JP2514981B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもの
である。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable semiconductor device.
トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、通常セラミ
ツクパツケージもしくはプラスチツクパツケージ等によ
り封止され半導体装置化されている。上記セラミツクパ
ツケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、しか
も、透湿性が小さいうえに中空パツケージであるため、
耐熱性，耐湿性に優れた封止が可能である。しかし、構
成材料が比較的高価であることと、量産性に劣る欠点が
ある。したがつて、最近では、コスト，量産性の観点か
らプラスチツクパツケージを用いた樹脂封止が主流にな
つている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹
脂が使用されており、良好な成績を収めている。しかし
ながら、半導体分野の技術革新によつて集積度の向上と
ともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、パツ
ケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴つて
封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望されて
いる。特に、エポキシ樹脂組成物の、硬化温度から室温
までの冷却による収縮に起因する内部応力がこれら信頼
性を減じているため、内部応力の低減が重要となつてい
る。このような要求に対して、シリコーン系化合物をエ
ポキシ樹脂組成物に添加することにより封止された半導
体装置の内部応力の低減が図られている。Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed by a ceramic package or a plastic package to form a semiconductor device. The ceramic package, the constituent material itself has heat resistance, moreover, since it is a hollow package in addition to low moisture permeability,
Capable of sealing with excellent heat resistance and humidity resistance. However, there are drawbacks that the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is poor. Therefore, recently, resin sealing using a plastic package has become mainstream from the viewpoint of cost and mass productivity. An epoxy resin has been conventionally used for this type of resin encapsulation, and has achieved good results. However, technological innovations in the semiconductor field have led to an increase in the degree of integration as well as an increase in the size of elements and miniaturization of wiring, which tends to make the packages smaller and thinner. On the other hand, further improvement in reliability is demanded. In particular, since internal stress caused by shrinkage of the epoxy resin composition due to cooling from the curing temperature to room temperature reduces these reliability, it is important to reduce the internal stress. In response to such a demand, the internal stress of a semiconductor device sealed by adding a silicone compound to an epoxy resin composition has been reduced.
このように、シリコーン系化合物をエポキシ樹脂組成
物に添加することにより、封止された半導体装置の内部
応力の低減が図られているが、樹脂硬化体が柔軟化され
ることにより、イオン性不純物に起因して耐湿性が低下
するという難点が生じている。このような問題を解決す
る一つの方法として、イオントラツプ剤を使用する方法
がある。上記イオントラツプ剤としては、カチオンを捕
捉するものとアニオンを捕捉するものとがある。カチオ
ントラツプ剤は、半導体装置のアルミニウム配線の陰極
側の腐食を生起するカチオンを捕捉して腐食抑制効果を
奏し、アニオントラツプ剤は陽極側の腐食を抑制する効
果を有している。しかしながら、上記イオントラツプ剤
を使用して耐湿信頼性の向上を図る場合には、アニオン
およびカチオンの双方のトラツプ剤を使用する必要があ
る。片方だけを単独で使用する場合には、アニオンおよ
びカチオンのうちのいずれか一方のイオンが捕捉されず
に残ることとなり、その残存イオンによつて、アルミニ
ウム配線の陰極側もしくは陽極側の腐食が起こり、結
局、耐湿信頼性の向上効果が得られなくなる。しかし、
従来では、このようなアニオンおよびカチオンの双方の
イオンを捕捉し、かつその使用によつて何ら弊害を生じ
ないというようなものが見いだされていないのが実情で
ある。As described above, the internal stress of the encapsulated semiconductor device is reduced by adding the silicone compound to the epoxy resin composition. Due to the above, there is a drawback that the moisture resistance is lowered. One way to solve such a problem is to use an ion trapping agent. The ion trapping agents include those that trap cations and those that trap anions. The cation trapping agent captures cations that cause corrosion on the cathode side of the aluminum wiring of the semiconductor device and has a corrosion suppressing effect, and the anion trapping agent has an effect of suppressing corrosion on the anode side. However, in order to improve the moisture resistance reliability by using the above ion trapping agent, it is necessary to use both the anion trapping agent and the cation trapping agent. When only one of them is used alone, one of the anion and the cation remains uncaptured, and the residual ion causes corrosion on the cathode side or the anode side of the aluminum wiring. After all, the effect of improving the moisture resistance reliability cannot be obtained. But,
Conventionally, the fact is that no such anion and cation is trapped and no adverse effect is caused by its use.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、
他の諸特性を損なう事なく、半導体装置の耐湿信頼性を
大幅に向上させることをその目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to significantly improve the humidity resistance reliability of a semiconductor device without impairing other characteristics.
