JP2995170B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法に関するものであり、特に書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するも
のである。
よびその製造方法に関するものであり、特に書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上
が求められている。このような薄膜磁気ヘッドの一つと
して、書き込みを目的とする記録ヘッドと、読み出しを
目的とする再生ヘッドとを積層した構造のものが提案さ
れている。ここで、記録ヘッドとしては誘導型薄膜磁気
ヘッドが用いられ、再生ヘッドとしては磁気抵抗素子が
広く用いられている。このような磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗（ＡＭＲ：AnisotropicMagne
to Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用され
てきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive)効果を用い
たものも開発されている。本明細書では、これらＡＭＲ
素子およびＧＭＲ素子を総称して磁気抵抗再生素子また
はＭＲ再生素子と称することにする。
の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上
が求められている。このような薄膜磁気ヘッドの一つと
して、書き込みを目的とする記録ヘッドと、読み出しを
目的とする再生ヘッドとを積層した構造のものが提案さ
れている。ここで、記録ヘッドとしては誘導型薄膜磁気
ヘッドが用いられ、再生ヘッドとしては磁気抵抗素子が
広く用いられている。このような磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗（ＡＭＲ：AnisotropicMagne
to Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用され
てきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive)効果を用い
たものも開発されている。本明細書では、これらＡＭＲ
素子およびＧＭＲ素子を総称して磁気抵抗再生素子また
はＭＲ再生素子と称することにする。
【０００３】ＡＭＲ素子を使用することにより、数ギガ
ビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、
またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密
度を上げることができる。このように面記録密度を高く
することによって、１０Ｇバイト以上の大容量のハード
ディスク装置の実現が可能となってきている。このよう
な磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( ＭＲ H
eight ：ＭＲハイト) がある。このＭＲハイトは、端面
がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エ
アベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッド
の製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形
成する際の研磨量を制御することによって所望のＭＲハ
イトを得るようにしている。
ビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、
またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密
度を上げることができる。このように面記録密度を高く
することによって、１０Ｇバイト以上の大容量のハード
ディスク装置の実現が可能となってきている。このよう
な磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( ＭＲ H
eight ：ＭＲハイト) がある。このＭＲハイトは、端面
がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エ
アベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッド
の製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形
成する際の研磨量を制御することによって所望のＭＲハ
イトを得るようにしている。
【０００４】上述したように再生ヘッドの性能はＧＭＲ
素子を用いることによって向上することができるが、こ
れに伴って記録ヘッドの性能向上も求められている。面
記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック
密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリン
グ面における磁極部分およびライトギャップ（writega
p)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭く
する必要があり、これを達成するために半導体加工技術
が利用されている。
素子を用いることによって向上することができるが、こ
れに伴って記録ヘッドの性能向上も求められている。面
記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック
密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリン
グ面における磁極部分およびライトギャップ（writega
p)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭く
する必要があり、これを達成するために半導体加工技術
が利用されている。
【０００５】書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を決
定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Hei
ght : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリ
ング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッ
ジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ
短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮
小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。また、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を
向上させるために、ボトムポールおよびトップポール
の、薄膜コイルを囲む部分の長さ（本明細書では、磁路
長と呼ぶ）を短くすることが提案されている。
定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Hei
ght : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリ
ング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッ
ジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ
短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮
小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。また、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を
向上させるために、ボトムポールおよびトップポール
の、薄膜コイルを囲む部分の長さ（本明細書では、磁路
長と呼ぶ）を短くすることが提案されている。
【０００６】図１〜８に、従来の標準的な複合型薄膜磁
気ヘッドの一例としてＧＭＲ素子を有するものの順次の
製造工程を、エアベアリング面に垂直な平面で切って示
す断面図である。なおこの例は、磁気抵抗効果型の読取
用の薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の書込用薄膜磁気ヘッ
ドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドである。
気ヘッドの一例としてＧＭＲ素子を有するものの順次の
製造工程を、エアベアリング面に垂直な平面で切って示
す断面図である。なおこの例は、磁気抵抗効果型の読取
用の薄膜磁気ヘッドの上に誘導型の書込用薄膜磁気ヘッ
ドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドである。
【０００７】まず、図１に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積し、
その上に再生ヘッドのＭＲ再生素子を外部磁界の影響か
ら保護する磁気シールドを構成する下部シールド層３を
３〜４μm の厚みで形成し、その後、シールドギャップ
層４に埋設したＧＭＲ層５を数十ｎｍの厚みに形成し、
さらにその上にパーマロイよりなる磁性層６を３〜４μ
m の膜厚に形成する。この磁性層６は、上述した下部シ
ールド層３と共にＧＭＲ再生素子を磁気遮蔽する上部シ
ールド層の機能を有するだけでなく、書込用の誘導型薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するもの
