JP2510366Y2 - 薄形トランス - Google Patents
薄形トランスInfo
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- JP2510366Y2 JP2510366Y2 JP1990043389U JP4338990U JP2510366Y2 JP 2510366 Y2 JP2510366 Y2 JP 2510366Y2 JP 1990043389 U JP1990043389 U JP 1990043389U JP 4338990 U JP4338990 U JP 4338990U JP 2510366 Y2 JP2510366 Y2 JP 2510366Y2
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- Japan
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- ferrite
- circuit board
- transformer
- flat
- cores
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Description
【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、装置全体の小形化,薄形化に寄与する薄形
トランスに関するものである。
トランスに関するものである。
[従来の技術] 従来より、トランスを回路基板等に実装することが行
なわれている。第6図はそのようなトランスの従来例を
示す分解斜視図である。この従来例のトランスは、一対
のE形フェライト磁心101,101と、巻線が巻回されるボ
ビン102とから成り、このボビン102に巻線を施し、その
巻線の端末をボビン102に形成したピン端子103に接続し
た後、一対のフェライト磁心101,101をホビン102の上下
から挿入して突き合せ、テープで固定することにより構
成していた。上記ボビン102の下方には、各ピン端子103
に連通する回路基板接続用のピン端子104が設けられ、
このトランスを図示しない回路基板等へ実装する時に
は、そのピン端子104を回路基板のスルーホールへ挿入
するなどして、他の部品との電気的な接続を行うと同時
に、トランスをその回路基板上へ固定していた。
なわれている。第6図はそのようなトランスの従来例を
示す分解斜視図である。この従来例のトランスは、一対
のE形フェライト磁心101,101と、巻線が巻回されるボ
ビン102とから成り、このボビン102に巻線を施し、その
巻線の端末をボビン102に形成したピン端子103に接続し
た後、一対のフェライト磁心101,101をホビン102の上下
から挿入して突き合せ、テープで固定することにより構
成していた。上記ボビン102の下方には、各ピン端子103
に連通する回路基板接続用のピン端子104が設けられ、
このトランスを図示しない回路基板等へ実装する時に
は、そのピン端子104を回路基板のスルーホールへ挿入
するなどして、他の部品との電気的な接続を行うと同時
に、トランスをその回路基板上へ固定していた。
[考案が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来の技術におけるトランスで
は、回路基板上へ実装する際に、多様な取り付けに対す
る要求に対応できない問題点があった。具体的には、以
下のような問題点である。
は、回路基板上へ実装する際に、多様な取り付けに対す
る要求に対応できない問題点があった。具体的には、以
下のような問題点である。
(1)ピン端子104を回路基板上へ取り付ける場合、ボ
ビン102を回路基板面から浮かせて取り付ける必要があ
り、このためトランスの取り付け高さが高くなる場合が
多く、回路基板上への不用な空間が出来、装置全体の小
形化,薄形化にとっては望ましくなかった。
ビン102を回路基板面から浮かせて取り付ける必要があ
り、このためトランスの取り付け高さが高くなる場合が
多く、回路基板上への不用な空間が出来、装置全体の小
形化,薄形化にとっては望ましくなかった。
(2)フェライト磁心101を安全対策上あるいは静電誘
導対策上、グランドへ接続することが困難であった。
導対策上、グランドへ接続することが困難であった。
(3)フェライト磁心を密着して取り付けたい場合に
は、高温度になると密着した部材との熱膨張差で破損す
る虞れがあった。
は、高温度になると密着した部材との熱膨張差で破損す
る虞れがあった。
