JPH0524572B2 - - Google Patents

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JPH0524572B2
JPH0524572B2 JP62158918A JP15891887A JPH0524572B2 JP H0524572 B2 JPH0524572 B2 JP H0524572B2 JP 62158918 A JP62158918 A JP 62158918A JP 15891887 A JP15891887 A JP 15891887A JP H0524572 B2 JPH0524572 B2 JP H0524572B2
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JP
Japan
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layer
magneto
optical recording
recording
substrate
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JP62158918A
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Yoshimitsu Kobayashi
Yoshuki Shirosaka
Satohiko Ooya
Toshifumi Kawano
Masao Komatsu
Juki Tanaka
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Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Priority to DE88305842T priority patent/DE3883310T2/de
Priority to KR1019880007767A priority patent/KR960010928B1/ko
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Publication of JPH0524572B2 publication Critical patent/JPH0524572B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体
に関する。
(従来の技術とその問題点) 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能
な、イレーザブル型メモリーは、光磁気記録方式
が最も実用化に近い段階にいる。光磁気記録媒体
の記録層としては総合的な特性から見て、現在の
所、希土類、遷移金属薄膜が最も多く用いられて
いる。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時
の記録・再生効率を向上させる為に基板上の光磁
気記録層上に反射層を設ける方式も提案されてい
る。この方式はカー効果とフアラデー効果の併用
により高いC/N比を得られるという点で優れて
いる。
従来、反射層としてAlを用いるものや、Teを
用いるものが提案されている。(特開昭62−
52744) しかしながら、Alを使用した場合にはその高
熱伝導性のため記録感度が大幅に低下し、また、
Teを用いた場合には記録感度は向上するが反射
率が低いため十分なC/N比が得られないという
欠点を有する。
(問題点を解決するための手段) 本発明者等は上述の欠点を克服した、高感度で
高C/N比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意
検討した結果、特定の物質で反射層を構成するこ
とにより記録感度が高く、キヤリアレベルが高
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得
られることを見出した。
〔発明の構成〕
本発明の要旨は、基板上に干渉層、光磁気記録
層および反射層を順次設けてなる光磁記録録媒体
において、反射層をTaを0.1〜15at%含有するAl
合金によつて形成したことを特徴とする光磁気記
録媒体に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板として
は、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂等のプラスチツク、又はアルミニウム等の金
属、ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙
げられる。
基板の厚みは1〜2mm程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、TbFe,
TbFeCo,TbCo,DyFeCoなどの希土類と遷移
金属の非晶質磁性合金、及びMnBi,MnCuBiな
どの多結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希土系
の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光磁気
記録層の膜厚は150〜100Å、好ましくは200〜500
Åである。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の
間に干渉層を設ける。この層は高屈折率の透明膜
による光の干渉効果を用い反射率を落とすことで
ノイズを低下させC/N比を向上させるためのも
のである。干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。
干渉層としては金属酸化物や金属チッ化物、無機
炭化物などが用いられる。金属酸化物としては
Al2O3,Ta2O5,SiO,SiO2の金属酸化物単独あ
るいはこれらの混合物、あるいはAl−Ta−Oの
複合酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他
の元素、例えばTi,Zr,W,Mo,Yb等が酸化
物の形で単独あるいはAl−Taと複合して酸化物
を形成していてもよい。これらの金属酸化物は緻
密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性
が高く光磁気記録層との反応性も小であり、ま
た、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性に優れる。