である。ここでは説明の便宜上、この磁性層６を書込用
磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目し
て第１の磁性層と称することにする。
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積し、
その上に再生ヘッドのＭＲ再生素子を外部磁界の影響か
ら保護する磁気シールドを構成する下部シールド層３を
３〜４μm の厚みで形成し、その後、シールドギャップ
層４に埋設したＧＭＲ層５を数十ｎｍの厚みに形成し、
さらにその上にパーマロイよりなる磁性層６を３〜４μ
m の膜厚に形成する。この磁性層６は、上述した下部シ
ールド層３と共にＧＭＲ再生素子を磁気遮蔽する上部シ
ールド層の機能を有するだけでなく、書込用の誘導型薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するもの
である。ここでは説明の便宜上、この磁性層６を書込用
磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目し
て第１の磁性層と称することにする。
【０００８】次に、図２に示すように、第１の磁性層６
の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライトギ
ャップ層７を約２００ｎｍの膜厚に形成し、後に磁極部
分を構成する部分を除いて、ライトギャップ層７の上に
スロートハイトの基準位置を決定するフォトレジスト層
８を形成し、さらに表面全体に１００ｎｍ程度の薄い銅
層９をスパッタにより形成する。この銅層９は、後に電
気メッキによって薄膜コイルを形成するために、シード
層(seed layer)を構成するものであるので、シード層と
も称することにする。このシード層９の上に３μm の厚
いフォトレジスト層１０を形成し、このフォトレジスト
層にシード層また達する開口１１を形成する。この開口
の高さは膜厚に等しく、２μm であり、巾も２μm であ
る。
の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライトギ
ャップ層７を約２００ｎｍの膜厚に形成し、後に磁極部
分を構成する部分を除いて、ライトギャップ層７の上に
スロートハイトの基準位置を決定するフォトレジスト層
８を形成し、さらに表面全体に１００ｎｍ程度の薄い銅
層９をスパッタにより形成する。この銅層９は、後に電
気メッキによって薄膜コイルを形成するために、シード
層(seed layer)を構成するものであるので、シード層と
も称することにする。このシード層９の上に３μm の厚
いフォトレジスト層１０を形成し、このフォトレジスト
層にシード層また達する開口１１を形成する。この開口
の高さは膜厚に等しく、２μm であり、巾も２μm であ
る。
【０００９】次に、硫酸銅のメッキ液を用いて銅の電気
メッキ処理を行い、図３に示すようにフォトレジスト層
１０の開口１１内に第１層目の薄膜コイルを構成するコ
イル巻回体１２を２〜３μm の膜厚に形成する。このコ
イル巻回体１２の膜厚は、開口１１の深さよりも小さく
するのが好適である。次に、図４に示すように、フォト
レジスト層１０を除去した後、アルゴンイオンビームに
よるミリングを施して、図５に示すようにシード層９を
除去し、コイル巻回体１２相互を分離して１つのコイル
状の導体を形成する。このイオンビームミリングの際に
は、薄膜コイルのコイル巻回体１２の底部にあるシード
層９が薄膜コイルよりも外方に突出して残るのを抑止す
るために、イオンビームミリングは５〜１０°の角度を
以て行なうようにしている。このように、イオンビーム
ミリングを垂直に近い角度で行うと、イオンビームの衝
撃によって飛散したシード層９の材料が再付着するよう
になり、順次のコイル巻回体１２の間隔を広くしなけれ
ばならない。
メッキ処理を行い、図３に示すようにフォトレジスト層
１０の開口１１内に第１層目の薄膜コイルを構成するコ
イル巻回体１２を２〜３μm の膜厚に形成する。このコ
イル巻回体１２の膜厚は、開口１１の深さよりも小さく
するのが好適である。次に、図４に示すように、フォト
レジスト層１０を除去した後、アルゴンイオンビームに
よるミリングを施して、図５に示すようにシード層９を
除去し、コイル巻回体１２相互を分離して１つのコイル
状の導体を形成する。このイオンビームミリングの際に
は、薄膜コイルのコイル巻回体１２の底部にあるシード
層９が薄膜コイルよりも外方に突出して残るのを抑止す
るために、イオンビームミリングは５〜１０°の角度を
以て行なうようにしている。このように、イオンビーム
ミリングを垂直に近い角度で行うと、イオンビームの衝
撃によって飛散したシード層９の材料が再付着するよう
になり、順次のコイル巻回体１２の間隔を広くしなけれ
ばならない。
【００１０】次に、図６に示すように、第１層目の薄膜
コイルのコイル巻回体１２を覆うようにフォトレジスト
層１６を形成し、その上面を平坦に研磨した後、上述し
た手法と同様の手法によってシード層１４の上に第２層
目の薄膜コイルのコイル巻回体１５を形成し、さらにフ
ォトレジスト層１６を形成した後、トップポールを構成
するパーマロイより成る第２の磁気シールド層１７を３
〜５μm の膜厚に形成する。
コイルのコイル巻回体１２を覆うようにフォトレジスト
層１６を形成し、その上面を平坦に研磨した後、上述し
た手法と同様の手法によってシード層１４の上に第２層
目の薄膜コイルのコイル巻回体１５を形成し、さらにフ
ォトレジスト層１６を形成した後、トップポールを構成
するパーマロイより成る第２の磁気シールド層１７を３
〜５μm の膜厚に形成する。
【００１１】次に、図７および８に示すように、第３の
磁気シールド層１７の磁極部分１７ａをマスクとしてラ
イトギャップ層７および第１の磁性層６の表面をエッチ
ングしてトリム構造を形成し、さらに全体の上にアルミ
ナより成るオーバーコート層１８を形成する。なお、図
８は、図７の８−８線に沿って切った断面図であり、Ｇ
ＭＲ素子５を電気的に絶縁するとともに磁気的に遮蔽す
るシールドギャップ層４を構成する第１および第２のシ
ールドギャップ層４ａおよび４ｂと、ＧＭＲ素子に対す
る電気接続を行なうための導電層５ａおよび５ｂをも示
した。
磁気シールド層１７の磁極部分１７ａをマスクとしてラ
イトギャップ層７および第１の磁性層６の表面をエッチ
ングしてトリム構造を形成し、さらに全体の上にアルミ
ナより成るオーバーコート層１８を形成する。なお、図
８は、図７の８−８線に沿って切った断面図であり、Ｇ
ＭＲ素子５を電気的に絶縁するとともに磁気的に遮蔽す
るシールドギャップ層４を構成する第１および第２のシ
ールドギャップ層４ａおよび４ｂと、ＧＭＲ素子に対す
る電気接続を行なうための導電層５ａおよび５ｂをも示
した。
【００１２】実際の薄膜磁気ヘッドの製造においては、
上述した構造をウエファに多数形成した後、多数の薄膜
磁気ヘッドが配列されたバーにウエファを分割し、この
バーの側面を研磨してエアベアリング面１９（図７参
照）を得るようにしている。このエアベアリング面１９
の形成過程においてＧＭＲ層５も研磨され、所望のスロ
ートハイトおよびＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、薄膜コイル１２, １５およびＧＭＲ再生素子に対
する電気的接続を行なうための接点パッドが形成されて
いるが、図示では省略してある。
上述した構造をウエファに多数形成した後、多数の薄膜
磁気ヘッドが配列されたバーにウエファを分割し、この
バーの側面を研磨してエアベアリング面１９（図７参
照）を得るようにしている。このエアベアリング面１９
の形成過程においてＧＭＲ層５も研磨され、所望のスロ
ートハイトおよびＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、薄膜コイル１２, １５およびＧＭＲ再生素子に対
する電気的接続を行なうための接点パッドが形成されて
いるが、図示では省略してある。
【００１３】さらに、図７においてフォトレジスト層
８，１３および１６のエアベアリング面１９側の側面を
結ぶ直線Ｓと基体平面とのなすアペックスアングルθ
（Apex Angle) も、上述したスロートハイトＴＨおよび
ＭＲハイトと共に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重
要なファクタとなっている。
８，１３および１６のエアベアリング面１９側の側面を
結ぶ直線Ｓと基体平面とのなすアペックスアングルθ
（Apex Angle) も、上述したスロートハイトＴＨおよび
ＭＲハイトと共に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重
要なファクタとなっている。
【００１４】また、図８に示すように、第１の磁性層６
のトリム構造となっている磁極部分６ａおよび第２の磁
性層１７の磁極部分１７ａの幅Ｗによって磁気記録媒体
に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記
録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭く
する必要がある。
のトリム構造となっている磁極部分６ａおよび第２の磁
性層１７の磁極部分１７ａの幅Ｗによって磁気記録媒体
に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記
録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭く
する必要がある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにして形成
された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に書
き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの微細化の点で問題が
ある。すなわち、図７に示すように、第１の磁性層６お
