JP2526183B2 - 電力用半導体モジュ―ル - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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-
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
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- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電力用半導体モジュー
ルに係り、特にその製造時および使用時において熱歪み
による半導体チップの損傷を防止するとともに、内部に
半導体の配線用プリント基板を設けた電力用半導体モジ
ュールに関するものである。
ルに係り、特にその製造時および使用時において熱歪み
による半導体チップの損傷を防止するとともに、内部に
半導体の配線用プリント基板を設けた電力用半導体モジ
ュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、サイリスタ、トランジスタ、ダイ
オード、ＩＧＢＴなどの電力用半導体チップを金属基板
にセラミックスなどの絶縁板を介して半田付けされた電
力用半導体モジュールとしては、例えば一部破断断面図
として示す図４のものがある。即ち、金属基板２１上に
表面をメタライズ処理した絶縁板２３を半田付けし、こ
の絶縁板２３上の中央部から一方端に半導体チップ２４
が半田付けにて取付けられている。図示省略したが、絶
縁板上にＷ、Ｍ0 などの熱緩衝材層を設け、この層上に
半導体チップを半田付けする場合もある。
オード、ＩＧＢＴなどの電力用半導体チップを金属基板
にセラミックスなどの絶縁板を介して半田付けされた電
力用半導体モジュールとしては、例えば一部破断断面図
として示す図４のものがある。即ち、金属基板２１上に
表面をメタライズ処理した絶縁板２３を半田付けし、こ
の絶縁板２３上の中央部から一方端に半導体チップ２４
が半田付けにて取付けられている。図示省略したが、絶
縁板上にＷ、Ｍ0 などの熱緩衝材層を設け、この層上に
半導体チップを半田付けする場合もある。
【０００３】そして、絶縁板２３上の他方端に端子部材
２７、２８が直立状となるように半田付けあるいはその
他の方法で取付けられ、先端はケース２２の上部２２ａ
から外部に引出されている。この端子部材２７は絶縁板
２３上に取付けられた部分２７ａで半導体チップ２４と
リード線２５でボンディングされている。この後ゲル状
のシリコーンゴムをケース２２内に注入し、加熱炉で１
５０℃程度に加熱して硬化させ、シリコーンゴム層２９
が得られる。
２７、２８が直立状となるように半田付けあるいはその
他の方法で取付けられ、先端はケース２２の上部２２ａ
から外部に引出されている。この端子部材２７は絶縁板
２３上に取付けられた部分２７ａで半導体チップ２４と
リード線２５でボンディングされている。この後ゲル状
のシリコーンゴムをケース２２内に注入し、加熱炉で１
５０℃程度に加熱して硬化させ、シリコーンゴム層２９
が得られる。
【０００４】次いで、シリコーンゴム層２９上にさらに
エポキシ樹脂を注入して１３５℃で加熱し、エポキシ樹
脂層３０を形成することにより半導体チップを封止す
る。かくして封止されたケース２２の上部から外部に引
出されている端子部材２７、２８はケース２２の上部２
２ａ上に折り曲げられる。
エポキシ樹脂を注入して１３５℃で加熱し、エポキシ樹
脂層３０を形成することにより半導体チップを封止す
る。かくして封止されたケース２２の上部から外部に引
出されている端子部材２７、２８はケース２２の上部２
２ａ上に折り曲げられる。
【０００５】なお、ケース上部２２ａの端子部材折り曲
げ部分は肉厚とし、この肉厚部分にナット挿入用穴３１
を設け、この穴３１内にはナット３２が挿入されてい
る。
げ部分は肉厚とし、この肉厚部分にナット挿入用穴３１
を設け、この穴３１内にはナット３２が挿入されてい
る。
【０００６】このように、ケース２２内をシリコーンゴ
ム層２９とエポキシ樹脂３０で封止するのは、シリコー
ンゴムは固化後も軟らかいことから、リード線接続時に
端子部材に余分な力がかかり、リード線や半導体チップ
を損傷させるおそれがあることと、非常に高価であるこ
とのために、シリコーンゴム層のみでの封止は好ましく
なく、エポキシ樹脂は硬化後の硬さが固く、外部リード
線と接続する場合に適していることと、シリコーンゴム
より安価に得られることのためである。
ム層２９とエポキシ樹脂３０で封止するのは、シリコー
ンゴムは固化後も軟らかいことから、リード線接続時に
端子部材に余分な力がかかり、リード線や半導体チップ
を損傷させるおそれがあることと、非常に高価であるこ
とのために、シリコーンゴム層のみでの封止は好ましく
なく、エポキシ樹脂は硬化後の硬さが固く、外部リード
線と接続する場合に適していることと、シリコーンゴム
より安価に得られることのためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エポキ
シ樹脂は硬化時に一旦熱膨張し、その後収縮するため、
