JP2546225B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は磁気記録媒体，さらに詳しくはフレキシブル
な磁気デイスクに関するものである。

〔従来技術〕

オフイスコンピユーターやマイクロコンピユーターの
普及により通称フロツピーデイスクと呼ばれるフレキシ
ブルな磁気デイスクが多く用いられるようになつてきた
が，これは従来のハード磁気デイスクに比べ安価である
こと，交換などが極めて手軽であることなどの大きな長
所がある反面，記録容量が小さく，またベースフイルム
がプラスチツクのシートであるためカール，折れ曲りな
ど形状安定性にやや信頼性の乏しいことなどの欠点を有
している。

フロツピーデイスクの記録容量はトラツク（同心円状
に配置された細い円環状の記録域）内の線記録密度とト
ラツク密度（フロツピーデイスクの半径方向の単位長さ
当りのトラツク数で一般にTPI＝トラツク／インチで表
わされる）の積で表わされる。線記録密度の増加は磁性
層の改良や磁気記録方式の改良によつて達成され、また
トラツク密度の増加は温湿度の変化によるデイスクの半
径方向の可逆的・不可逆的寸法変化ができるだけ小さい
ことと，それら寸法変化が各方向に対し等方向的に起こ
ることがポイントである。

一方，デイスクが完全にフラツトで平面性に優れてい
ることが最も重要な事項であることは言うまでもない。
カールしていたり，凹凸があつたりすると記録・再生ヘ
ツドと磁性層との当りが不安定になり，記録・再生の信
頼性を大幅に低下させる。フロツピーデイスク自体は一
般に紙またはプラスチツクシート製の一般に「ジヤケツ
ト」と呼ばれるカバーによつて保護されており，わずか
のカールであればカバーの剛性によつて実質的な不都合
が起こらないように工夫されているが，少しでもカール
の少ないことが好ましく，特に記録密度が高くなつた
り，小型化されたりする場合はこの要求はさらに強くな
る。

従来，フロツピーデイスクのベースフイルムとして二
軸配向のポリエチレンテレフタレートフイルムが最も広
く使われているが，これはその優れた機械的特性や表面
の平滑性によるところが大きい。しかしこのベースフイ
ルムを使用する限り湿度膨張係数が約10×10^-6/RH％と
大きいため，デイスク使用時の湿度環境変化が80から90
RH％と広い範囲にわたつて正確なトラツク追跡性を要求
されるため，そのトラツク密度は自動的にある一定の限
界が存在せざるを得ない。このためポリエチレンテレフ
タレートを改質したり，他の低吸湿率素材と複合したり
して実質的な湿度膨張係数を下げる工夫も種々なされて
いるが、他の熱的性質や力学的性質が悪化するため，好
ましい結果は得られるに至つていない。そこで特開昭55
−38613において提案されているような本質的に湿度特
性の優れた二軸配向ポリｐフエニレンスルフイドフイル
ムをベースフイルムとしたフロツピーデイスクが高記録
密度化の可能性を有しているが，従来の二軸配向ポリｐ
フエニレンスルフイドフイルムで作成されたデイスクは
前述のカールなどフラツトな形状を作るという観点から
いくつかの問題を包含していた。特に高密度化のため強
磁性体薄膜層を蒸着などにより直接ベースフイルムの上
に形成する場合にはデイスクの形状は不満足なことが多
い。

これらの真空薄膜形成プロセスにおいてはベースフイ
ルムに次のような多くの熱的・機械的負荷がかかるため
作成される磁気デイスクの形状を十分に良好な平面性に
維持することが一般には困難である。

（１）金属薄膜の堆積による凝集力の発生 （２）金属原子自体が有するエネルギーのベースフイル
ムへの移行 （３）金属溶融時の熱の軸射熱，あるいはプラズマ等に
より発生する熱の影響 （４）高温下でフイルムと金属薄膜と同一寸法になつた
後，常温に戻つた時の両者の熱膨張係数の差によるバイ
メタル効果 このような負荷によつて得られた磁気デイスクがカール
をはじめとする多くの平面性の欠陥により，記録再生時
にヘツドとの安定した接触，走行などに支障をきたし不
満足な結果が得られる場合が多い。

