JP2505862Y2 - 透過型座標検出装置 - Google Patents
透過型座標検出装置Info
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- JP2505862Y2 JP2505862Y2 JP1992088558U JP8855892U JP2505862Y2 JP 2505862 Y2 JP2505862 Y2 JP 2505862Y2 JP 1992088558 U JP1992088558 U JP 1992088558U JP 8855892 U JP8855892 U JP 8855892U JP 2505862 Y2 JP2505862 Y2 JP 2505862Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、透明型座標検出装置
（以下、「透明タブレット」と称す。）に関し、更に詳
しくは、電極のリード線を改良した透明タブレットの関
する。
（以下、「透明タブレット」と称す。）に関し、更に詳
しくは、電極のリード線を改良した透明タブレットの関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の透明タブレットは、図４、図５に
示すように、Ｘ軸方向の両端部に形成された一対の第１
電極１Ａ、第２電極１Ｂを有するＸ座標検出用基板２
と、このＸ座標検出用基板２にドットスペーサ３によっ
て僅かな細隙を形成して積層され且つＹ軸方向の両端部
に形成された一対の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂを有す
るＹ座標検出用基板５と、Ｘ座標検出用基板２の第１電
極１Ａ、第２電極１Ｂそれぞれに接続された第１導体
６、第２導体７と、Ｙ座標検出用基板５の第１電極４
Ａ、第２電極４Ｂそれぞれに接続された第１導体、第２
導体（図示せず）と、これらの導体にそれぞれ接続され
た図示しない接点を介して電圧を印加する電源１０とを
備え、位置情報を検出する時には電源１０をＸ座標検出
用基板２、Ｙ座標検出用基板４の接点に順次切り替え、
図５に示すようにペン１４を当ててそれぞれの座標値を
位置情報として検出するように構成されている。そし
て、上記各座標検出用基板２、５はそれぞれ同様に構成
されている。
示すように、Ｘ軸方向の両端部に形成された一対の第１
電極１Ａ、第２電極１Ｂを有するＸ座標検出用基板２
と、このＸ座標検出用基板２にドットスペーサ３によっ
て僅かな細隙を形成して積層され且つＹ軸方向の両端部
に形成された一対の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂを有す
るＹ座標検出用基板５と、Ｘ座標検出用基板２の第１電
極１Ａ、第２電極１Ｂそれぞれに接続された第１導体
６、第２導体７と、Ｙ座標検出用基板５の第１電極４
Ａ、第２電極４Ｂそれぞれに接続された第１導体、第２
導体（図示せず）と、これらの導体にそれぞれ接続され
た図示しない接点を介して電圧を印加する電源１０とを
備え、位置情報を検出する時には電源１０をＸ座標検出
用基板２、Ｙ座標検出用基板４の接点に順次切り替え、
図５に示すようにペン１４を当ててそれぞれの座標値を
位置情報として検出するように構成されている。そし
て、上記各座標検出用基板２、５はそれぞれ同様に構成
されている。
【０００３】そこで、上記Ｘ座標検出用基板２について
図４を参照しながら更に説明する。同図に示すＸ座標検
出用基板２は、例えばガラス等からなる透明基板２Ａ
と、この透明基板２Ａ上に均一な薄膜として形成された
透明抵抗体２Ｂとからなり、また、このＸ座標検出用基
板２の第１電極１Ａ、第２電極１Ｂはそれぞれ銀電極と
して形成されている。また、上記第１導体６、第２導体
７は、上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂの一端からそれ
ぞれ延設され且つこれら両電極１Ａ、１Ｂと同材質の銀
からなる第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａにそれぞ
れ接続されている。そして、上記Ｘ座標検出用基板２を
製造する場合には、Ｘ座標検出用基板２上の第１リード
線６Ａ、７Ａを形成する部分の透明抵抗体２Ｂをエッチ
ングなどにより除去した後、銀のスパッタリングなどに
より上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ及び第１リード線
６Ａ、第２リード線７Ａを形成するようにしている。
図４を参照しながら更に説明する。同図に示すＸ座標検
出用基板２は、例えばガラス等からなる透明基板２Ａ
と、この透明基板２Ａ上に均一な薄膜として形成された
透明抵抗体２Ｂとからなり、また、このＸ座標検出用基
板２の第１電極１Ａ、第２電極１Ｂはそれぞれ銀電極と
して形成されている。また、上記第１導体６、第２導体
