JP2024076573A - Processing Equipment - Google Patents

Abstract

【課題】加工後に検査されたウェーハの管理を容易にする。【解決手段】作業者によって検査対象棚として設定された第１カセット３の第１棚８１および第８棚８８に収容されていたウェーハ１００が、加工後に、第２カセット４における、第１カセット３の検査対象棚と同じ位置の棚、すなわち、第２カセット４の第１棚８１および第８棚８８に収容される。これにより、作業者は、第２カセット４に収容された加工後に検査されるウェーハ１００が、第１カセット３のどの棚に収納されていたのかを、容易に把握することができる。したがって、加工後に検査されたウェーハ１００の管理が容易となる。【選択図】図２[Problem] To facilitate management of wafers inspected after processing. [Solution] Wafers 100 stored in the first shelf 81 and eighth shelf 88 of a first cassette 3 set by an operator as shelves to be inspected are stored, after processing, in shelves in a second cassette 4 at the same positions as the shelves to be inspected in the first cassette 3, i.e., the first shelf 81 and eighth shelf 88 of the second cassette 4. This allows an operator to easily know in which shelf of the first cassette 3 the wafers 100 to be inspected after processing that are stored in the second cassette 4 were stored. This makes it easy to manage the wafers 100 inspected after processing. [Selected Figure] Figure 2

Description

本発明は、加工装置に関する。 The present invention relates to a processing device.

特許文献１に開示のように、ウェーハを研磨パッドで研磨する研磨装置は、カセットからウェーハを取り出して、チャックテーブルによってウェーハを保持して研磨加工し、研磨したウェーハを洗浄機構で洗浄して、カセットに収納している。 As disclosed in Patent Document 1, a polishing device that polishes a wafer with a polishing pad removes the wafer from a cassette, holds the wafer on a chuck table and polishes it, cleans the polished wafer with a cleaning mechanism, and stores it in the cassette.

また、特許文献２および３に開示の研磨装置は、ウェーハの加工結果を検査するために、カセットを載置するカセットステージの下に、検査対象のウェーハ１枚を収納する収納部を備えている。 The polishing apparatuses disclosed in Patent Documents 2 and 3 also have a storage section for storing one wafer to be inspected under the cassette stage on which the cassette is placed, in order to inspect the results of wafer processing.

特開２０２２－０５２１５２号公報JP 2022-052152 A 特開２０１０－２５１３４８号公報JP 2010-251348 A 特開２０１０－２５１３５６号公報JP 2010-251356 A

例えば、カセットには、２５枚のウェーハが収納されている。そして、その２５枚のウェーハのうち、ランダムに５枚のウェーハを検査したい場合がある。この場合、上記のようなウェーハ１枚を収容する収納部では、５枚すべてを一度に収納することは困難である。そのため、研磨加工中にウェーハを収納部から取り出して、順次、検査を実施している。 For example, a cassette holds 25 wafers. There are cases where it is desired to randomly inspect 5 of the 25 wafers. In this case, it is difficult to store all 5 wafers at once in a storage unit that can only hold one wafer, as described above. Therefore, the wafers are removed from the storage unit during polishing and inspected one by one.

しかし、この構成では、検査されたウェーハが、カセットの何番目の棚に収容されていたのか、わからなくなる。 However, with this configuration, it is not possible to know which shelf in the cassette the inspected wafer was stored on.

したがって、本発明の目的は、研磨装置のようにウェーハを加工する加工装置において、加工後に検査されたウェーハの管理を容易にすることにある。 Therefore, the object of the present invention is to facilitate the management of wafers that have been inspected after processing in a processing device that processes wafers, such as a polishing device.

本発明の加工装置（本加工装置）は、複数の棚を備えたカセットの該棚に収納されたウェーハを加工する加工装置であって、ウェーハを保持する保持部と、該保持部に保持されたウェーハを加工する加工ユニットと、ウェーハが収納された第１カセットが載置される第１カセットステージと、ウェーハが収納されていない第２カセットが載置される第２カセットステージと、該第１カセットと該第２カセットと該保持部とに対してウェーハを搬送する搬送機構と、該第１カセットにおける加工後に検査されるウェーハが収納されている棚である検査対象棚を設定するための設定部と、制御部と、を備え、該制御部は、該第１カセットの該検査対象棚に収納されていたウェーハを、加工後に、該搬送機構によって、該第２カセットにおける、該第１カセットの該検査対象棚と同じ位置の棚に収納する。 The processing device of the present invention (the present processing device) is a processing device that processes wafers stored in a shelf of a cassette having multiple shelves, and includes a holding section that holds the wafers, a processing unit that processes the wafers held in the holding section, a first cassette stage on which a first cassette containing wafers is placed, a second cassette stage on which a second cassette containing no wafers is placed, a transport mechanism that transports wafers between the first cassette, the second cassette, and the holding section, a setting section for setting an inspection target shelf that is a shelf on which wafers to be inspected after processing in the first cassette are stored, and a control section, and the control section stores, by the transport mechanism, the wafers stored in the inspection target shelf of the first cassette after processing in the second cassette at a shelf in the second cassette at the same position as the inspection target shelf of the first cassette.

本加工装置は、ウェーハを加工する加工条件を複数設定する加工条件設定部をさらに備えてもよく、該制御部は、加工条件ごとに少なくとも１つのウェーハを加工後に検査されるウェーハとして選択し、該第１カセットにおける選択されたウェーハが収容されている棚を、該検査対象棚として設定してもよい。 The processing device may further include a processing condition setting unit that sets multiple processing conditions for processing the wafers, and the control unit may select at least one wafer for each processing condition as a wafer to be inspected after processing, and set the shelf in the first cassette that contains the selected wafer as the shelf to be inspected.

本加工装置では、該制御部は、ウェーハの品種ごとに少なくとも１つのウェーハを加工後に検査されるウェーハとして選択し、該第１カセットにおける選択されたウェーハが収容されている棚を、該検査対象棚として設定してもよい。 In this processing device, the control unit may select at least one wafer for each type of wafer as a wafer to be inspected after processing, and set the shelf in the first cassette in which the selected wafer is stored as the shelf to be inspected.

本加工装置では、作業者によって検査対象棚として設定された第１カセットの棚に収容されていたウェーハが、加工後に、第２カセットにおける、第１カセットの検査対象棚と同じ位置の棚に収容される。これにより、作業者は、第２カセットに収容された加工後に検査されるウェーハが、第１カセットのどの棚に収納されていたのかを、容易に把握することができる。したがって、加工後に検査されたウェーハの管理が容易となる。 In this processing device, wafers stored on a shelf in the first cassette that has been set by the operator as the shelf to be inspected are stored, after processing, on a shelf in the second cassette at the same position as the shelf to be inspected in the first cassette. This allows the operator to easily know on which shelf in the first cassette the wafers to be inspected after processing that are stored in the second cassette were stored. This makes it easy to manage wafers inspected after processing.

研磨装置の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a polishing apparatus. 第１カセットおよび第２カセットの構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of a first cassette and a second cassette. 研磨装置におけるウェーハの移動状態を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a moving state of a wafer in the polishing apparatus.