〔発明の目的〕

本発明の目的は，二軸配向ポリフエニレンスルフイド
フイルムをベースフイルムの主体とし，実質的にカール
のない平面性に優れたフロツピーデイスクとすることに
より，高い記録密度で安定に記録し得る磁気記録媒体，
好ましくは磁気デイスク（フロツピーデイスク）を提供
せんとするものである。

〔発明の構成〕

本発明は，上記目的を達成するため，構造式 を繰り返し単位の90モル％以上含む二軸配向ｐフエニレ
ンポリスルフイドフイルムをベースフイルムの主構成層
とし，該ベースフイルムの少なくとも片面に強磁性層を
有する磁気記録媒体において，該ベースフイルムの特性
が面内のすべての方向に関し下記特性を満足するフレキ
シブルな磁気記録媒体を特徴とするものである。

２×10^-7Ａ×Ｃ５×10^-5 ここでA:120℃における熱膨張係数（℃^-1） C:120℃における熱収縮率（％） 本発明に用いるポリｐフエニレンスルフイド（以下PP
Sと言う）は構造式 で示される繰り返し単位を90モル％以上，好ましくは95
モル％以上含むことが必要である。係る繰り返し単位が
90モル％未満ではポリマの結晶性が低下するためフイル
ムの機械的特性が貧弱でフロツピーデイスクのベースフ
イルムとしては脆かつたり，著しい場合には二軸配向を
与えるための二軸延伸すら不可能であつたり，またガラ
ス転移点が65℃以下に低下しデイスクの高温寸法安定性
に重大な欠陥を与えるため好ましくない。該ポリマの繰
り返し単位の残りの10モル％以下についてはメタフエニ
レンスルフイド エーテル ビフエニル 核置換フエニルスルフイド （ここにＲは炭素数１から10のアルキル基，アルコキシ
基またはニトロ基，フエニル基，スルホン酸基，から選
ばれる），三官能フエニルスルフイド などから構成することができ，これらがブロツク共重合
的に入つていても，ランダム共重合の状態で入つていて
もよい。またポリマの末端または末端近傍に該ポリマの
主構成単位である 以外の構成単位が連らなつていることは本発明の本質を
変えるものではない。さらに該PPSと他の成分，例えば
別の目的のために混入したポリマ，無機フイラー等が本
発明の目的に重大な影響を及ぼさない限りベースフイル
ム中に共存することは構わない。

本発明に用いるPPSの溶融粘度は温度300℃，みかけの
せん断速度200sec^-1の条件下で200から20,000ポイズ，
より好ましくは500から12,000ポイズであることがフイ
ルムの製膜性，および機械特性などから望ましい。

PPS二軸配向フイルムとは，上記PPSを溶融成形してシ
ート状とし，二軸延伸，熱処理してなるフイルムであつ
て，その厚さは５〜100μｍの範囲が好ましい。

ベースフイルムとは，磁気記録層をその上に設けるた
めのフレキシブルな支持体であつて，その厚さの少なく
とも50％以上が上記のPPS二軸配向フイルムからなるも
のである。

ベースフイルムの厚さは10〜100μｍ（より好ましく
は20〜80μｍ）の範囲が，フロツピーデイスクとしての
形態保持性，ヘツドタツチなどの点で好ましい。

ベースフイルムの厚さの50％以下の部分は,PPS二軸配
向フイルム以外の可撓性シートからなることができる。
その例としては，ポリエチレンテレフタレートフイル
ム，ポリエチレン2,6ナフタレートフイルム，ポリエチ
レンα，βビス（２−クロルフエノキシ）エタン4,4′
ジカルボキシレートフイルム，ポリプロピレンフイル
ム，芳香族ポリアミドフイルム，芳香族ポリイミドフイ
ルム，アルミニウム箔等を挙げることができるが，これ
に限定されるものではない。