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、下記（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するエポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止するという構成をと
る。In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention has a structure in which a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (E).
（Ａ）エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.
（Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。(B) Novolac-type phenol resin.
（Ｃ）シリコーン化合物。(C) Silicone compound.
（Ｄ）ハイドロタルサイト類化合物。(D) Hydrotalcite-type compounds.
（Ｅ）五酸化アンチモン。(E) Antimony pentoxide.
すなわち、本発明者らは、使用により何ら弊害を生じ
ず、しかも、それぞれアニオン，カチオンに対する良好
な捕捉性能を発揮しうるトラツプ剤を求めて研究を重ね
た。その結果、アニオントラツプ剤としてハイドロタル
サイト類化合物を用い、かつカチオントラツプ剤として
五酸化アンチモン（無水物，含水物）を用い、この両者
を、上記シリコーン化合物と組み合わせて使用すると、
所期の目的を達成しうることを見いだした。That is, the inventors of the present invention have conducted repeated research to find a trapping agent that does not cause any harmful effects when used and can exhibit good trapping performance for anions and cations. As a result, when a hydrotalcite compound was used as the anion trap agent, and antimony pentoxide (anhydrous or hydrous) was used as the cation trap agent, both of which were used in combination with the above silicone compound,
We have found that we can achieve the intended purpose.
この発明は、エポキシ樹脂（Ａ成分）とノボラツク型
フエノール樹脂（Ｂ成分）とシリコーン化合物（Ｃ成
分）とハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）と五酸化
アンチモン（Ｅ成分）とを用いて得られるものであつ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状
になつている。This invention is obtained by using an epoxy resin (component A), a novolak type phenol resin (component B), a silicone compound (component C), a hydrotalcite compound (component D) and antimony pentoxide (component E). Usually, it is in the form of powder or a tablet formed by compressing it.
このようなエポキシ樹脂組成物は、特に上記D,E成分
の使用により、耐湿信頼性の極めて優れたプラチツクパ
ツケージになりうるものであり、その使用によつて信頼
度の高い半導体装置が得られるものである。Such an epoxy resin composition can be a plastic package having extremely excellent moisture resistance reliability by using the D and E components, and a semiconductor device having high reliability can be obtained by using the epoxy resin composition. It is a thing.
上記エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂
は、１分子中に平均２個以上のエポキシ基を有するエポ
キシ化合物であれば特に制限するものではない。すなわ
ち、従来の半導体装置の封止樹脂の主流であるノボラツ
ク型エポキシ樹脂、あるいはその他ビスフエノールＡの
ジグリシジルエーテルやその多量体であるエピビス型エ
ポキシ樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂乾式
エポキシ樹脂も使用可能である。この中で特に好適なフ
エノールノボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エ
ポキシ当量160〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、上
記エポキシ当量170〜230,軟化点60〜110℃のものが一般
に用いられる。The epoxy resin which is the component A of the epoxy resin composition is not particularly limited as long as it is an epoxy compound having an average of two or more epoxy groups in one molecule. That is, a novolak type epoxy resin which is a mainstream of a sealing resin for a conventional semiconductor device, or other diglycidyl ether of bisphenol A and an epibis type epoxy resin which is a multimer thereof, a bisphenol F type epoxy resin, a fat-dry epoxy resin. Can also be used. Among them, particularly suitable phenol novolak type epoxy resin, usually, those having an epoxy equivalent of 160 to 250 and a softening point of 50 to 130 ° C. are used, and as the cresol novolak type epoxy resin, the epoxy equivalent of 170 to 230 is used. A softening point of 60 to 110 ° C is generally used.
