JP2501233B2 - エツチング方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は少なくとも部分的に金属、好ましくは銅より
成るエッチング材料、好ましくは回路板をエッチングす
る方法、具体的にはエッチング液がエッチング装置の溜
りから取出されて、複数のジエツトより成るジエツト・
アセンブリによってエッチング材料に加えられるエッチ
ング方法に関する。

本発明は又、この方法を具体化する装置に関する。こ
の装置は複数のジエツトが流体コレクタ・ラインによっ
てエッチング剤を受取り、個々の流体供給ラインがこれ
を分岐するジエツト・アセンブリを有するエッチング装
置より成る。本発明の装置はさらにジエツト・アセンブ
リもしくはジエツトのエッチング剤のスプレー圧を、エ
ッチング材料の表面及び裏面からエッチングすべき金属
の量の関数として個々に調整する装置を有する。

B.従来技術 部分的に銅より成るエッチング材料、好ましくは回路
板をエッチングするための方法及び装置は、ドイツ国公
開公報（OS）第DE−Ａ−3539886号及び第DE−Ａ−35398
74号に開示されている。第DE−Ａ−3539874号は、光反
射測定装置及び厚さ測定装置を有する装置が、夫々のエ
ッチング材料のエッチングすべき金属の量についての情
報を与え、検出器が、エッチング装置中に処理すべきエ
ッチング材料が導入された時を告げる装置を開示してい
る。関連する電気信号が中央処理装置中で処理されて、
出力信号が供給機構に送られて、この信号に対応する量
の酸化剤もしくは酸あるいはその両方が貯蔵タンクから
取出され、これをエッチング剤に加え、ポンプがジエツ
トから受取っている。

ドイツ国公開公報第DE−Ａ−3345206号及び第DE−Ａ
−8345125号は、流体（具体的にはエッチング液）現像
装置によって対象物を処理して回路板を製造する方法を
開示している。ここではジエツト・アセンブリ中に含ま
れる異なるジエットへ流れる処理用流体の量が個々に測
定されて、設定される。この目的のために、各ジエツト
には調整弁に直列に接続された流体計より成る個々の流
体供給ラインが与えられている。

上述の公開公報に説明されている装置は、ジエツトが
もはや流体コレクタ・ラインに直接取り付けられてい
ず、従って個々のジエツトに供給される流体の量の制御
及び設定が妨げられるようなことがなく、流体コレクタ
・ラインにつながる個々の流体供給ラインが各ジエツト
に関連し、各個々の供給ラインが流量計及び調整弁を含
む点で、従来の装置よりも改良されている。これによっ
て各ジエツトに流れる流体の量を光学的もしくは電気的
に制御することが可能になり、エッチング剤の流れの変
化が決定できる。各ジエツトを去るエッチング剤の量、
即ちスプレー圧が調整でき、処理される特定のエッチン
グ材料に適したスプレイ特性が発生される。しかしなが
ら、この公開公報はスプレー圧が実際にどのように調整
もしくは制御されるべきかについて、具体的には回路板
の表面上の導体の通過経路が裏面と異なる場合、即ちエ
ッチング材料の表面上のエッチングすべき構造が裏面の
構造と異なる場合についての詳細な説明がない。

C.発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、エッチング材料の両面が、表面上の
エッチングすべき構造の密集度、高さ及び経路と無関係
に、均一にエッチングできる上述のタイプのエッチング
方法を与えることにある。この方法は、特に表面上の導
体が裏面上の導体と別の方向、たとえば互に直交する方
向に延在する回路板のエッチングに適している。

本発明の他の目的は、所定の構造を有するエッチング
材料が信頼性をもってエッチングできるような上述のタ
イプのエッチング装置を与えることにある。

D.問題点を解決するための手段 本発明の目的は、エッチング剤がジエツトを有するジ
エツト・アセンブリによって加えられ、ジエツト・アセ
ンブリがエッチング材料の表面及び裏面上に互に直交し
て配列されていて、エッチング材料がエッチング装置を
通過する時に、ジエツト・アセンブリもしくはジエツト
の個所のエッチング剤のスプレー圧は、エッチング材料
の表面及び裏面からエッチングされる金属の量の関数と
して、中央制御電子装置（20）によって一定値に設定さ
れているか、個々に調整される。