また特に該PPSフイルムの表面平滑性を改良するため
に有機ポリマの塗布層を設けることもある。これは磁気
記録密度の高い磁性層になるほど磁性層の厚さが薄くな
る傾向にありベースフイルムの表面粗度，表面突起など
の改良が要求されるため極く薄い表面スムージング層を
設けるものであり，該PPSフイルムがベースフイルムの
主構成層であることは変らない。ここで表面粗度の要
求，特に許容最大突起高さは磁性層の種類によつて異な
るが一般の塗布型で0.1〜２μ，磁性金属を直接蒸着す
る薄膜金属型で0.01〜0.2μであるためスムージング層
の厚さもこれより多少厚い領域である。

本発明はベースフイルムの片面または両面に磁性層を
設けることにより構成されるが，この磁性層とベースフ
イルムの接着性を向上するためにベースフイルムに種々
の処理が施される。これは接着性が弱いとヘツドとの繰
り返しの接触により磁性層に傷がついたり，著しいとき
は剥離したりするためである。処理として最も代表的な
ものはコロナ処理である。これは一般に空気中または窒
素，二酸化炭素ガスの雰囲気下でコロナ放電により処理
されるもので，該PPSフイルムも未処理の場合の表面張
力約32dyn/cmが空気中のコロナ放電処理により35〜60dy
n/cmに上昇することからも類推されるように磁性層を安
定して設けるための処理として有効である。また後述す
るように特に強磁性体金属層を設ける場合は易接着処理
としてグロー放電処理（プラズマ放電処理）が有効であ
る。グロー放電処理は10^-5から10Torr程度の真空下で直
流から高周波まで広範囲な周波数の電源を用いて0.1か
ら100秒の間処理されるものであり，ガスとしては酸
素，窒素，水素，アルゴン，ヘリウム，二酸化炭素，一
酸化炭素，アンモニア，亜硫酸ガス，硫化水素，および
それらの混合ガスなどが用いられる。

本発明における磁性層はFe₂O₃，Fe₃O₄，CrO₂,Fe,Co,N
i等の強磁性体微粉末を有機バインダーとともにベース
フイルム上に塗布した，いわゆる「塗布型」と，強磁性
体金属を真空蒸着，スパツタリング，メツキなどの方法
によりベースフイルム上に堆積させた，いわゆる「金属
薄膜型」とある。

係る磁性層は塗布型の場合0.3から５μm,金属薄膜型
の場合0.05から２μｍの範囲内の厚さを有しており，後
者の方が一般に磁気記録の線密度は大きい。金属薄膜の
場合はヘツドとの直接の接触による磁性層の機械的劣化
を妨げるため極く薄い保護層を設けることが多い。保護
層としてはシリコーン系の有機超薄層（厚さ数十から数
百オングストローム）が一例として挙げられるが，もち
ろん本発明においてはこれに限るものではない。また磁
性層の磁化形態としては水平磁化と垂直磁化があり，本
発明はこの両者に適用されるものである。

本発明の磁気記録媒体は，テープやフロツピーデイス
クなど各種の用途に適用できるが，特にフロツピーデイ
スク（磁気デイスク）に用いるのが好ましい。

次に本発明の磁気記録媒体，特に磁気デイスクの製造
方法について述べる。

まず本発明に使用されるPPSは基本的にＮ−メチルピ
ロリドンを溶媒としてｐ−ジクロルベンゼンに代表され
るジハロゲン化芳香族化合物と実質的にそれと同モルの
硫化ソーダまたは水硫化ソーダとカセイソーダの混合物
によつて代表される含硫黄化合物の高温反応によつて得
られる。重合反応を開始する前にまずＮ−メチルピロリ
ドン中に硫化ソーダ（または硫化ソーダを合成すること
のできる化合物）を添加し，さらに硫化ソーダに対し10
から100モル％の重合助剤を加え100℃以上に加熱して脱
水する。重合助剤としては安息香酸リチウムなどのカル
ボン酸アルカリ金属塩を使用する。次いでモノマとして
硫化ソーダに対し98から105モル％のジハロゲン化芳香
族化合物（そのうち90モル％以上はｐ−ジクロルベンゼ
ン）を添加し，窒素シールした後反応系を密封し,230〜
280℃の間で約２〜６時間重合する。反応終了後冷却さ
れた系は十分量の水で希釈され洗浄される。ポリマは粉
状または粒状で得られ，数回の水洗の後乾燥されて本発
明に使用されるポリマとして供せられる。