上記Ａ成分のエポキシ樹脂とともに用いられるＢ成分
のノボラツク型フエノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の
硬化剤として作用するものであり、水酸基当量が80〜18
0,軟化点が50〜130℃のものを用いることが好ましい。The novolak type phenol resin as the B component used together with the epoxy resin as the A component acts as a curing agent for the epoxy resin and has a hydroxyl group equivalent of 80-18.
It is preferable to use one having a softening point of 50 to 130 ° C.
上記Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フ
エノール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポ
キシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸基が0.8〜
1.2当量となるように配合することが好適である。この
当量比が１に近いほど好結果が得られる。The mixing ratio of the component A epoxy resin and the component B novolak type phenol resin is such that the hydroxyl group in the phenol resin is 0.8 to 1 per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin.
It is preferable that the compounding amount be 1.2 equivalents. The closer the equivalence ratio is to 1, the better the result.
上記Ａ成分とＢ成分とともに用いられるＣ成分のシリ
コーン化合物は、封止樹脂の内部応力の低減に作用する
ものであり、通常、下記の一般式（Ｉ）で表される。The C component silicone compound used together with the A and B components acts to reduce the internal stress of the encapsulating resin, and is usually represented by the following general formula (I).
このように、Ｃ成分のシリコーン化合物としては、上
記式（Ｉ）で表されるものが好ましく、特にランダム共
重合体を用いることが好ましい。なお、上記式（Ｉ）で
表されるシリコーン化合物と、それ以外のシリコーン化
合物を併用しても支障はない。 As described above, as the C component silicone compound, those represented by the above formula (I) are preferable, and it is particularly preferable to use a random copolymer. It should be noted that there is no problem even if the silicone compound represented by the above formula (I) and another silicone compound are used in combination.
上記Ｃ成分のシリコーン化合物の含有量は、Ａ成分の
エポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール樹脂の
合計量の１〜50重量％（以下「％」と略す）に設定する
ことが好適である。より好適なのは５〜30％である。す
なわち、上記Ｃ成分の添加量が１％を下回ると、充分な
低応力化効果がみられなくなり、逆に50％を上回ると、
樹脂強度の低下がみられるからである。The content of the C component silicone compound is preferably set to 1 to 50% by weight (hereinafter abbreviated as “%”) of the total amount of the A component epoxy resin and the B component novolak type phenol resin. More preferred is 5 to 30%. That is, when the amount of the above-mentioned C component added is less than 1%, a sufficient stress-reducing effect cannot be seen, and conversely, when it exceeds 50%,
This is because the resin strength is reduced.
また、上記Ａ成分,B成分およびＣ成分とともに用いら
れるＤ成分のハイドロタルサイト類化合物は、エポキシ
樹脂組成物中に不純物イオンとして存在するクロルイオ
ンあるいはブロムイオン等のアニオンを有効にトラツプ
する成分である。上記ハイドロタルサイト類化合物は、
例えば、下記の式で表される。The hydrotalcite compound of the D component used together with the A component, the B component and the C component is a component that effectively traps anions such as chlorine ions or brom ions present as impurity ions in the epoxy resin composition. is there. The above-mentioned hydrotalcite compound is
For example, it is represented by the following formula.
MgxAly（OH）2x+3y-2z（CO3）２・mH2O その一例として、協和化学工業社製,KW−2000があげ
られる。Mg x Al y (OH) 2x + 3y-2z (CO 3 ) 2・ mH 2 O One example is KW-2000 manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.
上記ハイドロタルサイト類化合物は、カツプリング剤
で表面処理することによりエポキシ樹脂組成物に対する
分散性が向上し、よりイオントラツプ効果が増すことに
なる。このようなカツプリング剤としては、エポキシシ
ラン，アミノシラン，メルカプトシラン等のシラン系カ
ツプリング剤があげられる。なお、上記カツプリング剤
によるハイドロタルサイト類化合物の表面処理は従来公
知の方法により行われる。By surface-treating the above hydrotalcite-type compound with a coupling agent, the dispersibility in the epoxy resin composition is improved, and the ion trap effect is further increased. Examples of such coupling agents include silane coupling agents such as epoxysilane, aminosilane, and mercaptosilane. The surface treatment of the hydrotalcite compound with the coupling agent is carried out by a conventionally known method.
