JP2024504199A - 反射光学素子及び反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法 - Google Patents

Abstract

基板を再利用可能にするために、基板（５９）及び反射コーティング（５４）を備え、基板と反射コーティングとの間に反応型剥離層（６２）が配置された、極端紫外線波長域用の反射光学素子（５２）が提案される。反射光学素子の修復及び／又は調整のために、基板及び反射コーティングを備え、基板と反射コーティングの間に反応型剥離層が配置された極端紫外線波長域用の反射光学素子を用意するステップと、反応型剥離層で反応を開始させるために反応型剥離層にエネルギーパルスを導入して、反応型剥離層の体積を変化させるステップと、反射コーティング及び反応型剥離層を剥離するステップとを実行することが提案される。

Description

本発明は、基板及び反射コーティングを備えた極端紫外線波長域用の反射光学素子に関する。さらに、本発明は、ＥＵＶ波長域用の反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法に関する。本願は、２０２１年１月２８日の独国特許出願第１０ ２０２１ ２００ ７４８．１号の優先権を主張し、その全体を参照により本願に援用する。

リソグラフィ法による半導体コンポーネントの製造中に製造される構造をさらに微細化できるように、使用される光の短波長化が進められている。極端紫外線（ＥＵＶ）波長域、例えば特に約５ｎｍ～３０ｎｍの波長での動作の場合、透過型のレンズ素子のような素子の使用は不可能となり、照明レンズ及び投影レンズ、又は基板上に反射コーティングをコーティングした反射光学素子からなるマスクが用いられる。

多くの場合、反射コーティングを反射光学素子の基板から再度除去し、コスト面の理由から、可能であれば基板をもう一度コーティングできるようにすることが必要となる。これは例えば、現存するコーティングが仕様を満たさないことが品質検査で判明したか、又は層の劣化によりエンドユーザ側でコーティングを更新する必要がある場合に起こり得る。

できる限り残滓なく元のコーティングを除去することが望ましい。これを行うには様々な手順がある。元のコーティングは、研磨により除去することができる。しかしながら、これには多大な時間及びコストが伴う。基板をその非被覆状態に戻すには、数週間から数ヶ月かかり得る。さらに、特に非球面基板又は自由曲面を有する設計の基板は、同じ反射光学素子で改めて用いることができるように研磨し戻すことができるとは限らない。

特許文献１は、例えば粘着テープによる機械的除去中に事実上残滓なく反射コーティングを除去できるような低い粘着力を有する剥離層を、基板と反射コーティングとの間に設けることを開示している。

独国特許出願公開第１０ ２０１２ ２００ ４５４号明細書

本発明の目的は、極端紫外線波長域用の反射光学素子と、比較的複雑な表面形状を有する反射光学素子の場合でも、基板を再使用できるようにできる限り少ない負担で基板から光学コーティングを除去できるようにする、反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法とを提供することである。

第１態様において、この目的は、基板及び反射コーティングを備えた極端紫外線波長域用の反射光学素子であって、反応型剥離層が基板と反射コーティングとの間に配置されていることを特徴とする反射光学素子により達成される。

本発明者らの認識によれば、反応が起きた後に反応前とは異なる物理的特性を有し、結果として反射コーティングの剥離挙動に影響を及ぼすことができる反応型剥離層が、基板と反射コーティングとの間に設けられた場合、一方では反射光学素子の使用中の反射コーティングの良好な付着を、他方では反射光学素子の修復又は調整の目的での反射コーティングの剥離を達成することが可能である。

有利なのは、反射光学素子が、少なくとも１つのさらに別の反応型剥離層及び１つのさらに別の反射コーティングを備え、少なくとも２つの反応型剥離層及び少なくとも２つの反射コーティングが交互に配置されることである。これにより、真空に曝された反射コーティングをその下の反応型剥離層と共に必要な場合に除去し、再コーティングなしでさらに別の反射コーティングを利用可能にすることができる。反応型剥離層を有する２つ、３つ、４つ、又はより多くの反射コーティングを設けることができる。

