JP2500773Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2500773Y2 JP2500773Y2 JP1989135451U JP13545189U JP2500773Y2 JP 2500773 Y2 JP2500773 Y2 JP 2500773Y2 JP 1989135451 U JP1989135451 U JP 1989135451U JP 13545189 U JP13545189 U JP 13545189U JP 2500773 Y2 JP2500773 Y2 JP 2500773Y2
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- JP
- Japan
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- circuit board
- printed circuit
- metal wiring
- resistance element
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はダイオード，トランジスタ，サイリスタなど
の半導体素子及び回路部品を搭載してなる半導体装置
で、装置内における過電流を検出し、装置を保護する機
能を備えた半導体装置に関する。
の半導体素子及び回路部品を搭載してなる半導体装置
で、装置内における過電流を検出し、装置を保護する機
能を備えた半導体装置に関する。
複数個のダイオード，トランジスタ，サイリスタなど
の半導体素子及び回路部品を搭載してなる半導体装置
は、例えば、トランジスタモジュールのように、モジュ
ール化して製品化されたものが多い。このような半導体
装置の構造は、容器内のプリント基板上に形成された所
定の金属配線パターンの上に半導体素子及び回路部品を
はんだ等で固着し、金属配線等を用いて必要個所を接続
した後、保護用の樹脂を注入するものが一般的である。
近年、これらの製品は多機能化されつつあり、例えば、
装置内における過電流を検出し、これにより装置を保護
する機能を備えた半導体装置が開発されている。
の半導体素子及び回路部品を搭載してなる半導体装置
は、例えば、トランジスタモジュールのように、モジュ
ール化して製品化されたものが多い。このような半導体
装置の構造は、容器内のプリント基板上に形成された所
定の金属配線パターンの上に半導体素子及び回路部品を
はんだ等で固着し、金属配線等を用いて必要個所を接続
した後、保護用の樹脂を注入するものが一般的である。
近年、これらの製品は多機能化されつつあり、例えば、
装置内における過電流を検出し、これにより装置を保護
する機能を備えた半導体装置が開発されている。
〔考案が解決しようとする課題〕 前述の装置内における過電流を検出し、それにより装
置を保護する機能を備えた半導体装置で、過電流を検出
するために過電流検出用の抵抗素子が必要とされるが、
従来はプリント基板の金属配線パターンの一部分の厚
さ，幅及び長さを調整して所定の抵抗値を得る方法が用
いられている。また、その他の方法としては抵抗素子を
印刷により作成する方法が行われている。しかし、過電
流保護の目的から、一般に検出する電流は比較的大き
く、例えば、10A以上で、前述の前者の方法の場合、金
属配線パターンは他の回路のパターンと共用となるた
め、厚さ選定の自由度が小さく、所定の電流を流す断面
積を得るためには、パターンの線幅を広くせねばなら
ず、また、金属配線パターンは一般に銅、あるいは、ア
ルミニウムなどの電気導電材料からなっているので、そ
の抵抗率が低く所定の抵抗値を得るためには抵抗素子の
長さが長くなり、このため、抵抗形成のためには非常に
大きなプリント基板の面積が必要となる。また後者の方
法の場合は印刷抵抗に流し得る電流値は比較的小さいの
で、大電流を流すためには並列に多くの印刷抵抗を設け
る必要があり、前者と同様、大きなプリント基板の面積
が必要となる。
置を保護する機能を備えた半導体装置で、過電流を検出
するために過電流検出用の抵抗素子が必要とされるが、
従来はプリント基板の金属配線パターンの一部分の厚
さ，幅及び長さを調整して所定の抵抗値を得る方法が用
いられている。また、その他の方法としては抵抗素子を
印刷により作成する方法が行われている。しかし、過電
流保護の目的から、一般に検出する電流は比較的大き
く、例えば、10A以上で、前述の前者の方法の場合、金
属配線パターンは他の回路のパターンと共用となるた
め、厚さ選定の自由度が小さく、所定の電流を流す断面
積を得るためには、パターンの線幅を広くせねばなら
ず、また、金属配線パターンは一般に銅、あるいは、ア
ルミニウムなどの電気導電材料からなっているので、そ
の抵抗率が低く所定の抵抗値を得るためには抵抗素子の
長さが長くなり、このため、抵抗形成のためには非常に
大きなプリント基板の面積が必要となる。また後者の方
法の場合は印刷抵抗に流し得る電流値は比較的小さいの
で、大電流を流すためには並列に多くの印刷抵抗を設け
る必要があり、前者と同様、大きなプリント基板の面積
が必要となる。
本考案の課題は前述の問題を解決して、比較的大きな
電流、例えば、10A以上の過電流を検出可能で、所要の
プリント基板面積が小さくてよい抵抗素子を備える半導
体装置を提供することにある。
電流、例えば、10A以上の過電流を検出可能で、所要の
プリント基板面積が小さくてよい抵抗素子を備える半導
体装置を提供することにある。
前述の課題を解決するために、本考案の半導体装置に
あっては、半導体素子及び回路部品がプリント基板上で
所定の回路を構成するための金属配線パターン上に搭載
され、かつ金属配線パターンに電流検出用抵抗素子が設