さらに、上記Ａ成分のエポキシ樹脂、Ｂ成分のノボラ
ツク型フエノール樹脂、Ｃ成分のシリコーン化合物、Ｄ
成分のハイドロタルサイト類化合物とともに用いられる
Ｅ成分の五酸化アンチモンは、Sb2O5で表されるもので
あり、無水物でも、結晶水を含む含水物でもよい。この
ものは、エポキシ樹脂組成物中に存在するナトリウムイ
オン等のカチオンを有効にトラツプする成分である。こ
の一例として東亜合成社製,AK−300（Sb2O5・4H2O）お
よびAHK−600があげられる。Further, the above-mentioned component A epoxy resin, component B novolak type phenol resin, component C silicone compound, D
The component E antimony pentoxide used together with the component hydrotalcite compound is represented by Sb 2 O 5 , and may be an anhydride or a hydrate containing water of crystallization. This is a component that effectively traps cations such as sodium ions present in the epoxy resin composition. Examples of this include AK-300 (Sb 2 O 5 · 4H 2 O) and AHK-600 manufactured by Toagosei Co., Ltd.
上記五酸化アンチモンについても、Ｄ成分のハイドロ
タルサイト類化合物と同様カツプリング剤で表面処理す
るようにしてもよい。The antimony pentoxide may be surface-treated with a coupling agent as in the case of the hydrotalcite compound as the component D.
上記Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物の含有量お
よび上記Ｅ成分の五酸化アンチモンの含有量は、それぞ
れ、カツプリング剤による表面処理の有無を問わず、Ａ
成分のエポキシ樹脂とＢ成分のノボラツク型フエノール
樹脂の合計量の１〜10％に設定するのが好ましい。さら
に、Ｄ成分のハイドロタルサイト類化合物とＥ成分の五
酸化アンチモンの合計量が、Ａ成分のエポキシ樹脂とＢ
成分のノボラツク型フエノール樹脂と合計量の15％以下
になるように設定することが好適であり、特に10％以下
になるようにすることが好結果をもたらす。すなわち、
合計量が15％を上回ると、封止樹脂の耐湿信頼性以外の
諸特性に悪影響が現れる傾向がみられるからである。The content of the hydrotalcite-type compound of the component D and the content of antimony pentoxide of the component E are the same regardless of the presence or absence of surface treatment with a coupling agent.
It is preferably set to 1 to 10% of the total amount of the component epoxy resin and the component B novolak type phenol resin. Further, the total amount of the hydrotalcite compound as the component D and the antimony pentoxide as the component E is the same as that of the epoxy resin as the component A and B.
It is preferable to set it to be 15% or less of the total amount of the novolak-type phenol resin as a component, and particularly 10% or less brings good results. That is,
This is because when the total amount exceeds 15%, various characteristics other than the moisture resistance reliability of the sealing resin tend to be adversely affected.
また、この発明では、上記Ａ成分,B成分,C成分,D成分
およびＥ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，充填剤，
離型剤等を用いることができる。硬化促進剤としてはフ
エノール硬化エポキシ樹脂の硬化反応の触媒となるもの
は全て用いることができ、例えば、２−メチルイミダゾ
ール、2,4,6−トリ（ジメチルアミノメチル）フエノー
ル、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−７、ト
リフエニルホスフイン等をあげることができる。充填剤
としては、石英ガラス粉，タルク粉等をあげることがで
きる。また、離型剤としては従来公知のステアリン酸，
パルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛，
ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、
カルナバワツクス，モンタンワツクス等のワツクス類等
を用いることができる。上記硬化促進剤および離型剤と
して例示した化合物は、単独でもしくは併せて用いるこ
とができる。Further, in the present invention, in addition to the above A component, B component, C component, D component and E component, if necessary, a curing accelerator, a filler,
A release agent or the like can be used. As the curing accelerator, any that can be used as a catalyst for the curing reaction of the phenol-cured epoxy resin can be used, for example, 2-methylimidazole, 2,4,6-tri (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo. Examples include [5,4,0] undecene-7 and triphenylphosphine. Examples of the filler include quartz glass powder and talc powder. Further, as a release agent, conventionally known stearic acid,
Long-chain carboxylic acids such as palmitic acid, zinc stearate,
Metal salts of long-chain carboxylic acids such as calcium stearate,
Carnauba wax, montan wax, and other waxes can be used. The compounds exemplified as the curing accelerator and the release agent can be used alone or in combination.