好ましくは、反射コーティングは、極端紫外線波長域の屈折率の実部が異なる少なくとも２つの異なる材料からなる交互に配置された層を含む多層系として構成される。このような反射光学素子は、ＥＵＶ放射線の準垂直入射での使用に特に適しているが、より広帯域の反射用に設計することもできる。

好ましい一実施形態において、反応型剥離層は、反応型剥離層の体積がエネルギーパルスの導入前とは異なるようにエネルギーパルスの導入後に相互に反応することができる少なくとも２つの物質を含む。この体積変化は、基板からの剥離を促進する、好ましくは反射コーティングと共に反応型剥離層を基板からできる限り完全に剥離させる応力を発生させる。これは、例えば反応型剥離層を反射コーティングと共に基板から剥がすと生じ得る。

好ましくは、少なくとも２つの物質は、相互に発熱反応する物質である。これには、エネルギーパルスを活性化エネルギーとして反応型剥離層に局所的にのみ導入するだけでよく、剥離層で局所的に起こる反応中に生じるエネルギーが隣接領域での反応を開始させる活性化エネルギーとしてさらに働くことができるので、最善の場合には反応が反応型剥離層の全域に伝播することができるという利点がある。

有利なのは、反応型剥離層が、少なくとも２つの物質からなる交互に配置された複数の層を含むことである。結果として、少なくとも２つの物質間の界面数を増やすことができることにより、物質間の反応を反応型剥離層にわたって全体としてより効率的に進行させることができる。

好ましくは、少なくとも２つの物質は、２つの金属又は１つの金属及び１つの半導体である。これにより、剥離層及び反射コーティングの剥離を可能にするのに十分であり得る応力を反射光学素子で発生させるために、相互の反応時に物理的パラメータの差、例えば体積の差等が十分に大きい層となる物質を目標通りに選択することができる。

特に好ましくは、少なくとも２つの物質の一方はチタン、ジルコニウム、及びニオブからなる群からの１つであり、少なくとも２つの物質の他方はケイ素及び炭素からなる群からの１つであるか、又は少なくとも２つの物質の一方はパラジウムであり、少なくとも２つの物質の他方はアルミニウムである。反応の過程で、物質のこれらの組み合わせは、反応型剥離層の体積の大きな変化をもたらし、反応はさらに発熱的に進行する。

さらに別の態様において、目的は、ＥＵＶ波長域用の反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法であって、
極端紫外線波長域用の反射光学素子、特に基板及び反射コーティングを備え、基板と反射コーティングの間に反応型剥離層が配置された上述の反射光学素子を用意するステップと、
反応型剥離層で反応を開始させるために反応型剥離層にエネルギーパルスを導入して、反応型剥離層の体積を変化させるステップと、
反射コーティング及び反応型剥離層を剥離するステップと
を含む方法により達成される。

自由曲面を有する基板の場合でも反射光学素子を調整且つ／又は修復することが可能となるのは、反応型剥離層が基板と交換の必要があり得る反射コーティングとの間に設けられ、この反応型剥離層が、調整又は修復を実行しようとする場合に反応型剥離層内で反応を開始させる活性化エネルギーとして働くエネルギーパルスを受ける場合であることが分かった。反応により生じる体積変化により、剥離層と基板との間及び剥離層と反射コーティングとの間で応力が発生することで、反射コーティング及び反応型剥離層が剥離される。剥離プロセス後に、残りの反射光学素子はコーティングの更新に利用可能であるという点で調整されている。