本考案は、上記の事に鑑みて創案されたもので、回路
基板上へ実装する際の多様な取り付けに対する要求に対
応できるようにするとともに、その回路基板上への実装
を容易にする薄形トランスを提供することを目的とす
る。
基板上へ実装する際の多様な取り付けに対する要求に対
応できるようにするとともに、その回路基板上への実装
を容易にする薄形トランスを提供することを目的とす
る。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するための本考案の薄形トランスの
一つの構成は、 偏平に形成したコイルと、このコイルを挟み込む一対
の偏平なフェライト磁心と、このフェライト磁心を固定
するセラミック板とを有してなるトランスであって、上
記セラミック板は非磁性であり、かつ上記フェライト磁
心とほぼ同一の熱膨張係数を有するとともに回路基板上
への固定に用いる電極または半田付け部が形成されるこ
とを特徴とする。
一つの構成は、 偏平に形成したコイルと、このコイルを挟み込む一対
の偏平なフェライト磁心と、このフェライト磁心を固定
するセラミック板とを有してなるトランスであって、上
記セラミック板は非磁性であり、かつ上記フェライト磁
心とほぼ同一の熱膨張係数を有するとともに回路基板上
への固定に用いる電極または半田付け部が形成されるこ
とを特徴とする。
また、本考案のもう一つの構成は、上記の構成におい
て、フェライト磁心は、セラミック板に形成された電極
または半田付け部に接触して該セラミック板に固定され
ていることを特徴とする。
て、フェライト磁心は、セラミック板に形成された電極
または半田付け部に接触して該セラミック板に固定され
ていることを特徴とする。
[作用] 本考案は、偏平なコイルを挟み込んだ偏平なフェライ
ト磁心を非磁性でそのフェライト磁心とほぼ同一の熱膨
張係数を有するセラミック板に固定して回路基板へ取り
付けることにより、セラミック板を緩衝材として熱膨張
差によるフェライト磁心の破損を防止する。
ト磁心を非磁性でそのフェライト磁心とほぼ同一の熱膨
張係数を有するセラミック板に固定して回路基板へ取り
付けることにより、セラミック板を緩衝材として熱膨張
差によるフェライト磁心の破損を防止する。
また、偏平なコイルと偏平なフェライト磁心とにより
トランス全体を薄形化し、回路基板上へ取り付ける際の
安定度を向上させて、電極または半田付け部による密着
した取り付けを可能にし、回路基板上への取り付けを容
易にするとともに、取り付け高さを低くする。
トランス全体を薄形化し、回路基板上へ取り付ける際の
安定度を向上させて、電極または半田付け部による密着
した取り付けを可能にし、回路基板上への取り付けを容
易にするとともに、取り付け高さを低くする。
さらに、セラミック板に形成した電極や半田付け部で
あってフェライト磁心に接触した電極や半田付け部を介
し、固定と同時に安全対策のためあるいは静電誘導対策
のためにフェライト磁心をグランド等へ接続可能とす
る。
あってフェライト磁心に接触した電極や半田付け部を介
し、固定と同時に安全対策のためあるいは静電誘導対策
のためにフェライト磁心をグランド等へ接続可能とす
る。
[実施例] 以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第1図は本考案の第1の実施例を示す分解斜視図であ
る。この実施例は一対の偏平なE型フェライト磁心1,2
とセラミック基板3で構成され、E型フェライト磁心1,
2は突き合わせられた後、コ字形状の金具4で挾み込ま
れて固定される。各E型フェライト磁心1,2の背面の端
部には、その金具3を挿入するための凹部1a,2aが形成
されている。このセラミック基板3は、非磁性でフェラ
イト磁心1,2とほぼ同一の熱膨張係数を有する例えばア
ルミナセラミック等から形成され、フェライト磁心1,2
よりも長めに形成されて、その長め方向の両端に銅メッ
キによる電極または半田付け部5が形成される。
る。この実施例は一対の偏平なE型フェライト磁心1,2
とセラミック基板3で構成され、E型フェライト磁心1,
2は突き合わせられた後、コ字形状の金具4で挾み込ま
れて固定される。各E型フェライト磁心1,2の背面の端
部には、その金具3を挿入するための凹部1a,2aが形成
されている。このセラミック基板3は、非磁性でフェラ
イト磁心1,2とほぼ同一の熱膨張係数を有する例えばア
ルミナセラミック等から形成され、フェライト磁心1,2
よりも長めに形成されて、その長め方向の両端に銅メッ
キによる電極または半田付け部5が形成される。
第2図はこの実施例で使用可能な偏平コイルの一構成