この熱膨張時にシリコーンゴム層に加圧力が働らき、半
導体チップを損傷させるという問題がある。一方ケース
の上部から外部に引出された端子部材は、ケース上部で
折り曲げられるが、この折り曲げに過大な力が加わり、
絶縁板や半導体チップを損傷させるおそれがある。
シ樹脂は硬化時に一旦熱膨張し、その後収縮するため、
この熱膨張時にシリコーンゴム層に加圧力が働らき、半
導体チップを損傷させるという問題がある。一方ケース
の上部から外部に引出された端子部材は、ケース上部で
折り曲げられるが、この折り曲げに過大な力が加わり、
絶縁板や半導体チップを損傷させるおそれがある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記した構
造の従来の電力用半導体モジュールにおける問題点を解
消するべく検討の結果、ケース内のシリコーンゴム層の
上部に端子部材と一体成形よりなる格子状または梯子状
の耐熱樹脂製の端子支持枠を設け、さらにこの端子支持
枠上に絶縁基板あるいは半導体チップの駆動回路、スナ
バ回路、電気配線を構成するプリント基板を搭載するこ
とにより解決したものである。
造の従来の電力用半導体モジュールにおける問題点を解
消するべく検討の結果、ケース内のシリコーンゴム層の
上部に端子部材と一体成形よりなる格子状または梯子状
の耐熱樹脂製の端子支持枠を設け、さらにこの端子支持
枠上に絶縁基板あるいは半導体チップの駆動回路、スナ
バ回路、電気配線を構成するプリント基板を搭載するこ
とにより解決したものである。
【０００９】
【作用】この発明は、ケース内のシリコーンゴム層の上
部に設けた格子状または梯子状の端子支持枠とその上に
戴置した絶縁基板によって、端子支持枠の内部が空間と
なっているため、その上部にエポキシ樹脂を注入して硬
化させ、半導体チップを封止する際のエポキシ樹脂の熱
膨張によるシリコーンゴム層への圧力をこの空間に逃が
すことができて、半導体チップには何らの損傷も与えな
いのである。また、端子部材は前記格子状または梯子状
の端子支持枠と一体成形よりなっていて固定が充分に保
持されるので、該部材の外部引出し部分をケース上部に
折り曲げる時にかかる力が緩和でき、半導体チップや絶
縁板を損傷するおそれがないのである。
部に設けた格子状または梯子状の端子支持枠とその上に
戴置した絶縁基板によって、端子支持枠の内部が空間と
なっているため、その上部にエポキシ樹脂を注入して硬
化させ、半導体チップを封止する際のエポキシ樹脂の熱
膨張によるシリコーンゴム層への圧力をこの空間に逃が
すことができて、半導体チップには何らの損傷も与えな
いのである。また、端子部材は前記格子状または梯子状
の端子支持枠と一体成形よりなっていて固定が充分に保
持されるので、該部材の外部引出し部分をケース上部に
折り曲げる時にかかる力が緩和でき、半導体チップや絶
縁板を損傷するおそれがないのである。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１により詳細
に説明する。図に示すように、表面を予めメタライズ処
理した絶縁板３上の一方端に電力用半導体チップ４が半
田付けで取付けられ、この絶縁板３が金属基板１上に半
田付けにて積層されている。７は端子部材であって、こ
の端子部材７は格子状または梯子状あるいはその組み合
わせからなる上下開口した耐熱樹脂製の端子支持枠１１
に対して直立状となるように端子支持枠１１と一体成形
で得たものである。この端子支持枠１１と一体成形で得
た端子部材７を、その下端の折曲部７ａで絶縁基板３の
他方端に半田付けする。これによって端子支持枠１１も
図示のように所定の位置にセットされることになる。そ
して端子支持枠１１上に絶縁基板１２を載置する。次い
で、半導体チップ４と端子部材７の折曲部７ａとをリー
ド線５でボンディングする。なお、このボンディング
は、上記した半導体チップ４と端子部材７の直接ボンデ
ィングよりも、端子部材７を絶縁板３上に半田付けする
に先立って半導体チップ４と絶縁板３上のメタライズ部
とをボンディングしておき、この絶縁板３上に端子部材
７を半田付けすることによって間接的に半導体チップ４
と端子部材７とを電気接続する方が加工上有利である。
に説明する。図に示すように、表面を予めメタライズ処
理した絶縁板３上の一方端に電力用半導体チップ４が半
田付けで取付けられ、この絶縁板３が金属基板１上に半
田付けにて積層されている。７は端子部材であって、こ
の端子部材７は格子状または梯子状あるいはその組み合
わせからなる上下開口した耐熱樹脂製の端子支持枠１１
に対して直立状となるように端子支持枠１１と一体成形
で得たものである。この端子支持枠１１と一体成形で得
た端子部材７を、その下端の折曲部７ａで絶縁基板３の
他方端に半田付けする。これによって端子支持枠１１も
図示のように所定の位置にセットされることになる。そ
して端子支持枠１１上に絶縁基板１２を載置する。次い
で、半導体チップ４と端子部材７の折曲部７ａとをリー
ド線５でボンディングする。なお、このボンディング
は、上記した半導体チップ４と端子部材７の直接ボンデ
ィングよりも、端子部材７を絶縁板３上に半田付けする
に先立って半導体チップ４と絶縁板３上のメタライズ部
とをボンディングしておき、この絶縁板３上に端子部材