けられ、該電流検出用抵抗素子の両端に電流検出用金属
配線パターンが接続されてなる半導体装置において、前
記電流検出用抵抗素子がマンガニンまたは鉄ニッケル系
の電気抵抗材料からなりコの字形でその両端部に金属配
線パターンへの接続部を有し、プリント基板の前記電流
検出用金属配線間を接続するように固着されるようにす
る。
あっては、半導体素子及び回路部品がプリント基板上で
所定の回路を構成するための金属配線パターン上に搭載
され、かつ金属配線パターンに電流検出用抵抗素子が設
けられ、該電流検出用抵抗素子の両端に電流検出用金属
配線パターンが接続されてなる半導体装置において、前
記電流検出用抵抗素子がマンガニンまたは鉄ニッケル系
の電気抵抗材料からなりコの字形でその両端部に金属配
線パターンへの接続部を有し、プリント基板の前記電流
検出用金属配線間を接続するように固着されるようにす
る。
マンガニン，鉄ニッケル等の電気抵抗材料をコの字形
に形成し、その両端部に接続部を設けた抵抗体を電流検
出用の抵抗素子とし、これをプリント基板の金属配線パ
ターン上に固着し、電流検出用金属配線パターンを接続
するようにした。電気抵抗材料は、通常、その抵抗率が
高いので低抵抗素子はごく短い長さで所定の抵抗値を得
ることが可能である。また、コの字に形成し、その両端
部に接続部を設けた構造により、プリント基板に固着し
た際、この抵抗素子のコの字形部とプリント基板との間
に空間が生じ、この空間によっとその冷却効果が高ま
り、小型で大きな電流を流すことが可能となる。プリン
ト基板に冷却効果のよい金属絶縁プリント基板を用いた
場合は金属絶縁プリント基板に固着された接続部からの
冷却も大きく作用する。これらによって、所要のプリン
ト基板面積が小さくて、比較的大きな、例えば、10A以
上の過電流の検出可能な抵抗素子が得られる。
に形成し、その両端部に接続部を設けた抵抗体を電流検
出用の抵抗素子とし、これをプリント基板の金属配線パ
ターン上に固着し、電流検出用金属配線パターンを接続
するようにした。電気抵抗材料は、通常、その抵抗率が
高いので低抵抗素子はごく短い長さで所定の抵抗値を得
ることが可能である。また、コの字に形成し、その両端
部に接続部を設けた構造により、プリント基板に固着し
た際、この抵抗素子のコの字形部とプリント基板との間
に空間が生じ、この空間によっとその冷却効果が高ま
り、小型で大きな電流を流すことが可能となる。プリン
ト基板に冷却効果のよい金属絶縁プリント基板を用いた
場合は金属絶縁プリント基板に固着された接続部からの
冷却も大きく作用する。これらによって、所要のプリン
ト基板面積が小さくて、比較的大きな、例えば、10A以
上の過電流の検出可能な抵抗素子が得られる。
第１図は本考案の半導体装置の一実施例におけるプリ
ント基板上の半導体素子及び回路部品の配置を示す平面
図で、電流検出用抵抗素子周辺の一部を示している。１
はプリント基板で、通常のプラスチックプリント基板、
セラミック基板あるいは金属基板に絶縁した、所謂、金
属絶縁プリント基板が用いられる。金属絶縁基板は冷却
効果が高い特徴がある。２はプリント基板上の金属配線
パターンで所定の回路に作られる。３は半導体素子基板
で、この例では、トランジスタ素子基板でこの一つの面
のコレクタ電極は一つの金属配線にはんだ等で固着さ
れ、他の面のエミッタ電極及びベース電極は金属細線４
によって、それぞれ異なる金属配線に接続される。６は
本考案にかかわる電流検出用抵抗素子でこの例では、ト
ランジスタ３のエミッタ電流を検出している。トランジ
スタ３のエミッタが接続される金属配線21（これは金属
配線パターン２の一部である）とこの出力端子Ｅに接続
される金属配線22との間に固着され、その両端部の固着
個所からは金属配線23及び24によって電流検出用の電圧
端子P1及びP2が形成されている。第２図は第１図の電流
検出用抵抗素子６の斜視図で、マンガニン，鉄ニッケル
等の電気抵抗材料からなる長方形の平板をコの字形61に
形成し、その両端部を更に外側に折り曲げて接続部62と
したものである。第３図は第１図の電流検出用抵抗素子
６の異なる構造の斜視図で、この例では、長方形の平板
にかえて、丸線が用いられている。第４図は第１図の電
流検出用抵抗素子６の更に異なる構造の斜視図で、この
例ではコの字形の丸線部61とこの両端部に溶接された平
板の接続部62からなっている。いずれもその機能は第２
図のそれと同様である。
ント基板上の半導体素子及び回路部品の配置を示す平面
図で、電流検出用抵抗素子周辺の一部を示している。１
はプリント基板で、通常のプラスチックプリント基板、
セラミック基板あるいは金属基板に絶縁した、所謂、金
属絶縁プリント基板が用いられる。金属絶縁基板は冷却
効果が高い特徴がある。２はプリント基板上の金属配線
パターンで所定の回路に作られる。３は半導体素子基板
で、この例では、トランジスタ素子基板でこの一つの面
のコレクタ電極は一つの金属配線にはんだ等で固着さ
れ、他の面のエミッタ電極及びベース電極は金属細線４
によって、それぞれ異なる金属配線に接続される。６は
本考案にかかわる電流検出用抵抗素子でこの例では、ト
ランジスタ３のエミッタ電流を検出している。トランジ
スタ３のエミッタが接続される金属配線21（これは金属
配線パターン２の一部である）とこの出力端子Ｅに接続
される金属配線22との間に固着され、その両端部の固着
個所からは金属配線23及び24によって電流検出用の電圧
端子P1及びP2が形成されている。第２図は第１図の電流
検出用抵抗素子６の斜視図で、マンガニン，鉄ニッケル
等の電気抵抗材料からなる長方形の平板をコの字形61に
形成し、その両端部を更に外側に折り曲げて接続部62と
したものである。第３図は第１図の電流検出用抵抗素子