例を示す平面図である。この偏平コイル6は、銅板をス
パイラル状に形成した2つのコイルを、絶縁シート7を
はさんで張り合わせたものであり、中心部8で両面のコ
イルが導通し、外周端が端子9として引き出されてい
る。上記におけるスパイラル状のコイルのパターンは、
電流の周回方向が同一となるように、絶縁シート7の上
下において表裏が逆の関係に張り合わされる。このよう
な偏平コイル6を所定数積層してなるコイルを前述の一
対の偏平なフェライト磁心1,2で挟み込み、さらに金具
4でフェライト磁心1,2を挟んで固定し、セラミック基
板3にそのフェライト磁心2側を接着などにより固定し
てトランスを構成する。
例を示す平面図である。この偏平コイル6は、銅板をス
パイラル状に形成した2つのコイルを、絶縁シート7を
はさんで張り合わせたものであり、中心部8で両面のコ
イルが導通し、外周端が端子9として引き出されてい
る。上記におけるスパイラル状のコイルのパターンは、
電流の周回方向が同一となるように、絶縁シート7の上
下において表裏が逆の関係に張り合わされる。このよう
な偏平コイル6を所定数積層してなるコイルを前述の一
対の偏平なフェライト磁心1,2で挟み込み、さらに金具
4でフェライト磁心1,2を挟んで固定し、セラミック基
板3にそのフェライト磁心2側を接着などにより固定し
てトランスを構成する。
このように構成された第1の実施例の薄形トランス
を、図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミ
ック基板3の電極または半田付け部5を回路基板上へ半
田付けすることにより固定する。本実施例によれば、ト
ランスが薄形なので、取り付け面積が広くなり、電極ま
たは半田付け部5により安定して確実に固定することが
できるとともに、セラミック板3を回路基板上に密着し
て取り付けることができ、全体が薄形であることと相俟
って取り付け高さを低く実装することができる。また、
高温な環境下においても、フェライト磁心2とセラミッ
ク基板3の熱膨張係数がほぼ同一であるため、セラミッ
ク基板3が緩衝材となって膨張差の違いによるフェライ
ト磁心2の破損が防止できる。さらに、フェライト磁心
2の一部を電極5に対し接触させることにより、電極5
を通して回路基板上のグランドへ容易に接続することが
できる。これにより、漏洩電流に対する安全対策や静電
誘導対策を図ることができる。
を、図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミ
ック基板3の電極または半田付け部5を回路基板上へ半
田付けすることにより固定する。本実施例によれば、ト
ランスが薄形なので、取り付け面積が広くなり、電極ま
たは半田付け部5により安定して確実に固定することが
できるとともに、セラミック板3を回路基板上に密着し
て取り付けることができ、全体が薄形であることと相俟
って取り付け高さを低く実装することができる。また、
高温な環境下においても、フェライト磁心2とセラミッ
ク基板3の熱膨張係数がほぼ同一であるため、セラミッ
ク基板3が緩衝材となって膨張差の違いによるフェライ
ト磁心2の破損が防止できる。さらに、フェライト磁心
2の一部を電極5に対し接触させることにより、電極5
を通して回路基板上のグランドへ容易に接続することが
できる。これにより、漏洩電流に対する安全対策や静電
誘導対策を図ることができる。
第3図は、本考案に関連した参考的な第2の実施例を
示す斜視図である。この実施例は、第1の実施例と同様
に形成した一対のフェライト磁心11,12のそれぞれの両
端部に直接、回路基板への取り付け用の電極または半田
付け部15を銅メッキなどにより形成したものである。こ
のフェライト磁心11,12も、偏平なE型であり、その背
面の端部には第1の実施例と同じコ字形状の金具(図示
省略)を挿入するための凹部11a,12aが形成される。こ
の一対のフェライト磁心11,12は、図略の偏平なコイル
を挟み込んだ後、上記金具により挟み込まれて固定され
て、トランスが構成される。偏平なコイルとしては、第
2図に示したものが使用できる。
示す斜視図である。この実施例は、第1の実施例と同様
に形成した一対のフェライト磁心11,12のそれぞれの両
端部に直接、回路基板への取り付け用の電極または半田
付け部15を銅メッキなどにより形成したものである。こ
のフェライト磁心11,12も、偏平なE型であり、その背
面の端部には第1の実施例と同じコ字形状の金具(図示
省略)を挿入するための凹部11a,12aが形成される。こ
の一対のフェライト磁心11,12は、図略の偏平なコイル