図１に示すように、本実施形態にかかる研磨装置１は、複数の棚を備えたカセットの棚に収納されたウェーハを加工する加工装置の一例であり、ウェーハ１００を研磨加工するための装置である。ウェーハ１００は、被加工物の一例であり、表面１０１および裏面１０２を有している。ウェーハ１００の裏面１０２は、研磨加工が施される被加工面となる。 As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 according to this embodiment is an example of a processing apparatus that processes wafers stored on a shelf of a cassette having multiple shelves, and is an apparatus for polishing a wafer 100. The wafer 100 is an example of a workpiece, and has a front surface 101 and a back surface 102. The back surface 102 of the wafer 100 is the work surface on which polishing is performed.

図１に示すように、研磨装置１は、第１の装置ベース１０と、第１の装置ベース１０の後方（＋Ｙ方向側）に配置された第２の装置ベース１１とを有している。 As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 has a first apparatus base 10 and a second apparatus base 11 arranged behind the first apparatus base 10 (on the +Y direction side).

第１の装置ベース１０の－Ｙ方向側には、第１カセットステージ１６０および第２カセットステージ１６２が設けられている。第１カセットステージ１６０には、ウェーハ１００が収納された第１カセットが載置される。第２カセットステージ１６２には、ウェーハ１００が収納されていない第２カセット４が載置される。本実施形態では、第１カセット３および第２カセット４は、互いに同一の構造を有している。 A first cassette stage 160 and a second cassette stage 162 are provided on the -Y direction side of the first device base 10. A first cassette containing wafers 100 is placed on the first cassette stage 160. A second cassette 4 not containing wafers 100 is placed on the second cassette stage 162. In this embodiment, the first cassette 3 and the second cassette 4 have the same structure.

図２に示すように、第１カセット３および第２カセット４は、開口５を有している。また、第１カセット３および第２カセット４は、その内部に、Ｚ軸方向に所定の間隔をあけて、複数段（本実施形態では８段）の棚である第１棚８１、第２棚８２、第３棚８３、第４棚８４、第５棚８５、第６棚８６、第７棚８７、および第８棚８８を備えている。 As shown in FIG. 2, the first cassette 3 and the second cassette 4 have an opening 5. The first cassette 3 and the second cassette 4 also have multiple shelves (eight shelves in this embodiment) inside them at a predetermined interval in the Z-axis direction: a first shelf 81, a second shelf 82, a third shelf 83, a fourth shelf 84, a fifth shelf 85, a sixth shelf 86, a seventh shelf 87, and an eighth shelf 88.

第１棚８１～第８棚８８は、第１カセット３および第２カセット４の側壁６の内面に、一列に形成されている。第１棚８１～第８棚８８は、たとえば、その中央領域が円形状または矩形状に切り欠かれた平板から構成されている。したがって、第１棚８１～第８棚８８は、ウェーハ１００の外周領域を支持した状態で、それぞれ１枚のウェーハ１００を収容することができる。
このように、第１カセット３および第２カセット４は、複数のウェーハ１００を棚状に収容することが可能となっている。 The first shelf 81 to the eighth shelf 88 are formed in a row on the inner surface of the side wall 6 of the first cassette 3 and the second cassette 4. The first shelf 81 to the eighth shelf 88 are, for example, configured from a flat plate with a circular or rectangular cutout at the center. Therefore, the first shelf 81 to the eighth shelf 88 can each accommodate one wafer 100 while supporting the outer periphery of the wafer 100.
In this manner, the first cassette 3 and the second cassette 4 are capable of housing a plurality of wafers 100 in a shelf-like manner.

本実施形態では、第１カセット３が第１カセットステージ１６０に載置されるときには、第１カセット３には、加工前のウェーハ１００が収容されている。また、第２カセット４には加工前のウェーハ１００は収容されておらず、第２カセットステージ１６２に載置されるときには、第２カセット４は空の状態である。 In this embodiment, when the first cassette 3 is placed on the first cassette stage 160, the first cassette 3 contains unprocessed wafers 100. The second cassette 4 does not contain unprocessed wafers 100, and is empty when placed on the second cassette stage 162.

研磨装置１では、第１カセット３および第２カセット４の開口５は、図１に示すように、＋Ｙ方向側を向いている。これらの開口の＋Ｙ方向側には、ロボット１５５が配設されている。ロボット１５５は、ウェーハ１００を保持する保持面を備えており、第１カセット３と第２カセット４とチャックテーブル２０とに対してウェーハ１００を搬送する搬送機構の一例である。 In the polishing apparatus 1, the openings 5 of the first cassette 3 and the second cassette 4 face the +Y direction side as shown in FIG. 1. A robot 155 is disposed on the +Y direction side of these openings. The robot 155 has a holding surface for holding the wafer 100, and is an example of a transport mechanism for transporting the wafer 100 between the first cassette 3, the second cassette 4, and the chuck table 20.

ロボット１５５は、加工後のウェーハ１００を、第１カセット３あるいは第２カセット４に搬入（収納）する。また、ロボット１５５は、第１カセット３から加工前のウェーハ１００を取り出して、仮置き機構１５２の仮置きテーブル１５４に載置する。 The robot 155 transports (stores) the processed wafer 100 into the first cassette 3 or the second cassette 4. The robot 155 also removes the unprocessed wafer 100 from the first cassette 3 and places it on the temporary placement table 154 of the temporary placement mechanism 152.

仮置き機構１５２は、第１カセット３から取り出されたウェーハ１００を仮置きするために用いられ、ロボット１５５に隣接する位置に設けられている。仮置き機構１５２は、仮置きテーブル１５４、および、位置合わせ部材１５３を有している。 The temporary placement mechanism 152 is used to temporarily place the wafer 100 removed from the first cassette 3, and is provided at a position adjacent to the robot 155. The temporary placement mechanism 152 has a temporary placement table 154 and an alignment member 153.

位置合わせ部材１５３は、仮置きテーブル１５４を囲むように外側に配置される複数の位置合わせピンと、位置合わせピンを仮置きテーブル１５４の径方向に移動させるスライダとを備えている。位置合わせ部材１５３では、位置合わせピンが仮置きテーブル１５４の径方向に中央に向かって移動されることにより、複数の位置合わせピンを結ぶ円が縮径される。これにより、仮置きテーブル１５４に載置されたウェーハ１００が、所定の位置に位置合わせ（センタリング）される。 The alignment member 153 includes a number of alignment pins arranged on the outside so as to surround the temporary placement table 154, and a slider that moves the alignment pins in the radial direction of the temporary placement table 154. In the alignment member 153, the alignment pins are moved in the radial direction of the temporary placement table 154 toward the center, thereby reducing the diameter of the circle connecting the multiple alignment pins. This causes the wafer 100 placed on the temporary placement table 154 to be aligned (centered) at a predetermined position.

仮置き機構１５２に隣接する位置には、搬入機構１７０が設けられている。搬入機構１７０は、第１カセット３と第２カセット４とチャックテーブル２０とに対してウェーハ１００を搬送する搬送機構の一例である。搬入機構１７０は、仮置き機構１５２に仮置きされたウェーハ１００を、裏面１０２が上向きとなるように、チャックテーブル２０の保持面２２に載置する。 A carry-in mechanism 170 is provided at a position adjacent to the temporary placement mechanism 152. The carry-in mechanism 170 is an example of a transport mechanism that transports the wafer 100 between the first cassette 3, the second cassette 4, and the chuck table 20. The carry-in mechanism 170 places the wafer 100, which has been temporarily placed on the temporary placement mechanism 152, on the holding surface 22 of the chuck table 20 with the back surface 102 facing upward.