好ましくは、エネルギーパルスは、電気火花、レーザビーム、電子ビーム、若しくはイオンビーム、又はそれらの組み合わせとして反応型剥離層に導入される。レーザビーム、電子ビーム、及びイオンビームは、パルス化することもでき、反射コーティングを通して反応型剥離層にエネルギーを導入するのに用いることができる。特に電気火花又は反応型剥離層への電圧の印加により、但し照射によっても剥離層にエネルギーパルスを導入するために、剥離層の露出域を設けることもできる。

好ましくは、反応型剥離層には、エネルギーパルスの導入により±５％以上の体積変化がある。これにより、反射光学素子に高い応力を発生させることができることで、反射コーティング及び反応型剥離層を剥がすことができる。

好ましい一実施形態において、反射コーティング及び反応型剥離層の剥離後に、修復された反射光学素子を得るために新たな反射コーティングが塗布される。

有利なのは、この場合に、こうして得られた反射光学素子をさらに所与の時点で上述のようにもう一度調整し且つ／又は修復できるように、基板と新たな反射コーティングとの間に新たな反応型剥離層が塗布されることである。

好ましい例示的な実施形態を参照して、本発明をより詳細に説明する。

本発明による反射光学素子の第１実施形態の概略図を示す。 本発明による反射光学素子の第２実施形態の概略図を示す。 図３ａは、エネルギーパルスの導入中の本発明による反射光学素子の第３実施形態を概略的に示す。図３ｂは、反射コーティングの剥離中の本発明による反射光学素子の第３実施形態を概略的に示す。図３ｃは、反射コーティングの剥離後の本発明による反射光学素子の第３実施形態を概略的に示す。 本発明による反射光学素子の第４実施形態の概略図を示す。 本発明による反射光学素子の第５実施形態の概略図を示す。 反射光学素子を修復し且つ／又は調整するための本発明による方法の例示的な順序を概略的に示す。

図１は、基板５９上に反応型剥離層６０とその上に反射コーティング５４とを備えた反射光学素子５０の構成を概略的に示し、反射コーティングは、この例では、極端紫外線波長域の屈折率の実部が異なる少なくとも２つの異なる材料からなる交互に配置された層を含む多層系として構成される。この例は、基板５９に交互に塗布された、例えばリソグラフィ露光が実行される動作波長の屈折率の実部が大きい材料（スペーサ５６とも称する）及び動作波長の屈折率の実部が小さい材料（アブソーバ５７とも称する）の層を含み、アブソーバ－スペーサ対がスタック５５を形成する。ある意味で、これにより、ブラッグ反射が起こる吸収層に相当する格子面を有する結晶が模倣される。通常、ＥＵＶリソグラフィ装置又は光学系用の反射光学素子は、最大反射率の各波長がリソグラフィプロセス又は光学系の他の用途の動作波長に実質的に対応するように設計される。

個々の層５６、５７の厚さは、また反復スタック５５の厚さも、達成しようとするスペクトル若しくは角度依存反射プロファイル又は動作波長の最大反射率に応じて、多層系５４全体で一定であってもよく、又は多層系５４の面積又は全厚にわたって横方向に変わってもよい。層厚が多層系５４全体で実質的に一定である場合、スタック５５ではなく周期５５とも言われる。各動作波長の最大反射率を高めるために、アブソーバ５７及びスペーサ５６からなる基本構造にさらに他の吸収性のより高い材料及びより低い材料を補うことで、反射プロファイルに目標通りに影響を及ぼすこともできる。そのために、スタックによってはアブソーバ及び／又はスペーサ材料を相互に交換してもよく、又はスタックを２つ以上のアブソーバ及び／又はスペーサ材料から構成してもよい。さらに、スペーサ及びアブソーバ層５６、５７間に拡散バリアとして追加層を設けることも可能である。例えば１３．４ｎｍの動作波長で一般的な材料の組み合わせは、アブソーバ材料としてのモリブデン及びスペーサ材料としてのケイ素である。周期５５はここでは約６．７ｎｍの厚さを有することが多く、スペーサ層５６は通常はアブソーバ層５７よりも厚い。さらに他の典型的な材料の組み合わせは、特にケイ素－ルテニウム又はモリブデン－ベリリウムである。さらに、同じく多層設計であり得る保護層５３を多層系５４上に設けることができる。