７は、上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂの一端からそれ
ぞれ延設され且つこれら両電極１Ａ、１Ｂと同材質の銀
からなる第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａにそれぞ
れ接続されている。そして、上記Ｘ座標検出用基板２を
製造する場合には、Ｘ座標検出用基板２上の第１リード
線６Ａ、７Ａを形成する部分の透明抵抗体２Ｂをエッチ
ングなどにより除去した後、銀のスパッタリングなどに
より上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ及び第１リード線
６Ａ、第２リード線７Ａを形成するようにしている。
【０００４】而して、上記構成を有する透明タブレット
を使用する場合には、電源１０を第１導体６、第２導体
７に接続し、第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａを介
して上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂに電源電圧ＶCCを
印加すれば、上記透明抵抗板２Ｂの第１電極１Ａ、第２
電極１Ｂ間では高電位の第１電極１Ａから低電位の第２
電極１Ｂに向かって一定の電位勾配を持った等電位線が
各電極１Ａ、１Ｂに対して平行に形成される。この状態
で、上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ間の任意の点に図
５で示すようにペン１４を押圧すればその点での電圧に
基づいた位置情報をＸ座標値として検出することができ
る。また、Ｙ座標検出用基板５においてもＸ座標検出用
基板２の場合と同様にＹ座標値を検出することができ
る。
を使用する場合には、電源１０を第１導体６、第２導体
７に接続し、第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａを介
して上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂに電源電圧ＶCCを
印加すれば、上記透明抵抗板２Ｂの第１電極１Ａ、第２
電極１Ｂ間では高電位の第１電極１Ａから低電位の第２
電極１Ｂに向かって一定の電位勾配を持った等電位線が
各電極１Ａ、１Ｂに対して平行に形成される。この状態
で、上記第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ間の任意の点に図
５で示すようにペン１４を押圧すればその点での電圧に
基づいた位置情報をＸ座標値として検出することができ
る。また、Ｙ座標検出用基板５においてもＸ座標検出用
基板２の場合と同様にＹ座標値を検出することができ
る。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
透明型座標検出装置は、Ｘ座標検出用基板２上の第１電
極１Ａ、第２電極１Ｂ及び第１リード線６Ａ、第２リー
ド線７Ａが上述のように銀によってそれぞれ形成されて
いるため、Ｘ座標検出用基板２上に第１リード線６Ａ、
第２リード線７Ａを形成する場合には、透明抵抗体２Ｂ
をエッチング等により除去した後、この除去部分に第１
リード線６Ａ、第２リード線７Ａを形成しなくてはなら
ず、この部分の透明抵抗体２Ｂを除去せずにその上に第
１リード線６Ａ、第２リード線７Ａを積層形成すると第
１リード線６Ａ、第２リード線７Ａと透明抵抗体２Ｂと
が短絡して好ましくないことは勿論のこと、第１リード
線６Ａ、第２リード線７Ａを高価な銀で形成しなくては
ならないため、銀の使用量が多くなって透明型座標検出
装置の製造コストが高く付くという課題があった。
透明型座標検出装置は、Ｘ座標検出用基板２上の第１電
極１Ａ、第２電極１Ｂ及び第１リード線６Ａ、第２リー
ド線７Ａが上述のように銀によってそれぞれ形成されて
いるため、Ｘ座標検出用基板２上に第１リード線６Ａ、
第２リード線７Ａを形成する場合には、透明抵抗体２Ｂ
をエッチング等により除去した後、この除去部分に第１
リード線６Ａ、第２リード線７Ａを形成しなくてはなら
ず、この部分の透明抵抗体２Ｂを除去せずにその上に第
１リード線６Ａ、第２リード線７Ａを積層形成すると第
１リード線６Ａ、第２リード線７Ａと透明抵抗体２Ｂと
が短絡して好ましくないことは勿論のこと、第１リード
線６Ａ、第２リード線７Ａを高価な銀で形成しなくては
ならないため、銀の使用量が多くなって透明型座標検出
装置の製造コストが高く付くという課題があった。
【０００６】また、従来の透明型座標検出装置の製造コ
ストを下げるために図６で示すように第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂを省略して透明抵抗体２Ｂの両端部を電極と
して利用すると共に第１リード線６Ａ、第２リード線７
Ａを透明抵抗体２Ｂと一体的に同材料によって透明基板
２Ａ上に形成することも考えられるが、このようにする