これによって、エッチングさるべき構造の密集度、高
さ、経路と無関係に、エッチング材料の表面及び裏面上
の一定のエッチング速度が保証される。

本発明の他の目的は、エッチング材料の上及び下に互
に直角に配置されたジエツト・アセンブリ並びにジエツ
ト・アセンブリもしくは個々のジエツトに加えられる流
量、即ちスプレイ圧を個々に調整する測定装置及び調整
装置によって達成される。

E.実施例 第1B図は従来技術のサブトラクテイプ・エッチングに
よって処理されている回路板を示す。このエッチング方
法によって、アルカリもしくは溶剤で溶解するレジスト
の型に従った所望の導体パターンが銅めっきされている
積層体に形成される。即ち回路板がエッチング装置中を
通過する時に、 レジストで覆われていない回路板の表面上の銅がエッ
チングにより除去される。導体パターンが密集している
領域以外にも、回路板は定規状の一本の導体を有する。
端が保護されていないために、単一の導体を覆うレジス
ト・パターンは密集したパターンをなす導体を覆うレジ
スト・パターンの個所よりも強い横方向のアンダーカッ
トを示し、第1B図で外側にある一本の導体は回路板の中
心の密集したパターン中の導体よりも幅が狭くなる。

導体の位置に無関係に、略均一な導体の幅を得るため
に、特定の製造範囲ではジエツトのスプレー圧を減少す
ることが考えられる。従って、たとえば、第1B図の２つ
の外側のジエツト・アセンブリ１及び３のスプレー圧を
約30％減少すると、回路板上の単一の導体と密集した導
体パターンの幅は略均一になる。特定の製造範囲のスプ
レー圧を特定の値に設定できるためには、導体パターン
はジエツト・アセンブリ及びその中に含まれるジエツト
と平行に配置され、回路板はエッチング装置を通して導
体の方向に送られることが必要である。個々のジエツト
・アセンブリのスプレー圧の設定値は固定される。この
方法の利点は、導体が適切に配列されている限り、精巧
なプロセス制御装置が不要な点にある。

しかしながら、技術の成行き上、現在処理されている
回路板の表面及び裏面上の導体は互に直交するように配
列されている。この事は、回路板がエッチング中を導体
の方向に送られる時に、導体がジエツト・アセンブリに
平行に配列されている側だけが、スプレー圧を適切に設
定することによって、エッチング特性が改良されること
を意味している。回路板がエッチングを通過する方向と
直角に導体が配列されている回路板の他面（第1A図）で
は、個々のジエツト・アセンブリもしくはジエツトのた
めのスプレー圧を一定に設定することによっては、エッ
チング特性は改良できない。

回路板がエッチング装置を通過する時に、レジストで
覆われていない回路板の表面上の銅がエッチングにより
除去され、レジストで覆われた銅の部分が目的の導体と
なるが、回路板上で導体が密集している領域では個々の
導体間の間隔が狭く、このため導体間のレジストで覆わ
れていない部分は密集して走る溝の集まりとなる。これ
らの溝の中でエッチング剤が十分に供給されるようにす
るためにはエッチング剤を強く大量に噴射しなければな
らない。銅の表面に接触したエッチング剤は銅と反応し
て銅をエッチするが同時に反応性を失ってしまう。反応
性を失ったエッチング剤は速やかに排出され新鮮なエッ
チング剤を補充されねばならないが、狭い溝の中では排
出補充は円滑に行われない。他方、導体間の間隔が広い
ところではレジストに覆われない広い部分があり、ここ
ではエッチング剤が一様に行き渡りやすく、反応したエ
ッチング剤の排出及び補充も比較的に抵抗なく行われ
る。従って、導体間の間隔が狭いところでは間隔が広い
ところと比べてより多量のエッチング剤を与えて反応済
みエッチング剤の排出及び補充を促進する必要がある。

エッチング装置を通過する方向に直交に配列されてる
導体のエッチング特性の改良は、エッチング装置を回路
板が通過する時に、個々のジエツト・アセンブリもしく
は個々のジエツトのスプレー圧を導体の密集度の関数と
して運統的に調整するこどによって得られる。たとえ
ば、第1A図のように、回路板が導体パターンと直交して
いるエッチング装置に導入されると、ジエツト・アセン
ブリ１もしくはその中に含まれる個々のジエツトのスプ
レー圧は、一本の導体がそれ等の下に位置する時には制
御電子装置によって減少される。さらに回路板の移動を
続けて、ジエツト・アセンブリ１の下に今度は密集した
導体パターンが位置付けられると、ジエツト・アセンブ
リ１のスプレー圧は導体の密集度に適するように増加さ
れ、一方その下に一本の導体が位置しているジエツト・
アセンブリ２のスプレー圧は制御電子装置によって減少
される等々に制御が行われる。