このポリマを二軸配向フイルムに形成するには周知の
方法による。すなわち押出機により溶融された樹脂を，
口金から定量的に冷却ドラムの上にキヤステイングし，
急速冷却することにより無配向，非晶状態のシートを形
成する。次にこのシートを逐次二軸または同時二軸延伸
するが，一般的には逐次二軸として長手方向の延伸（縦
延伸）を周速の異なるロール間で行ない，次いでテンタ
ー内で横延伸を行なう。次いで同一のテンター内でこの
得られた二軸延伸配向フイルムを定長熱処理した後，必
要に応じてリラツクスを実施する。リラツクスは横方向
はテンター後部でレールの間隔を一定比率小さくするこ
とにより，また縦方向はテンターを出た後に適当な装置
でロール周速を一定比率下げることによつて行なわれ
る。いずれの場合もこの比率は数パーセントの範囲内で
ある。

このような二軸配向フイルムを製造するプロセスで本
発明に使用されるフイルムを作成するためには縦横の延
伸条件，熱処理条件それにリラツクス条件が特に重要で
ある。すなわち縦延伸工程では延伸後，横延伸直前の光
学的配向度が0.135から0.165の範囲になるように条件を
選ばねばならない。実際の延伸温度，延伸倍率はポリマ
によつて差があるが一般には95〜105℃の範囲内で3.9〜
4.9倍の範囲内である。次に横延伸工程では延伸後の光
学的配向度が縦方向に0.05以下，もしくは横方向に0.05
以下であるように条件を選定することが望ましい。

実際の条件はおおよそ延伸温度95〜110℃で，延伸倍
率は3.5〜4.0である。また熱処理温度は200℃から270℃
の間で，またリラツクスは縦横とも０〜５％の範囲が一
般的である。これらの条件の適当な組み合わせによつて
本発明のフイルムが作成されるものであるが，前述のよ
うにポリマによる差違が大きく，この条件範囲内から本
発明の熱膨張係数と熱収縮率の積を有している条件を選
定する。

すでに述べたとおり本発明においては上記プロセスに
より得られた二軸配向PPSフイルム上に磁性層を形成さ
せるプロセスが必要であるが，これには塗布型と金属薄
膜型がある。本発明の効果が特に顕著に表われるのは後
者であり，ここでは後者について説明する。

Co,Ni,Feなどで代表される強磁性金属，さらにはCo−
Ni,Co−Cr,Co−Fe,Co−V,Co−Rh,Co−Ru,Co−W,Co−Sn,
Ni−Fe,Co−Ni−Alなどの強磁性金属合金，酸化鉄,Coド
ープ酸化鉄，酸化クロム，バリウムフエライトなどの強
磁性金属酸化物などの成分，さらにはこれらに20重量％
以下の範囲で含まれる非強磁性金属，低融点金属などを
金属薄膜層としてフイルム上に形成させるためには次の
ような方法がある。

すなわち，抵抗加熱，電子ビーム加熱，誘導加熱，レ
ーザービーム加熱などによる真空蒸着法，さらには，直
流二極法，高周波二極法，直流マグネトロン，高周波マ
グネトロン，対向二極法などによるスパツタリング法，
また陰極加熱法，高周波励起法，クラスターイオンビー
ム法などによるイオンプレーテイング法，などである。

次に，本発明の記述において使用した，ポリマ，フイ
ルム，およびフロツピーデイスクの特性値の定義，測定
法，および評価法について説明する。

（１）特性溶融粘度（μ） 長さL,半径Ｒの毛管状ダイを有する高化式フロテスタ
ーを用いて，温度Ｔのもとで圧力Ｐでポリマを押し出し
たときの容積吐出量をＱとするとき，みかけのせん断応
力τ，みかけのせん断速度および，みかけの粘度μを
次のように定義する。