と第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａからの印加電圧
はリード線から遠ざかるにつれて透明抵抗体２Ｂ自体の
抵抗によって電位が低下するため、同図に示すように電
極となる両端部間で等電位線が形成されず、正確な位置
情報を得ることができないという課題があった。これら
のことはＹ軸の位置情報を検出する場合についても言え
る。
ストを下げるために図６で示すように第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂを省略して透明抵抗体２Ｂの両端部を電極と
して利用すると共に第１リード線６Ａ、第２リード線７
Ａを透明抵抗体２Ｂと一体的に同材料によって透明基板
２Ａ上に形成することも考えられるが、このようにする
と第１リード線６Ａ、第２リード線７Ａからの印加電圧
はリード線から遠ざかるにつれて透明抵抗体２Ｂ自体の
抵抗によって電位が低下するため、同図に示すように電
極となる両端部間で等電位線が形成されず、正確な位置
情報を得ることができないという課題があった。これら
のことはＹ軸の位置情報を検出する場合についても言え
る。
【０００７】本考案は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、低コストで製造することができると共に正
確な位置情報を得ることができる透明型座標検出装置を
提供することを目的としている。
れたもので、低コストで製造することができると共に正
確な位置情報を得ることができる透明型座標検出装置を
提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本考案は、透明基板上に
均一に形成された透明抵抗体と、この透明抵抗体上の両
端部に所定の距離を隔てて良導体によって一方向に形成
された一対の細長形状の電極と、これらの電極にそれぞ
れ電気的に接続された一対の第１リード線部とを有する
座標検出用基板を備え、上記各リード線部をそれぞれ上
記透明抵抗体から延設し、上記各リード線部と上記透明
抵抗体とを同一材料によって一体的に形成したものであ
る。
均一に形成された透明抵抗体と、この透明抵抗体上の両
端部に所定の距離を隔てて良導体によって一方向に形成
された一対の細長形状の電極と、これらの電極にそれぞ
れ電気的に接続された一対の第１リード線部とを有する
座標検出用基板を備え、上記各リード線部をそれぞれ上
記透明抵抗体から延設し、上記各リード線部と上記透明
抵抗体とを同一材料によって一体的に形成したものであ
る。
【０００９】
【作用】本考案によれば、座標検出用基板を製造する際
には、リード線部が透明抵抗体から延設して形成されて
いるため、リード線部が従来のような銀等の高価な良導
体によって形成する必要がなく、このリード線部を低コ
ストで座標検出用基板を製造することができ、また、透
過型位置検出装置を使用する際には、座標検出用基板の
各リード線部を介して良導体からなる一対の電極間に電
圧を印加すると、各電極内では電位勾配を生じることな
く、対向する電極間の透明抵抗体で所定の電位勾配を持
った電位線を各電極に平行に形成し、任意の点における
電圧に基づく位置情報として例えばＸ座標値を正確に検
出することができる。
には、リード線部が透明抵抗体から延設して形成されて
いるため、リード線部が従来のような銀等の高価な良導
体によって形成する必要がなく、このリード線部を低コ
ストで座標検出用基板を製造することができ、また、透
過型位置検出装置を使用する際には、座標検出用基板の
各リード線部を介して良導体からなる一対の電極間に電
圧を印加すると、各電極内では電位勾配を生じることな
く、対向する電極間の透明抵抗体で所定の電位勾配を持
った電位線を各電極に平行に形成し、任意の点における
電圧に基づく位置情報として例えばＸ座標値を正確に検
出することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図３に基づいて従来と同一また
は相当部分には同一符号を付して本考案を説明する。
尚、各図中、図１は本考案の透過型位置検出装置の一実
施例の全体を示す概念図、図２は図１に示す透過型位置
検出装置のＸ座標検出用基板を示す平面図、図３は図２
に示すＸ座標検出用基板を製造する方法を工程順に基板
の断面を示す模式図で、同図（ａ）は透明基板上に透明
抵抗体を形成した状態を示す図で、同図（ｂ）は同図
（ａ）の透明基板をマスキングした状態を示す図、同図
（ｃ）は同図（ｂ）の透明抵抗体の一部を除去した状態
を示す図、同図（ｄ）は同図（ｃ）のマスキング部材を
剥離した状態を示す図、同図（ｅ）は同図（ｄ）の透明
抵抗体に電極を形成した状態を示す図である。
は相当部分には同一符号を付して本考案を説明する。
尚、各図中、図１は本考案の透過型位置検出装置の一実
施例の全体を示す概念図、図２は図１に示す透過型位置
検出装置のＸ座標検出用基板を示す平面図、図３は図２