本発明に従う方法及びこれを具体化した装置は、エッ
チング材料を処理する複数の方法を与える。従って、た
とえば、表面及び裏面上の、ジエツト・アセンブリのス
プレー圧はエッチング材料の通過中に可変的に制御でき
る。特に、もし単一のエッチング室でなく、２つのタン
デムに接続されたエッチング室を使用して、第１のエッ
チング室中で表面側上のジエツト・アセンブリのスプレ
ー圧を一定値に設定し、表面上のジエツト・アセンブリ
と直交して配列されている裏面上のジエツト・アセンブ
リのスプレー圧をエッチングさるべき構造の関数として
連続的に制御するようならば、すぐれたエッチング特性
が得られる。第２のエッチング室中では、エッチング材
料の上及び下側にあるジエツト・アセンブリは第１の室
のこれ等と直交して配列され、上側のジエツト・アセン
ブリのスプレー圧は連続的に制御され、下側のジエツト
・アセンブリのスプレー圧は一定値に設定される。以下
例によって詳細に説明するこの種の制御エッチング材料
の個々の点でエッチング特性を著しく改良する。個々の
ジエツト・アセンブリは個々に制御できる。すべてのジ
エツトは流量計及び調整弁を有する個々の流体供給ライ
ンを有するので、ジエツト・アセンブリ及び個々のジエ
ツトのスプレー圧は、ジエツト・アセンブリにおいてだ
けでなく個々のジエツトにおいても制御電子装置によっ
て異なる様に制御でき、エッチング特性がさらに改良さ
れる。

本発明の方法を具体化する装置を以下、第２図及び第
３図を参照して説明する。本発明に従う装置において
は、スプレー圧を除去すべき金属の量に適応するのに必
要とされる調整は大部分自動的に遂行され、オペレータ
の誤りが避けられるようになっている。処理すべきエッ
チング材料のためのコード、もしくはエッチングすべき
金属の量は直按手によって中央制御電子装置に入力され
る。後者の方法は、回路板のような同一の部品の大量の
バッチを処理しなければならない時に特に有利である。
処理すべきエッチング材料をエッチング装置を通して送
る際の速度は各場合に手によって中央制御電子装置に入
力される。

第２図のエッチング装置のエッチ室１中のジエツト・
アセンブリ２及び３の中では、夫々上方及び下方を向い
たスプレー孔を有するジエツトD1乃至D3だけが示されて
いる。エッチングすべき部品の寸法に依存して、各ジエ
ツト・アセンブリには、勿論規則正しく配列されたかな
り多数のジエツトが与えられるが、これ等は図面を簡単
にするために省略されている。このことは流量計M1乃至
M3及び調整弁V1乃至VC3についても云える。エッチング
剤、酸及び酸化剤のためのポンプ、ライン及び貯蔵タン
クも図面を簡単にするために省略されている。これ等の
付属品については従来技術に説明されている。第２図
は、エッチング材料からエッチングされる金属の量の関
数としてジエツトの個所のエッチング済剤のスプレー圧
を調整及び制御する方法を説明するための図である。

図示されたエッチング装置は、エッチング材料５、た
とえば回路板がローラ・コンベア６上に置かれる入力セ
クションを有する。ローラ・コンベア６は左から右へエ
ッチング装置を通してエッチング材料を移送する。処理
されるエッチング材料５からエッチングすべき金属の量
を決定するために、装置7o、7u及び8o、8uが与えられて
いる。装置7o、ｕは一般に知られた光反射測定装置であ
り、これによってエッチング材料５の上側及び下側の裸
の金属表面の面積が光の反射量によって導かれる。装置
8o、ｕは厚さ測定装置であり、一般に知られているもの
であって、エッチング材料５の上及び下の表面から除去
されるべき金属層の厚さを決定するものである。エッチ
ング材料５のエッチング室１への導入は検出器９によっ
てモニタされる。検出器９は反射光遮断装置もしくはマ
イクロスイッチの形のものでよい。