よび第２の磁性層１７の、薄膜コイルのコイル巻回体１
２および１５を囲む部分の長さである磁路長ＬM を短く
することによって、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上
がり時間（Flux Rise Time）や非線形トランジションシ
フト（Non-linear Transition Shift:NLTS）特性や重ね
書き（OverWrite) 特性などを改善できることが知られ
ている。この磁路長ＬM を短くするためには、薄膜コイ
ル１２，１５の、第１および第２の磁性層６および１７
によって囲まれる部分のコイル巾ＬC を短くする必要が
あるが、従来の薄膜磁気ヘッドでは、以下に説明するよ
うにこのコイル巾ＬC を短くすることができなかった。
された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に書
き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの微細化の点で問題が
ある。すなわち、図７に示すように、第１の磁性層６お
よび第２の磁性層１７の、薄膜コイルのコイル巻回体１
２および１５を囲む部分の長さである磁路長ＬM を短く
することによって、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上
がり時間（Flux Rise Time）や非線形トランジションシ
フト（Non-linear Transition Shift:NLTS）特性や重ね
書き（OverWrite) 特性などを改善できることが知られ
ている。この磁路長ＬM を短くするためには、薄膜コイ
ル１２，１５の、第１および第２の磁性層６および１７
によって囲まれる部分のコイル巾ＬC を短くする必要が
あるが、従来の薄膜磁気ヘッドでは、以下に説明するよ
うにこのコイル巾ＬC を短くすることができなかった。
【００１６】誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル巾ＬC を短
くするためには、薄膜コイルの各コイル巻回体の巾を小
さくするとともに順次のコイル巻回体の間隔を狭くする
必要があるが、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするため
には、コイル巻回体の巾を短くすることには制限があ
る。すなわち、薄膜コイルの抵抗値を低くするために、
導電率の高い銅を用いても、薄膜コイルの高さは２〜３
μm に制限されるので、コイル巻回体の巾を１．５μm
よりも狭くすることができない。したがって、コイル巾
ＬC を短くするには、コイル巻回体の間隔を狭くする必
要がある。
くするためには、薄膜コイルの各コイル巻回体の巾を小
さくするとともに順次のコイル巻回体の間隔を狭くする
必要があるが、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするため
には、コイル巻回体の巾を短くすることには制限があ
る。すなわち、薄膜コイルの抵抗値を低くするために、
導電率の高い銅を用いても、薄膜コイルの高さは２〜３
μm に制限されるので、コイル巻回体の巾を１．５μm
よりも狭くすることができない。したがって、コイル巾
ＬC を短くするには、コイル巻回体の間隔を狭くする必
要がある。
【００１７】しかし、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５の間隔を狭く
することができない。以下、その理由を説明する。上述
したように薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５は銅の
電気メッキ法により形成されているが、フォトレジスト
層１０に形成した開口１１内に、ウエファ全体に亘って
均一に銅を堆積させるためにシード層９を１００ｎｍの
膜厚で形成し、このシード層９が露出している開口１１
内に選択的に銅が堆積されるように電気メッキ処理を施
してコイル巻回体１２，１５を形成した後、個々のコイ
ル巻回体を分離するために、シード層９を選択的に除去
している。このシード層９の除去には、上述したよう
に、コイル巻回体１２，１５をマスクとして、例えばア
ルゴンを用いるイオンビームミリングを採用している。
は、薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５の間隔を狭く
することができない。以下、その理由を説明する。上述
したように薄膜コイルのコイル巻回体１２，１５は銅の
電気メッキ法により形成されているが、フォトレジスト
層１０に形成した開口１１内に、ウエファ全体に亘って
均一に銅を堆積させるためにシード層９を１００ｎｍの
膜厚で形成し、このシード層９が露出している開口１１
内に選択的に銅が堆積されるように電気メッキ処理を施
してコイル巻回体１２，１５を形成した後、個々のコイ
ル巻回体を分離するために、シード層９を選択的に除去
している。このシード層９の除去には、上述したよう
に、コイル巻回体１２，１５をマスクとして、例えばア
ルゴンを用いるイオンビームミリングを採用している。
【００１８】ここで、コイル巻回体１２，１５間のシー
ド層９を除去するには、イオンビームミリングを基体表
面に対して垂直な方向から行なうのが良いが、このよう
にすると、エッチングされた銅の再付着が発生し、順次
のコイル巻回体間の絶縁不良が起こるので、コイル巻回
体の間隔を狭くすることができない。このような欠点を
除去しようとして、４０〜４５°の角度を以てイオンビ
ームミリングを行うと、フォトレジスト１０の影の部分
にはイオンが十分に照射されず、シード層９が部分的に
残ってしまう。したがって、コイル巻回体１２，１５間
の絶縁不良を回避するためには、コイル巻回体の間の間
隔を狭くすることができない。したがって、従来では、
コイル巻回体間の間隔を２〜３μm と広くしており、こ
れよりも狭くすることができなかった。
ド層９を除去するには、イオンビームミリングを基体表
面に対して垂直な方向から行なうのが良いが、このよう
にすると、エッチングされた銅の再付着が発生し、順次
のコイル巻回体間の絶縁不良が起こるので、コイル巻回
体の間隔を狭くすることができない。このような欠点を
除去しようとして、４０〜４５°の角度を以てイオンビ
ームミリングを行うと、フォトレジスト１０の影の部分
にはイオンが十分に照射されず、シード層９が部分的に
残ってしまう。したがって、コイル巻回体１２，１５間
の絶縁不良を回避するためには、コイル巻回体の間の間
隔を狭くすることができない。したがって、従来では、
コイル巻回体間の間隔を２〜３μm と広くしており、こ
れよりも狭くすることができなかった。
【００１９】さらに、上述した電気メッキ法によって薄
膜コイル１２，１５を形成する際には、薄膜コイルの膜
厚の均一性を確保するために、硫酸銅のようなメッキ液
を攪拌する必要があるが、ここで薄膜コイルのコイル巻
回体の間隔を狭くするためにフォトレジスト層１０の開
口１１を画成する壁の巾を薄くすると、電解液の攪拌に
よってこの薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確
に形成することができず、この点からも薄膜コイルのコ
イル巻回体の間隔を狭くすることができなかった。
膜コイル１２，１５を形成する際には、薄膜コイルの膜
厚の均一性を確保するために、硫酸銅のようなメッキ液
を攪拌する必要があるが、ここで薄膜コイルのコイル巻
回体の間隔を狭くするためにフォトレジスト層１０の開
口１１を画成する壁の巾を薄くすると、電解液の攪拌に
よってこの薄い壁が倒壊してしまい、薄膜コイルを正確
に形成することができず、この点からも薄膜コイルのコ
イル巻回体の間隔を狭くすることができなかった。
【００２０】また、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、
スロートハイトに対する基準位置、すなわちスロートハ
イト零の位置を規定するフォトレジスト層８が形成され
ているが、第１層目の薄膜コイル１２を形成した後、シ
ード層９をエッチングにより除去する際にフォトレジス
ト層８もエッチングされ、スロートハイト零の位置を規
定するフォトレジスト層の端縁が後退してしまい、完成
した薄膜磁気ヘッドにおいて正確に設計値通りのスロー
トハイトを得ることができないという問題もあり、この
ことが製造の歩留りを低下させる原因の一つとなってい
た。
スロートハイトに対する基準位置、すなわちスロートハ
イト零の位置を規定するフォトレジスト層８が形成され
ているが、第１層目の薄膜コイル１２を形成した後、シ
ード層９をエッチングにより除去する際にフォトレジス
ト層８もエッチングされ、スロートハイト零の位置を規
定するフォトレジスト層の端縁が後退してしまい、完成
した薄膜磁気ヘッドにおいて正確に設計値通りのスロー
トハイトを得ることができないという問題もあり、この
ことが製造の歩留りを低下させる原因の一つとなってい
た。
【００２１】誘導型薄膜磁気ヘッドのＮＬＴＳ特性を向
上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くするこ
とが考えられる。しかし、このようにコイル巻回数を多
くするには薄膜コイル層の層数を４層、５層と多くする
必要があり、これによってアペックスアングルが大きく
なってしまい、狭トラック巾を達成することができなく
なるという問題があった。アペックスアングルを所定の
範囲に収めるためには、薄膜コイル層の層数は３層以
下、好適には２層以下とするのが望ましいが、これでは
コイル巻回数を多くすることはできず、したがってＮＬ
ＴＳ特性を改善することができない。
上するために、薄膜コイルのコイル巻回数を多くするこ
とが考えられる。しかし、このようにコイル巻回数を多
くするには薄膜コイル層の層数を４層、５層と多くする
必要があり、これによってアペックスアングルが大きく
なってしまい、狭トラック巾を達成することができなく
なるという問題があった。アペックスアングルを所定の