に示すＸ座標検出用基板を製造する方法を工程順に基板
の断面を示す模式図で、同図（ａ）は透明基板上に透明
抵抗体を形成した状態を示す図で、同図（ｂ）は同図
（ａ）の透明基板をマスキングした状態を示す図、同図
（ｃ）は同図（ｂ）の透明抵抗体の一部を除去した状態
を示す図、同図（ｄ）は同図（ｃ）のマスキング部材を
剥離した状態を示す図、同図（ｅ）は同図（ｄ）の透明
抵抗体に電極を形成した状態を示す図である。
【００１１】本実施例の透過型位置検出装置（以下、
「透明タブレット」と称す。）は、図１に示すように、
Ｘ軸方向の両端部に形成された一対の第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂを有するＸ座標検出用基板２と、このＸ座標
検出用基板２にドットスペーサ３によって僅かな細隙を
形成して積層され且つＹ軸方向の両端部に形成された一
対の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂを有するＹ座標検出用
基板５と、上記Ｘ座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂそれぞれに接続され且つ接点Ｘ1、Ｘ2、Ｙ3
を有する第１導体６、第２導体７と、上記Ｙ座標検出用
基板５の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂそれぞれに接続さ
れ且つ接点Ｙ1、Ｙ2、Ｘ3を有する第１導体８、第２導
体９と、これらの導体の接点を介して上記Ｘ座標検出用
基板２と上記Ｙ座標検出用基板５間で電源１０を切り換
える切替スイッチ１１とを備えて構成されている。更
に、上記切替スイッチ１１にはＡ／Ｄ変換回路１２を介
して演算回路１３に接続され、上記第１電極１Ａ、第２
電極１Ｂあるいは上記第１電極４Ａ、第２電極４Ｂから
の電圧情報をＡ／Ｄ変換回路１２でデジタル信号に変換
し、このデジタル信号に基づいて演算回路１３で所定の
位置情報としてのＸ座標値あるいはＹ座標値を得るよう
に構成されている。
「透明タブレット」と称す。）は、図１に示すように、
Ｘ軸方向の両端部に形成された一対の第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂを有するＸ座標検出用基板２と、このＸ座標
検出用基板２にドットスペーサ３によって僅かな細隙を
形成して積層され且つＹ軸方向の両端部に形成された一
対の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂを有するＹ座標検出用
基板５と、上記Ｘ座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂそれぞれに接続され且つ接点Ｘ1、Ｘ2、Ｙ3
を有する第１導体６、第２導体７と、上記Ｙ座標検出用
基板５の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂそれぞれに接続さ
れ且つ接点Ｙ1、Ｙ2、Ｘ3を有する第１導体８、第２導
体９と、これらの導体の接点を介して上記Ｘ座標検出用
基板２と上記Ｙ座標検出用基板５間で電源１０を切り換
える切替スイッチ１１とを備えて構成されている。更
に、上記切替スイッチ１１にはＡ／Ｄ変換回路１２を介
して演算回路１３に接続され、上記第１電極１Ａ、第２
電極１Ｂあるいは上記第１電極４Ａ、第２電極４Ｂから
の電圧情報をＡ／Ｄ変換回路１２でデジタル信号に変換
し、このデジタル信号に基づいて演算回路１３で所定の
位置情報としてのＸ座標値あるいはＹ座標値を得るよう
に構成されている。
【００１２】而して、上記Ｘ座標検出用基板２は、図２
に示すように、ガラス等の透明物質によって略矩形状に
形成された透明基板２Ａと、この透明基板２Ａ上にＩＴ
Ｏ等からなる透明電極として均一な膜厚で薄膜状に形成
された透明抵抗体２Ｂ（同図では破線で示した部分）
と、この透明抵抗体２Ｂ上の両端部（本実施例では、図
２の左右の両端部）に所定の距離を隔てて銀等の良導体
によって一方向に形成された一対の細長形状の上記第１
電極１Ａ、第２電極１Ｂと、これらの第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂにそれぞれ電気的に接続された一対の第１リ
ード線部２Ｂ１、第２リード線部２Ｂ２とを備えて構成
されている。
に示すように、ガラス等の透明物質によって略矩形状に
形成された透明基板２Ａと、この透明基板２Ａ上にＩＴ
Ｏ等からなる透明電極として均一な膜厚で薄膜状に形成
された透明抵抗体２Ｂ（同図では破線で示した部分）
と、この透明抵抗体２Ｂ上の両端部（本実施例では、図
２の左右の両端部）に所定の距離を隔てて銀等の良導体
によって一方向に形成された一対の細長形状の上記第１
電極１Ａ、第２電極１Ｂと、これらの第１電極１Ａ、第
２電極１Ｂにそれぞれ電気的に接続された一対の第１リ
ード線部２Ｂ１、第２リード線部２Ｂ２とを備えて構成