中央制御電子装置20は導線12、11、10によって光反射
測定装置7o、ｕ、厚さ測定装置8o、ｕ及び検出器９に接
続され、これ等から夫々測定値に対応する電気信号を受
取れる。一本の線によって、中央制御電子装置20は入力
装置として働くキーボード（図示せず）にも接続されて
いる。中央制御電子装置20は導電13及び14によって測定
電子装置15に接続されている。測定電子装置15は次に導
線17、16によって、上のジエツト・アセンブリ２及び下
のジエツト・アセンブリ３の個々のジエツトD1、D2、D3
に関連する流量計M1、M2、M3に接続されている。流量計
は、たとえば流れるエッチング剤によって働く、持ち上
げ力測定装置もしくはタービンの形あるいは超音波測定
が可能なセンサ、あるいは流体力学的圧力表示器等の形
のものでよい。各流量計にはそれ自身の測定電子装置を
有するトランスジューサが関連している。これに代っ
て、各トランスジューサは、クロック発生器によって制
御されたマルチプレクサによって単一の測定電子装置に
順次に且循環的に接続でき、測定電子装置の出力信号を
クロック発生器によって順次に且循環的に制御されるデ
マルチプレクサによって表示装置に送ることができる。
各ジエツトには、これを流れるエッチング剤の量の許容
下限値を決定する比較回路が与えられている。もし測定
された値が下限値以下になつた時は、比較回路は補助機
能信号を発生し、この信号が表示装置に送られる。流量
計についての詳細、その設計及び機能については、ドイ
ツ国公開公報第DE−Ａ−8345125号に開示されている。
これ等の流量計によって、各ジエツトに送られるエッチ
ング剤の量、即ち夫々のスプレー圧が個々測定されて、
測定電子装置15はエッチング剤の量、即ちジエツトに加
えられる圧力の測定値に対応する電気信号を中央制御電
子装置20に送るｕ導線18、19によって、制御宙子装置20
は調整弁V1、V2、V3に接続されている。これ等の弁は各
ジエツト供給ラインの流量計に直列に接続されているも
のである。中央制御装置20によって発生される出力信号
によって、調整弁が動作され、各ジエツトに加えられる
エッチング剤の量及びスプレー圧が個々に制御される。

上述のエッチング・システムは次のように動作する。
このシステムの目的は、各エッチング過程について、個
々のジエツト・アセンブリもしくは個々のジエツトのエ
ッチング剤のスプレー圧をエッチング材料５からエッチ
ングにより除去する金属の量に調整することにある。

この目的のために、中央制御電子装置20は、線12、11
を介して装置7o、ｕ及び8o、ｕから、第１の信号、即ち
除去すべき金属の面積及び厚さについてのデータを受取
る。このデータから、中央制御電子装置20は、エッチン
グ材料５がその後、エッチング装置中でエッチングされ
るために装置7o、ｕ及び8o、ｕを通過する際に、エッチ
ング材料５から除去されるべき金属の量を決定する。内
蔵プログラムに従って、中央制御電子装置20は除去すべ
き金属の決定量を、エッチング材料の上下の個々のジエ
ツト・アセンブリ２、３もしくはジエツトの夫々のスプ
レー圧（所望の値）に関連付ける。ただし、この関連付
けは、スプレー圧が一定値にセツトされない時に行われ
る。

エッチング材料５がエッチング室１に導入したことを
示す第２の信号は、線10によって検出器９から中央制御
電子装置20に印加され、中央制御電子装置20はジエツト
の所望のスプレー圧値を表わす第４の信号を発生する。

線14、13を通して、中央制御電子装置20は又、個々の
ジエツトの流量即ち圧力の現実値を表わす第３の測定信
号を測定電子装置15から受取る。中央制御電子装置20は
これ等の第３の信号を所望の圧力値を表わす第４の信号
と比較する。比較の結果を示す第５の信号は導線19、18
を介して、エッチング材料の上下のジエツト・アセンブ
リ２、３中の個々のジエツトD1、D2、D3の調整弁V1、V
2、V3に送られて、これ等を作動し、計算され及び修正
させたスプレー圧にセツトする。