γ＝（RP）／（2L） ＝（4Q）／（πR³） μ＝τ／ このとき，種々のに対してそのときのμをプロツト
して得られる曲線μ＝ｆ（）の，＝200（秒）^-1に
おける値をもつて特性溶融粘度μ₀を定義する。

本発明においては、Ｌ＝10mm,R＝0.5mmのダイを用い,
T＝300℃で測定した値を用いた。

（２）光学的配向度（ｎ_γ−ｎ_β） 直交ニコルを備えた偏光顕微鏡に，フイルム面が光軸
に垂直になるように試料フイルムをセツトし，さらに試
料，アナライザ軸に対し45°の方位角を有するように挿
入する。続いて，試料を光軸のまわりに回転し，消光位
からプラスまたはマイナス45°方向にある相減位（試料
によつて生じた位相差がコンペンセータによつて減少し
ていく側の位置）に置き，このとき試料の複屈折によつ
て生じた光路差Γ₀をコンペンセータの補償値から求
め，Γ₀／d₀をもつて光学的配向度ｎ_γ−ｎ_βを定義す
る（ここにd₀は試料の厚さを表わす）。なおこのとき，
試料上，コンペンセータの回転軸に垂直な方位が試料の
γ方向であり，平行な方位がβ方向である。

本発明においては， 日本光学製偏光顕微鏡POH型 Leitz製ユニバーサルステージ Leitz製コンペンセータ を用い，ナトリウムＤ線（波長0.5893μｍ）の単色光で
測定した。

（３）フイルムの密度（ρ） 臭化リチウム水溶液による密度勾配管を用いて20℃に
おいて測定した。

（４）ポリマのガラス転移点（T_g）・融点（T_m）および
二軸延伸後のフイルムの融点（T_mf）DSC法により測定し
た。

（５）120℃における熱膨張係数（Ａ） ベースフイルムから，長さ30mm,幅5mmの切片を切り出
し，熱機械特性分析器:TMA（真空理工（株）製TM−300
0）にセツトし,10g/mm²の定引張応力下に，次のような
熱履歴を加えたときの試料の伸縮を記録する。

a.25℃から120℃まで１℃/minで昇温 b.120℃で５分保持 c.130℃まで１℃/minで昇温 d.直ちに110℃まで１℃/minで降温 このとき,dの過程（130℃から110℃への降温）における
寸法変化をΔＬとしＡ＝（ΔL/（20×L₀） （ただしL₀は試料をTMAにセツトしたときの長さ） をもつて，試料の長さ方向の120℃における熱膨張係数
Ａを定義する。

（６）120℃における熱収縮率（Ｃ） 試料を23℃・50％RH下に24時間置いたのち、その雰囲
気下で，あらかじめマークした２点間の距離を測定し，
l₀とする。

続いて,120℃にセツトした熱風オーブン中に30分置い
たのち，再び23℃・50％RH下に24時間置いたのち，その
雰囲気下で先に測定した２点間の距離を再び測定し，l₁
とする。

このとき,C＝100×（l₀−l₁）／l₀をもつて,120℃に
おける熱収縮率Ｃを定義する。

（７）Ａ×Ｃの方向性 上記のＡおよびＣの測定を，ベースフイルムの面内の
22.5°間隔の８方向（０°〜157.5°で，残りの180°〜
337.5°の８方向は，円の対称性から先の８方向と同一
とみなせる）について，各々行ない，各方向ごとにＡ×
Ｃを計算する。これら８方向についてのＡ×Ｃの値のす
べてが，前述の２×10^-7〜５×10^-5の範囲にあるとき，
面内のすべての方向についてＡ×Ｃが本発明の範囲にあ
るとみなし，そうでないときは，本発明の範囲外とみな
す。