範囲に収めるためには、薄膜コイル層の層数は３層以
下、好適には２層以下とするのが望ましいが、これでは
コイル巻回数を多くすることはできず、したがってＮＬ
ＴＳ特性を改善することができない。
【００２２】本発明の目的は、上記の問題を解決し、誘
導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体の間隔
を狭くして磁路長ＬM を短くし、その結果として性能を
改善した薄膜磁気ヘッドおよびこのような薄膜磁気ヘッ
ドを容易かつ正確に製造することができる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供しようとするものである。本発明の
他の目的は、上述したようにコイル巻回体の間隔を狭く
して磁路長を短くした薄膜磁気ヘッドを、スロートハイ
ト零の位置を製造工程中正確に維持できるようにした製
造方法を提供しようとするものである。
導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体の間隔
を狭くして磁路長ＬM を短くし、その結果として性能を
改善した薄膜磁気ヘッドおよびこのような薄膜磁気ヘッ
ドを容易かつ正確に製造することができる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供しようとするものである。本発明の
他の目的は、上述したようにコイル巻回体の間隔を狭く
して磁路長を短くした薄膜磁気ヘッドを、スロートハイ
ト零の位置を製造工程中正確に維持できるようにした製
造方法を提供しようとするものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気記録媒体
と対向する磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１
の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリング面を
構成する磁極部分を有し、エアベアリング面から離れた
位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第２の
磁性層と、少なくとも前記エアベアリング面において第
１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間
に介挿された非磁性材料より成るギャップ層と、前記第
１および第２の磁性層の間に、絶縁分離された状態で配
設された部分を有する一層または複数層の薄膜コイル
と、前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層
および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘ
ッドであって、前記一層の薄膜コイルまたは複数層の薄
膜コイルの内の少なくとも一層の薄膜コイルが、無機絶
縁材料より成る第１の絶縁層と、この第１の絶縁層に形
成したコイル状の溝内に、化学気相成長によって堆積さ
せた銅より成るコイル巻回体と、これら第１の絶縁層お
よびコイル巻回体を覆う第２の絶縁層とを具え、順次の
コイル巻回体の間隔を０．３〜０．５μｍとしたことを
特徴とするものである。
と対向する磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１
の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリング面を
構成する磁極部分を有し、エアベアリング面から離れた
位置において第１の磁性層と磁気的に連結された第２の
磁性層と、少なくとも前記エアベアリング面において第
１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間
に介挿された非磁性材料より成るギャップ層と、前記第
１および第２の磁性層の間に、絶縁分離された状態で配
設された部分を有する一層または複数層の薄膜コイル
と、前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層
および薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘ
ッドであって、前記一層の薄膜コイルまたは複数層の薄
膜コイルの内の少なくとも一層の薄膜コイルが、無機絶
縁材料より成る第１の絶縁層と、この第１の絶縁層に形
成したコイル状の溝内に、化学気相成長によって堆積さ
せた銅より成るコイル巻回体と、これら第１の絶縁層お
よびコイル巻回体を覆う第２の絶縁層とを具え、順次の
コイル巻回体の間隔を０．３〜０．５μｍとしたことを
特徴とするものである。
【００２４】このような本発明による薄膜磁気ヘッドに
おいては、前記第１の絶縁層を無機絶縁材料、特に酸化
シリコン、窒化シリコン、アルミナ等を以て構成する
が、このような無機絶縁材料は、機械的な強度が高いの
で微細加工が可能である。したがって、順次の溝の間
隔、すなわち薄膜コイルの順次のコイル巻回体の間隔を
０．３〜０．５μm とすることができる。ここで、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．３μm よりも狭くする
と、機械的な強度の高い無機絶縁材料を用いても溝を構
成する壁が倒壊する恐れが生じるとともに順次のコイル
巻回体間の絶縁不良が発生する恐れがある。また、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．５μm よりも大きくした
ので、薄膜コイルの磁路長を短縮する効果が十分ではな
い。本発明では、上述したように、順次のコイル巻回体
間の間隔を０．３〜０．５μm と狭くすることによっ
て、コイル巻回体の巾を狭くすることなく上述した磁路
長を、従来の磁路長の５０〜７５％程度に短くすること
ができ、誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を著しく向上する
ことができる。
おいては、前記第１の絶縁層を無機絶縁材料、特に酸化
シリコン、窒化シリコン、アルミナ等を以て構成する
が、このような無機絶縁材料は、機械的な強度が高いの
で微細加工が可能である。したがって、順次の溝の間
隔、すなわち薄膜コイルの順次のコイル巻回体の間隔を
０．３〜０．５μm とすることができる。ここで、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．３μm よりも狭くする
と、機械的な強度の高い無機絶縁材料を用いても溝を構
成する壁が倒壊する恐れが生じるとともに順次のコイル
巻回体間の絶縁不良が発生する恐れがある。また、順次
のコイル巻回体間の間隔を０．５μm よりも大きくした
ので、薄膜コイルの磁路長を短縮する効果が十分ではな
い。本発明では、上述したように、順次のコイル巻回体
間の間隔を０．３〜０．５μm と狭くすることによっ
て、コイル巻回体の巾を狭くすることなく上述した磁路
長を、従来の磁路長の５０〜７５％程度に短くすること
ができ、誘導型薄膜磁気ヘッドの性能を著しく向上する
ことができる。
【００２５】また、前記薄膜コイルを構成するコイル巻
回体を化学気相成長によって堆積させた銅とすることに
よってコイル巻回体の抵抗値を下げることができる。こ
の場合、銅層の膜厚を均一にするとともに銅層の剥がれ
を防止するために、溝の内壁にTi, TiN またはTaN 層を
設け、この層によって形成される空間に化学気相成長に
よって銅を堆積させるのが好適である。
回体を化学気相成長によって堆積させた銅とすることに
よってコイル巻回体の抵抗値を下げることができる。こ
の場合、銅層の膜厚を均一にするとともに銅層の剥がれ
を防止するために、溝の内壁にTi, TiN またはTaN 層を
設け、この層によって形成される空間に化学気相成長に
よって銅を堆積させるのが好適である。
【００２６】本発明はさらに、磁気記録媒体と対向する
磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１の磁性層の
磁極部分の端面とともにエアベアリング面を構成する磁
極部分を有し、エアベアリング面から離れた位置におい
て第１の磁性層と磁気的に連結された第２の磁性層と、
少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、前記第１および第
２の磁性層の間に絶縁体を介して配設された部分を有す
る一層または複数層の薄膜コイルと、前記第１および第
２の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支
持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、少なくとも一層の薄膜コイルを形成する工程
が、前記基体によって支持されるように無機絶縁材料よ
り成る第１の絶縁層を形成する工程と、この第１の絶縁
層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコイル巻回体の巾
および間隔に等しい巾および間隔を有するとともにコイ
ル巻回体の高さよりも大きな深さを有するコイル状の溝
を、前記間隔が０．３〜０．５μｍとなるように形成す
る工程と、前記溝を埋めるとともに前記第１の絶縁層の
表面を覆うように、化学気相成長によって銅層を堆積さ
せる工程と、この銅層を、前記第１の絶縁層の表面が露
出するまで研磨して、第１の絶縁層の表面と同一面とな
る平坦な表面を有するコイル巻回体を形成する工程と、
この平坦に研磨された表面の上に第２の絶縁層を形成す
る工程と、を具えることを特徴とするものである。
磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１の磁性層の
磁極部分の端面とともにエアベアリング面を構成する磁
極部分を有し、エアベアリング面から離れた位置におい
て第１の磁性層と磁気的に連結された第２の磁性層と、
少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、前記第１および第