プロセス制御を説明するために、第３図を参照された
い。中央制御電子装置20は信号１（光反射測定装置7o、
ｕ及び厚さ測定装置8o、ｕ）と信号２（エッチング材料
の導入）から、ジエツトのスプレー圧の所望の値を計算
する。この所望の値は第３図で指令量Ｗとして表わされ
ていて、第４の信号に対応している。測定電子装置15は
個々のジエツトの流量もしくはスプレー圧の現実値に対
応する第３の信号を閉ループ制御回路に印加する。第３
図で現実値は外乱量Ｚ及び制御量Ｘより成る。これ等の
量を指令量（夫々第３及び第４の信号）と比較して、閉
ループ制御回路の操作量Ｙを生ずる。操作量Ｙはエッチ
ング処理中に、ジエツトのスプレー圧を制御するのに使
用される。

本発明の装置は、表面及び裏面上の導体パターンが互
に直交して延在している回路板をエッチングするのに特
に適している。第１の実施例に従えば、回路板の導体の
方向に平行に配列されている７個のジエツト・アセンブ
リが、エッチング室中のエッチング材料の下側に与えら
れている。この実施例の回路板がその裏面上の導体の方
向に導入される時は、下側の個々のジエツト・アセンブ
リもしくはジエツトのスプレー圧は、最適値を実験によ
って予じめ決定して、エッチングさるべき導体の密集度
に依存して、特定の一定値に調整される。エッチング材
料の上側では、この実施例は導体の方向に並列に配列さ
れた５個のジエツト・アセンブリを与える。回路板の表
面上の導体パターンは裏面上の導体パターンと直角に延
在していて、従って回路板がエッチング中を通過する方
向とも直交しているので、ジエツト・アセンブリと個々
ジエツトの夫々のスプレー圧は導体の密集度の関数とし
て連続的に制御されなくてはならない。この制御の詳細
についてはすでに上述された。

上述のように、第１のエッチング室に続いて、第２の
エッチング室を与えることはかなり利点がある。第２の
エッチング室では、上側のジエツト・アセンブリは第１
のエッチング室の上側のジエツト・アセンブリど直角に
延在している。このことは２つのエッチング室中の下側
のジエツト・アセンブリに関連する経路についても成立
つ。第２のエッチング室中では、上側のスプレー圧は個
々のジエツト・アセンブリもしくはジエツトで一定の値
に設定され、他方下側のジエツトもしくはジエツトで
は、上述のように運統的に制御される。

もしスペースの理由で、唯一つのエッチング室しか与
えられていない時にはこのエッチング室の上下には２つ
の互に直交して配列されたジエツト・アセンブリ・シス
テムが取り付けられる。最初にエッチング室を通過する
時には、上側及び下側上の第１の２つの直角に配列され
たジエツト・アセンブリ・システムが使用され、２回目
に通過される時は、互に及び第１の２つのシステムに直
角に配列された第２の２つのジエツト・アセンブリ・シ
ステムが使用される。エッチング室には、ジエツトが互
に直角に配列されている唯一つのジエツト・アセンブリ
・システムを与え、ジエツト・アセンブリに、エッチン
グ材料がエッチング室を２回目に通過する時はスプレー
の方向が変更できる手段を与えることも可能である。

図面に示されていない第２の実施例では、エッチング
材料は、たとえば、銅が個々の領域で異なる厚さに付着
された板の形をなしている。異なる厚さの層は、使用さ
れる装置に欠陥があるか、付着の過程中に故障が生じた
時の銅の無電気めっきもしくは電着から生ずる。この実
施例でも、上述のように設計された２つのタンデムに接
続されたエッチング室を有するエッチング・システムを
使用することが好ましい。エッチング材料が第１の室を
通過する時は、たとえば上側のジエツト・アセンブリも
しくはジエツトのエッチング剤のスプレー圧は、エッチ
ングさるべき銅層の高さに依存して、連続的に制御さ
れ、他方下側では、上側のジエツト・アセンブリと直角
に位置付けられたジエツト・アセンブリのスプレー圧は
一定値に設定される。第２のエッチング室では、上側及
び下側のジエツト・アセンブリは第１のエッチング室の
ジエツト・アセンブリと直角に延在している。ジエツト
・アセンブリもしくはジエツトのスプレー圧は、アセン
ブリもしくはジエツトの異なる配列に従って異なるよう
に制御される。即ち上側では一定値に設定され、他方下
側では、制御は除去すべき層の厚さの関数として連続的
に行われる。上述のプロセス制御は上述のような剛体パ
ターンに限定されるものでなく、処理すべき夫々のエッ
チング材料に適するように、エッチング室もしくは個々
のエッチング室中で、個々のジエツト・アセンブリもし
くはジエツトで種々の方法で適応させることができる。