７を半田付けすることによって間接的に半導体チップ４
と端子部材７とを電気接続する方が加工上有利である。
【００１１】その後、金属基板１にケース２を載せ、側
板２ａをシリコーンゴムで接着する。しかるのち、ケー
ス２の上蓋２ｂに設けた開口２ｃからゲル状のシリコー
ンゴムを端子支持枠１１の下部の位置あるいはそれより
若干上部まで注入し、炉で加熱硬化させてシリコーンゴ
ム層９を形成する。次に、端子支持枠１１の上部に開口
２ｃからエポキシ樹脂を注入し、炉で加熱硬化させてエ
ポキシ樹脂層１０を形成した。この時、端子支持枠１１
と絶縁基板１２とによりシリコーンゴム層９上に形成さ
れる空間１３にエポキシ樹脂の熱膨張によるシリコーン
ゴム層９への圧力を逃がすことができるので、半導体チ
ップ４の損傷は見られなかった。その後、ケース２の上
蓋２ｂの外方に引き出されている端子部材７は、ケース
上蓋２ｂ上に折り曲げられ、その肉厚部分のナット挿入
用穴１５に埋込まれたナット１６によって外部配線と接
続される。
板２ａをシリコーンゴムで接着する。しかるのち、ケー
ス２の上蓋２ｂに設けた開口２ｃからゲル状のシリコー
ンゴムを端子支持枠１１の下部の位置あるいはそれより
若干上部まで注入し、炉で加熱硬化させてシリコーンゴ
ム層９を形成する。次に、端子支持枠１１の上部に開口
２ｃからエポキシ樹脂を注入し、炉で加熱硬化させてエ
ポキシ樹脂層１０を形成した。この時、端子支持枠１１
と絶縁基板１２とによりシリコーンゴム層９上に形成さ
れる空間１３にエポキシ樹脂の熱膨張によるシリコーン
ゴム層９への圧力を逃がすことができるので、半導体チ
ップ４の損傷は見られなかった。その後、ケース２の上
蓋２ｂの外方に引き出されている端子部材７は、ケース
上蓋２ｂ上に折り曲げられ、その肉厚部分のナット挿入
用穴１５に埋込まれたナット１６によって外部配線と接
続される。
【００１２】なお上記実施例では、ケース２は側板２ａ
と上蓋２ｂとが一体のものを示したが、側板と蓋部が分
離したものであっても差支えない。この場合、蓋部はエ
ポキシ樹脂を注入した後、加熱硬化させる際に用いれば
よい。
と上蓋２ｂとが一体のものを示したが、側板と蓋部が分
離したものであっても差支えない。この場合、蓋部はエ
ポキシ樹脂を注入した後、加熱硬化させる際に用いれば
よい。
【００１３】絶縁基板１２としては半導体チップ４の駆
動回路、スナバ回路、電気配線などを搭載したプリント
基板であってもよく、またこのようなプリント基板を絶
縁基板上に設けてもよい。
動回路、スナバ回路、電気配線などを搭載したプリント
基板であってもよく、またこのようなプリント基板を絶
縁基板上に設けてもよい。
【００１４】図２はこの発明で用いる端子部材と端子支
持枠とを梯子状に一体成形した部材の平面図であり、図
３はその側面図である。この一体成形部材は、端子部材
７となる金属を予め所定形状の金型にはめ込んでおい
て、端子支持枠を構成する、例えばポリフエニレンサル
ファイドのような耐熱樹脂を用いてインサート成形によ
り得ることができる。図において、７１乃至７５は外部
配線用の端子部材であり、７６乃至８１は内部配線用の
端子部材である。そして、外部配線用の端子部材７１〜
７５はその下部が折り曲げられていて絶縁板３のメタラ
イズ表面と半田付けしやすいようになっている。また、
内部配線用端子部材７６〜８１は端子支持枠１１上に搭
載する絶縁基板１２に接続できるように端子支持枠１１
の上部に突出している。外部に引き出される端子部材７
１〜７５が絶縁基板１２を貫通するか否かは何れでもよ
いが、貫通させないほうが加工が容易である。
持枠とを梯子状に一体成形した部材の平面図であり、図
３はその側面図である。この一体成形部材は、端子部材
７となる金属を予め所定形状の金型にはめ込んでおい
て、端子支持枠を構成する、例えばポリフエニレンサル
ファイドのような耐熱樹脂を用いてインサート成形によ
り得ることができる。図において、７１乃至７５は外部
配線用の端子部材であり、７６乃至８１は内部配線用の
端子部材である。そして、外部配線用の端子部材７１〜
７５はその下部が折り曲げられていて絶縁板３のメタラ
イズ表面と半田付けしやすいようになっている。また、
内部配線用端子部材７６〜８１は端子支持枠１１上に搭
載する絶縁基板１２に接続できるように端子支持枠１１
の上部に突出している。外部に引き出される端子部材７
１〜７５が絶縁基板１２を貫通するか否かは何れでもよ
いが、貫通させないほうが加工が容易である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
ケース内のシリコーンゴム層の上部に外部引出し端子部
材と一体成形で得た格子状または梯子状の耐熱樹脂製の
端子支持枠を設け、この端子支持枠の上部に絶縁基板を
搭載して該端子支持枠の内部を空間としたことによっ
て、その上部に注入したエポキシ樹脂の加熱硬化におい
てエポキシ樹脂の熱膨張によってシリコーンゴム層にか
かる圧力を前記端子支持枠内部の空間に逃がすことがで
きて、半導体チップにかかる圧力を軽減できることから
半導体チップの損傷がなく、また端子部材が前記格子状
または梯子状の端子支持枠と一体成形よりなっていて固
定が充分に保持されるので、端子部材をケース上蓋上面