金属チツ化物としては、具体的にはSi,Al,
Ge等の金属のチツ化物あるいはこれらの2種以
上の複合チツ化物又はこれらとNb,Taとの複合
チツ化物(例えば、SiNbN,SiTaN等)が挙げ
られる。なかでもSiを含有するチツ化物が良好な
結果をもたらす。
金属チツ化物は緻密で外部からの水分や酸素の
侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記
録層との反応性が小である。
無機炭化物としてはB4C,SiC等が挙げられ
る。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異
なるが、通常400Å〜1500Å程度、特に500Å〜
1000Åが適当である。
本発明においては光磁気記録層上にTaを含有
するAl合金からなる反射膜を設ける。Taの含有
量は0.1〜15原子%(at%)であることが必要で、
特に0.5〜10at%が好ましい。また、Al合金中に
他の元素例えばCu,Mn,Mg等を少量含有させ
ても良い。この反射層の厚さは100〜1000Å程度、
好ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた場合
感度が低下し、薄すぎる場合には反射率が低下す
る。
基板上に干渉層、記録層、反射層の各層を形成
するには、スパツタリング等の物理蒸着法
(PVD)、プラズマCVDのような化学蒸着法
(CVD)等が適用される。
PVD法にて光磁気記録層、干渉層及び反射層
を成膜形成するには、所定の組成をもつたターゲ
ツトを用いて電子ビーム蒸着またはスパツタリン
グにより基板上に各層を堆積するのが通常の方法
である。
また、イオンプレーテイングを用いる方法も考
えられる。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、
遅すぎれば生産性に影響するので通常0.1Å/sec
〜100Å/sec程度とされる。
〔実施例〕
以下に実施例をもつて本発明を更に詳細に説明
するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
実施例 1 ポリカーボネート基板をスパツタリング装置に
導入し、先ず8×10-7torr以下まで排気し、Arと
O2との混合ガスを用いてTaターゲツトの反応性
スパツタを行いTa2O5からなる800Åの干渉層を
形成した。次いでTbターゲツト及びFeCoターゲ
ツトを用いたArガスによる2元同時スパツタに
よりTbFeCOの300Å記録層を設けた。更にTaチ
ツプを配置したAlターゲツトをArガス中でスパ
ツターし300Åの反射層を形成した。反射層中の
Ta量の調節はTaチツプの数を変えることにより
行つた。
この光磁気記録媒体をPINフオトダイオード差
動検出器をもつた動特性検出器により記録感度及
びキヤリア・レベル(Al膜を用いた場合を0dbと
する)を測定した。記録感度は、2次歪みが最小
のところの記録パワー(最適記録パワー)とし
た。
記録条件:CAV(定角速度)1800rpm 半径30mm位置、溝上記録 記録周波数0.5MHz duty50% 再生条件:CAV1800rpm 再生パワー0.8mW 反射層の組成は螢光X線法により分析した。結
果を第1図に示した。最適記録パワーの低い媒体
ほど感度の良い媒体であり、キヤリア・レベルの
高い媒体ほど再生信号品質が高い。
又このデイスクを接着剤を用いて他のポリカー
ボネート基板と張り合わせ、温度70℃、湿度85%
の条件で350時間の加速試験を行ないその前後の
ドロツプインエラーレートを測定したところ劣化
は全く見られなかつた。
比較例1,2 実施例1と同様にTbFeCo層までほ作製し、次
にAl又はTa膜からなる反射層を300Å形成した。
実施例1と同一の条件にて記録感度、及びキヤリ
ア・レベルを測定した。結果を第1図に示した。
第1図に示すようにAl中のTa含有率の増加に伴
ない最適記録パワー及びキヤリア・レベルは減少
するがTaの含有率が低い場合はキヤリア・レベ
ルをほとんど減少させずに最適記録パワーを大き
く下げることができる。
〔発明の効果〕
本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び記
録感度に優れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は反射膜中のTa含有率と最適記録パワ
ー及びキヤリア・レベルとの関係を示すものであ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に干渉層、光磁気記録層および反射層
    を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射
    層をTaを0.1〜15at%含有するAl合金によつて形
    成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
JP62158918A 1987-06-26 1987-06-26 Magneto-optical recording medium Granted JPS644938A (en)

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JP62158918A JPS644938A (en) 1987-06-26 1987-06-26 Magneto-optical recording medium
CA000570235A CA1324213C (en) 1987-06-26 1988-06-23 Magnetooptical recording media
EP88305842A EP0296888B1 (en) 1987-06-26 1988-06-24 Magnetooptical recording media
DE88305842T DE3883310T2 (de) 1987-06-26 1988-06-24 Magnetooptische Datenträger.
KR1019880007767A KR960010928B1 (ko) 1987-06-26 1988-06-24 자기광학 기록 매체

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JPS644938A JPS644938A (en) 1989-01-10
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