ＥＵＶリソグラフィ用の反射光学素子の典型的な基板材料は、ケイ素、炭化ケイ素、シリコン含浸炭化ケイ素、石英ガラス、チタンドープ石英ガラス、ガラス、及びガラスセラミックである。特にこのような基板材料の場合、基板５９を放射線損傷から、例えば不要な圧縮から保護するために、反射コーティング５４と基板５９との間に、反射光学素子５０の動作で用いられるＥＵＶ波長域の放射に対する吸収が大きい材料からなる層を設けることがさらに可能である。さらに、基板は、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、又は銅－アルミニウム合金からなることもできる。

反応型剥離層は、それぞれ異なる物質の少なくとも２つの層を含むことができる。これは、少なくとも２つの物質からなる交互に配置された複数の層を含み得ることが好ましい。特に、反応型剥離層は、剥離層の体積がエネルギーパルスの導入前とは異なるようにエネルギーパルスの導入後に相互に反応することができる少なくとも２つの物質を含む。

図１に示す例では、反応型剥離層６０は、一般性に制限を設けることなく、２つの異なる物質からなる交互に配置された複数の層６１、６６を含む。活性化エネルギーとして働くのに十分な特定のエネルギー量が反応型剥離層６０に導入された場合、特に体積変化をもたらすためにこれら２つの物質は相互に反応することができる。好ましくは、反応型剥離層６０と第１に基板５９、第２に反射コーティング５４との間で高確率で応力を発生させて、反応型剥離層６０及び反射コーティング５４を剥がすことができるようにするために、体積変化は±５％以上である。少なくとも２つの物質が２つの金属又は１つの金属及び１つの半導体であれば特に適切であることが分かっている。

設けられる層６１、６６が多いほど、反応が起こることができる界面が多くなる。有利なのは、選択された物質の少なくとも一方が、第１に照射エネルギーを活性化エネルギーに十分に変換できるように、第２に基板５９をこの照射による損傷から保護することができるように、エネルギーパルスの形態の活性化エネルギーの導入に用いられる照射に対して吸収又は有効断面が大きく、且つ／又は基板５９を対応する放射線損傷から保護するために反射光学素子５０の動作で用いられるＥＵＶ放射線に対して吸収が大きい。基板５９を活性化照射から保護し、必要に応じてさらに動作時のＥＵＶ放射線から保護するために、反応型剥離層６０と基板５９との間に追加層を設けることも可能である。

図２は、反射コーティング５４を通した局所照射の開始時のＥＵＶ波長域用の反射光学素子５２の例示的な第２実施形態を示す。反射光学素子５２の場合、図１に示す例と同様に、反応型剥離層６２が基板５９と反射コーティング５４との間に配置される。ここに示す例では、図１からの例と同様に、設けられた反応型剥離層６２は、２つの異なる物質からなる交互に配置された複数の層６８、６９である。図１に示す例とは異なり、２つの異なる物質は、例えば電磁放射線、電子、又はイオンの照射の結果としての活性化エネルギーの影響下で相互に発熱反応するように選択される。結果として、反応型剥離層６２が最初は準安定状態で形成される。

反応の開始に必要な活性化エネルギーを反応型剥離層６２に導入するために、ここに示す例では、具体的には反射コーティング５４を通して電子（波矢印で表す）が照射される。これは、イオン又は電磁放射線の照射によっても可能である。照射は、個々のパルス又は一連のパルスとして実施することができ、反射コーティング５４又は反応型剥離層６２の領域にわたって異なる場所に局所的に入射することもできる。相互に発熱反応する反応型剥離層６２の物質が選択されるので、剥離層６２全体にわたってこれらの物質の反応を引き起こすにはエネルギーパルスの局所的に限られた導入で十分である。