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎ
のようにして製造することができる。すなわち、エポキ
シ樹脂（Ａ成分）とノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成
分）とシリコーン化合物（Ｃ成分）とハイドロタルサイ
ト類化合物（Ｄ成分）と五酸化アンチモン（Ｅ成分）お
よび必要に応じて硬化促進剤，充填剤，離型剤を配合
し、常法に準じてドライブレンド法または、溶融ブレン
ド法を適宜採用して混合，混練することにより製造する
ことができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows. That is, epoxy resin (A component), novolak type phenol resin (B component), silicone compound (C component), hydrotalcite compound (D component), antimony pentoxide (E component) and, if necessary, a curing accelerator. , A filler, and a release agent are mixed, and a dry blending method or a melt blending method is appropriately adopted according to a conventional method to mix and knead.
なお、上記製造過程において、予めエポキシ樹脂（Ａ
成分）もしくはノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）
にハイドロタルサイト類化合物（Ｄ成分）および五酸化
アンチモン（Ｅ成分）を溶融混合した後、粉砕し、これ
を用い、上記と同様、他の原料を配合し、ドライブレン
ドまたは溶融ブレンドすることにより製造することも可
能である。この場合、上記配合に先立つてシリコーン化
合物（Ｃ成分）とエポキシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボ
ラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）とを予備加熱混合す
ると、シリコーン化合物（Ｃ成分）の樹脂に対するなじ
み性が向上し好ましい。In the above manufacturing process, the epoxy resin (A
Component) or novolak type phenol resin (component B)
A hydrotalcite compound (component D) and antimony pentoxide (component E) are melt-mixed with, then pulverized, and this is mixed with other raw materials in the same manner as described above, and dry blending or melt blending is performed. It is also possible to manufacture. In this case, if the silicone compound (C component) and the epoxy resin (A component) or the novolak type phenolic resin (B component) are preheated and mixed prior to the above-mentioned blending, the compatibility of the silicone compound (C component) with the resin is improved. Is preferable.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体封止
は特に限定されるものではなく、例えば、トランスフア
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。The semiconductor encapsulation using such an epoxy resin composition is not particularly limited and can be performed by a known molding method such as transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、極めて優れた
耐湿信頼性を有している。The semiconductor device thus obtained has extremely excellent moisture resistance reliability.
以上のように、この発明の半導体装置は、シリコーン
化合物を含み、かつアニオントラツプ剤としてハイドロ
タルサイト類化合物を、カチオントラツプ剤として五酸
化アンチモンを含む特殊なエポキシ樹脂組成物によつて
封止されており、その封止プラスチツクパツケージにお
いてアニオン，カチオンの双方が上記トラツプ剤に捕捉
されるため、耐湿信頼性が極めて高い。特に上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、超LSIの封止に
充分対応でき、素子上のAl配線が２μｍ以下の特殊な半
導体装置を、高温高湿下の厳しい条件下に曝しても、高
い信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな
特徴である。As described above, the semiconductor device of the present invention is encapsulated by a special epoxy resin composition containing a silicone compound and a hydrotalcite compound as an anion trap agent and antimony pentoxide as a cation trap agent. Since both the anion and the cation are captured by the trapping agent in the sealed plastic package, the humidity resistance is extremely high. In particular, by encapsulating with the above-mentioned special epoxy resin composition, it is possible to sufficiently cope with encapsulation of VLSI, and even if a special semiconductor device with Al wiring on the element of 2 μm or less is exposed to severe conditions under high temperature and high humidity. , High reliability can be obtained, which is a major feature.