２の磁性層の間に絶縁体を介して配設された部分を有す
る一層または複数層の薄膜コイルと、前記第１および第
２の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支
持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、少なくとも一層の薄膜コイルを形成する工程
が、前記基体によって支持されるように無機絶縁材料よ
り成る第１の絶縁層を形成する工程と、この第１の絶縁
層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコイル巻回体の巾
および間隔に等しい巾および間隔を有するとともにコイ
ル巻回体の高さよりも大きな深さを有するコイル状の溝
を、前記間隔が０．３〜０．５μｍとなるように形成す
る工程と、前記溝を埋めるとともに前記第１の絶縁層の
表面を覆うように、化学気相成長によって銅層を堆積さ
せる工程と、この銅層を、前記第１の絶縁層の表面が露
出するまで研磨して、第１の絶縁層の表面と同一面とな
る平坦な表面を有するコイル巻回体を形成する工程と、
この平坦に研磨された表面の上に第２の絶縁層を形成す
る工程と、を具えることを特徴とするものである。
【００２７】本発明はさらに、磁気記録媒体と対向する
磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１の磁性層の
磁極部分の端面とともにエアベアリング面を構成する磁
極部分を有し、エアベアリング面から離れた位置におい
て第１の磁性層と磁気的に連結された第２の磁性層と、
少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、前記第１および第
２の磁性層の間に絶縁体を介して配設された部分を有す
る一層または複数層の薄膜コイルと、前記第１および第
２の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支
持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記基体によって支持されるように無機絶縁材
料より成る第１の絶縁層を形成する工程と、この第１の
絶縁層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコイル巻回体
の巾および間隔に等しい巾および間隔を有するとともに
コイル巻回体の高さよりも大きな深さを有するコイル状
の溝を形成する工程と、前記溝を埋めるとともに前記第
１の絶縁層の表面を覆うように、化学気相成長によって
銅層を堆積させる工程と、この銅層を、前記第１の絶縁
層の表面が露出するまで研磨して、第１の絶縁層の表面
と同一面となる平坦な表面を有するコイル巻回体を形成
する工程と、この平坦に研磨された表面を有する第１の
絶縁層をドライエッチングして、後に第２の磁性層の磁
極部分を形成すべき部分を選択的に除去して第１の磁性
層の表面を露出させるとともにスロートハイト零の基準
位置を規定する周縁にテーパーを付ける工程と、を経て
薄膜コイルを形成した後、前記露出した第１の磁性層の
表面、前記第１の絶縁層のテーパーを付けた周縁および
前記平坦に研磨した表面に前記ギャップ層を形成するこ
とを特徴とするものである。
磁極部分を有する第１の磁性層と、この第１の磁性層の
磁極部分の端面とともにエアベアリング面を構成する磁
極部分を有し、エアベアリング面から離れた位置におい
て第１の磁性層と磁気的に連結された第２の磁性層と、
少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、前記第１および第
２の磁性層の間に絶縁体を介して配設された部分を有す
る一層または複数層の薄膜コイルと、前記第１および第
２の磁性層、ギャップ層、絶縁層および薄膜コイルを支
持する基体とを具える薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記基体によって支持されるように無機絶縁材
料より成る第１の絶縁層を形成する工程と、この第１の
絶縁層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコイル巻回体
の巾および間隔に等しい巾および間隔を有するとともに
コイル巻回体の高さよりも大きな深さを有するコイル状
の溝を形成する工程と、前記溝を埋めるとともに前記第
１の絶縁層の表面を覆うように、化学気相成長によって
銅層を堆積させる工程と、この銅層を、前記第１の絶縁
層の表面が露出するまで研磨して、第１の絶縁層の表面
と同一面となる平坦な表面を有するコイル巻回体を形成
する工程と、この平坦に研磨された表面を有する第１の
絶縁層をドライエッチングして、後に第２の磁性層の磁
極部分を形成すべき部分を選択的に除去して第１の磁性
層の表面を露出させるとともにスロートハイト零の基準
位置を規定する周縁にテーパーを付ける工程と、を経て
薄膜コイルを形成した後、前記露出した第１の磁性層の
表面、前記第１の絶縁層のテーパーを付けた周縁および
前記平坦に研磨した表面に前記ギャップ層を形成するこ
とを特徴とするものである。
【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を実施
するに当たっては、前記溝を、順次の溝の間隔が０．３
〜０．５μｍとなるように形成するのが、磁路長が短
く、したがって性能が向上した薄膜磁気ヘッドを製造す
るのに好適である。
するに当たっては、前記溝を、順次の溝の間隔が０．３
〜０．５μｍとなるように形成するのが、磁路長が短
く、したがって性能が向上した薄膜磁気ヘッドを製造す
るのに好適である。
【００２９】
【発明の実施の形態】図９〜２１は本発明による薄膜磁
気ヘッドの一実施例を製造する方法の一例の順次の工程
を示す断面図である。本例では、基体の上に磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に
積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造するものである。
先ず、図９に示すように、例えばアルティック(AlTiC)
からなる基体３１の上にアルミナからなる絶縁層３２を
約５μm の厚みに堆積する。次いで、図１０に示すよう
に、ＭＲ再生ヘッドを外部磁界の影響から保護する磁気
シールドを構成する下部シールド層３３を２〜３μm の
厚みで形成した後、アルミナより成る下部シールドギャ
ップ層を０．１μm の膜厚に形成し、その上にＧＭＲ再
生素子を構成するＧＭＲ層３５を、高精度のマスクアラ
イメントで所望の形状に形成し、さらにその上に上部シ
ールドギャップ層を０．１μm の膜厚に形成する。図面
では、下部シールドギャップ層および上部シールドギャ
ップ層をシールドギャップ層３４として示す。その後、
図面には示していないが、ＧＭＲ膜５に対する電気的な
接続を行なう導電層を形成した後、図１１に示すよう
に、パーマロイより成る第１の磁性層３６を２〜３μm
の膜厚に形成する。
気ヘッドの一実施例を製造する方法の一例の順次の工程
を示す断面図である。本例では、基体の上に磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に
積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造するものである。
先ず、図９に示すように、例えばアルティック(AlTiC)
からなる基体３１の上にアルミナからなる絶縁層３２を
約５μm の厚みに堆積する。次いで、図１０に示すよう
に、ＭＲ再生ヘッドを外部磁界の影響から保護する磁気
シールドを構成する下部シールド層３３を２〜３μm の
厚みで形成した後、アルミナより成る下部シールドギャ
ップ層を０．１μm の膜厚に形成し、その上にＧＭＲ再
生素子を構成するＧＭＲ層３５を、高精度のマスクアラ
イメントで所望の形状に形成し、さらにその上に上部シ
ールドギャップ層を０．１μm の膜厚に形成する。図面
では、下部シールドギャップ層および上部シールドギャ
ップ層をシールドギャップ層３４として示す。その後、
図面には示していないが、ＧＭＲ膜５に対する電気的な
接続を行なう導電層を形成した後、図１１に示すよう
に、パーマロイより成る第１の磁性層３６を２〜３μm
の膜厚に形成する。
【００３０】次に、図１２に示すように、第１の磁性層
３６の上に、第１の絶縁層を構成する酸化シリコン層３
７をスパッタリングによって３〜４μm の膜厚に形成す
る。その後、酸化シリコン層３７の上に形成したフォト
レジストに所望のパターンの開口を形成し、この開口を
経て酸化シリコン層をドライエッチングして、深さ２．
５〜３μm 、巾１．５〜２．５μm 、間隔０．３〜０．
５μm の溝３８をコイル状に形成する。このドライエッ
チングは、BCl3, Cl2, CF4, SF4 などのエッチングガス
を用いるリアクティブイオンエッチングとすることがで
きる。このように酸化シリコン層にドライエッチングを
施して微細な溝を形成する技術は半導体製造技術におい
て十分に確立されている。
３６の上に、第１の絶縁層を構成する酸化シリコン層３
７をスパッタリングによって３〜４μm の膜厚に形成す
る。その後、酸化シリコン層３７の上に形成したフォト
レジストに所望のパターンの開口を形成し、この開口を
経て酸化シリコン層をドライエッチングして、深さ２．
５〜３μm 、巾１．５〜２．５μm 、間隔０．３〜０．
５μm の溝３８をコイル状に形成する。このドライエッ
チングは、BCl3, Cl2, CF4, SF4 などのエッチングガス
を用いるリアクティブイオンエッチングとすることがで
きる。このように酸化シリコン層にドライエッチングを
施して微細な溝を形成する技術は半導体製造技術におい
て十分に確立されている。
【００３１】次に、有機金属─化学気相成長（ＭＯ−Ｃ
ＶＤ:Metal Organic CVD) によって、銅ヘキサフルオア
セチルアセトネート（Copper Hexafluoacetylacetonat
e:hfac)と、トリメチルビニルシラン(Trimethylvinylsi
lane:tmvs) とを用い、約１５０〜２００°Ｃの温度
で、銅層３９を３〜４μm の膜厚に堆積する。このＭＯ
−ＣＶＤによって、シリコン酸化層３７に形成したコイ
ル状の溝３８の内部を埋めるとともにシリコン酸化層の
表面をも覆う銅層３９を均一に形成することができる。
ＶＤ:Metal Organic CVD) によって、銅ヘキサフルオア
セチルアセトネート（Copper Hexafluoacetylacetonat
e:hfac)と、トリメチルビニルシラン(Trimethylvinylsi
lane:tmvs) とを用い、約１５０〜２００°Ｃの温度
で、銅層３９を３〜４μm の膜厚に堆積する。このＭＯ
−ＣＶＤによって、シリコン酸化層３７に形成したコイ
ル状の溝３８の内部を埋めるとともにシリコン酸化層の
表面をも覆う銅層３９を均一に形成することができる。
【００３２】次に、図１５に示すように、銅層３９を化
学─機械的研磨（ＣＭＰ：ChemicalMechanical Polishi
ng)により、酸化シリコン層３７の表面が露出するまで
研磨し、第１層目の薄膜コイルの巻回体４０を形成す
る。この薄膜コイルのコイル巻回体４０の断面寸法は、
上述した溝３８の断面寸法に等しく、高さは３〜４μm
で、巾は１．５〜２．５μm であり、十分に低い抵抗値
を有するものである。また、順次のコイル巻回体４０の
間隔は、溝３８の間隔に等しく、０．３〜０．５μm で
あり、従来の薄膜コイルのコイル巻回体の間隔のほぼ５
０〜７５％であり、それだけ磁路長を短くすることがで
きる。
学─機械的研磨（ＣＭＰ：ChemicalMechanical Polishi
ng)により、酸化シリコン層３７の表面が露出するまで
研磨し、第１層目の薄膜コイルの巻回体４０を形成す
る。この薄膜コイルのコイル巻回体４０の断面寸法は、
上述した溝３８の断面寸法に等しく、高さは３〜４μm
で、巾は１．５〜２．５μm であり、十分に低い抵抗値
を有するものである。また、順次のコイル巻回体４０の
間隔は、溝３８の間隔に等しく、０．３〜０．５μm で
あり、従来の薄膜コイルのコイル巻回体の間隔のほぼ５
０〜７５％であり、それだけ磁路長を短くすることがで
きる。
【００３３】次に、図１６に示すように、フォトリソグ
ラフィにより、第１の絶縁層３７をドライエッチングし
て、磁極部分に対応する部分を選択的に除去するととも
に周縁にテーパーを付ける。このテーパーを付けた周縁
の先端位置が、スロートハイト零の位置となる。その
後、図１７に示すように、第１の磁性層３６の露出した
表面および上述したＣＭＰによって平坦とした第１の絶
縁層３７の表面および薄膜コイルのコイル巻回体４０の
表面に、アルミナより成るライトギャップ層４１を１０
０〜３００ｎｍの膜厚に形成する。このライトギャップ
層４１が第２の絶縁層を構成するものである。
ラフィにより、第１の絶縁層３７をドライエッチングし
て、磁極部分に対応する部分を選択的に除去するととも
に周縁にテーパーを付ける。このテーパーを付けた周縁
の先端位置が、スロートハイト零の位置となる。その
後、図１７に示すように、第１の磁性層３６の露出した
表面および上述したＣＭＰによって平坦とした第１の絶
縁層３７の表面および薄膜コイルのコイル巻回体４０の
表面に、アルミナより成るライトギャップ層４１を１０
０〜３００ｎｍの膜厚に形成する。このライトギャップ
層４１が第２の絶縁層を構成するものである。
【００３４】次に、図１８に示すように、ライトギャッ
プ層４１の上に、ポールチップを構成するためにパーマ
ロイより成る第２の磁性層４２を３〜４μm の膜厚で所
望のパターンにしたがって形成する。この第２の磁性層
４２の、上述したコイル巻回体４０を具える薄膜コイル
を形成した部分には開口が形成されている。その後、こ
の第２の磁性層４２の磁極部分４２ａをマスクとしてエ
ッチングを行い、ライトギャップ層４１および第１の磁
性層３６の表面の一部分を除去してトリム構造を形成す
る。
プ層４１の上に、ポールチップを構成するためにパーマ
ロイより成る第２の磁性層４２を３〜４μm の膜厚で所
望のパターンにしたがって形成する。この第２の磁性層
４２の、上述したコイル巻回体４０を具える薄膜コイル
を形成した部分には開口が形成されている。その後、こ
の第２の磁性層４２の磁極部分４２ａをマスクとしてエ
ッチングを行い、ライトギャップ層４１および第１の磁
性層３６の表面の一部分を除去してトリム構造を形成す
る。
【００３５】次に、全体の表面に３〜４μm の膜厚のシ
リコン酸化層４３を形成し、ＣＭＰによって平坦化して
フォトレジストを形成した後、第２の磁性層４２の開口
内に形成された酸化シリコン層４３に対してリアクティ
ブイオンエッチングを施してコイル状の溝４４を形成
し、フォトレジストを除去した様子を図１９に示す。本
例では、この酸化シリコン層４３に形成したコイル状の
溝４４は、上述した酸化シリコン層３７に形成したコイ
ル状の溝３８と同じ断面形状を有しており、深さが３〜
４μm で、巾が１．５〜２．５μm で、間隔が０．３〜
０．５μm であるが、これとは相違する断面形状を有す
るように形成することもできる。
リコン酸化層４３を形成し、ＣＭＰによって平坦化して
フォトレジストを形成した後、第２の磁性層４２の開口
内に形成された酸化シリコン層４３に対してリアクティ
ブイオンエッチングを施してコイル状の溝４４を形成
し、フォトレジストを除去した様子を図１９に示す。本
例では、この酸化シリコン層４３に形成したコイル状の
溝４４は、上述した酸化シリコン層３７に形成したコイ
ル状の溝３８と同じ断面形状を有しており、深さが３〜
４μm で、巾が１．５〜２．５μm で、間隔が０．３〜
０．５μm であるが、これとは相違する断面形状を有す
るように形成することもできる。
【００３６】次に、上述したところと同様に、ＭＯ−Ｃ
ＶＤを施して３〜４μm の膜厚の銅層を形成し、ＣＭＰ
によってシリコン酸化層４３の表面が露出するまで研磨
して第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体４５を形成し
た状態を図２０に示す。その後、コイル巻回体４５の上
にフォトレジストより成る絶縁層４６を３〜５μm の膜
厚に形成した後、その上に上部ポールを構成するパーマ
ロイより成る第３の磁性層４７を３〜４μm の膜厚に形
成し、さらにアルミナより成るオーバーコート層４８を
形成した様子を図２１に示す。この第３の磁性層４７
は、第２の磁性層４２と接触させ、第１の磁性層３６、
第２の磁性層４２および第３の磁性層４７によって閉じ
た磁路を構成する。
ＶＤを施して３〜４μm の膜厚の銅層を形成し、ＣＭＰ
によってシリコン酸化層４３の表面が露出するまで研磨
して第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体４５を形成し
た状態を図２０に示す。その後、コイル巻回体４５の上
にフォトレジストより成る絶縁層４６を３〜５μm の膜
厚に形成した後、その上に上部ポールを構成するパーマ
ロイより成る第３の磁性層４７を３〜４μm の膜厚に形
成し、さらにアルミナより成るオーバーコート層４８を
形成した様子を図２１に示す。この第３の磁性層４７
は、第２の磁性層４２と接触させ、第１の磁性層３６、
第２の磁性層４２および第３の磁性層４７によって閉じ
た磁路を構成する。
【００３７】図２２は従来の薄膜磁気ヘッドと本発明に
よる薄膜磁気ヘッドとの磁路長を比較して示す線図的平
面図である。本発明によれば、上述したように薄膜コイ
ルのコイル巻回体４０および４５の巾は従来のものと同
じであるが、間隔は従来ほぼ２μm 程度であったもの
が、０．３〜０．５μm と狭くすることができるので、
磁路長は従来の磁路長のほぼ６０％と大幅に短くするこ
とができる。このように磁路長を短くすることができる
ので、磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳや重ね書き特性な
どを向上することができる。
よる薄膜磁気ヘッドとの磁路長を比較して示す線図的平
面図である。本発明によれば、上述したように薄膜コイ
ルのコイル巻回体４０および４５の巾は従来のものと同
じであるが、間隔は従来ほぼ２μm 程度であったもの
が、０．３〜０．５μm と狭くすることができるので、
磁路長は従来の磁路長のほぼ６０％と大幅に短くするこ
とができる。このように磁路長を短くすることができる
ので、磁束立ち上がり時間やＮＬＴＳや重ね書き特性な
どを向上することができる。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、第１の磁性層３７をドライエッチングによって選択
的に除去するとともに周縁にテーパーを付けるが、この
テーパーを付けた周縁の端縁によってスロートハイト零
の基準位置が規定され、この位置は製造工程中変動する
ことがないので、正確に設計値通りのスロートハイトを
得ることができる。
は、第１の磁性層３７をドライエッチングによって選択
的に除去するとともに周縁にテーパーを付けるが、この
テーパーを付けた周縁の端縁によってスロートハイト零
の基準位置が規定され、この位置は製造工程中変動する
ことがないので、正確に設計値通りのスロートハイトを
得ることができる。
【００３９】図２３〜２７は、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの第２の実施例を製造する方法の順次の工程を示す
断面図である。本例では、第１層目の薄膜コイルのコイ
ル巻回体４０を形成した後、ライトギャップ層４１を形
成するまでの工程は前例と同じである。本例では、図２
３に示すように、薄膜コイルのコイル巻回体４０の上方
に位置するライトギャップ層４１の部分の上にフォトレ
ジスト層５１を形成した後、全体の表面に銅よりなるシ
ード層５２を１００ｎｍの膜厚に形成する。フォトレジ
スト層５１は１層目の薄膜コイルと２層目の薄膜コイル
との絶縁特性を向上するためのものである。
ッドの第２の実施例を製造する方法の順次の工程を示す
断面図である。本例では、第１層目の薄膜コイルのコイ
ル巻回体４０を形成した後、ライトギャップ層４１を形
成するまでの工程は前例と同じである。本例では、図２
３に示すように、薄膜コイルのコイル巻回体４０の上方
に位置するライトギャップ層４１の部分の上にフォトレ
ジスト層５１を形成した後、全体の表面に銅よりなるシ
ード層５２を１００ｎｍの膜厚に形成する。フォトレジ
スト層５１は１層目の薄膜コイルと２層目の薄膜コイル
との絶縁特性を向上するためのものである。
【００４０】次に、従来の薄膜コイルの形成プロセスと
同様に、フォトリソグラフィによりフォトレジスト層に
開口を形成し、この開口内に電気メッキにより銅より成
る第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体５３を形成した
後、フォトレジスト層を除去した状態を図２４に示す。
上述したように、このようにして形成した第２層目の薄
膜コイルのコイル巻回体５３の高さは２〜３μm であ
り、巾は２μm であり、間隔は２μm である。
同様に、フォトリソグラフィによりフォトレジスト層に
開口を形成し、この開口内に電気メッキにより銅より成
る第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体５３を形成した
後、フォトレジスト層を除去した状態を図２４に示す。
上述したように、このようにして形成した第２層目の薄
膜コイルのコイル巻回体５３の高さは２〜３μm であ
り、巾は２μm であり、間隔は２μm である。
【００４１】次に、図２５に示すように、フォトレジス
ト層５４で薄膜コイル５３を被覆した後、第２磁性層５
５を所望のパターンにしたがって形成する。この第２の
磁性層５５の磁極部分５５ａをマスクとしてエッチング
を行い、磁極部分周辺のライトギャップ層４１を除去す
るとともに第１の磁性層３６の表面を部分的に除去して
トリム構造を形成した様子を図２６に示す。続いてアル
ミナより成るオーバーコート層５６を被覆した状態を図
２７に示す。
ト層５４で薄膜コイル５３を被覆した後、第２磁性層５
５を所望のパターンにしたがって形成する。この第２の
磁性層５５の磁極部分５５ａをマスクとしてエッチング
を行い、磁極部分周辺のライトギャップ層４１を除去す
るとともに第１の磁性層３６の表面を部分的に除去して
トリム構造を形成した様子を図２６に示す。続いてアル
ミナより成るオーバーコート層５６を被覆した状態を図
２７に示す。
【００４２】本例では、第１層目の薄膜コイルのコイル
巻回体４０はCu-CVDによって形成するので、隣接するコ
イル巻回体間の間隔を０．３〜０．５μm と狭くするこ
とができるが、第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体５
３は従来と同様に電気メッキによって形成するので、そ
のコイル巻回体の間隔は２〜３μm と広くなっている。
しかし、第１層目の薄膜コイルのコイル巻回体４０の巻
回数を多くすることができるので、第２層目の薄膜コイ
ルのコイル巻回体５３の巻回数を少なくすることがで
き、これによって従来の薄膜磁気ヘッドよりも磁路長を
短くすることができる。
巻回体４０はCu-CVDによって形成するので、隣接するコ
イル巻回体間の間隔を０．３〜０．５μm と狭くするこ
とができるが、第２層目の薄膜コイルのコイル巻回体５
３は従来と同様に電気メッキによって形成するので、そ
のコイル巻回体の間隔は２〜３μm と広くなっている。
しかし、第１層目の薄膜コイルのコイル巻回体４０の巻
回数を多くすることができるので、第２層目の薄膜コイ
ルのコイル巻回体５３の巻回数を少なくすることがで
き、これによって従来の薄膜磁気ヘッドよりも磁路長を
短くすることができる。
【００４３】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例では、２層の薄膜コイルを設けた
が、１層の薄膜コイルとしたり、３層以上の薄膜コイル
とすることもできる。ただし、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドによれば、コイル巻回数を多くすることができるの
で、４層以上の多層とする必要性は殆どない。
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例では、２層の薄膜コイルを設けた
が、１層の薄膜コイルとしたり、３層以上の薄膜コイル
とすることもできる。ただし、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドによれば、コイル巻回数を多くすることができるの
で、４層以上の多層とする必要性は殆どない。
【００４４】また、Cu-CVDによってコイル巻回体を形成
する場合に、銅層の膜厚を均一にするとともに剥がれを
防止するために、溝の内部に予めTi, TiN またはTaN 層
を形成しておくこともできる。また、上述した実施例で
は、溝を形成する第１の絶縁層を酸化シリコンとした
が、シリコン窒化膜やアルミナなどの無機絶縁材料を用
いることもできる。
する場合に、銅層の膜厚を均一にするとともに剥がれを
防止するために、溝の内部に予めTi, TiN またはTaN 層
を形成しておくこともできる。また、上述した実施例で
は、溝を形成する第１の絶縁層を酸化シリコンとした
が、シリコン窒化膜やアルミナなどの無機絶縁材料を用
いることもできる。
【００４５】さらに、上述した実施例では、基体の上に
読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、
さらにその上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積
層したノーマルタイプの複合型薄膜磁気ヘッドとした
が、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘ
ッドとの上下関係を反転させたリバースタイプの複合型
薄膜磁気ヘッドとすることもできる。さらには、複合型
薄膜磁気ヘッドとする必要はなく、誘導型薄膜磁気ヘッ
ドのみを基体上に形成したものとすることもできる。
読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、
さらにその上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積
層したノーマルタイプの複合型薄膜磁気ヘッドとした
が、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと誘導型薄膜磁気ヘ
ッドとの上下関係を反転させたリバースタイプの複合型
薄膜磁気ヘッドとすることもできる。さらには、複合型
薄膜磁気ヘッドとする必要はなく、誘導型薄膜磁気ヘッ
ドのみを基体上に形成したものとすることもできる。
【００４６】
【発明の効果】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドに
よれば、薄膜コイルを構成するコイル巻回体間の間隔を
従来に比べて短くすることができるので、磁路長を短く
することができ、磁束立ち上がり特性やＮＬＴＳ特性や
重ね書き特性などを改善することができる。また、第１
の絶縁層を酸化シリコンや窒化シリコンやアルミナなど
の微細加工が可能な無機絶縁材料で構成するので、コイ
ル状の溝の間隔を、０．３〜０．５μm ときわめて狭く
することができ、したがって薄膜コイルのコイル巻回体
の間隔を狭くすることができるので、一層当たりのコイ
ル巻回数を多くすることができ、特にＮＬＴＳ特性を向
上することができる。
よれば、薄膜コイルを構成するコイル巻回体間の間隔を
従来に比べて短くすることができるので、磁路長を短く
することができ、磁束立ち上がり特性やＮＬＴＳ特性や
重ね書き特性などを改善することができる。また、第１
の絶縁層を酸化シリコンや窒化シリコンやアルミナなど
の微細加工が可能な無機絶縁材料で構成するので、コイ
ル状の溝の間隔を、０．３〜０．５μm ときわめて狭く
することができ、したがって薄膜コイルのコイル巻回体
の間隔を狭くすることができるので、一層当たりのコイ
ル巻回数を多くすることができ、特にＮＬＴＳ特性を向
上することができる。
【００４７】また、本発明によれば、従来のようにシー
ド層をエッチングすることによるフォトレジストパター
ンの後退がないので、スロートハイト零の基準位置が製
造過程で変動することがなく、したがって正確に設計値
通りのスロートハイトを有する誘導型薄膜磁気ヘッドを
得ることができ、製造の歩留りを向上することができ
る。
ド層をエッチングすることによるフォトレジストパター
ンの後退がないので、スロートハイト零の基準位置が製
造過程で変動することがなく、したがって正確に設計値
通りのスロートハイトを有する誘導型薄膜磁気ヘッドを
得ることができ、製造の歩留りを向上することができ
る。
【図１】 図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造
する最初の工程を示す断面図である。
する最初の工程を示す断面図である。
【図２】 図２は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】 図３は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】 図４は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】 図５は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】 図６は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】 図７は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図８】 図８は、同じくその次の工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】 図９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの一例
を製造する最初の工程を示す断面図である。
を製造する最初の工程を示す断面図である。
【図１０】 図１０は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１１】 図１１は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１２】 図１２は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１３】 図１３は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１４】 図１４は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１５】 図１５は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１６】 図１６は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１７】 図１７は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１８】 図１８は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図１９】 図１９は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２０】 図２０は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２１】 図２１は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２２】 図２２は、従来の薄膜磁気ヘッドと本発明
による薄膜磁気ヘッドとの磁路長を対比して示す線図的
平面図である。
による薄膜磁気ヘッドとの磁路長を対比して示す線図的
平面図である。
【図２３】 図２３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
他の実施例の製造工程を示す断面図である。
他の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２４】 図２４は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２５】 図２５は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２６】 図２６は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
【図２７】 図２７は、同じくその次の工程を示す断面
図である。
図である。
３１ 基板、 ３２ 絶縁層、 ３３ 下部シールド、
３４ シールドギャップ層、 ３５ ＧＭＲ層、 ３
６ 第１の磁性層、 ３７ 酸化シリコン層（第１の絶
縁層）、 ３８ コイル状の溝、 ３９ 銅層、 ４０
コイル巻回体、４１ ライトギャップ層（第２の絶縁
層）、 ４２ 第２の磁性層、 ４２ａ磁極部分、 ４
３ 酸化シリコン層（第１の絶縁層）、 ４４ コイル
状の溝、 ４５ コイル巻回体、 ４６ 絶縁層（第２
の絶縁層）、 ４７ 第３の磁性層、 ４８ オーバー
コート層、 ５１ フォトレジスト層、 ５２ シード
層、 ５３ コイル巻回体、 ５４ 絶縁層、 ５５
第２の磁性層、 ５５ａ磁極部分、 ５６ オーバーコ
ート層
３４ シールドギャップ層、 ３５ ＧＭＲ層、 ３
６ 第１の磁性層、 ３７ 酸化シリコン層（第１の絶
縁層）、 ３８ コイル状の溝、 ３９ 銅層、 ４０
コイル巻回体、４１ ライトギャップ層（第２の絶縁
層）、 ４２ 第２の磁性層、 ４２ａ磁極部分、 ４
３ 酸化シリコン層（第１の絶縁層）、 ４４ コイル
状の溝、 ４５ コイル巻回体、 ４６ 絶縁層（第２
の絶縁層）、 ４７ 第３の磁性層、 ４８ オーバー
コート層、 ５１ フォトレジスト層、 ５２ シード
層、 ５３ コイル巻回体、 ５４ 絶縁層、 ５５
第２の磁性層、 ５５ａ磁極部分、 ５６ オーバーコ
ート層
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
る第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に、絶縁分離された状
態で配設された部分を有する一層または複数層の薄膜コ
イルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
であって、 前記一層の薄膜コイルまたは複数層の薄膜コイルの内の
少なくとも一層の薄膜コイルが、無機絶縁材料より成る
第１の絶縁層と、この第１の絶縁層に形成したコイル状
の溝内に、化学気相成長によって堆積させた銅より成る
コイル巻回体と、これら第１の絶縁層およびコイル巻回
体を覆う第２の絶縁層とを具え、順次のコイル巻回体の
間隔を０．３〜０．５μｍとしたことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁層を構成する無機絶縁材
料を、酸化シリコン、窒化シリコンまたはアルミナとし
たことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記薄膜コイルのコイル巻回体を構成す
る前記銅と、前記第１の絶縁層の溝の内壁との間に、T
i, TiN またはTaN 層を設けたことを特徴とする請求項
１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
る第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に絶縁体を介して配設
された部分を有する一層または複数層の薄膜コイルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
を製造する方法であって、 少なくとも一層の薄膜コイルを形成する工程が、 前記基体によって支持されるように無機絶縁材料より成
る第１の絶縁層を形成する工程と、 この第１の絶縁層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコ
イル巻回体の巾および間隔に等しい巾および間隔を有す
るとともにコイル巻回体の高さよりも大きな深さを有す
るコイル状の溝を、前記間隔が０．３〜０．５μｍとな
るように形成する工程と、 前記溝を埋めるとともに前記第１の絶縁層の表面を覆う
ように、化学気相成長によって銅層を堆積させる工程
と、 この銅層を、前記第１の絶縁層の表面が露出するまで研
磨して、第１の絶縁層の表面と同一面となる平坦な表面
を有するコイル巻回体を形成する工程と、 この平坦に研磨された表面の上に第２の絶縁層を形成す
る工程と、を具えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項５】 磁気記録媒体と対向する磁極部分を有す
る第１の磁性層と、 この第１の磁性層の磁極部分の端面とともにエアベアリ
ング面を構成する磁極部分を有し、エアベアリング面か
ら離れた位置において第１の磁性層と磁気的に連結され
た第２の磁性層と、 少なくとも前記エアベアリング面において第１の磁性層
の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に介挿され
た非磁性材料より成るギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層の間に絶縁体を介して配設
された部分を有する一層または複数層の薄膜コイルと、 前記第１および第２の磁性層、ギャップ層、絶縁層およ
び薄膜コイルを支持する基体とを具える薄膜磁気ヘッド
を製造する方法であって、 前記基体によって支持されるように無機絶縁材料より成
る第１の絶縁層を形成する工程と、 この第１の絶縁層の表面に、形成すべき薄膜コイルのコ
イル巻回体の巾および間隔に等しい巾および間隔を有す
るとともにコイル巻回体の高さよりも大きな深さを有す
るコイル状の溝を形成する工程と、 前記溝を埋めるとともに前記第１の絶縁層の表面を覆う
ように、化学気相成長によって銅層を堆積させる工程
と、 この銅層を、前記第１の絶縁層の表面が露出するまで研
磨して、第１の絶縁層の表面と同一面となる平坦な表面
を有するコイル巻回体を形成する工程と、 この平坦に研磨された表面を有する第１の絶縁層をドラ
イエッチングして、後に第２の磁性層の磁極部分を形成
すべき部分を選択的に除去して第１の磁性層の表面を露
出させるとともにスロートハイト零の基準位置を規定す
る周縁にテーパーを付ける工程と、を経て薄膜コイルを
形成した後、 前記露出した第１の磁性層の表面、前記第１の絶縁層の
テーパーを付けた周縁および前記平坦に研磨した表面に
前記ギャップ層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁層の表面にコイル状の溝
を形成するに際して、溝の間隔を、０．３〜０．５μｍ
とすることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項７】 前記溝内にコイル巻回体を形成する工程
が、 少なくとも前記溝の内壁にTi, TiN またはTaN 層を形成
する工程と、 このTi, TiN またはTaN 層によって囲まれる空間に銅を
化学気相成長によって堆積する工程と、を具えることを
特徴とする請求項５または６の何れかに記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
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|---|---|---|---|
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