（８）フロツピーデイスクの再生特性 市販の８インチ標準デイスクドライブ（日本電気
（株）製）を用いて行なつた。

◎テストＡ…湿度変化に対する特性 テストするフロツピーデイスクを恒温恒湿槽内に入れ
たドライブに挿入し24時間放置した後，最外周トラツク
（トラツク00）に,25℃・20％RH下に,125KHzの正弦波信
号を記録し，直ちに再生したときの最小信号振幅をR₀と
する。その後，雰囲気を25℃・70％に変更し,24時間後
に再び再生したときの最小信号振幅をA₁とし，A₁／A₀を
求め，耐湿度変化特性の指標とする。

◎テストＢ…高温高湿下の永久変形 テストするフロツピーデイスクをドライブに挿入し,2
3℃・50％RH下で，最外周トラツクに125KHzの正弦信号
を記録し，直ちに再生したときの最小信号振幅をB₀とす
る。次に，デイスクのみ取り出し,70℃・90％RH下に２
時間置いた後，再び23℃・50％RH下のドライブに挿入
し,24時間後に再生したときの最小信号振幅をS₁とす
る。B₁／B₀をもつて永久変形特性の指標とする。

（９）カール ベースフイルム上に磁性層を形成する工程の後，ジヤ
ケツトに収納すべく,5.25インチの円盤状に切り出され
たデイスクを，そのまま，水平かつ平担な台の上に一方
の面を下にして自然に置き，デイスクの最大高さを測定
する。これを他方の面についても行ない，大きい方の値
をもつてカール（単位:mm）とする。

〔発明の効果〕

以上述べたように，本発明は，主構成層として特定の
特性を有する二軸配向ポリｐフエニレンスルフイドフイ
ルムを用いたので，カールがなく，平面性に優れ，高い
記録密度のとれる磁気記録媒体，特にフロツピーデイス
クを得ることができたものである。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を挙げて，さらに詳細に説明す
る。

実施例１ （１）PPSポリマの準備 オートクレーブに，硫化ナトリウム32.6kg（250モ
ル，結晶水40wt％を含む），水酸化ナトリウム100g,安
息香酸ナトリウム36.1kg（250モル），およびＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（以下NMPと略称する）79.2kgを仕
込み攪拌しながら徐々に205℃まで昇温し，水6.9kgを含
む留出液7.0lを除去した。残留混合物に,1,4−ジクロル
ベンゼン（以下DCBと略称する）37.5kg（255モル），お
よびNMP20.0kgを加え,265℃で４時間加熱した。反応生
成物を熱湯で８回洗浄し，真空乾燥機を用いて80℃で24
時間乾燥して，μ₀2900ポイズ,N1.17,T_g91℃，T_m285℃
を有する高重合度PPS21.1kg（収率78％）を得た。（PPS
−Ｕとする）。

（２）溶融成形 上記（１）で得られた組成物に，滑剤としてステアリ
ン酸カルシウム粉末を0.1wt％添加し，ミキサーで攪拌
し混合した後,40mmφのエクストルーダのホツパに投入
し，該ホツパ内の空気を窒素ガスで置換する。310℃で
溶融された該組成物をエクストルーダ先端にとり付けた
フイルタ（金属繊維材使用，最大孔径10μｍφ）によ
つて過し，長さ250mm,間隙0.8mmの直線状リツプを有
するＴダイから押し出し，表面温度を30℃に保つた金属
ドラム上にキヤストして冷却固化した。このとき，押し
出された融体がドラムに接触する点からドラム半径方向
に約5mm離れた位置に，ドラム軸に平行に，太さ0.1mmφ
のステンレス製のワイヤを張り，該ワイヤとドラムとの
間に，約5kvの直流電圧を印加しながらキヤスト（静電
印加キヤスト）した。得られたフイルムは，幅230mm,厚
さ800μm,密度1.3201の未延伸フイルムであつた（フイ
ルムＵとする）。

（３）二軸延伸，熱処理 フイルムＵをロール群からなる縦延伸装置によつて，
フイルム長手方向に，延伸温度96℃，延伸速度30,000％
/minで4.1倍延伸した。