されている。
【００１３】また、上記透明基板２Ａを形成する透明物
質は、透明基板を形成する物質であればよく、このよう
な透明物質としては、ガラス等の無機系の物質の他、例
えばアクリル系樹脂等の有機系の物質であってもよい。
また、上記各リード線部２Ｂ１、２Ｂ２はそれぞれ上記
透明抵抗体２Ｂと同一材料、即ちＩＴＯ等の透明電極に
よって一体的に上記透明抵抗体２Ｂと同様に均一な薄膜
として形成されている。つまり、各リード線部２Ｂ １ 、
２Ｂ ２ はそれぞれ上記透明抵抗体から延設され、上記各
リード線部と上記透明抵抗体とが同一材料によって一体
的に形成されている。そして、上記透明抵抗体２Ｂ及び
上記各リード線部２Ｂ１、２Ｂ２を形成する材料として
は、ＩＴＯの他、例えば酸化錫等であってもよい。ま
た、上記各電極１Ａ、１Ｂを形成する良導体は、電気抵
抗が極めて小さい良導体であればよく、このような良導
体としては、銀の他、金等であってもよい。
質は、透明基板を形成する物質であればよく、このよう
な透明物質としては、ガラス等の無機系の物質の他、例
えばアクリル系樹脂等の有機系の物質であってもよい。
また、上記各リード線部２Ｂ１、２Ｂ２はそれぞれ上記
透明抵抗体２Ｂと同一材料、即ちＩＴＯ等の透明電極に
よって一体的に上記透明抵抗体２Ｂと同様に均一な薄膜
として形成されている。つまり、各リード線部２Ｂ １ 、
２Ｂ ２ はそれぞれ上記透明抵抗体から延設され、上記各
リード線部と上記透明抵抗体とが同一材料によって一体
的に形成されている。そして、上記透明抵抗体２Ｂ及び
上記各リード線部２Ｂ１、２Ｂ２を形成する材料として
は、ＩＴＯの他、例えば酸化錫等であってもよい。ま
た、上記各電極１Ａ、１Ｂを形成する良導体は、電気抵
抗が極めて小さい良導体であればよく、このような良導
体としては、銀の他、金等であってもよい。
【００１４】ところで、上記Ｘ座標検出用基板２は、例
えば図３に示す工程に従って形成することができる。ま
ず、所定形状のガラスからなる透明基板２Ａを準備し、
この透明基板２Ａに対してスパッタリング装置等を用い
てＩＴＯをスパッタリングしてＩＴＯ薄膜を透明抵抗体
２Ｂとして形成する（図３（ａ）参照）。次いで、透明
抵抗体２Ｂ及びこれと一体化した第１リード線部２
Ｂ1、第２リード線部２Ｂ2の形状に形成されたパターン
を有するマスキング部材２Ｃを上記透明抵抗体２Ｂに重
ね（図３（ｂ）参照）、この状態で透明基板２Ａ上でマ
スキングされていない部分２ＤのＩＴＯ薄膜をエッチン
グ装置によって図３（ｃ）で示すようにエッチングして
除去した後、マスキング部材２Ｃを透明抵抗体２Ｂから
剥離すると透明抵抗体２Ｂ及び第１リード線部２Ｂ1、
第２リード線部（図示せず）として利用されるＩＴＯ薄
膜が透明基板２Ａ上に残る（図３（ｄ）参照）。その
後、上記透明抵抗体２Ｂの所定位置に銀をスクリーン印
刷等によって各電極１Ａ、１Ｂを形成すれば（図３
（ｅ）参照）、上記Ｘ座標検出用基板２を作製すること
ができる。
えば図３に示す工程に従って形成することができる。ま
ず、所定形状のガラスからなる透明基板２Ａを準備し、
この透明基板２Ａに対してスパッタリング装置等を用い
てＩＴＯをスパッタリングしてＩＴＯ薄膜を透明抵抗体
２Ｂとして形成する（図３（ａ）参照）。次いで、透明
抵抗体２Ｂ及びこれと一体化した第１リード線部２
Ｂ1、第２リード線部２Ｂ2の形状に形成されたパターン
を有するマスキング部材２Ｃを上記透明抵抗体２Ｂに重
ね（図３（ｂ）参照）、この状態で透明基板２Ａ上でマ
スキングされていない部分２ＤのＩＴＯ薄膜をエッチン
グ装置によって図３（ｃ）で示すようにエッチングして
除去した後、マスキング部材２Ｃを透明抵抗体２Ｂから
剥離すると透明抵抗体２Ｂ及び第１リード線部２Ｂ1、
第２リード線部（図示せず）として利用されるＩＴＯ薄
膜が透明基板２Ａ上に残る（図３（ｄ）参照）。その
後、上記透明抵抗体２Ｂの所定位置に銀をスクリーン印
刷等によって各電極１Ａ、１Ｂを形成すれば（図３
（ｅ）参照）、上記Ｘ座標検出用基板２を作製すること
ができる。
【００１５】上述のようにしてＸ座標検出用基板２とＹ
座標検出用基板（図示せず）を作製し、図１に示すよう
に各座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第２電極１Ｂと
Ｙ座標検出用基板５の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂが直
交するように配置することによって本実施例の透過型座
標検出装置の位置情報検出部を製造することができる。
座標検出用基板（図示せず）を作製し、図１に示すよう
に各座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第２電極１Ｂと
Ｙ座標検出用基板５の第１電極４Ａ、第２電極４Ｂが直
交するように配置することによって本実施例の透過型座
標検出装置の位置情報検出部を製造することができる。
【００１６】次に、本実施例の透明タブレットの動作に