図３ａ～図３ｃに示す例示的な実施形態において、反応型剥離層６３の物質は、図２に示す例のように、エネルギーパルスの導入後に相互に反応してその後の反応型剥離層６３の体積が変わるように選択されており、±５％以上の体積変化で十分な実績を上げており、図３ｂ、ｃに概略的に示すように、反応型剥離６３を反射コーティング５４と共に基板５９から完全に剥がすことができる。さらに、少なくとも２つの物質が相互に発熱反応するので、１つ又は複数のエネルギーパルスを反応型剥離層６３に側方から導入すれば反応型剥離層６３全体で反応を開始させるのに十分であり得る。上述の例のように、反応型剥離層は、少なくとも２つの物質からなる交互に配置された複数の層を含む。エネルギーパルス（単数又は複数）は、電子、イオン、若しくは電磁放射線の放射パルス（波矢印で表す）として又は電気火花により側方から導入することができ、これは反応型剥離層６３に側方から直接導入される。１つ又は複数の電気火花を導入するために、反射コーティング５４で覆われておらず反応型剥離層６３がそこで露出されている反応型剥離層６３の１つ又は複数の領域を設けることも可能である。反応型剥離層６３に電気エネルギーパルスを導入するために、露出域を電極と接触させることもできる。

１つ又は複数のエネルギーパルスを導入する方法に関係なく、一方では反射光学素子の保管中及び通常動作中に安定した反応型剥離層６３を有するために、他方では体積変化をもたらす反応を可能にするために、反応型剥離層６３の少なくとも２つの物質が２つの金属又は１つの金属及び１つの半導体であることが有利であると分かっている。

特に、少なくとも２つの物質の一方がチタン、ジルコニウム、及びニオブからなる群からの１つであり、少なくとも２つの物質の他方がケイ素及び炭素からなる群からの１つであれば、又は少なくとも２つの物質の一方がパラジウムであり、少なくとも２つの物質の他方がアルミニウムであれば特に適切であることが分かった。これにより、反応の過程で±５％以上の体積変化を達成することができ、したがって剥離層及び反射コーティングができる限り完全に剥離されることを確実にすることが可能となる。

下記一覧は、例示的な可能な材料の組み合わせの非網羅的な一覧である。

出発物質 反応生成物 体積変化 反応熱
Ｔｉ＋Ｃ ＴｉＣ －２３．４％ －９３ｋＪ／Ｍｏｌ
５ Ｔｉ＋３ Ｓｉ Ｔｉ５Ｓｉ３ －１６．２％ －７２ｋＪ／Ｍｏｌ
５ Ｚｒ＋３ Ｓｉ Ｚｒ５Ｓｉ３ －１５．１２％ －７２ｋＪ／Ｍｏｌ
５ Ｎｂ＋３ Ｓｉ Ｎｂ５Ｓｉ３ －１５．１５％ －５７ｋＪ／Ｍｏｌ
Ｐｄ＋Ａｌ ＰｄＡｌ －７．８５％ －９２ｋＪ／Ｍｏｌ
Ｚｒ＋Ａｌ ＺｒＡｌ ＋２．５％ －４５ｋＪ／Ｍｏｌ
Ｔｉ＋Ａｌ ＴｉＡｌ ＋３．６１％ －３６ｋＪ／Ｍｏｌ

概して、反応型剥離層における反応の進行は、適切な物質の選択及びそれらの化学量論によってだけでなく、反応型剥離層の構成、例えば個々の層の数及びその厚さによっても影響を受け得る。特に剥離層が異なる材料からなる層を有する少なくとも２つの周期から構成され、層材料順序が周期毎に一定のままである場合、化学量論が変化しないように対応する層厚比も一定に保たれれば有利である。これにより、できる限り完全な反応の進行を確保することが可能となる。さらに、３つ以上の材料での材料の組み合わせも可能である。