続いて，該フイルムをテンターに供給し，延伸温度99
℃，延伸速度1000％/minで幅方向に3.75倍延伸した。こ
のとき延伸直前の光学的配向度は0.155であつた。さら
に同一テンター内の後続する熱処理室で,220℃で10秒間
熱処理した後，徐冷しながら幅方向に２％リラツクスし
た。続いてロール群からなる縦リラツクス装置によつ
て，フイルム長手方向に,200℃で２％リラツクスして，
厚さ50μｍのPPS二軸延伸フイルムを得た（ベースフイ
ルムＵとする）。

（４）ベースフイルムの特性 このようにして得られたベースフイルムの特性を測定
したところ,A×Ｃは， 最小値:7.2×10^-6 （Ａ＝6.5×10^-5,C＝0.11） 最大値:8.5×10^-6 （Ａ＝6.1×10^-5,C＝0.14） であり，本発明に用いるベースフイルムに必要な特性を
満たしていた。

（５）磁性層の形成 まずベースフイルムの片面に，空気中でコロナ放電処
理を施し，表面張力を50dyne/cmまで高めた。続いて,Co
80重量％,Ni20重量％からなるターゲツトを作成し，こ
のターゲツトによつて,RFスパツタ法で，上記ベースフ
イルムのコロナ処理面に，約3000Åの厚さのCo−Ni系の
磁性薄膜を形成した。

このとき，ターゲツトとフイルムの間の距離は60mm,
プレート電圧2kV,プレート電流150mA,アルゴン圧1.2×1
0^-1mmHgであつた。

次いでこれを,5.25インチミニフロツピーデイスク規
格の外径を有する円盤に打ち抜き，さらに同規格のセン
トラルホールを打ち抜いて磁気デイスクを作成した（デ
イスクＵとする）。

一方，比較のため，厚さ50μｍのポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に上記と同一条件で約3000ÅのCo−
Ni磁性層を形成し，これも同様にミニフロツピーデイス
クサイズの磁気デイスクとした（デイスクＶとする）。

（６）評価 第１表に，作成したデイスクを市販のミニフロツピー
デイスクのジヤケツトに挿入して評価したときの結果を
示す。

第１表から，本発明の磁気デイスクは，湿度が変化し
たり，高温高湿にさらされた場合の再生特性に優れ，高
トラツク密度記録に適していることがわかる。

実施例２ （１）PPSポリマの準備 実施例１と同様にして，μ₀3500ポイズ,N1.25,T_g91
℃，T_m285℃を有する高重合度PPSを得た（PPS−Ｗとす
る）。

（２）溶融成形 実施例１と同様にして，幅240mm,厚さ1200μｍの未延
伸フイルムを得た（フイルム−Ｗとする）。

（３）二軸延伸，熱処理 実施例１の（３）と同様にして，縦横の延伸倍率，熱
処理温度，リラツクス率を調節して,120℃における熱膨
張係数および熱収の異なる５種類の二軸延伸PPSフイル
ム（厚さ約75μｍ）を得た（ベースフイルムＷ−１〜Ｗ
−５とする）。

（４）ベースフイルムの特性 得られたベースフイルムの特性を，第２表に示す。

（５）フロツピーデイスクの作成 実施例１と全く同様にして作成した（デイスクＷ−１
〜Ｗ−５とする）。

（６）評価結果 第２表に作成したデイスクの評価結果を示す。

この結果から，同じくPPS二軸延伸フイルムであつて
も，本発明品は，カールが小さく，安定した記録が期待
できるのに対し，ベースフイルムの熱膨張係数および熱
収が本発明の範囲外のものでは，カールが大きく，記録
が不安定になることがわかる。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】構造式 を繰り返し単位の90モル％以上含む二軸配向ポリｐフエ
   ニレンスルフイドフイルムをベースフイルムの主構成層
   とし，該ベースフイルムの少なくとも片面に強磁性層を
   有する磁気記録媒体において，該ベースフイルムの特性
   が面内のすべての方向に関し下記の式を満足するフレキ
   シブルな磁気記録媒体。 ２×10^-7Ａ×Ｃ５×10^-5 ここでA:120℃における熱膨張係数（℃^-1） C:120℃における熱収縮率（％）