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 Next, examples will be described together with comparative examples.
〔実施例１〜13、比較例１〜６〕 後記の第１表に従つて、各原料を配合し、ミキシング
ロール機（ロール温度100℃）で10分間溶融混練を行
い、冷却固化後粉砕を行つて目的とする微粉末状のエポ
キシ樹脂組成物を得た。[Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 6] In accordance with Table 1 below, the respective raw materials were blended, melt-kneaded with a mixing roll machine (roll temperature 100 ° C) for 10 minutes, cooled, solidified, and pulverized. Then, the desired fine powdery epoxy resin composition was obtained.
〔実施例14〜26、比較例７〜12〕 後記の第１表に示すエポキシシランで表面処理された
ハイドロタルサイト類化合物、かつ同じくエポキシシラ
ンで表面処理された五酸化アンチモンを用いた。それ以
外は実施例１〜13と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得
た。[Examples 14 to 26, Comparative Examples 7 to 12] Hydrotalcite compounds surface-treated with epoxysilane shown in Table 1 below, and antimony pentoxide similarly surface-treated with epoxysilane were used. Epoxy resin compositions were obtained in the same manner as in Examples 1 to 13 except for the above.
なお、上記実施例および比較例で用いたシリコーン化
合物ａ〜ｆは、第２表の通りである。The silicone compounds a to f used in the above Examples and Comparative Examples are as shown in Table 2.
以上の実施例および比較例によつて得られた微粉末状
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
アーモールドすることにより半導体装置を得た。このよ
うにして得られた半導体装置について、室温での曲げ試
験、ガラス転移温度Tg、−50℃/5分〜150℃/5分の1000
回の温度サイクルテスト（以下「TCTテスト」と略
す）、ピエゾ抵抗による内部応力、121℃,2気圧の条件
下で10ボルトのバイアスを印加してプレツシヤークツカ
ーバイアステスト（以下「PCBTテスト」と略す）を行つ
た。その結果は第３表のとおりである。 A semiconductor device was obtained by transfer-molding a semiconductor element using the fine powdery epoxy resin composition obtained in the above Examples and Comparative Examples. For the semiconductor device thus obtained, bending test at room temperature, glass transition temperature Tg, -50 ℃ / 5 minutes ~ 150 ℃ / 5 minutes 1000
Temperature cycle test (hereinafter abbreviated as "TCT test"), internal stress due to piezo resistance, pre-shredder Kucker bias test (hereinafter referred to as "PCBT test" by applying a bias of 10 V under conditions of 121 ° C and 2 atm) Abbreviated). The results are shown in Table 3.
第３表の結果から、実施例品は、各テストの成績がよ
く、特にPCBTテストにおいて陽極および陰極腐食の寿命
が両方そろつて著しく長くなつており、耐湿信頼性が比
較例品に比べて著しく向上していることがわかる。 From the results shown in Table 3, the products of the Examples have good results in each test, and particularly in the PCBT test, both the anode and the cathode corrosion have a significantly long life, and the moisture resistance is significantly higher than that of the Comparative Examples. You can see that it is improving.
Claims (3)
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体
装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）シリコーン化合物。 （Ｄ）ハイドロタルサイト類化合物。 （Ｅ）五酸化アンチモン。1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (E). (A) Epoxy resin. (B) Novolak type phenolic resin. (C) Silicone compound. (D) Hydrotalcite-type compounds. (E) Antimony pentoxide.
がカツプリング剤で表面処理されている特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。2. A semiconductor device according to claim 1, wherein the hydrotalcite compound of the component D is surface-treated with a coupling agent.
ング剤で表面処理されている特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the antimony pentoxide of the E component is surface-treated with a coupling agent.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62230354A JP2514981B2 (en) | 1987-05-28 | 1987-09-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP62-134318 | 1987-05-28 | ||
| JP62230354A JP2514981B2 (en) | 1987-05-28 | 1987-09-14 | Semiconductor device |
Publications (2)
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Citations (4)
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-
1987
- 1987-09-14 JP JP62230354A patent/JP2514981B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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