第２の装置ベース１１の上面側には、開口部１３が設けられている。そして、開口部１３内には、ウェーハ保持機構３０が配置されている。 An opening 13 is provided on the upper surface side of the second device base 11. A wafer holding mechanism 30 is disposed within the opening 13.

ウェーハ保持機構３０は、ウェーハ１００を保持する保持面２２を備えたチャックテーブル２０、チャックテーブル２０を支持するチャックテーブルベース２９、チャックテーブルベース２９の基端側に無端ベルト２５を介して接続されている駆動部２６、チャックテーブルベース２９を支持する支持部材２８、および、支持部材２８を支える複数の支持柱２７を含んでいる。 The wafer holding mechanism 30 includes a chuck table 20 having a holding surface 22 for holding the wafer 100, a chuck table base 29 supporting the chuck table 20, a drive unit 26 connected to the base end side of the chuck table base 29 via an endless belt 25, a support member 28 supporting the chuck table base 29, and a number of support columns 27 supporting the support member 28.

チャックテーブル２０は、ウェーハ１００を保持する保持部の一例であり、ポーラス部材２１と、ポーラス部材２１の上面が露出するようにポーラス部材２１を収容する枠体２３と、を備えている。ポーラス部材２１の上面は、ウェーハ１００を吸引保持する保持面２２である。保持面２２は、吸引源（図示せず）に連通されることにより、ウェーハ１００を吸引保持する。また、枠体２３の上面である枠体面２４は、保持面２２を囲繞しており、保持面２２と同一面（面一）となるように形成されている。
駆動部２６は、モータおよび駆動プーリを備え、無端ベルト２５を回動させることにより、チャックテーブルベース２９を回転させる。これにより、チャックテーブルベース２９に支持されているチャックテーブル２０が、保持面２２の中心を通るように延びる回転軸を中心に回転する。 The chuck table 20 is an example of a holding section that holds the wafer 100, and includes a porous member 21 and a frame 23 that houses the porous member 21 so that the upper surface of the porous member 21 is exposed. The upper surface of the porous member 21 is a holding surface 22 that suction-holds the wafer 100. The holding surface 22 is connected to a suction source (not shown) to suction-hold the wafer 100. In addition, a frame surface 24, which is the upper surface of the frame 23, surrounds the holding surface 22 and is formed to be on the same plane (flush) as the holding surface 22.
The drive unit 26 includes a motor and a drive pulley, and rotates the endless belt 25 to rotate the chuck table base 29. As a result, the chuck table 20 supported by the chuck table base 29 rotates about a rotation axis that extends through the center of the holding surface 22.

チャックテーブル２０の周囲には、チャックテーブル２０とともにＹ軸方向に沿って移動されるカバー板３９が設けられている。また、カバー板３９には、Ｙ軸方向に伸縮する蛇腹カバー１２が連結されている。そして、ウェーハ保持機構３０の下方には、Ｙ軸方向移動機構４０が配設されている。 A cover plate 39 is provided around the chuck table 20 and moves in the Y-axis direction together with the chuck table 20. A bellows cover 12 that expands and contracts in the Y-axis direction is connected to the cover plate 39. A Y-axis direction movement mechanism 40 is provided below the wafer holding mechanism 30.

Ｙ軸方向移動機構４０は、チャックテーブル２０と研磨機構７０の研磨パッド７７とを、相対的に、保持面２２に平行なＹ軸方向に移動させる。本実施形態では、Ｙ軸方向移動機構４０は、研磨パッド７７に対して、チャックテーブル２０をＹ軸方向に移動させるように構成されている。 The Y-axis direction moving mechanism 40 moves the chuck table 20 and the polishing pad 77 of the polishing mechanism 70 relative to each other in the Y-axis direction parallel to the holding surface 22. In this embodiment, the Y-axis direction moving mechanism 40 is configured to move the chuck table 20 in the Y-axis direction relative to the polishing pad 77.

Ｙ軸方向移動機構４０は、Ｙ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール４２、このＹ軸ガイドレール４２上をスライドするＹ軸移動テーブル４５、Ｙ軸ガイドレール４２と平行なＹ軸ボールネジ４３、Ｙ軸ボールネジ４３に接続されているＹ軸モータ４４、および、これらを保持する保持台４１を備えている。 The Y-axis movement mechanism 40 includes a pair of Y-axis guide rails 42 parallel to the Y-axis direction, a Y-axis movement table 45 that slides on the Y-axis guide rails 42, a Y-axis ball screw 43 parallel to the Y-axis guide rails 42, a Y-axis motor 44 connected to the Y-axis ball screw 43, and a holder 41 that holds these.

Ｙ軸移動テーブル４５は、Ｙ軸ガイドレール４２にスライド可能に設置されている。Ｙ軸移動テーブル４５には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、Ｙ軸ボールネジ４３が螺合されている。Ｙ軸モータ４４は、Ｙ軸ボールネジ４３の一端部に連結されている。 The Y-axis moving table 45 is slidably installed on the Y-axis guide rail 42. A nut portion (not shown) is fixed to the Y-axis moving table 45. The Y-axis ball screw 43 is screwed into this nut portion. The Y-axis motor 44 is connected to one end of the Y-axis ball screw 43.

Ｙ軸方向移動機構４０では、Ｙ軸モータ４４がＹ軸ボールネジ４３を回転させることにより、Ｙ軸移動テーブル４５が、Ｙ軸ガイドレール４２に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸移動テーブル４５には、ウェーハ保持機構３０が載置されている。したがって、Ｙ軸移動テーブル４５のＹ軸方向への移動に伴って、チャックテーブル２０を含むウェーハ保持機構３０が、Ｙ軸方向に移動する。 In the Y-axis direction moving mechanism 40, the Y-axis motor 44 rotates the Y-axis ball screw 43, causing the Y-axis moving table 45 to move in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 42. The wafer holding mechanism 30 is placed on the Y-axis moving table 45. Therefore, as the Y-axis moving table 45 moves in the Y-axis direction, the wafer holding mechanism 30 including the chuck table 20 moves in the Y-axis direction.

本実施形態では、ウェーハ保持機構３０は、チャックテーブル２０の保持面２２にウェーハ１００を保持させるための－Ｙ方向側のウェーハ保持位置と、保持面２２に保持されているウェーハ１００が研磨される＋Ｙ方向側の研磨位置との間を、Ｙ軸方向移動機構４０によって、Ｙ軸方向に沿って移動される。 In this embodiment, the wafer holding mechanism 30 is moved along the Y-axis direction by the Y-axis movement mechanism 40 between a wafer holding position on the -Y direction side for holding the wafer 100 on the holding surface 22 of the chuck table 20, and a polishing position on the +Y direction side where the wafer 100 held on the holding surface 22 is polished.

また、第２の装置ベース１１の－Ｘ方向側には、コラム１５が立設されている。コラム１５の前面には、ウェーハ１００を研磨する研磨機構７０、および、垂直移動機構６０が設けられている。 A column 15 is erected on the -X direction side of the second device base 11. A polishing mechanism 70 for polishing the wafer 100 and a vertical movement mechanism 60 are provided in front of the column 15.

