の条件にて記録感度、及びキヤリ
ア・レベルを測定した。結果を第1図に示した。
第1図に示すようにAl中のTa含有率の増加に伴
ない最適記録パワー及びキヤリア・レベルは減少
するがTaの含有率が低い場合はキヤリア・レベ
ルをほとんど減少させずに最適記録パワーを大き
く下げることができる。
にAl又はTa膜からなる反射層を300Å形成した。
実施例1と同一の条件にて記録感度、及びキヤリ
ア・レベルを測定した。結果を第1図に示した。
第1図に示すようにAl中のTa含有率の増加に伴
ない最適記録パワー及びキヤリア・レベルは減少
するがTaの含有率が低い場合はキヤリア・レベ
ルをほとんど減少させずに最適記録パワーを大き
く下げることができる。
本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び記
録感度に優れる。
録感度に優れる。
第1図は反射膜中のTa含有率と最適記録パワ
ー及びキヤリア・レベルとの関係を示すものであ
る。
ー及びキヤリア・レベルとの関係を示すものであ
る。
Claims (1)
- 1 基板上に干渉層、光磁気記録層および反射層
を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射
層をTaを0.1〜15at%含有するAl合金によつて形
成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62158918A JPS644938A (en) | 1987-06-26 | 1987-06-26 | Magneto-optical recording medium |
CA000570235A CA1324213C (en) | 1987-06-26 | 1988-06-23 | Magnetooptical recording media |
EP88305842A EP0296888B1 (en) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptical recording media |
DE88305842T DE3883310T2 (de) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptische Datenträger. |
KR1019880007767A KR960010928B1 (ko) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | 자기광학 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62158918A JPS644938A (en) | 1987-06-26 | 1987-06-26 | Magneto-optical recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS644938A JPS644938A (en) | 1989-01-10 |
JPH0524572B2 true JPH0524572B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=15682186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62158918A Granted JPS644938A (en) | 1987-06-26 | 1987-06-26 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS644938A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02223040A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-09-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPH02226531A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-10 | Hitachi Ltd | 光デイスクの構造 |
JP2654689B2 (ja) * | 1989-05-16 | 1997-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JP2779521B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-07-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JPH0718003B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1995-03-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
US5500301A (en) | 1991-03-07 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6157053A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
-
1987
- 1987-06-26 JP JP62158918A patent/JPS644938A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6157053A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS644938A (en) | 1989-01-10 |
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JPH01173455A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
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