に折り曲げ固定する時にかかる力で絶縁板や半導体チッ
プを損傷させるおそれのないことが認められた。
ケース内のシリコーンゴム層の上部に外部引出し端子部
材と一体成形で得た格子状または梯子状の耐熱樹脂製の
端子支持枠を設け、この端子支持枠の上部に絶縁基板を
搭載して該端子支持枠の内部を空間としたことによっ
て、その上部に注入したエポキシ樹脂の加熱硬化におい
てエポキシ樹脂の熱膨張によってシリコーンゴム層にか
かる圧力を前記端子支持枠内部の空間に逃がすことがで
きて、半導体チップにかかる圧力を軽減できることから
半導体チップの損傷がなく、また端子部材が前記格子状
または梯子状の端子支持枠と一体成形よりなっていて固
定が充分に保持されるので、端子部材をケース上蓋上面
に折り曲げ固定する時にかかる力で絶縁板や半導体チッ
プを損傷させるおそれのないことが認められた。
【図１】この発明の電力用半導体モジュールの側断面図
である。
である。
【図２】この発明で用いる端子部材と端子支持枠の一体
成形平面図である。
成形平面図である。
【図３】この発明で用いる端子部材と端子支持枠の一体
成形側面図である。
成形側面図である。
【図４】従来の電力用半導体モジュールの側断面図であ
る。
る。
１ 金属基板 ２ ケース ２ｂ ケース上蓋 ３ 絶縁板 ４ 半導体チップ ７ 端子部材 ９ シリコーンゴム層 １０ エポキシ樹脂層 １１ 端子支持枠 １２ 絶縁基板 １３ 空間
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基板上に電力用半導体チップを取付
け、該半導体チップと電気的に接続された端子部材を外
部に引出し、前記半導体チップをシリコーンゴムおよび
エポキシ樹脂で封止してなる電力用半導体モジュールに
おいて、シリコーンゴム層の上部に前記端子部材と一体
成形よりなる端子支持枠を設け、この端子支持枠上に絶
縁基板を有し、上記シリコーンゴム層上部と絶縁基板と
の間の端子支持枠内部に空間を形成してなる電力用半導
体モジュール。 - 【請求項２】 端子支持枠が格子状または梯子状または
その組み合わせ形状からなる請求項１記載の電力用半導
体モジュール。 - 【請求項３】 絶縁基板が半導体チップの駆動回路、ス
ナバ回路、電気配線を構成するプリント基板である請求
項１記載の電力用半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222191A JP2526183B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 電力用半導体モジュ―ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222191A JP2526183B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 電力用半導体モジュ―ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541477A JPH0541477A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2526183B2 true JP2526183B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16778582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3222191A Expired - Fee Related JP2526183B2 (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 電力用半導体モジュ―ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526183B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4934559B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-05-16 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置およびその製造方法 |
| CN115116986A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 天津工业大学 | 一种3d双面散热封装结构的功率模块 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216553A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP3222191A patent/JP2526183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541477A (ja) | 1993-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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