ついて説明する。まず、Ｘ座標検出用基板２の位置情報
を得るには、切替スイッチ１１を接点Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3側
に切り換え、図１で示すようにペン１４でＸ座標検出用
基板２の所定位置を押圧してＸ座標検出用基板２をＹ座
標検出用基板５に短絡させる。この時、Ｘ座標検出用基
板２でのペン１４と各第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ間の
抵抗をそれぞれＲｘ1、Ｒｘ2とし、Ｘ座標検出用基板２
と導体６、７との接触抵抗をＲｘ3、Ｒｘ4とし、また各
導体の持つ導体抵抗をＲｘ5、Ｒｘ6とすれば、ペン１４
で分圧された電圧、即ち、｛（Ｒｘ2＋Ｒｘ4＋Ｒｘ6）
×ＶCC／（Ｒｘ1＋Ｒｘ2＋Ｒｘ3＋Ｒｘ4＋Ｒｘ5＋Ｒ
ｘ6）｝がＹ座標検出用基板５のＲｙ2側を経てＸ座標情
報としてＡ／Ｄ変換回路１２に入力される。また、抵抗
１５で設定された基準電圧もＡ／Ｄ変換回路１２に入力
する。これらの電圧は、デジタル信号に変換されて演算
回路１３に入力すると、この演算回路１３では上記式に
基づいてペン１４で押圧された位置を演算してＸ座標値
として出力される。
ついて説明する。まず、Ｘ座標検出用基板２の位置情報
を得るには、切替スイッチ１１を接点Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3側
に切り換え、図１で示すようにペン１４でＸ座標検出用
基板２の所定位置を押圧してＸ座標検出用基板２をＹ座
標検出用基板５に短絡させる。この時、Ｘ座標検出用基
板２でのペン１４と各第１電極１Ａ、第２電極１Ｂ間の
抵抗をそれぞれＲｘ1、Ｒｘ2とし、Ｘ座標検出用基板２
と導体６、７との接触抵抗をＲｘ3、Ｒｘ4とし、また各
導体の持つ導体抵抗をＲｘ5、Ｒｘ6とすれば、ペン１４
で分圧された電圧、即ち、｛（Ｒｘ2＋Ｒｘ4＋Ｒｘ6）
×ＶCC／（Ｒｘ1＋Ｒｘ2＋Ｒｘ3＋Ｒｘ4＋Ｒｘ5＋Ｒ
ｘ6）｝がＹ座標検出用基板５のＲｙ2側を経てＸ座標情
報としてＡ／Ｄ変換回路１２に入力される。また、抵抗
１５で設定された基準電圧もＡ／Ｄ変換回路１２に入力
する。これらの電圧は、デジタル信号に変換されて演算
回路１３に入力すると、この演算回路１３では上記式に
基づいてペン１４で押圧された位置を演算してＸ座標値
として出力される。
【００１７】引き続きペン１３の押圧位置をそのままに
して切替スイッチ１１をＹ座標検出用基板５側の接点Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３に切り替える。この時、Ｙ座標検出用基
板５でのペン１４の位置と各電極４Ａ、４Ｂ間の抵抗を
それぞれＲｙ １ 、Ｒｙ ２ とし、Ｙ座標検出用基板５と導
体８、９との接触抵抗をＲｙ３、Ｒｙ４とし、また各導
体の持つ導体抵抗をＲｙ５、Ｒｙ６とすれば、ペン１４
で分圧された電圧、即ち、｛（Ｒｙ２＋Ｒｙ４＋Ｒ
ｙ６）×ＶＣＣ／（Ｒｙ１＋Ｒｙ２＋Ｒｙ３＋Ｒｙ４＋
Ｒｙ５＋Ｒｙ６）｝がＸ座標検出用基板２の抵抗Ｒｘ ２
経てＹ座標情報としてＡ／Ｄ変換回路１２に入力され
る。抵抗１５で設定された基準電圧も上述した場合と同
様にしてＡ／Ｄ変換回路１２に入力して上記位置情報に
基づく電圧と共にデジタル信号に変換されて演算回路１
３に入力すると、この演算回路１３では上記式に基づい
てペン１４で押圧された位置を演算してＹ座標値として
出力される。尚、Ａ／Ｄ変換回路１２、演算回路１３は
入力インピーダンスの高いものを用いてＸ座標検出用基
板２、Ｙ座標検出用基板５間の接触抵抗、及びＸ軸の位
置情報測定時の抵抗Ｒｙ２、Ｙ軸の位置情報測定時の抵
抗Ｒｘ２が測定値に影響しないようにしてある。
して切替スイッチ１１をＹ座標検出用基板５側の接点Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３に切り替える。この時、Ｙ座標検出用基
板５でのペン１４の位置と各電極４Ａ、４Ｂ間の抵抗を
それぞれＲｙ １ 、Ｒｙ ２ とし、Ｙ座標検出用基板５と導
体８、９との接触抵抗をＲｙ３、Ｒｙ４とし、また各導
体の持つ導体抵抗をＲｙ５、Ｒｙ６とすれば、ペン１４
で分圧された電圧、即ち、｛（Ｒｙ２＋Ｒｙ４＋Ｒ
ｙ６）×ＶＣＣ／（Ｒｙ１＋Ｒｙ２＋Ｒｙ３＋Ｒｙ４＋
Ｒｙ５＋Ｒｙ６）｝がＸ座標検出用基板２の抵抗Ｒｘ ２
経てＹ座標情報としてＡ／Ｄ変換回路１２に入力され
る。抵抗１５で設定された基準電圧も上述した場合と同
様にしてＡ／Ｄ変換回路１２に入力して上記位置情報に
基づく電圧と共にデジタル信号に変換されて演算回路１
３に入力すると、この演算回路１３では上記式に基づい
てペン１４で押圧された位置を演算してＹ座標値として
出力される。尚、Ａ／Ｄ変換回路１２、演算回路１３は
入力インピーダンスの高いものを用いてＸ座標検出用基
板２、Ｙ座標検出用基板５間の接触抵抗、及びＸ軸の位
置情報測定時の抵抗Ｒｙ２、Ｙ軸の位置情報測定時の抵