を挟み込んだ後、上記金具により挟み込まれて固定され
て、トランスが構成される。偏平なコイルとしては、第
2図に示したものが使用できる。
このように構成された第2の実施例の薄形トランスを
図示しない回路基板上に実装する場合には、フェライト
磁心11,12に直接形成された電極または半田付け部15を
回路基板へ半田付けすることにより容易に固定すること
ができる。本実施例によれば、セラミック基板を用いて
いない分、第1の実施例よりもさらに取り付け高さを低
く実装することができるとともに、部品数を削減するこ
とができる。また、電極15がフェライト磁心11,12に形
成されているので、容易にグランドへ接続して接地する
ことが可能である。
図示しない回路基板上に実装する場合には、フェライト
磁心11,12に直接形成された電極または半田付け部15を
回路基板へ半田付けすることにより容易に固定すること
ができる。本実施例によれば、セラミック基板を用いて
いない分、第1の実施例よりもさらに取り付け高さを低
く実装することができるとともに、部品数を削減するこ
とができる。また、電極15がフェライト磁心11,12に形
成されているので、容易にグランドへ接続して接地する
ことが可能である。
第4図は、本考案の第3の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例は、一対の偏平なE型フェライト磁心2
1,22とセラミック基板23から構成され、図略の偏平なコ
イルを一対の偏平なフェライト磁心21,22で挟み込み、
セラミック基板23上に配置し、一対のフェライト磁心2
1,22の固定と、これらのフェライト磁心21,22とセラミ
ック基板23との固定を兼ね合わせて、テープ26を巻いた
ものである。上記において、セラミック基板23は、非磁
性で熱膨張係数がフェライト磁心21,22とほぼ同一であ
り、その両端部には、テープ26を巻く幅を避けてフェラ
イト磁心21,22よりも突出した突出部23aが形成され、こ
の突出部23aに銅メッキなどにより電極または半田付け
部25が形成される。図略の偏平なコイルとしては、第1
の実施例と同様な銅板を打ち抜いた偏平コイルを積層し
たものなどが使用できる。
る。この実施例は、一対の偏平なE型フェライト磁心2
1,22とセラミック基板23から構成され、図略の偏平なコ
イルを一対の偏平なフェライト磁心21,22で挟み込み、
セラミック基板23上に配置し、一対のフェライト磁心2
1,22の固定と、これらのフェライト磁心21,22とセラミ
ック基板23との固定を兼ね合わせて、テープ26を巻いた
ものである。上記において、セラミック基板23は、非磁
性で熱膨張係数がフェライト磁心21,22とほぼ同一であ
り、その両端部には、テープ26を巻く幅を避けてフェラ
イト磁心21,22よりも突出した突出部23aが形成され、こ
の突出部23aに銅メッキなどにより電極または半田付け
部25が形成される。図略の偏平なコイルとしては、第1
の実施例と同様な銅板を打ち抜いた偏平コイルを積層し
たものなどが使用できる。
このように構成された第3の実施例の薄形トランスを
図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミック
基板23の電極または半田付け部25を回路基板上へ半田付
けすることにより容易に固定することができる。本実施
例は、フェライト磁心21,22をセラミック基板23へ取り
付ける手段(テープ26)が第1の実施例と異なるのみで
あり、第1の実施例と同様に作用させることができる。
即ち、回路基板上への取り付け高さを低くするとともに
その取り付けを容易にし、フェライト磁心21,22の接地
を容易にし、フェライト磁心21,22の熱膨張による破損
を防止する。
図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミック
基板23の電極または半田付け部25を回路基板上へ半田付
けすることにより容易に固定することができる。本実施
例は、フェライト磁心21,22をセラミック基板23へ取り
付ける手段(テープ26)が第1の実施例と異なるのみで
あり、第1の実施例と同様に作用させることができる。
即ち、回路基板上への取り付け高さを低くするとともに
その取り付けを容易にし、フェライト磁心21,22の接地
を容易にし、フェライト磁心21,22の熱膨張による破損
を防止する。
第5図は本考案の第4の実施例を示す斜視図である。
この実施例は、一対の偏平なE型フェライト磁心31,32
とセラミック基板33とを有して成り、セラミック基板33