図４は、ここで提案される反射光学素子の例示的な第４実施形態を示し、反射コーティング５４と基板５９との間に配置された剥離層は、剥離層が部分領域６４ａ、６４ｂを有し、当該部分領域の少なくとも一方、好ましくは両方が反応型剥離層として具現されるという点で、構造化されて具現される。さらに他の変更形態において、３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上の部分領域を設けることができる。部分領域は、ここでは異なる物質の組み合わせを含む。この点で、例えば、剥離層の全域に層応力を導入するために、反応後に部分領域の１つが体積膨張を示して別の部分領域が体積収縮を示し得る。さらに、個々の部分領域は、反応の進行後にも存在している可能性がある層又はコーティング残滓を、例えば湿式化学法で申し分なく除去することができるように、設計を最適化することもできる。

図５は、ここで提案される反射光学素子の例示的な第５実施形態を示し、これは、少なくとも１つのさらに別の反応型剥離層及び少なくとも１つのさらに別の反射コーティングを備え、少なくとも２つの反応型剥離層及び少なくとも２つの反射コーティングは、交互に配置される。分かりやすくするために、ここに示す例では、厳密に２つの反射コーティング５４、５４’及び２つの反応型剥離層６５、６５’が基板５９上に交互に配置される。さらに他の変更形態において、３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上の反射コーティング及び／又は反応型剥離層を伴うこともできる。これにより、真空に曝された反射コーティングをその下の反応型剥離層と共に必要な場合に除去し、再コーティングなしでさらに別の反射コーティングを利用可能にすることができる。

図６は、ここで提案される、ＥＵＶ波長域用の反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法の例示的な順序を概略的に示す。第１ステップ６０１「反応型剥離層を有するミラーの用意」において、ここで述べる例では、極端紫外線波長域用の反射光学素子が用意され、これは、ＥＵＶリソグラフィ装置用のミラーとして構成され、反応型剥離層が基板と反射コーティングとの間に配置されている。特に反応型剥離層の可能な構成に関しては、上記説明を参照されたい。調整の目的で、反射コーティングがＥＵＶリソグラフィ装置の通常動作の要件を満たしていない場合、ステップ６０３「反応型剥離層へのエネルギーパルスの導入」において、反応型剥離層内で反応が誘発される。剥離層において進行する反応の結果、ステップ６０５「反応型剥離層の体積変化」が生じる。結果として、ＥＵＶミラーにおいて、第１に基板と第２に反応型剥離層又は反射コーティングとの間に応力が導入される。これらの応力により、反応型剥離層及び反射コーティングを剥がすことができ、これはステップ６０７「反応型剥離層及び反射コーティングの剥離」に対応する。最善の場合では、反応型剥離層は、発生した応力が十分に高く基板が事実上残滓なく露出されるような寸法である。これは特に、複数の個別層を有する特に厚い反応型剥離層により達成することができる。存在し得る残滓は既知の方法で、例えば湿式化学法で、又は反応性エッチングにより、又は研磨により機械的に除去することができる。したがって、図５に示す例に類似するミラーの場合、基板に近い反射コーティング（図５の参照符号５４’）が露出して再度使用の準備ができた、調整且つ修復済みのミラーとなる。図３ａ～図３ｃに示す例に類似するミラーの場合、ステップ６０９「新たな反射コーティングの塗布」により、ＥＵＶリソグラフィ装置用に再度使用の準備ができたミラーを形成するよう修復できるという点で調整されたミラーがある。

ここで述べたＥＵＶ放射線用の反射光学素子は、特に、ＥＵＶリソグラフィ用のマスク、又はウェハ、ＥＵＶミラー、若しくはＥＵＶマスクの検査に用いられる光学系で用いられるＥＵＶミラーでもあり得る。

Claims (14)

1. 基板及び反射コーティングを備えた極端紫外線波長域用の反射光学素子であって、反応型剥離層（６０、６２、６３、６４ａ、６４ｂ、６５、６５’）が、前記基板（５９）と前記反射コーティング（５４、５４’）との間に配置されることを特徴とする反射光学素子。
2. 請求項１に記載の反射光学素子において、少なくとも１つの別の反応型剥離層（６５’）及び少なくとも１つの別の反射コーティング（５４’）を備え、少なくとも２つの前記反応型剥離層（６５、６５’）及び少なくとも２つの前記反射コーティング（５４、５４’）は、交互に配置されることを特徴とする反射光学素子。
3. 請求項１又は２に記載の反射光学素子において、前記反射コーティング（５４）は、極端紫外線波長域にある波長における屈折率の実部が異なる少なくとも２つの異なる材料からなる交互に配置された層（５６、５７）を含む多層系として構成されることを特徴とする反射光学素子。
4. 請求項１～３のいずれか１項に記載の反射光学素子において、前記反応型剥離層（６０、６２、６３、６４ａ、６４ｂ、６５、６５’）は、該反応型剥離層（６０、６２、６３、６４ａ、６４ｂ、６５、６５’）の体積がエネルギーパルスの導入前とは異なるように前記エネルギーパルスの導入後に相互に反応することができる少なくとも２つの物質を含むことを特徴とする反射光学素子。
5. 請求項４に記載の反射光学素子において、前記少なくとも２つの物質は、相互に発熱反応する物質であることを特徴とする反射光学素子。
6. 請求項４又は５に記載の反射光学素子において、前記反応型剥離層（６０、６２、６３、６４ａ、６４ｂ、６５、６５’）は、前記少なくとも２つの物質からなる相互に配置された複数の層（６１、６６、６８、６９）を含むことを特徴とする反射光学素子。
7. 請求項４～６のいずれか１項に記載の反射光学素子において、前記少なくとも２つの物質は、２つの金属又は１つの金属及び１つの半導体であることを特徴とする反射光学素子。
8. 請求項４～６のいずれか１項に記載の反射光学素子において、前記少なくとも２つの物質の一方はチタン、ジルコニウム、及びニオブからなる群からの１つであり、前記少なくとも２つの物質の他方はケイ素及び炭素からなる群からの１つであることを特徴とする反射光学素子。
9. 請求項４～６のいずれか１項に記載の反射光学素子において、前記少なくとも２つの物質の一方はパラジウムであり、前記少なくとも２つの物質の他方はアルミニウムであることを特徴とする反射光学素子。
10. ＥＵＶ波長域用の反射光学素子を修復し且つ／又は調整する方法であって、
    極端紫外線波長域用の反射光学素子、特に基板及び反射コーティングを備え、前記基板と前記反射コーティングの間に反応型剥離層が配置された請求項１～９のいずれか１項に記載の反射光学素子を用意するステップと、
    前記反応型剥離層で反応を開始させるために前記反応型剥離層にエネルギーパルスを導入して、前記反応型剥離層の体積を変化させるステップと、
    前記反射コーティング及び前記反応型剥離層を剥離するステップと
    を含む方法。
11. 請求項１０に記載の方法において、前記エネルギーパルスは、電気火花、レーザビーム、電子ビーム、若しくはイオンビーム、又はそれらの組み合わせとして前記反応型剥離層に導入されることを特徴とする方法。
12. 請求項１０又は１１に記載の方法において、前記反応型剥離層には、前記エネルギーパルスの導入により±５％以上の体積変化があることを特徴とする方法。
13. 請求項１０～１２のいずれか１項に記載の方法において、前記反射コーティング及び前記反応型剥離層の剥離後に、新たな反射コーティングが塗布されることを特徴とする方法。
14. 請求項１３に記載の方法において、前記基板と前記新たな反射コーティングとの間に塗布される新たな反応型剥離層が塗布されることを特徴とする方法。

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