F.発明の効果 本発明に従えば、エッチング材料の両面が、両面上の
エッチングすべき構造体の密集度、高さ及び経路と無関
係に、均一にエッチングできる、従来存在したジエツト
・アセンブリ・タイプの装置によるエッチング方法が与
えられる。

【図面の簡単な説明】

第1A図は、導体パターンの方向に直角にエッチング装置
に導入される回路板を示した図である。 第1B図は、従来技術に従い導体パターンの方向にエッチ
ング装置に導入される回路板を示した図である。 第２図は、本発明に従う方法を具体化する装置を示した
図である。 第３図は、第２図の装置のための閉ループ制御対象を示
した図である。 1:エッチング室（第２図）、２、3:ジエツト・アセンブ
リ、4:エッチング装置、5:エッチング材料、6:ローラ・
コンベア、7o、u:光反射測定装置、8o、u:厚さ測定装
置、9:検出器、15:測定電子装置、20:中央制御電子装
置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴオルフガング・アルベルト ドイツ連邦共和国7312キルヒヒム／テツ ク、アレマネンシユトラーセ29番地 (72)発明者 ゲルト・ポール ドイツ連邦共和国7032ジンデルフインゲ ン、プフアールヴイーゼンアレ５／１番 地 (72)発明者 ヘルベルト・ツイークラー ドイツ連邦共和国7030ベーブリンゲン ４、ローゼンシユトラーセ13番地 (56)参考文献 特開 昭58−178589（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−159274（ＪＰ，Ｕ) ***国特許出願公開3539874（ＤＥ, Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１面およびこの裏側の第２面に互いに直
   交する複数の平行導体のパターンをエッチング剤から遮
   蔽するようにマスクして有する金属被覆基板をエッチン
   グする方法であって、 上記第１面および第２面上の導体密度を上記基板の搬送
   方向に沿って測定するため上記基板を光学的測定装置を
   通して上記基板を通過させ、 上記基板の第２面に対向しかつ該第２面の上の導体およ
   び基板の搬送方向に平行な複数のジェット列と上記基板
   の第１面に対向しかつ前記ジェット列と直交する複数の
   ジェット列とを備えるエッチング室を通して、上記基板
   を上記搬送方向に通過させ、 上記基板の第２面が対向するジェット列のエッチング剤
   噴出量を上記基板の搬送の間所定の量に保ちながら、上
   記基板の第１面が対向するジェット列のエッチング剤噴
   出量を上記測定装置により測定された上記搬送方向に沿
   った導体密度の変化に応じて制御し、 これにより上記基板上の導体密度の変動に関係なく上記
   金属を一様にエッチングすることを特徴とするエッチン
   グ方法。
2. 【請求項２】第１面およびこの裏側の第２面に互いに直
   交する複数の平行導体のパターンをエッチング剤から遮
   蔽するようにマスクして有する金属被覆基板をエッチン
   グするエッチング装置であって、 上記第１面および第２面上の導体密度を上記基板の搬送
   路に沿って測定するため上記搬送路の近くに配置された
   光学的測定装置と、 上記基板の第２面に対向しかつ該第２面上の導体および
   基板の搬送方向に平行な複数のジェット列と上記基板の
   第１面に対向しかつ前記ジェット列と直交する複数のジ
   ェット列とを備えるエッチング室と、 上記基板を上記搬送路に沿って上記測定装置および上記
   エッチング室を通して搬送するコンベアと、 上記基板の第２面が対向するジェット列のエッチング剤
   噴出量を上記基板の搬送の間所定の量に保ちながら、上
   記基板の第１面が対向するジェット列のエッチング剤噴
   出量を上記測定装置により測定された上記搬送方向に沿
   った導体密度の変化に応じて制御する制御電子装置と、 より成り、これにより上記基板上の導体密度の変動に関
   係なく上記金属を一様にエッチングすることを特徴とす
   るエッチング装置。