は、その外形寸法がフェライト磁心31,32の外形寸法と
ほぼ同一とされ、両端部の中央に切り欠け部33aが形成
され、さらにその切り欠け部33aの両側に銅メッキなど
による電極または半田付け部35が形成されて成る。ま
た、セラミック基板33は非磁性で熱膨張係数がフェライ
ト磁心31,33とほぼ同一のものを使用する。フェライト
磁心31,32は、図略の偏平なコイルを挾み込み、突き合
わされて図略のコ字形状の金具で挾み込まれて固定さ
れ、セラミック基板33に配置されて、それに接着などに
より固定される。このとき切り欠け部33aは上記金具の
を挿入するための空間を形成する。
この実施例は、一対の偏平なE型フェライト磁心31,32
とセラミック基板33とを有して成り、セラミック基板33
は、その外形寸法がフェライト磁心31,32の外形寸法と
ほぼ同一とされ、両端部の中央に切り欠け部33aが形成
され、さらにその切り欠け部33aの両側に銅メッキなど
による電極または半田付け部35が形成されて成る。ま
た、セラミック基板33は非磁性で熱膨張係数がフェライ
ト磁心31,33とほぼ同一のものを使用する。フェライト
磁心31,32は、図略の偏平なコイルを挾み込み、突き合
わされて図略のコ字形状の金具で挾み込まれて固定さ
れ、セラミック基板33に配置されて、それに接着などに
より固定される。このとき切り欠け部33aは上記金具の
を挿入するための空間を形成する。
このように構成された第4の実施例の薄形トランスを
図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミック
基板33の電極または半田付け部35を回路基板上へ半田付
けすることにより容易に固定することができる。本実施
例は、セラミック基板33の外形寸法と形状が第1の実施
例と異なるのみであり、第1の実施例と同様に作用させ
ることができる。即ち、回路基板上への取り付け高さを
低くするとともにその取り付けを容易にし、フェライト
磁心31,32の接地を容易にし、フェライト磁心31,32の熱
膨張による破損を防止する。
図示しない回路基板上に実装する場合には、セラミック
基板33の電極または半田付け部35を回路基板上へ半田付
けすることにより容易に固定することができる。本実施
例は、セラミック基板33の外形寸法と形状が第1の実施
例と異なるのみであり、第1の実施例と同様に作用させ
ることができる。即ち、回路基板上への取り付け高さを
低くするとともにその取り付けを容易にし、フェライト
磁心31,32の接地を容易にし、フェライト磁心31,32の熱
膨張による破損を防止する。
なお、上記実施例において、フェライト磁心の形状は
自由であり、例えば、中心部分の中脚は偏平な平坦部分
よりも幅細としても良い。また、一対のフェライト磁心
の分割形状も自由であり、EI型としたりF型としたりす
ることができる。偏平なコイルとしては、実施例に限る
ものではなく、巻線を偏平に巻いて構成したものや、フ
レキシブル基板等で形成したものなどが使用できる。こ
の偏平なコイルの端子の接続は、別途行なうことができ
る。このように、本考案はその主旨に沿って種々に応用
され、種々の実施態様を取り得るものである。
自由であり、例えば、中心部分の中脚は偏平な平坦部分
よりも幅細としても良い。また、一対のフェライト磁心
の分割形状も自由であり、EI型としたりF型としたりす
ることができる。偏平なコイルとしては、実施例に限る
ものではなく、巻線を偏平に巻いて構成したものや、フ
レキシブル基板等で形成したものなどが使用できる。こ
の偏平なコイルの端子の接続は、別途行なうことができ
る。このように、本考案はその主旨に沿って種々に応用
され、種々の実施態様を取り得るものである。
[考案の効果] 以上の説明で明らかなように、本考案の薄形トランス
によれば、回路基板に実装する際に、フェライト磁心の
接地の要求や、取り付け高さを低くする要求や、フェラ
イト磁心の熱膨張による破損の防止の要求に対応するこ
とができるとともに、回路基板上に容易に固定すること
ができる。
によれば、回路基板に実装する際に、フェライト磁心の
接地の要求や、取り付け高さを低くする要求や、フェラ
イト磁心の熱膨張による破損の防止の要求に対応するこ
とができるとともに、回路基板上に容易に固定すること
ができる。
第1図は本考案の第1の実施例を示す斜視図、第2図は
上記実施例で使用する偏平なコイルの構成例を示す平面
図、第3図は本考案に関連した参考的な第2の実施例を
示す斜視図、第4図は本考案の第3の実施例を示す斜視
図、第5図は本考案の第4の実施例を示す斜視図、第6
図は従来例を示す分解斜視図である。 1,2,11,12,21,22,31,32……フェライト磁心、3,23,33…
…セラミック基板、4……金具、5,15,25,35……電極ま
たは半田付け部、6……偏平コイル、7……絶縁シー
ト、16……テープ。
上記実施例で使用する偏平なコイルの構成例を示す平面
図、第3図は本考案に関連した参考的な第2の実施例を
示す斜視図、第4図は本考案の第3の実施例を示す斜視
図、第5図は本考案の第4の実施例を示す斜視図、第6
図は従来例を示す分解斜視図である。 1,2,11,12,21,22,31,32……フェライト磁心、3,23,33…
…セラミック基板、4……金具、5,15,25,35……電極ま
たは半田付け部、6……偏平コイル、7……絶縁シー
ト、16……テープ。
Claims (2)
- 【請求項1】偏平に形成したコイルと、このコイルを挟
み込む一対の偏平なフェライト磁心と、このフェライト
磁心を固定するセラミック板とを有してなるトランスで
あって、 上記セラミック板は非磁性であり、かつ上記フェライト
磁心とほぼ同一の熱膨張係数を有するとともに回路基板
上への固定に用いる電極または半田付け部が形成される
ことを特徴とする薄形トランス。 - 【請求項2】フェライト磁心は、セラミック板に形成さ
れた電極または半田付け部に接触して該セラミック板に
固定されていることを特徴とする請求項1記載の薄形ト
ランス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990043389U JP2510366Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 薄形トランス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990043389U JP2510366Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 薄形トランス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH042010U JPH042010U (ja) | 1992-01-09 |
JP2510366Y2 true JP2510366Y2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=31555763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990043389U Expired - Lifetime JP2510366Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 薄形トランス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2510366Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5304730B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2013-10-02 | 株式会社デンソー | 磁気部品ユニット及び磁気部品固定構造 |
TWI616906B (zh) * | 2017-03-01 | 2018-03-01 | Yujing Technology Co Ltd | Resonant transformer with leakage inductance adjustment |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63106114U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | ||
JPH01220811A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tokin Corp | 表面実装用チップ型コイルの製造方法 |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP1990043389U patent/JP2510366Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH042010U (ja) | 1992-01-09 |
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