抗Ｒｘ２が測定値に影響しないようにしてある。
【００１８】以上説明したように本実施例によれば、座
標検出用基板２のリード線部２Ｂ1、２Ｂ2を透明抵抗体
２Ｂと同一材料によって形成したため、従来のリード線
を付けるために透明抵抗体２Ｂを除去する工程を省略す
ることと相俟って、従来のようにリード線として銀を使
用しなくてよいため、銀の使用量が削減されて座標検出
用基板２を低コストで製造することができ、延いては、
透過型座標検出装置を低コストで製造することができ
る。また、座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第２電極
１Ｂを銀で形成し、しかも透明抵抗体２Ｂを均一な膜厚
を有する薄膜状に形成したため、第１電極１Ａ、第２電
極１Ｂ間の等電位線を各電極１Ａ、１Ｂに対して平行に
形成して正確な位置情報を得ることができる。
標検出用基板２のリード線部２Ｂ1、２Ｂ2を透明抵抗体
２Ｂと同一材料によって形成したため、従来のリード線
を付けるために透明抵抗体２Ｂを除去する工程を省略す
ることと相俟って、従来のようにリード線として銀を使
用しなくてよいため、銀の使用量が削減されて座標検出
用基板２を低コストで製造することができ、延いては、
透過型座標検出装置を低コストで製造することができ
る。また、座標検出用基板２の第１電極１Ａ、第２電極
１Ｂを銀で形成し、しかも透明抵抗体２Ｂを均一な膜厚
を有する薄膜状に形成したため、第１電極１Ａ、第２電
極１Ｂ間の等電位線を各電極１Ａ、１Ｂに対して平行に
形成して正確な位置情報を得ることができる。
【００１９】尚、本考案は、上記実施例に何等制限され
るものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、全て本考案に包含される。
るものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、全て本考案に包含される。
【００２０】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、低
コストで製造することができると共に正確な位置情報を
得ることができる透過型位置検出装置を提供することが
できる。
コストで製造することができると共に正確な位置情報を
得ることができる透過型位置検出装置を提供することが
できる。
【図１】本考案の透過型位置検出装置の一実施例の全体
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図２】図１に示す透過型位置検出装置のＸ座標検出用
基板を示す平面図である。
基板を示す平面図である。
【図３】図２に示すＸ座標検出用基板を製造する方法を
工程順に基板の断面を示す模式図で、同図（ａ）は透明
基板上に透明抵抗体を形成した状態を示す図で、同図
（ｂ）は同図（ａ）の透明基板をマスキングした状態を
示す図、同図（ｃ）は同図（ｂ）の透明抵抗体の一部を
除去した状態を示す図、同図（ｄ）は同図（ｃ）のマス
キング部材を剥離した状態を示す図、同図（ｅ）は同図
（ｄ）の透明抵抗体に電極を形成した状態を示す図であ
る。
工程順に基板の断面を示す模式図で、同図（ａ）は透明
基板上に透明抵抗体を形成した状態を示す図で、同図
（ｂ）は同図（ａ）の透明基板をマスキングした状態を
示す図、同図（ｃ）は同図（ｂ）の透明抵抗体の一部を
除去した状態を示す図、同図（ｄ）は同図（ｃ）のマス
キング部材を剥離した状態を示す図、同図（ｅ）は同図
（ｄ）の透明抵抗体に電極を形成した状態を示す図であ
る。
【図４】従来の透過型位置検出装置のＸ座標検出用基板
を中心に示す平面図である。
を中心に示す平面図である。
【図５】従来の透過型位置検出装置で位置情報を検出す
る時のＸ座標検出用基板とＹ座標検出用基板との関係を
示す断面図である。
る時のＸ座標検出用基板とＹ座標検出用基板との関係を
示す断面図である。
【図６】他の座標検出用基板を示す断面図である。
１Ａ 第１電極 １Ｂ 第２電極 ２ Ｘ座標検出用基板 ２Ａ 透明基板 ２Ｂ 透明抵抗体 ２Ｂ1 リード線部 ２Ｂ2 リード線部
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に均一に形成された透明抵抗
体と、この透明抵抗体上の両端部に所定の距離を隔てて
良導体によって一方向に形成された一対の細長形状の電
極と、これらの電極にそれぞれ電気的に接続された一対
の第１リード線部とを有する座標検出用基板を備え、上
記各リード線部をそれぞれ上記透明抵抗体から延設し、
上記各リード線部と上記透明抵抗体とを同一材料によっ
て一体的に形成したことを特徴とする透過型座標検出装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992088558U JP2505862Y2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 透過型座標検出装置 |