６の異なる構造の斜視図で、この例では、長方形の平板
にかえて、丸線が用いられている。第４図は第１図の電
流検出用抵抗素子６の更に異なる構造の斜視図で、この
例ではコの字形の丸線部61とこの両端部に溶接された平
板の接続部62からなっている。いずれもその機能は第２
図のそれと同様である。
本考案においては、マンガニン，鉄ニッケル等の電気
抵抗材料をコの字形に形成し、その両端部に接続部を設
けた抵抗体を電流検出用の抵抗素子とし、これをプリン
ト基板の金属配線パターン上に固着するようにしたの
で、従来のようにこの抵抗素子を形成するためにプリン
ト基板の面積を大きくする必要はなく、通常のプリント
基板の大きさで10A以上の比較的大きな過電流を検出す
る電流検出用抵抗素子の取り付けが可能となり、この種
の半導体装置が小形で低コストで製造できるようになっ
た。
抵抗材料をコの字形に形成し、その両端部に接続部を設
けた抵抗体を電流検出用の抵抗素子とし、これをプリン
ト基板の金属配線パターン上に固着するようにしたの
で、従来のようにこの抵抗素子を形成するためにプリン
ト基板の面積を大きくする必要はなく、通常のプリント
基板の大きさで10A以上の比較的大きな過電流を検出す
る電流検出用抵抗素子の取り付けが可能となり、この種
の半導体装置が小形で低コストで製造できるようになっ
た。
第１図は本考案の半導体装置の一実施例におけるプリン
ト基板上の半導体素子及び回路部品の配置の要部を示す
平面図、第２図は第１図の電流検出用抵抗素子の斜視
図、第３図は第１図の電流検出用抵抗素子の異なる構造
の斜視図、第４図は第１図の電流検出用抵抗素子の更に
異なる構造の斜視図である。 1:プリント基板、2:金属配線パターン、21,22,23,24:金
属配線（金属配線パターン２の一部分）、3:半導体素
子、6:電流検出用抵抗素子、61:コの字形部、62:接続
部。
ト基板上の半導体素子及び回路部品の配置の要部を示す
平面図、第２図は第１図の電流検出用抵抗素子の斜視
図、第３図は第１図の電流検出用抵抗素子の異なる構造
の斜視図、第４図は第１図の電流検出用抵抗素子の更に
異なる構造の斜視図である。 1:プリント基板、2:金属配線パターン、21,22,23,24:金
属配線（金属配線パターン２の一部分）、3:半導体素
子、6:電流検出用抵抗素子、61:コの字形部、62:接続
部。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子及び回路部品がプリント基板上
で所定の回路を構成するための金属配線パターン上に搭
載され、かつ金属配線パターンに電流検出用抵抗素子が
設けられ、該電流検出用抵抗素子の両端に電流検出用金
属配線パターンが接続されてなる半導体装置において、
前記電流検出用抵抗素子がマンガニンまたは鉄ニッケル
系の電気抵抗材料からなりコの字形でその両端部に金属
配線パターンへの接続部を有し、プリント基板の前記電
流検出用金属配線間を接続するように固着されてなるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989135451U JP2500773Y2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989135451U JP2500773Y2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373465U JPH0373465U (ja) | 1991-07-24 |
| JP2500773Y2 true JP2500773Y2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=31682719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989135451U Expired - Fee Related JP2500773Y2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500773Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125513A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Micron Denki Kk | 電流検出用抵抗器の製造装置 |
| JP4342232B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2009-10-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュールおよび該モジュールの主回路電流値を計測する主回路電流計測システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102058U (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-28 | ||
| JPS61153262U (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-22 |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP1989135451U patent/JP2500773Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373465U (ja) | 1991-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |