JP2024503947A - 両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器 - Google Patents

両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器 Download PDF

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Abstract

両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器である。本発明の実施例に係る両面表示パネルは、パネルの表面に発光素子層を設けてパネルの裏面にエレクトロクロミック層を設けることにより、パネルの表面及び裏面が表示効果を実現することができる。また、発光素子層とエレクトロクロミック層との間に第１遮光性導電層をさらに設けることにより、両面表示パネルの表面及び裏面の表示効果を向上させる役割を果たすことができる。【選択図】図１

Description

本発明は、表示の技術分野に関し、具体的に両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器に関する。
現在、表示パネルは片面表示が主流であるが、多くの場合、例えばデジタルサイネージや展示館などの公共の場の広告放送施設では、二人で表示パネルの表裏両面から表示画面を同時に見る場合が多い。
また、通信業界、官公庁窓口、金融業界、交通業界等の窓口業界においても、窓口の内外の人員が表示される情報を見ることができるように双方向に表示する必要がある。
本発明の実施例は、表面及び裏面のいずれにも画面を表示することができ、両面表示の効果を有する両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器を提供する。
第１態様において、本発明の実施例は、
複数の発光素子を含む発光素子層と、
前記発光素子層の一側に設けられるＴＦＴ層であって、前記発光素子に電気的に接続される第１ＴＦＴと、第２ＴＦＴとを含むＴＦＴ層と、
前記ＴＦＴ層の前記発光素子層から離れる側に設けられ、前記第２ＴＦＴに電気的に接続される第１遮光性導電層と、
前記第１遮光性導電層の前記ＴＦＴ層から離れる側に設けられて、前記第１遮光性導電層に電気的に接続されるエレクトロクロミック層と、
前記エレクトロクロミック層の前記第１遮光性導電層から離れる側に設けられて、前記エレクトロクロミック層に電気的に接続される透光性導電層と、を含む両面表示パネルを提供する。
いくつかの実施例において、前記ＴＦＴ層と前記第１遮光性導電層との間に第１基板及び第１無機層が設けられ、前記第１基板が前記ＴＦＴ層の近くに設けられ、前記第１無機層が前記第１遮光性導電層の近くに設けられ、
前記透光性導電層の前記エレクトロクロミック層から離れる側に第２基板及び第２無機層が設けられ、前記第２無機層が前記第１遮光性導電層と前記第２基板との間に設けられ、
前記第１基板及び前記第２基板がそれぞれフレキシブル基板である。
いくつかの実施例において、前記第１基板と前記ＴＦＴ層との間に第２遮光性導電層が設けられ、前記第２ＴＦＴのソースドレイン層及び前記第１遮光性導電層が前記第２遮光性導電層にそれぞれ電気的に接続される。
いくつかの実施例において、前記両面表示パネルに表示領域及びボンディング領域が定義され、前記ボンディング領域において、前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板に貫通孔が設けられ、前記第２遮光性導電層の部分領域が前記貫通孔の孔壁を被覆して前記貫通孔の底部に位置する前記透光性導電層に接触し、前記第２遮光性導電層の前記第１遮光性導電層と接触する領域が、前記第２遮光性導電層の前記透光性導電層と接触する領域と繋がっていない。
いくつかの実施例において、前記貫通孔は、前記エレクトロクロミック層に設けられる第１ビアホールと、前記第１遮光性導電層に設けられる第２ビアホールと、前記第１無機層に設けられる第３ビアホールと、前記第１基板に設けられる第４ビアホールとを含み、前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールの断面積が順に大きくなる。
いくつかの実施例において、前記第１無機層の材料及び前記第２無機層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施例において、前記第１遮光性導電層の材料が金属を含み、及び／又は
前記透光性導電層の材料が透明導電性金属酸化物を含む。
いくつかの実施例において、前記第１遮光性導電層の材料が銀、モリブデン、チタン及び銅の少なくとも１つを含み、及び／又は
前記透光性導電層の材料が酸化インジウムスズを含む。
いくつかの実施例において、前記発光素子がＯＬＥＤである。
いくつかの実施例において、前記エレクトロクロミック層は、離間して設けられるエレクトロクロミックユニットを複数含み、前記第１遮光性導電層が複数の導電ユニットを含み、各前記エレクトロクロミックユニットが１つの前記導電ユニットに対応して設けられて電気的に接続され、各前記導電ユニットが１つの前記第２ＴＦＴのソースドレイン層に電気的に接続される。
いくつかの実施例において、前記ＴＦＴ層は、ドレインが前記第２ＴＦＴのゲートに接続される第３ＴＦＴをさらに含み、前記第２ＴＦＴのソースが駆動電源に接続され、前記第２ＴＦＴのドレインが前記エレクトロクロミック層に接続される。
第２態様において、本発明の実施例は、
第２基板、第２無機層、透光性導電層、エレクトロクロミック層、第１遮光性導電層、第１無機層、第１基板、ＴＦＴ層及び発光素子層を順次積層し設けて、両面表示パネルを得るステップを含み、
前記発光素子層が複数の発光素子を含み、前記ＴＦＴ層は、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子を点灯させるための第１ＴＦＴと、前記エレクトロクロミック層に電気的に接続され、前記エレクトロクロミック層を変色させるための第２ＴＦＴとを含む両面表示パネルの製造方法をさらに提供する。
いくつかの実施例において、前記第１基板及び前記第２基板はそれぞれフレキシブル基板である。
前記製造方法は、支持基板を提供し、前記支持基板に前記両面表示パネルを製造し、前記両面表示パネルの製造が終了した後、前記両面表示パネルを前記支持基板から剥離するステップをさらに含む。
いくつかの実施例において、前記両面表示パネルに表示領域及びボンディング領域が定義され、前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板を設ける際に、それぞれ前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板に第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールを形成し、前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールが互いに対応して貫通している。
いくつかの実施例において、前記両面表示パネルを製造する際に、前記第１基板と前記ＴＦＴ層との間に第２遮光性導電層を設けるとともに、前記第２ＴＦＴのソースドレイン層及び前記第１遮光性導電層を前記第２遮光性導電層にそれぞれ電気的に接続する。
前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールは共に貫通孔を構成し、前記第２遮光性導電層の部分領域が前記貫通孔の孔壁を被覆して前記貫通孔の底部に位置する前記透光性導電層に接触し、前記第２遮光性導電層の前記第１遮光性導電層と接触する領域が、前記第２遮光性導電層の前記透光性導電層と接触する領域と繋がっていない。
第３態様において、本発明の実施例は、上述した両面表示パネル又は上述した製造方法により製造された両面表示パネルを含む電子機器をさらに提供する。
本発明の実施例に係る両面表示パネルは、パネルの表面に発光素子層を設けてパネルの裏面にエレクトロクロミック層を設けるとともに、発光素子層とエレクトロクロミック層との間にＴＦＴ層を設けることにより、ＴＦＴ層における第１ＴＦＴ及び第２ＴＦＴを利用してそれぞれ発光素子層及びエレクトロクロミック層を制御して、パネルの表面及び裏面が表示効果を実現することができる。また、発光素子層とエレクトロクロミック層との間に第１遮光性導電層がさらに設けられ、第１遮光性導電層がエレクトロクロミック層のアノードとして役割を果たして、エレクトロクロミック層内に駆動電圧を入力するだけではなく、光を遮蔽し、両面表示パネルの表面及び裏面の表示画面が互いに干渉することを防止する役割を果たすことにより、それぞれ両面表示パネルの表面及び裏面の表示効果を向上させることができる。
以下、本発明の実施例における技術的手段をより明確に説明するために、実施例の説明に使用する必要がある図面を簡単に説明する。以下の説明における図面は、本発明のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとっては、創造的努力なしにこれらの図面から他の図面を導き出すこともできることは明らかである。
本発明及びその有益な効果を完全に理解するために、以下、図面を参照しながら説明する。以下の説明において、同じ符号は同じ部分を示す。
図１は本発明の実施例に係る両面表示パネルの表示領域の第１断面構造模式図である。 図２は本発明の実施例に係る両面表示パネルの表示領域の第２断面構造模式図である。 図３は本発明の実施例に係る両面表示パネルの平面模式図である。 図４は本発明の実施例に係る両面表示パネルのボンディング領域の断面構造模式図である。 図５は本発明の実施例に係るエレクトロクロミック層の駆動回路の構造概略図である。 図６は本発明の実施例に係る電子機器の構造概略図である。
以下、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的手段を、明確かつ完全に説明する。説明した実施例はすべての実施例ではなく、本発明の一部の実施例であることは明らかである。本発明における実施例に基づいて、当業者が創造的努力なしに取得したすべての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属している。
図１及び図２を参照されたく、図１は本発明の実施例に係る両面表示パネルの表示領域の第１断面構造模式図であり、図２は本発明の実施例に係る両面表示パネルの表示領域の第２断面構造模式図である。本発明の実施例は、積層して設けられる発光素子層１０、ＴＦＴ層２０、第１遮光性導電層３０、エレクトロクロミック層４０及び透光性導電層５０を順次含み、発光素子層１０が複数の発光素子１１を含む。
ＴＦＴ層２０が発光素子層１０の一側に設けられ、ＴＦＴ層２０は、発光素子１１に電気的に接続され、発光素子１１を点灯させるための第１ＴＦＴ２０１と、第２ＴＦＴ２０２とを含み、第１遮光性導電層３０がＴＦＴ層２０の発光素子層１０から離れる側に設けられ、第１遮光性導電層３０が第２ＴＦＴ２０２に電気的に接続され、エレクトロクロミック層４０が第１遮光性導電層３０のＴＦＴ層２０から離れる側に設けられて第１遮光性導電層３０に電気的に接続され、透光性導電層５０がエレクトロクロミック層４０の第１遮光性導電層３０から離れる側に設けられてエレクトロクロミック層４０に電気的に接続される。
例えば、第１遮光性導電層３０及び透光性導電層５０はそれぞれエレクトロクロミック層４０と直接接触する。
例えば、透光性導電層５０の光透過率が、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、９９％、１００％などの４０％以上であってもよい。
例えば、第１遮光性導電層３０の光透過率が、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、０などの３０％以下であってもよい。
なお、第１遮光性導電層３０と透光性導電層５０とをエレクトロクロミック層４０の両側にそれぞれ設けることにより、第１遮光性導電層３０と透光性導電層５０とをそれぞれエレクトロクロミック層４０のアノード及びカソードとし、第１遮光性導電層３０が第２ＴＦＴ２０２に電気的に接続されるため、つまり、第２ＴＦＴ２０２を介してエレクトロクロミック層４０に印加される駆動電圧を制御することができ、駆動電圧の大きさが変化する場合に、エレクトロクロミック層４０の色も変化する。第１遮光性導電層３０はアノードとして役割を果たす一方、遮光効果を有し、両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示画面が互いに干渉することを防止することにより、両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示効果をそれぞれ向上させることができ、透光性導電層５０はカソードとして役割を果たす一方、光透過効果を有し、ユーザが透光性導電層５０側からエレクトロクロミック層４０の色効果を見ることができることを理解されたい。
本発明の実施例に係る両面表示パネル１００は、パネルの表面に発光素子層１０を設けてパネルの裏面にエレクトロクロミック層４０を設けるとともに、発光素子層１０とエレクトロクロミック層４０との間にＴＦＴ層２０を設けることにより、ＴＦＴ層２０における第１ＴＦＴ２０１及び第２ＴＦＴ２０２を利用してそれぞれ発光素子層１０及びエレクトロクロミック層４０を制御して、パネルの表面及び裏面が表示効果を実現することができる。また、発光素子層１０とエレクトロクロミック層４０との間に第１遮光性導電層３０がさらに設けられ、第１遮光性導電層３０がエレクトロクロミック層４０のアノードとして役割を果たして、エレクトロクロミック層内に駆動電圧を入力するだけではなく、光を遮蔽し、両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示画面が互いに干渉することを防止する役割を果たすことにより、それぞれ両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示効果を向上させることができる。
図１を参照されたく、ＴＦＴ層２０と第１遮光性導電層３０との間に第１基板６１及び第１無機層６２が設けられてもよく、第１基板６１がＴＦＴ層２０の近くに設けられ、第１無機層６２が第１遮光性導電層３０の近くに設けられ、透光性導電層５０のエレクトロクロミック層４０から離れる側に第２基板６３及び第２無機層６４が設けられてもよく、第２無機層６４が第１遮光性導電層３０と第２基板６３との間に設けられ、第１基板６１及び第２基板６３がそれぞれフレキシブル基板である。
なお、本発明の実施例は両面表示パネル１００に第１基板６１及び第２基板６３を設けることにより、つまり、両面表示パネル１００の基板をフレキシブル基板とすることにより、両面表示パネル１００を湾曲可能なフレキシブル表示パネルに形成することができ、第１無機層６２が第１基板６１と第１遮光性導電層３０との間の接着力を増加する役割を果たすことができ、第２無機層６４が第２基板６３と透光性導電層５０との間の接着力を増加する役割を果たすことにより、積層構造の安定性を向上させることができる。
例えば、第１基板６１とＴＦＴ層２０との間に第２遮光性導電層７０が設けられ、第２ＴＦＴ２０２のソースドレイン層２６及び第１遮光性導電層３０が第２遮光性導電層７０にそれぞれ電気的に接続される。なお、第２遮光性導電層７０が第２ＴＦＴ２０２及びエレクトロクロミック層４０のアノード（即ち第１遮光性導電層３０）に電気的に接続される役割を果たすことにより、第２ＴＦＴ２０２を介してエレクトロクロミック層４０に駆動電圧を出力することができる。また、第１遮光性導電層３０が遮光機能をさらに有し、両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示画面が互いに干渉することを防止することにより、両面表示パネル１００の表面及び裏面の表示画面を向上させることができる。第２遮光性導電層７０が活性層２２を保護する役割を果たし、光が活性層２２に照射することにより性能が低下することを防止することを理解されたい。
例えば、第２遮光性導電層７０の光透過率が、３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、５％、０などの３０％以下であってもよい。
例えば、第１基板６１の材料が感光性ポリイミド又は通常ポリイミドであってもよく、第２基板６３の材料が感光性ポリイミド又は通常ポリイミドであってもよい。
図３及び図４を参照されたく、図３は本発明の実施例に係る両面表示パネルの平面模式図であり、図４は本発明の実施例の両面表示パネルのボンディング領域の断面構造模式図である。両面表示パネル１００に表示領域１０１及びボンディング領域１０２が定義され、ボンディング領域１０２において、エレクトロクロミック層４０、第１遮光性導電層３０、第１無機層６２及び第１基板６１に貫通孔８０が設けられ、第２遮光性導電層７０の部分領域が貫通孔８０の孔壁を被覆して貫通孔８０の底部に位置する透光性導電層５０と接触する。なお、第２遮光性導電層７０の第１遮光性導電層３０と接触する領域（表示領域１０１内に位置する）が、第２遮光性導電層７０の透光性導電層５０と接触する領域（ボンディング領域１０２内に位置する）と繋がっておらず、即ちこの２つの領域の間が電気的接続の関係を有していない。また、第２遮光性導電層７０の部分領域を透光性導電層５０（エレクトロクロミック層４０のカソード）に電気的に接続することにより、カソードを引き出して、エレクトロクロミック層４０のカソードとアノードとの間に完全な電流回路を形成する役割を果たすことができる。
ボンディング領域１０２（ｂｏｎｄｉｎｇ ａｒｅａ）とは、両面表示パネル１００の回路基板と接続するための領域を指すことを理解されたい。場合によっては、両面表示パネル１００のボンディング領域１０２が回路基板（例えばＣＯＦ）と接続された後、ボンディング領域１０２の両面表示パネル１００における占有面積を縮小して、表示領域１０１の両面表示パネル１００における占有率を向上させるために、ボンディング領域１０２を折り曲げる必要があり、本発明の実施例に係る両面表示パネル１００は、第１遮光性導電層３０、第１無機層６２及び第１基板６１に設けられる貫通孔８０と、貫通孔８０の底部に位置する透光性導電層５０とが凹溝を囲んで、該凹溝の位置に第２遮光性導電層７０を設けて、第２遮光性導電層７０が凹溝の溝壁及び溝底を被覆することにより、両面表示パネル１００が該凹溝で折り曲げる場合に、溝底に位置する第２遮光性導電層７０が小さい曲げ半径（両面表示パネル１００の折り曲げ位置に凹溝が設けられていない場合に比較する）を有するため、ストレスを緩和し、第２遮光性導電層７０の破断を防止する役割を果たすことができる。また、第２遮光性導電層７０の材料が通常金属材料であり、透光性導電層５０の材料が通常透明導電性金属酸化物であるが、金属材料及び透明導電性金属酸化物がいずれも優れた可撓性を有するため、両面表示パネル１００の耐折り曲げ特性を増加する役割を果たすことができる。
図３を参照されたく、ボンディング領域１０２内に折り曲げ領域１０３が設けられてもよく、両面表示パネル１００のボンディング領域１０２が回路基板（例えばＣＯＦ）に接続された後、両面表示パネル１００におけるボンディング領域１０２の占有面積を縮小するために、折り曲げ領域１０３の位置でボンディング領域１０２を折り曲げることができる。
図４を参照されたく、貫通孔８０は、エレクトロクロミック層４０に設けられる第１ビアホールと、第１遮光性導電層３０に設けられる第２ビアホールと、第１無機層６２に設けられる第３ビアホールと、第１基板６１に設けられる第４ビアホールとを含んでもよく、第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールの断面積が順に大きくなる。つまり、第２ビアホールの断面積が第１ビアホールの断面積よりも大きく、第３ビアホールの断面積が第２ビアホールの断面積よりも大きく、第４ビアホールの断面積が第３ビアホールの断面積よりも大きいことで、貫通孔８０を段差貫通孔に形成する。段差貫通孔８０は、上下の孔径が一致する貫通孔に比べて、第２遮光性導電層７０を孔壁に付着させるのに有利であることを理解されたい。
例えば、第１遮光性導電層３０の材料が銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）などの金属を含む。
例えば、透光性導電層５０の材料が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性金属酸化物を含む。
例えば、第２遮光性導電層７０の材料が銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）などの金属を含むことができる。
例えば、第１無機層６２の材料及び第２無機層６４の材料が酸化シリコン（ＳｉＯｘ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の少なくとも１つであってもよい。
例えば、発光素子１１がＯＬＥＤである。つまり、両面表示パネル１００の表面がＯＬＥＤ表示効果である。
図２を参照されたく、エレクトロクロミック層４０は、離間して設けられるエレクトロクロミックユニット４１を複数含み、第１遮光性導電層３０が複数の導電ユニット３１を含み、各エレクトロクロミックユニット４１が１つの導電ユニット３１に対応して設けられて電気的に接続され、各導電ユニット３１が１つの第２ＴＦＴ２０２のソースドレイン層２６に電気的に接続される。つまり、複数のエレクトロクロミックユニット４１をそれぞれ複数の第２ＴＦＴ２０２により制御することにより、複数のエレクトロクロミックユニット４１が異なる輝度及び／又は色をそれぞれ呈示して、複数のエレクトロクロミックユニット４１が異なるパターンを組み合わせることができ、即ち異なる制御条件下でエレクトロクロミック層４０が異なる表示効果を呈示することができる。
各エレクトロクロミックユニット４１が１つの画素セルを対応して形成し、つまり、複数のエレクトロクロミックユニット４１が両面表示パネル１００の裏面の複数の画素セルをそれぞれ構成し、複数の画素セルをそれぞれ独立して制御することにより、複数の画素セルが異なるパターンや文字を組み合わせることにより、異なる表示効果を呈示することができる。
例えば、エレクトロクロミック層４０の材料がポリピロール系エレクトロクロミック材料、ポリチオフェン系エレクトロクロミック材料、ポリフラン系エレクトロクロミック材料及びポリベンザゾール系エレクトロクロミック材料の１つ以上を含むことができる。
図１及び図２を参照されたく、ＴＦＴ層２０が第２遮光性導電層７０及び第１基板６１に順に積層して設けられるバッファ層２１、活性層２２、ゲート絶縁層２３、ゲート２４、層間絶縁層２５、ソースドレイン層２６、パッシベーション層２７、平坦化層２８、アノード２９及び画素定義層２９１を含んでもよく、画素定義層２９１にアノード２９に対応して設けられる開口が設けられ、開口内に発光素子１１が設けられ、平坦化層２８及びパッシベーション層２７に第５ビアホールが設けられ、アノード２９が第５ビアホールを介して第１ＴＦＴ２０１のソースドレイン層２６に接続され、層間絶縁層２５に第６ビアホールが設けられ、ソースドレイン層２６が第６ビアホールを介して活性層２２に接続され、層間絶縁層２５及びバッファ層２１に第７ビアホール８０が設けられ、ソースドレイン層２６が第７ビアホールを介して第２遮光性導電層７０に接続される。
図５を参照されたく、図５は本発明の実施例に係るエレクトロクロミック層の駆動回路の構造概略図である。エレクトロクロミック層４０の駆動回路が直列接続される第２ＴＦＴ２０２及び第３ＴＦＴ２０３を含み、第２ＴＦＴ２０２及び第３ＴＦＴ２０３がＴＦＴ層２０にそれぞれ位置し、図５に示すように、ｇ１、ｓ１、ｄ１はそれぞれ第３ＴＦＴ２０３のゲート、ソース及びドレインを示し、ｇ２、ｓ２、ｄ２はそれぞれ第２ＴＦＴ２０２のゲート、ソース及びドレインを示し、第３ＴＦＴ２０３のドレインが第２ＴＦＴ２０２のゲートに接続され、第２ＴＦＴ２０２のソースが駆動電源の正極（ＶＤＤ）に接続され、第２ＴＦＴ２０２のドレインがエレクトロクロミック層４０に接続され、つまり、第３ＴＦＴ２０３により第２ＴＦＴ２０２のオン・オフを制御するとともに、第２ＴＦＴ２０２のソースから入力される駆動電圧によりエレクトロクロミック層４０の変色状況を制御する。ＴＦＴ層２０に第３ＴＦＴ２０３を追設することにより第２ＴＦＴ２０２のオン・オフを制御し、エレクトロクロミック層４０の駆動回路の安定性を向上させることができる。
図１～図５を参照されたく、本発明の実施例は、両面表示パネルの製造方法をさらに提供し、該製造方法は上述したいずれかの実施例における両面表示パネル１００を製造するためのものであり、製造方法は、第２基板６３、第２無機層６４、透光性導電層５０、エレクトロクロミック層４０、第１遮光性導電層３０、第１無機層６２、第１基板６１、ＴＦＴ層２０及び発光素子層１０を順次積層して設けて、両面表示パネル１００を得るステップを含み、
発光素子層１０は、複数の発光素子１１を含み、ＴＦＴ層２０は、発光素子１１に電気的に接続され、発光素子１１を点灯させるための第１ＴＦＴ２０１と、エレクトロクロミック層４０に電気的に接続され、エレクトロクロミック層４０を変色させるための第２ＴＦＴ２０２とを含む。
例えば、第１基板６１及び第２基板６３がそれぞれフレキシブル基板である。第１基板６１及び第２基板６３がそれぞれフレキシブル基板である場合に、両面表示パネルの製造方法は、支持基板（図示せず）を提供し、支持基板に両面表示パネル１００を製造し、両面表示パネル１００の製造が終了した後、両面表示パネル１００を支持基板から剥離するステップをさらに含むことができる。
いくつかの実施例において、支持基板がガラス板であってもよい。例えば、レーザリフトオフ方法を用いて両面表示パネル１００を支持基板から剥離することができる。
例えば、両面表示パネル１００に表示領域１０１及びボンディング領域１０２が定義され、エレクトロクロミック層４０、第１遮光性導電層３０、第１無機層６２及び第１基板６１を設ける際に、それぞれエレクトロクロミック層４０、第１遮光性導電層３０、第１無機層６２及び第１基板６１に第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールを形成し、第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールが互いに対応して貫通している。
例えば、エレクトロクロミック層４０に第１ビアホールを形成し、第１遮光性導電層３０に第１ビアホールを形成し、第１無機層６２に第１ビアホールを形成し、第１基板６１に第４ビアホールを形成する方法がエッチング又は露光などであってもよい。
例えば、両面表示パネル１００を製造する際に、第１基板６１とＴＦＴ層２０との間に第２遮光性導電層７０が設けられ、第２ＴＦＴ２０２のソースドレイン層２６及び第１遮光性導電層３０が第２遮光性導電層７０にそれぞれ電気的に接続され、
第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールは共に貫通孔８０を構成し、第２遮光性導電層７０の部分領域が貫通孔８０の孔壁を被覆して貫通孔８０の底部に位置する透光性導電層５０に接触し、第２遮光性導電層７０の第１遮光性導電層３０と接触する領域が、第２遮光性導電層７０の透光性導電層５０と接触する領域と繋がっていない。
図６を参照されたく、図６は本発明の実施例に係る電子機器の構造概略図である。本発明の実施例は、上述したいずれかの実施例における両面表示パネル１００、又は上述したいずれかの実施例の製造方法により製造された両面表示パネル１００を含む電子機器２００をさらに提供する。
例えば、電子機器２００は携帯電話、タブレット型パソコン、ゲーム装置、ウェアラブル装置等の表示画面を有する装置であってもよく、ウェアラブル装置は、スマートブレスレット、スマートグラス、スマートウォッチ、スマート装飾等であってもよい。
なお、該電子機器２００の表面及び裏面がそれぞれ画面を表示することができ、両面表示効果を有する。
以上、本発明の実施例に係る両面表示パネル、両面表示パネルの製造方法及び電子機器を詳細に説明した。本明細書では具体的な実施例を用いて本発明の原理及び実施形態について説明し、以上の実施例の説明は本発明を理解するためのものに過ぎない。一方、当業者であれば、本発明の構想に基づき、具体的な実施形態及び適用範囲に変更を加えることがあり、要約すると、本明細書の内容は本発明を限定するものとして理解されるべきではない。

Claims (20)

  1. 複数の発光素子を含む発光素子層と、
    前記発光素子層の一側に設けられるＴＦＴ層であって、前記発光素子に電気的に接続される第１ＴＦＴと、第２ＴＦＴとを含むＴＦＴ層と、
    前記ＴＦＴ層の前記発光素子層から離れる側に設けられ、前記第２ＴＦＴに電気的に接続される第１遮光性導電層と、
    前記第１遮光性導電層の前記ＴＦＴ層から離れる側に設けられて、前記第１遮光性導電層に電気的に接続されるエレクトロクロミック層と、
    前記エレクトロクロミック層の前記第１遮光性導電層から離れる側に設けられて、前記エレクトロクロミック層に電気的に接続される透光性導電層と、を含む両面表示パネル。
  2. 前記ＴＦＴ層と前記第１遮光性導電層との間に第１基板及び第１無機層が設けられ、前記第１基板が前記ＴＦＴ層の近くに設けられ、前記第１無機層が前記第１遮光性導電層の近くに設けられ、
    前記透光性導電層の前記エレクトロクロミック層から離れる側に第２基板及び第２無機層が設けられ、前記第２無機層が前記第１遮光性導電層と前記第２基板との間に設けられ、
    前記第１基板及び前記第２基板がそれぞれフレキシブル基板である請求項１に記載の両面表示パネル。
  3. 前記第１基板と前記ＴＦＴ層との間に第２遮光性導電層が設けられ、前記第２ＴＦＴのソースドレイン層及び前記第１遮光性導電層が前記第２遮光性導電層にそれぞれ電気的に接続される請求項２に記載の両面表示パネル。
  4. 前記両面表示パネルに表示領域及びボンディング領域が定義され、前記ボンディング領域において、前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板に貫通孔が設けられ、前記第２遮光性導電層の部分領域が前記貫通孔の孔壁を被覆して前記貫通孔の底部に位置する前記透光性導電層に接触し、前記第２遮光性導電層の前記第１遮光性導電層と接触する領域が、前記第２遮光性導電層の前記透光性導電層と接触する領域と繋がっていない請求項３に記載の両面表示パネル。
  5. 前記貫通孔は、前記エレクトロクロミック層に設けられる第１ビアホールと、前記第１遮光性導電層に設けられる第２ビアホールと、前記第１無機層に設けられる第３ビアホールと、前記第１基板に設けられる第４ビアホールとを含み、前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールの断面積が順に大きくなる請求項４に記載の両面表示パネル。
  6. 前記第１無機層の材料及び前記第２無機層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも１つを含む請求項２に記載の両面表示パネル。
  7. 前記第１遮光性導電層の材料が金属を含み、及び／又は
    前記透光性導電層の材料が透明導電性金属酸化物を含む請求項１に記載の両面表示パネル。
  8. 前記第１遮光性導電層の材料が銀、モリブデン、チタン及び銅の少なくとも１つを含み、及び／又は
    前記透光性導電層の材料が酸化インジウムスズを含む請求項７に記載の両面表示パネル。
  9. 前記発光素子がＯＬＥＤである請求項１に記載の両面表示パネル。
  10. 前記エレクトロクロミック層は、離間して設けられるエレクトロクロミックユニットを複数含み、前記第１遮光性導電層が複数の導電ユニットを含み、各前記エレクトロクロミックユニットが１つの前記導電ユニットに対応して設けられて電気的に接続され、各前記導電ユニットが１つの前記第２ＴＦＴのソースドレイン層に電気的に接続される請求項１に記載の両面表示パネル。
  11. 前記ＴＦＴ層は、ドレインが前記第２ＴＦＴのゲートに接続される第３ＴＦＴをさらに含み、前記第２ＴＦＴのソースが駆動電源に接続され、前記第２ＴＦＴのドレインが前記エレクトロクロミック層に接続される請求項１に記載の両面表示パネル。
  12. 第２基板、第２無機層、透光性導電層、エレクトロクロミック層、第１遮光性導電層、第１無機層、第１基板、ＴＦＴ層及び発光素子層を順次積層し設けて、両面表示パネルを得るステップを含み、
    前記発光素子層が複数の発光素子を含み、前記ＴＦＴ層は、前記発光素子に電気的に接続され、前記発光素子を点灯させるための第１ＴＦＴと、前記エレクトロクロミック層に電気的に接続され、前記エレクトロクロミック層を変色させるための第２ＴＦＴとを含む両面表示パネルの製造方法。
  13. 前記第１基板及び前記第２基板がそれぞれフレキシブル基板であり、
    前記製造方法は、支持基板を提供し、前記支持基板に前記両面表示パネルを製造し、前記両面表示パネルの製造が終了した後、前記両面表示パネルを前記支持基板から剥離するステップをさらに含む請求項１２に記載の製造方法。
  14. 前記両面表示パネルに表示領域及びボンディング領域が定義され、前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板を設ける際に、それぞれ前記エレクトロクロミック層、前記第１遮光性導電層、前記第１無機層及び前記第１基板に第１ビアホール、第２ビアホール、第３ビアホール及び第４ビアホールを形成し、前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールが互いに対応して貫通している請求項１３に記載の製造方法。
  15. 前記両面表示パネルを製造する際に、前記第１基板と前記ＴＦＴ層との間に第２遮光性導電層を設けるとともに、前記第２ＴＦＴのソースドレイン層及び前記第１遮光性導電層を前記第２遮光性導電層にそれぞれ電気的に接続し、
    前記第１ビアホール、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール及び前記第４ビアホールは共に貫通孔を構成し、前記第２遮光性導電層の部分領域が前記貫通孔の孔壁を被覆して前記貫通孔の底部に位置する前記透光性導電層に接触し、前記第２遮光性導電層の前記第１遮光性導電層と接触する領域が、前記第２遮光性導電層の前記透光性導電層と接触する領域と繋がっていない請求項１４に記載の製造方法。
  16. 前記第１無機層の材料及び前記第２無機層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも１つを含む請求項１２に記載の製造方法。
  17. 前記第１遮光性導電層の材料が金属を含み、及び／又は
    前記透光性導電層の材料が透明導電性金属酸化物を含む請求項１２に記載の製造方法。
  18. 前記第１遮光性導電層の材料が銀、モリブデン、チタン及び銅の少なくとも１つを含み、及び／又は
    前記透光性導電層の材料が酸化インジウムスズを含む請求項１７に記載の製造方法。
  19. 前記発光素子がＯＬＥＤである請求項１２に記載の製造方法。
  20. 請求項１に記載の両面表示パネルを含む電子機器。
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