| US08/116,397 US5392035A (en) | 1992-11-30 | 1993-09-03 | Transparent coordinate detection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992088558U JP2505862Y2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 透過型座標検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648027U JPH0648027U (ja) | 1994-06-28 |
| JP2505862Y2 true JP2505862Y2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=13946200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992088558U Expired - Lifetime JP2505862Y2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 透過型座標検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5392035A (ja) |
| JP (1) | JP2505862Y2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940065A (en) | 1996-03-15 | 1999-08-17 | Elo Touchsystems, Inc. | Algorithmic compensation system and method therefor for a touch sensor panel |
| JPH10232734A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Sharp Corp | 仮想キーボード |
| US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
| US8400408B2 (en) * | 2007-06-13 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Touch screens with transparent conductive material resistors |
| JP5345336B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-11-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 入力装置、及びそれを備えた表示装置 |
| JP5123774B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 入力装置、及びそれを備えた表示装置 |
| TWI466004B (zh) | 2009-04-17 | 2014-12-21 | Egalax Empia Technology Inc | 電阻式多點觸控裝置及方法 |
| US8351017B2 (en) * | 2009-08-26 | 2013-01-08 | Empire Technology Development, Llc | Optically intelligent image sensing device |
| TWI460771B (zh) * | 2011-12-08 | 2014-11-11 | Innolux Corp | 觸控面板及其形成方法與顯示系統 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758454B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1995-06-21 | キヤノン株式会社 | 座標入力装置 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP1992088558U patent/JP2505862Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-03 US US08/116,397 patent/US5392035A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648027U (ja) | 1994-06-28 |
| US5392035A (en) | 1995-02-21 |
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| JPH0445058Y2 (ja) |