JPH0542512Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この考案は、透明基板上に透明導電膜よりなる
センスラインを形成したデジタイザに関する。

(ロ) 従来の技術 デジタイザは、描画通信端末装置や、コンピユ
ータ入出力装置に用いられ、表示器上に重ねて設
けられている。デジタイザの表面をスタイラスペ
ンでなぞることにより、描かれた文字や図形がデ
ジタル信号化され、通信制御回路やコンピユータ
に取込まれる。

このデジタイザは、第４図ａに示すようにガラ
ス基板１２上にITOよりなるセンスライン１４_i
（ｉ＝１，…，ｎ）を等しいピツチｐをおいて並
設してなるものである。このデジタイザ１１の表
面を、スタイラスペン（図示せず）でなぞると、
スタイラスペンより発生する磁界により隣合うセ
ンスライン１４_i，１４_i+1に電圧が誘起し、この
電圧を検出してスタイラスペンのＸ方向の位置を
決定する。なお、Ｙ方向の位置を決定するために
は、センスライン１４を直交するセンスラインが
必要となるが、これは例えばガラス基板１２の裏
面に形成される（図示せず）。

(ハ) 考案が解決しようとする課題 上記従来のデジタイザ１１では、センスライン
１４_iは、以下のようにして形成される。まず、
第２図に示すように、真空蒸着装置のドームＤに
ガラス基板１２を装着し、このドームＤを回転さ
せながらガラス基板１２全面に、蒸着源Ｓよりの
ITOを蒸着させる。その後、ガラス基板１２表面
をエツチングして、センスライン１４_iを形成す
る。

ところが、ITOをガラス基板１２全面に蒸着す
る際、ガラス基板１２が大きくなると、蒸着され
るITOの単位時間あたりの膜厚は、ガラス基板１
２周辺部へ行くほど余弦効果により減少する。一
方、センスライン１４_iの抵抗値は、センスライ
ン１４_iの幅と膜厚の積に逆比例するから、ガラ
ス基板１２周辺部では、センスラインの抵抗値が
増大する。

このことをさらに詳細に見ると、蒸着源Ｓから
ガラス基板１２への距離をＬ、センスライン１４
_ｉのピツチをｐとすれば、ガラス基板１２周辺部
からｎ番目のセンスライン１４ｉについては、角
度θiについて以下の関係がある。

θ_i＝tan^-1iP／Ｌ …(1) よつて、ガラス基板、中央部のITO膜厚を１と
すれば、周辺部の膜厚はcosθ_iとなり、センスラ
イン１４_iの抵抗値はガラス基板１２中央部を１
とすれば、周辺部では１／cosθ_iとなつてしまう
〔第４図ｂ参照〕。

デジタイザの出力Ｖは、センスライン１４_iに
誘起される電圧をEcos2πt（Ｅは定数、は周波
数、ｔは時間）、センスライン切替アナログスイ
ツチの容量をＣ、センスライン抵抗をＲとすれ
ば、 Ｖ＝Ecos2πt／１＋j2πCR …(2) となる。センスライン抵抗Ｒが上述のように、ガ
ラス基板１２中央部と周辺部で異なれば、デジタ
イザの出力Ｖも、ガラス基板１２の中央部と周辺
部で異なり、その結果変位／電圧特性が不均一と
なり、デジタイザのリニアリテイが低下するとい
う問題点がある。

この考案は、上記に鑑みなされたもので、リニ
アリテイの向上を図れるデジタイザの提供を目的
としている。

(ニ) 課題を解決するための手段及び作用 上記課題を解決するため、この考案のデジタイ
ザは、透明基板上に、透明導電膜よりなるセンス
ラインを並設してなるものにおいて、前記センス
ラインの幅を、前記透明基板の中央部より周辺部
にかけて徐々に大きくし、センスライン幅とセン
スラインの膜厚の積が一定となるように設定し、
各センスラインの抵抗値を均一化したことを特徴
とするものである。

上述のように、透明導電膜の膜厚は、透明基板
中央部より周辺部にいくにしたがい減少するの
で、その減少の割合に反比例するように、センス
ラインの幅を大きくしていけば、センスラインと
膜厚と幅との積を一定にすることができ、透明基
板中央部と周辺部とでセンスラインの抵抗値の差
をなくすことができる。

(ホ) 実施例 この考案の一実施例を第１図に基づいて以下に
説明する。

この実施例デジタイザ１は、ガラス基板２の表
面にコモン電極３と、センスライン4_i（ｉ＝１，
…，ｎ）が形成されている。センスライン4_iは、
等しいピツチｐで並行に形成されており、一端部
はそれぞれコモン電極３に接続し、他端部は電極
部４ａとされている。コモン電極３と電極部４ａ
上には、ニツケル（Ni）無電極めつき（第１図
中斜線を施した部分）が施され、コモン電極３、
電極部４ａの半田接合性を向上させると共に、コ
モン電極３の抵抗値を減少させる。

各センスライン４_iの幅b_iは以下の(3)式で表され
る値とされる。ここでb₀は定数である。

b_i＝b₀／cosθ_i …(3) すなわち、センスライン４_iの幅b_iは、ガラス基
板２の中央部から周辺部にいくにしたがい、１／
cosθ_iに比例して増加する。センスライン４_iの膜
厚t_iは、前述のようにcosθ_iに比例して減少してい
くので、センスライン４_iの幅b_iと膜厚t_iとの積は
一定となる。よつて、各センスライン４_iの抵抗
値を一定とすることができ、デジタイザ１の変
位／電圧特性を均一なものとすることができる。

この実施例デジタイザ１も、センスライン４_i
と直交するセンスラインが例えばガラス基板２裏
面に形成されている。

なお、センスラインを構成するITO膜厚自体を
均一化して、センスライン抵抗値を揃える方法も
あり、例えば、ガラス基板中央部のみをエツチン
グして、中央部のセンスラインのITO膜厚を小さ
くして、周辺部と同じにし、センスラインの抵抗
値を揃えることも可能である。

(ヘ) 考案の効果 以上説明したように、この考案のデジタイザ
は、センスラインの幅を、透明基板の中央部より
周辺部にかけて徐々に大きくし、センスライン幅
とセンスラインの膜厚の積が一定となるように設
定し、各センスラインの抵抗値を均一化したもの
であるから、変位／電圧特性が均一でリニアリテ
イが向上できる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この考案の一実施例に係るデジタイ
ザの外観平面図、第２図は、ガラス基板にITOを
蒸着する状態を説明する図、第３図は、センスラ
インの位置と膜厚との関係を説明する図、第４図
は、従来のデジタイザとそのセンスラインの抵抗
値を説明する図である。 ２……ガラス基板、４₁，…，4_o……センスラ
イン、b₁，…，b_o……センスライン幅。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 透明基板上に、透明導電膜よりなるセンスライ
   ンを並設してなるデジタイザにおいて、 前記センスラインの幅を、前記透明基板の中央
   部より周辺部にかけて徐々に大きくし、センスラ
   イン幅とセンスラインの膜厚の積が一定となるよ
   うに設定し、各センスラインの抵抗値を均一化し
   たことを特徴とするデジタイザ。