垂直移動機構６０は、チャックテーブル２０と研磨機構７０の研磨パッド７７とを、保持面２２に垂直なＺ軸方向に相対的に移動させる。本実施形態では、垂直移動機構６０は、チャックテーブル２０に対して、研磨パッド７７をＺ軸方向に移動させるように構成されている。 The vertical movement mechanism 60 moves the chuck table 20 and the polishing pad 77 of the polishing mechanism 70 relative to each other in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 22. In this embodiment, the vertical movement mechanism 60 is configured to move the polishing pad 77 in the Z-axis direction relative to the chuck table 20.

垂直移動機構６０は、コラム１５に固定された固定板６７、固定板６７に固定されＺ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール６１、このＺ軸ガイドレール６１上をスライドするＺ軸移動テーブル６３、Ｚ軸ガイドレール６１と平行なＺ軸ボールネジ６２、Ｚ軸モータ６４、および、Ｚ軸移動テーブル６３に取り付けられたホルダ６６を備えている。ホルダ６６は、研磨機構７０を支持している。 The vertical movement mechanism 60 includes a fixed plate 67 fixed to the column 15, a pair of Z-axis guide rails 61 fixed to the fixed plate 67 and parallel to the Z-axis direction, a Z-axis movement table 63 that slides on the Z-axis guide rails 61, a Z-axis ball screw 62 parallel to the Z-axis guide rails 61, a Z-axis motor 64, and a holder 66 attached to the Z-axis movement table 63. The holder 66 supports the polishing mechanism 70.

Ｚ軸移動テーブル６３は、Ｚ軸ガイドレール６１にスライド可能に設置されている。Ｚ軸移動テーブル６３には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、Ｚ軸ボールネジ６２が螺合されている。Ｚ軸モータ６４は、Ｚ軸ボールネジ６２の一端部に連結されている。 The Z-axis moving table 63 is slidably installed on the Z-axis guide rail 61. A nut portion (not shown) is fixed to the Z-axis moving table 63. The Z-axis ball screw 62 is screwed into this nut portion. The Z-axis motor 64 is connected to one end of the Z-axis ball screw 62.

垂直移動機構６０では、Ｚ軸モータ６４がＺ軸ボールネジ６２を回転させることにより、Ｚ軸移動テーブル６３が、Ｚ軸ガイドレール６１に沿ってＺ軸方向に移動する。これにより、Ｚ軸移動テーブル６３に取り付けられたホルダ６６、および、ホルダ６６に支持された研磨機構７０も、Ｚ軸移動テーブル６３とともにＺ軸方向に移動する。 In the vertical movement mechanism 60, the Z-axis motor 64 rotates the Z-axis ball screw 62, causing the Z-axis movement table 63 to move in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 61. As a result, the holder 66 attached to the Z-axis movement table 63 and the polishing mechanism 70 supported by the holder 66 also move in the Z-axis direction together with the Z-axis movement table 63.

研磨機構７０は、保持部であるチャックテーブル２０に保持されたウェーハ１００を加工する加工ユニットの一例であり、ウェーハ１００を研磨加工する。研磨機構７０は、ホルダ６６に固定されたスピンドルハウジング７１、スピンドルハウジング７１に回転可能に保持されたスピンドル７２、スピンドル７２を回転駆動するスピンドルモータ７３、スピンドル７２の下端に取り付けられたホイールマウント７４、および、ホイールマウント７４に支持された研磨ホイール７５を備えている。 The polishing mechanism 70 is an example of a processing unit that processes the wafer 100 held on the chuck table 20, which is a holding unit, and polishes the wafer 100. The polishing mechanism 70 includes a spindle housing 71 fixed to the holder 66, a spindle 72 rotatably held in the spindle housing 71, a spindle motor 73 that rotates the spindle 72, a wheel mount 74 attached to the lower end of the spindle 72, and a polishing wheel 75 supported by the wheel mount 74.

スピンドルハウジング７１は、Ｚ軸方向に延びるようにホルダ６６に保持されている。スピンドル７２は、チャックテーブル２０の保持面２２と直交するようにＺ軸方向に延び、スピンドルハウジング７１に回転可能に支持されている。 The spindle housing 71 is held by the holder 66 so as to extend in the Z-axis direction. The spindle 72 extends in the Z-axis direction so as to be perpendicular to the holding surface 22 of the chuck table 20, and is rotatably supported by the spindle housing 71.

スピンドルモータ７３は、スピンドル７２の上端側に連結されている。このスピンドルモータ７３により、スピンドル７２は、Ｚ軸方向に延びる回転軸を中心として回転する。 The spindle motor 73 is connected to the upper end of the spindle 72. This spindle motor 73 rotates the spindle 72 around a rotation axis extending in the Z-axis direction.

ホイールマウント７４は、円板状に形成されており、スピンドル７２の下端（先端）に固定されている。ホイールマウント７４は、研磨ホイール７５を支持している。 The wheel mount 74 is formed in a disk shape and is fixed to the lower end (tip) of the spindle 72. The wheel mount 74 supports the grinding wheel 75.

研磨ホイール７５は、ホイールマウント７４の外径と略同径の外径を有するように形成されている。研磨ホイール７５は、ホイールマウント７４の下面に連結されたホイール基台７６を含む。 The grinding wheel 75 is formed to have an outer diameter that is approximately the same as the outer diameter of the wheel mount 74. The grinding wheel 75 includes a wheel base 76 that is connected to the underside of the wheel mount 74.

ホイール基台７６の下面には、研磨パッド７７が設けられている。研磨パッド７７は、たとえば、フェルト等の不織布からなる。研磨パッド７７の下面が、ウェーハ１００の裏面１０２を研磨する研磨面となる。研磨パッド７７は、その中心を軸に、スピンドル７２とともにスピンドルモータ７３によって回転され、チャックテーブル２０に保持されたウェーハ１００の裏面１０２を研磨する。 A polishing pad 77 is provided on the underside of the wheel base 76. The polishing pad 77 is made of, for example, nonwoven fabric such as felt. The underside of the polishing pad 77 serves as the polishing surface for polishing the backside 102 of the wafer 100. The polishing pad 77 is rotated around its center by the spindle motor 73 together with the spindle 72, and polishes the backside 102 of the wafer 100 held on the chuck table 20.

また、研磨機構７０は、研磨パッド７７に研磨液を供給するための研磨液供給部７８に接続されている。研磨液供給部７８は、研磨液供給源２０１に連通されている。 The polishing mechanism 70 is also connected to a polishing liquid supply unit 78 for supplying polishing liquid to the polishing pad 77. The polishing liquid supply unit 78 is connected to a polishing liquid supply source 201.

研磨パッド７７による研磨の際、研磨液供給部７８は、研磨液供給源２０１から供給される研磨液をスピンドル７２内の研磨液供給路（図示せず）に供給する。これにより、ウェーハ１００の被研磨面である裏面１０２と研磨パッド７７の下面との間に、研磨液が供給される。 During polishing with the polishing pad 77, the polishing liquid supply unit 78 supplies the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply source 201 to the polishing liquid supply path (not shown) in the spindle 72. This allows the polishing liquid to be supplied between the back surface 102, which is the surface to be polished of the wafer 100, and the underside of the polishing pad 77.

なお、研磨ホイール７５および研磨パッド７７の外径は、ウェーハ１００の外径よりも大きく設計されている。このため、研磨パッド７７によってウェーハ１００を研磨する際には、研磨パッド７７の下面（研磨面）には、ウェーハ１００からはみ出ている部分がある。そして、研磨装置１は、研磨液供給部７８に代えてまたは加えて、研磨パッド７７による研磨時に、研磨パッド７７の下面におけるウェーハ１００からはみ出た部分に研磨液を噴射する研磨液ノズルを有していてもよい。 The outer diameters of the polishing wheel 75 and the polishing pad 77 are designed to be larger than the outer diameter of the wafer 100. Therefore, when the wafer 100 is polished with the polishing pad 77, there is a portion of the underside (polishing surface) of the polishing pad 77 that protrudes from the wafer 100. The polishing apparatus 1 may have, instead of or in addition to the polishing liquid supply unit 78, a polishing liquid nozzle that sprays polishing liquid onto the portion of the underside of the polishing pad 77 that protrudes from the wafer 100 during polishing with the polishing pad 77.

研磨後のウェーハ１００は、搬出機構１７２によって搬出される。搬出機構１７２は、第１カセット３と第２カセット４とチャックテーブル２０とに対してウェーハ１００を搬送する搬送機構の一例である。本実施形態では、搬出機構１７２は、チャックテーブル２０に保持されたウェーハ１００を、枚葉式のスピンナ洗浄機構１５６のスピンナテーブル１５７に搬送する。 After polishing, the wafer 100 is removed by the unloading mechanism 172. The unloading mechanism 172 is an example of a transport mechanism that transports the wafer 100 between the first cassette 3, the second cassette 4, and the chuck table 20. In this embodiment, the unloading mechanism 172 transports the wafer 100 held on the chuck table 20 to the spinner table 157 of the single-wafer spinner cleaning mechanism 156.

スピンナ洗浄機構１５６は、ウェーハ１００を洗浄するスピンナ洗浄ユニットである。スピンナ洗浄機構１５６は、ウェーハ１００を保持するスピンナテーブル１５７、および、スピンナテーブル１５７に向けて洗浄水および乾燥エアを噴射するノズル１５８を備えている。 The spinner cleaning mechanism 156 is a spinner cleaning unit that cleans the wafer 100. The spinner cleaning mechanism 156 includes a spinner table 157 that holds the wafer 100, and a nozzle 158 that sprays cleaning water and dry air toward the spinner table 157.

スピンナ洗浄機構１５６では、ウェーハ１００を保持したスピンナテーブル１５７が回転するとともに、ウェーハ１００に向けて洗浄水が噴射されて、ウェーハ１００が洗浄される。その後、ウェーハ１００に乾燥エアが吹き付けられて、ウェーハ１００が乾燥される。 In the spinner cleaning mechanism 156, the spinner table 157 holding the wafer 100 rotates and cleaning water is sprayed toward the wafer 100 to clean the wafer 100. Dry air is then sprayed onto the wafer 100 to dry it.

スピンナ洗浄機構１５６によって洗浄されたウェーハ１００は、ロボット１５５により、第１カセット３あるいは第２カセット４に搬入される。 The wafer 100 cleaned by the spinner cleaning mechanism 156 is transferred by the robot 155 into the first cassette 3 or the second cassette 4.

また、研磨装置１は、図示しない筐体に取り付けられたタッチパネル９を備えている。タッチパネル９には、研磨装置１に関する各種情報が表示される。また、タッチパネル９は、ウェーハ１００を加工する加工条件などの各種情報を設定するためにも用いられる。このように、タッチパネル９は、情報を表示するための表示部材として機能するとともに、情報を入力するための入力部材としても機能する。 The polishing apparatus 1 also includes a touch panel 9 attached to a housing (not shown). Various information related to the polishing apparatus 1 is displayed on the touch panel 9. The touch panel 9 is also used to set various information such as the processing conditions for processing the wafer 100. In this way, the touch panel 9 functions as a display member for displaying information, and also functions as an input member for inputting information.

特に、本実施形態では、作業者は、タッチパネル９を用いて、ウェーハ１００を加工するための複数の加工条件（加工レシピ）を設定することができる。すなわち、タッチパネル９は、ウェーハ１００を加工する加工条件を複数設定する加工条件設定部として機能する。 In particular, in this embodiment, the operator can use the touch panel 9 to set multiple processing conditions (processing recipes) for processing the wafer 100. In other words, the touch panel 9 functions as a processing condition setting unit that sets multiple processing conditions for processing the wafer 100.

加工条件は、たとえば、ウェーハ１００に対する加工方法の詳細を指定するものであり、ウェーハ１００の仕上げ厚みなどを含む。加工条件は、たとえば、ウェーハ１００の品種（材質など）に応じて定められる。 The processing conditions specify, for example, the details of the processing method for the wafer 100, and include the finished thickness of the wafer 100. The processing conditions are determined, for example, according to the type (material, etc.) of the wafer 100.

また、本実施形態では、作業者は、タッチパネル９を用いて、第１カセット３における加工後に検査されるウェーハ１００が収納されている棚である検査対象棚を設定する。すなわち、作業者は、タッチパネル９を用いて、第１カセット３における第１棚８１～第８棚８８のいずれの棚に収容されているウェーハ１００を検査対象とするか、を設定することができる。このように、タッチパネル９は、第１カセット３における、加工後に検査されるウェーハ１００が収納されている棚である検査対象棚を設定するための設定部としても機能する。 In addition, in this embodiment, the operator uses the touch panel 9 to set the inspection target shelf, which is the shelf in the first cassette 3 that stores the wafers 100 to be inspected after processing. That is, the operator can use the touch panel 9 to set which shelf, among the first shelf 81 to the eighth shelf 88 in the first cassette 3, the wafers 100 stored in will be inspected. In this way, the touch panel 9 also functions as a setting unit for setting the inspection target shelf, which is the shelf in the first cassette 3 that stores the wafers 100 to be inspected after processing.

さらに、研磨装置１は、その内部に、研磨装置１の制御のための制御部７を有している。制御部７は、制御プログラムに従って演算処理を行うＣＰＵ、および、メモリ等の記憶媒体等を備えている。制御部７は、各種の処理を実行し、研磨装置１の各構成要素を統括制御する。 The polishing apparatus 1 further includes a control unit 7 for controlling the polishing apparatus 1. The control unit 7 includes a CPU that performs calculations according to a control program, and a storage medium such as a memory. The control unit 7 executes various processes and provides overall control of each component of the polishing apparatus 1.

たとえば、制御部７は、研磨装置１の上述した各部材を制御して、ウェーハ１００に対する研磨処理を実行する。
以下に、本実施形態にかかる研磨処理について説明する。 For example, the control unit 7 controls the above-mentioned components of the polishing apparatus 1 to perform a polishing process on the wafer 100 .
The polishing process according to this embodiment will be described below.

［設定工程］
まず、作業者が、タッチパネル９を用いて、第１カセット３における加工後に検査されるウェーハ１００が収納されている棚である検査対象棚を設定する。これにより、第１カセット３における第１棚８１～第８棚８８のいずれに収容されているウェーハ１００を検査対象とするかが設定される。
なお、本実施形態では、一例として、作業者が、第１棚８１および第８棚８８を検査対象棚として設定したとする。 [Settings process]
First, the operator uses the touch panel 9 to set an inspection target shelf that stores the wafers 100 to be inspected after processing in the first cassette 3. This sets which of the first shelf 81 to eighth shelf 88 in the first cassette 3 stores the wafers 100 to be inspected.
In this embodiment, as an example, it is assumed that the worker sets the first shelf 81 and the eighth shelf 88 as the shelves to be inspected.

［保持工程］
次に、制御部７が、図３に矢印Ａ１および矢印Ａ２に示すように、ロボット１５５を制御して、第１カセット３から加工前のウェーハ１００を取り出して、仮置き機構１５２の仮置きテーブル１５４に載置し、ウェーハ１００を、所定の位置に位置合わせする。この際、制御部７は、たとえば、第１カセット３における最下段の第１棚８１から順に、ウェーハ１００を取り出す。 [Holding process]
3, the control unit 7 controls the robot 155 to take out the unprocessed wafers 100 from the first cassette 3, place them on the temporary placement table 154 of the temporary placement mechanism 152, and align the wafers 100 to a predetermined position. At this time, the control unit 7 takes out the wafers 100, for example, starting from the lowest first shelf 81 in the first cassette 3.

さらに、制御部７は、搬入機構１７０を制御して、仮置き機構１５２上のウェーハ１００を保持し、矢印Ａ３に示すように、－Ｙ方向側のウェーハ保持位置にあるチャックテーブル２０の保持面２２に、裏面１０２を上面として載置する。その後、制御部７は、Ｙ軸方向移動機構４０を制御して、研磨機構７０の下方となる＋Ｙ方向側の研磨位置に、チャックテーブル２０を含むウェーハ保持機構３０（図１参照）を配置する。 The control unit 7 further controls the carry-in mechanism 170 to hold the wafer 100 on the temporary placement mechanism 152, and places the wafer 100 with the back surface 102 facing up on the holding surface 22 of the chuck table 20 at the wafer holding position on the -Y direction side, as shown by arrow A3. The control unit 7 then controls the Y-axis direction movement mechanism 40 to position the wafer holding mechanism 30 (see FIG. 1) including the chuck table 20 at the polishing position on the +Y direction side below the polishing mechanism 70.

［研磨工程］
次に、制御部７は、図１に示した研磨機構７０の研磨パッド７７を回転させるとともに、ウェーハ保持機構３０のチャックテーブル２０を回転させる。そして、制御部７は、垂直移動機構６０によって、研磨パッド７７を含む研磨機構７０を、－Ｚ方向に研磨送りする。これにより、回転する研磨パッド７７が、回転するチャックテーブル２０に保持されているウェーハ１００の裏面１０２に接触し、この裏面１０２を研磨する。 [Polishing process]
1 and rotates the chuck table 20 of the wafer holding mechanism 30. Then, the control unit 7 causes the vertical movement mechanism 60 to feed the polishing mechanism 70 including the polishing pad 77 in the -Z direction for polishing. As a result, the rotating polishing pad 77 comes into contact with the back surface 102 of the wafer 100 held on the rotating chuck table 20, and polishes the back surface 102.

［搬出工程］
次に、制御部７は、Ｙ軸方向移動機構４０を制御して、－Ｙ方向側の研磨位置に、チャックテーブル２０を含むウェーハ保持機構３０を配置する。そして、制御部７は、搬出機構１７２を制御して、チャックテーブル２０上のウェーハ１００を保持し、図３に矢印Ａ４に示すように、スピンナ洗浄機構１５６のスピンナテーブル１５７にウェーハ１００を載置する。制御部７は、スピンナ洗浄機構１５６によってウェーハ１００を洗浄した後、ロボット１５５を制御して、ウェーハ１００を保持して、矢印Ａ５に示すように、スピンナ洗浄機構１５６から取り出す。 [Carry-out process]
Next, the control unit 7 controls the Y-axis direction moving mechanism 40 to place the wafer holding mechanism 30 including the chuck table 20 at the polishing position on the -Y direction side. Then, the control unit 7 controls the carry-out mechanism 172 to hold the wafer 100 on the chuck table 20, and place the wafer 100 on the spinner table 157 of the spinner cleaning mechanism 156, as shown by the arrow A4 in Fig. 3. After the control unit 7 cleans the wafer 100 with the spinner cleaning mechanism 156, the control unit 7 controls the robot 155 to hold the wafer 100 and remove it from the spinner cleaning mechanism 156, as shown by the arrow A5.

このとき、制御部７は、スピンナ洗浄機構１５６から取り出されたウェーハ１００が、設定工程において設定された検査対象棚に収容されていたか否かを判断する。そして、制御部７は、このウェーハ１００が検査対象棚ではない棚に収容されていたと判断した場合、ロボット１５５により、このウェーハ１００を、第１カセット３における加工前に収容されていた棚に収容する（矢印Ａ６）。
たとえば、このウェーハ１００が第１カセット３の第２棚８２に収容されていた場合、制御部７は、ロボット１５５によって、このウェーハ１００を、第１カセット３の第２棚８２に戻す。 At this time, the control unit 7 judges whether or not the wafer 100 removed from the spinner cleaning mechanism 156 was accommodated in the inspection target shelf set in the setting step. If the control unit 7 judges that the wafer 100 was accommodated in a shelf other than the inspection target shelf, the control unit 7 causes the robot 155 to accommodate the wafer 100 in the shelf in the first cassette 3 where the wafer 100 was accommodated before processing (arrow A6).
For example, if this wafer 100 is accommodated in the second shelf 82 of the first cassette 3 , the control unit 7 causes the robot 155 to return this wafer 100 to the second shelf 82 of the first cassette 3 .

一方、制御部７は、ウェーハ１００が検査対象棚に収容されていたと判断した場合、ロボット１５５により、このウェーハ１００を、加工後に検査されるウェーハ１００として、第２カセット４における、第１カセット３の検査対象棚と同じ位置の棚に収容する（矢印Ａ７）。
たとえば、このウェーハ１００が第１カセット３の第１棚８１に収容されていた場合、制御部７は、ロボット１５５によって、このウェーハ１００を、第２カセット４の第１棚８１に収容する。 On the other hand, if the control unit 7 determines that the wafer 100 was stored in the shelf to be inspected, the robot 155 stores the wafer 100 in the second cassette 4 in a shelf at the same position as the shelf to be inspected in the first cassette 3 as the wafer 100 to be inspected after processing (arrow A7).
For example, if the wafer 100 is stored in the first shelf 81 of the first cassette 3 , the control unit 7 causes the robot 155 to store the wafer 100 in the first shelf 81 of the second cassette 4 .

このようにして、制御部７は、第１カセット３の第１棚８１～第８棚８８に収容されている全てのウェーハ１００の研磨加工を実施する。その結果、図２に示すように、作業者によって検査対象棚として設定された第１カセット３の第１棚８１および第８棚８８に収容されていたウェーハ１００が、加工後に、第２カセット４における第１棚８１および第８棚８８に収容される。一方、第１カセット３における他の第２棚８２～第７棚８７に収容されていたウェーハ１００は、加工後に、第１カセット３における第２棚８２～第７棚８７に収容される。 In this way, the control unit 7 performs polishing processing on all of the wafers 100 stored in the first shelf 81 to the eighth shelf 88 of the first cassette 3. As a result, as shown in FIG. 2, the wafers 100 stored in the first shelf 81 and the eighth shelf 88 of the first cassette 3, which have been set by the operator as the shelves to be inspected, are stored in the first shelf 81 and the eighth shelf 88 of the second cassette 4 after processing. Meanwhile, the wafers 100 stored in the other second shelf 82 to the seventh shelf 87 of the first cassette 3 are stored in the second shelf 82 to the seventh shelf 87 of the first cassette 3 after processing.

その後、作業者は、検査されるウェーハ１００が収容された第２カセット４を、検査工程を実施する検査装置（図示せず）に搬送する。 Then, the worker transports the second cassette 4 containing the wafers 100 to be inspected to an inspection device (not shown) that will perform the inspection process.

以上のように、本実施形態では、作業者によって検査対象棚として設定された第１カセット３の棚（第１棚８１および第８棚８８）に収容されていたウェーハ１００が、加工後に、第２カセット４における、第１カセット３の検査対象棚と同じ位置の棚、すなわち、第２カセット４の第１棚８１および第８棚８８に収容される。これにより、作業者は、第２カセット４に収容された加工後に検査されるウェーハ１００が、第１カセット３のどの棚に収納されていたのかを、容易に把握することができる。したがって、加工後に検査されたウェーハ１００の管理が容易となる。 As described above, in this embodiment, the wafers 100 stored on the shelves (first shelf 81 and eighth shelf 88) of the first cassette 3 that are set by the operator as the shelves to be inspected are stored on the shelves in the second cassette 4 at the same positions as the shelves to be inspected in the first cassette 3, i.e., the first shelf 81 and the eighth shelf 88 of the second cassette 4, after processing. This allows the operator to easily know in which shelf of the first cassette 3 the wafers 100 to be inspected after processing that are stored in the second cassette 4 were stored. This makes it easier to manage the wafers 100 inspected after processing.

なお、作業者は、上述したように、タッチパネル９によって、ウェーハ１００を加工するための複数の加工条件を設定することができる。たとえば、作業者は、第１カセット３における８枚のウェーハ１００を複数のグループに分けて、グループごとに異なる加工条件を設定することができる。 As described above, the operator can use the touch panel 9 to set multiple processing conditions for processing the wafers 100. For example, the operator can divide the eight wafers 100 in the first cassette 3 into multiple groups and set different processing conditions for each group.

このような場合、制御部７は、加工条件ごと（グループごと）に少なくとも１つのウェーハ１００を加工後に検査されるウェーハとして選択し、第１カセット３における選択されたウェーハ１００が収容されている棚を、検査対象棚として設定してもよい。 In such a case, the control unit 7 may select at least one wafer 100 for each processing condition (each group) as a wafer to be inspected after processing, and set the shelf in the first cassette 3 on which the selected wafer 100 is stored as the shelf to be inspected.

たとえば、作業者が、第１カセット３における第１棚８１および第２棚８２に収容されているウェーハ１００の加工条件として第１加工条件を設定し、第３棚８３～第５棚８５に収容されているウェーハ１００の加工条件として第２加工条件を設定し、第６棚８６～第８棚８８に収容されているウェーハ１００の加工条件として第３加工条件を設定したとする。 For example, suppose that an operator sets a first processing condition as the processing condition for the wafers 100 stored on the first shelf 81 and the second shelf 82 in the first cassette 3, sets a second processing condition as the processing condition for the wafers 100 stored on the third shelf 83 to the fifth shelf 85, and sets a third processing condition as the processing condition for the wafers 100 stored on the sixth shelf 86 to the eighth shelf 88.

この場合、制御部７は、たとえば、各加工条件にて加工される最初のウェーハ１００を、加工後に検査されるウェーハとして選択する。すなわち、制御部７は、第１加工条件に関して第１棚８１に収容されているウェーハ１００を、第２加工条件に関して第３棚８３に収容されているウェーハ１００を、第３加工条件に関して第６棚８６に収容されているウェーハ１００を、加工後に検査されるウェーハとして選択する。そして、制御部７は、これらのウェーハ１００が収容されている第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６を、検査対象棚として設定する。 In this case, the control unit 7 selects, for example, the first wafer 100 to be processed under each processing condition as the wafer to be inspected after processing. That is, the control unit 7 selects the wafer 100 stored on the first shelf 81 for the first processing condition, the wafer 100 stored on the third shelf 83 for the second processing condition, and the wafer 100 stored on the sixth shelf 86 for the third processing condition as the wafer to be inspected after processing. Then, the control unit 7 sets the first shelf 81, the third shelf 83, and the sixth shelf 86, which store these wafers 100, as the shelves to be inspected.

この場合、制御部７は、上述した搬出工程において、検査対象棚として設定した第１カセット３の第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６に収容されていたウェーハ１００を、加工後に、第２カセット４における第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６に収容する。一方、制御部７は、第１カセット３における他の第２棚８２、第４棚８４、第５棚８５、第７棚８７および第８棚８８に収容されていたウェーハ１００を、加工後に、第１カセット３における第２棚８２、第４棚８４、第５棚８５、第７棚８７および第８棚８８に収容する。 In this case, the control unit 7 stores the wafers 100 stored in the first shelf 81, third shelf 83, and sixth shelf 86 of the first cassette 3, which are set as the shelves to be inspected in the above-mentioned unloading process, in the first shelf 81, third shelf 83, and sixth shelf 86 of the second cassette 4 after processing. Meanwhile, the control unit 7 stores the wafers 100 stored in the other second shelf 82, fourth shelf 84, fifth shelf 85, seventh shelf 87, and eighth shelf 88 of the first cassette 3 in the second shelf 82, fourth shelf 84, fifth shelf 85, seventh shelf 87, and eighth shelf 88 of the first cassette 3 after processing.

この構成では、加工条件ごとに少なくとも１枚のウェーハ１００を加工後に検査することが可能となるとともに、作業者は、第２カセット４に収容されている加工後に検査されるウェーハ１００が、第１カセット３のどの棚に収納されていたのかを、容易に把握することができる。 This configuration makes it possible to inspect at least one wafer 100 after processing for each processing condition, and allows the operator to easily determine on which shelf of the first cassette 3 the wafer 100 to be inspected after processing, which is stored in the second cassette 4, was stored.

また、本実施形態では、作業者は、第１カセット３の第１棚８１～第８棚８８に、互いに異なる複数の品種のウェーハ１００を収容し、タッチパネル９を用いて、第１棚８１～第８棚８８に収容されているウェーハ１００の品種を研磨装置１に設定（入力）することができる。 In addition, in this embodiment, the operator can store multiple different types of wafers 100 in the first shelf 81 to the eighth shelf 88 of the first cassette 3, and use the touch panel 9 to set (input) the types of wafers 100 stored in the first shelf 81 to the eighth shelf 88 in the polishing apparatus 1.

このような場合、制御部７は、ウェーハ１００の品種ごとに少なくとも１つのウェーハ１００を加工後に検査されるウェーハ１００として選択し、第１カセット３における選択されたウェーハ１００が収容されている棚を、検査対象棚として設定してもよい。 In such a case, the control unit 7 may select at least one wafer 100 for each type of wafer 100 as the wafer 100 to be inspected after processing, and set the shelf in the first cassette 3 on which the selected wafer 100 is stored as the shelf to be inspected.

なお、このように第１カセット３に収容されている複数のウェーハ１００を複数の加工条件にて加工する場合でも、作業者が、制御部７に代わって、タッチパネル９を用いて検査対象棚を設定してもよい。 Even when processing multiple wafers 100 stored in the first cassette 3 under multiple processing conditions in this manner, the operator may set the shelf to be inspected using the touch panel 9 instead of the control unit 7.

たとえば、作業者が、第１棚８１および第２棚８２に品種Ｂ１のウェーハ１００を収容し、第３棚８３～第５棚８５に品種Ｂ２のウェーハ１００を収容し、第６棚８６～第８棚８８に品種Ｂ３のウェーハ１００を収容し、第１棚８１～第８棚８８に収容されているウェーハ１００の品種を、タッチパネル９を用いて設定したとする。 For example, suppose that an operator places wafers 100 of type B1 on the first shelf 81 and the second shelf 82, wafers 100 of type B2 on the third shelf 83 to the fifth shelf 85, wafers 100 of type B3 on the sixth shelf 86 to the eighth shelf 88, and sets the types of wafers 100 placed on the first shelf 81 to the eighth shelf 88 using the touch panel 9.

この場合、制御部７は、たとえば、各品種に関して最初に加工されるウェーハ１００を、加工後に検査されるウェーハとして選択する。すなわち、制御部７は、品種Ｂ１に関して第１棚８１に収容されているウェーハ１００を、品種Ｂ２に関して第３棚８３に収容されているウェーハ１００を、品種Ｂ３に関して第６棚８６に収容されているウェーハ１００を、加工後に検査されるウェーハとして選択する。そして、制御部７は、これらのウェーハ１００が収容されている第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６を、検査対象棚として設定する。 In this case, the control unit 7 selects, for example, the first wafer 100 to be processed for each type as the wafer to be inspected after processing. That is, the control unit 7 selects the wafer 100 stored on the first shelf 81 for type B1, the wafer 100 stored on the third shelf 83 for type B2, and the wafer 100 stored on the sixth shelf 86 for type B3 as the wafer to be inspected after processing. The control unit 7 then sets the first shelf 81, the third shelf 83, and the sixth shelf 86 on which these wafers 100 are stored as the shelves to be inspected.

この場合、制御部７は、上述した搬出工程において、検査対象棚として設定した第１カセット３の第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６に収容されていたウェーハ１００を、加工後に、第２カセット４における第１棚８１、第３棚８３および第６棚８６に収容する。一方、制御部７は、第１カセット３における他の第２棚８２、第４棚８４、第５棚８５、第７棚８７および第８棚８８に収容されていたウェーハ１００を、加工後に、第１カセット３における第２棚８２、第４棚８４、第５棚８５、第７棚８７および第８棚８８に収容する。 In this case, the control unit 7 stores the wafers 100 stored in the first shelf 81, third shelf 83, and sixth shelf 86 of the first cassette 3, which are set as the shelves to be inspected in the above-mentioned unloading process, in the first shelf 81, third shelf 83, and sixth shelf 86 of the second cassette 4 after processing. Meanwhile, the control unit 7 stores the wafers 100 stored in the other second shelf 82, fourth shelf 84, fifth shelf 85, seventh shelf 87, and eighth shelf 88 of the first cassette 3 in the second shelf 82, fourth shelf 84, fifth shelf 85, seventh shelf 87, and eighth shelf 88 of the first cassette 3 after processing.

この構成では、品種ごとに少なくとも１枚のウェーハ１００を加工後に検査することが可能となるとともに、作業者は、第２カセット４に収容されている加工後に検査されるウェーハ１００が、第１カセット３のどの棚に収納されていたのかを、容易に把握することができる。 This configuration makes it possible to inspect at least one wafer 100 for each type after processing, and allows the worker to easily know on which shelf of the first cassette 3 the wafer 100 to be inspected after processing, which is stored in the second cassette 4, was stored.

なお、このように第１カセット３に複数の品種のウェーハ１００を収容する場合でも、作業者が、制御部７に代わって、タッチパネル９を用いて検査対象棚を設定してもよい。 Even when multiple types of wafers 100 are stored in the first cassette 3 in this manner, the operator may set the shelf to be inspected using the touch panel 9 instead of the control unit 7.

また、本実施形態では、第１カセット３内に収容されている全てのウェーハ１００の加工が終了した後、作業者が、検査されるウェーハ１００が収容された第２カセット４を、検査工程を実施する検査装置に搬送している。これに関し、作業者は、検査される全てのウェーハ１００の加工が終わった段階で、これらのウェーハ１００が収容されている第２カセット４を検査装置に搬送してもよい。 In addition, in this embodiment, after processing of all the wafers 100 contained in the first cassette 3 is completed, the worker transports the second cassette 4 containing the wafers 100 to be inspected to an inspection device that performs the inspection process. In this regard, the worker may transport the second cassette 4 containing the wafers 100 to the inspection device at the stage where processing of all the wafers 100 to be inspected is completed.

また、本実施形態では、加工装置の一例として、研磨装置１を示している。これに関し、本実施形態にかかる加工装置は、複数の棚を備えたカセットの該棚に収納されたウェーハを加工する加工装置であれば、研磨装置に限らず、どのような加工装置であってもよい。たとえば、加工装置は、加工ユニットとしての研削機構を有する研削装置であってもよいし、加工ユニットとしての切削機構を有する切削装置であってもよい。 In addition, in this embodiment, a polishing device 1 is shown as an example of a processing device. In this regard, the processing device according to this embodiment is not limited to a polishing device, and may be any processing device that processes wafers stored on a shelf of a cassette having multiple shelves. For example, the processing device may be a grinding device having a grinding mechanism as a processing unit, or a cutting device having a cutting mechanism as a processing unit.

また、本実施形態では、第１カセット３および第２カセット４は、一列に形成された８段の棚である第１棚８１～第８棚８８を有している。これに関し、第１カセット３および第２カセット４の棚の列数は複数であってもよいし、各列における棚の段数は、８段未満でも９段以上であってもよい。 In addition, in this embodiment, the first cassette 3 and the second cassette 4 have a first shelf 81 to an eighth shelf 88, which are eight shelves formed in a row. In this regard, the number of rows of shelves in the first cassette 3 and the second cassette 4 may be multiple, and the number of shelves in each row may be less than eight or nine or more.

また、本実施形態では、第１カセット３と第２カセット４は、互いに同一の構造を有している。これに関し、第２カセット４は、第１カセット３の棚（棚の列数、および、各列における棚の段数）と同数の棚または同数以上の棚を有していれば、第１カセット３と同一の構造を有していなくてもよい。この場合でも、制御部は、第１カセット３の検査対象棚に収納されていたウェーハ１００を、加工後に、ロボット１５５によって、第２カセット４における、第１カセット３の検査対象棚と同じ位置の棚に収納することができる。 In addition, in this embodiment, the first cassette 3 and the second cassette 4 have the same structure as each other. In this regard, the second cassette 4 does not have to have the same structure as the first cassette 3, so long as it has the same number of shelves as the first cassette 3 (the number of shelves in rows and the number of shelves in each row) or more. Even in this case, the control unit can store the wafers 100 stored in the inspection target shelf of the first cassette 3, after processing, by the robot 155, in the second cassette 4 at the same position as the inspection target shelf of the first cassette 3.

１：研磨装置、３：第１カセット、４：第２カセット、５：開口、６：側壁、
７：制御部、９：タッチパネル、１０：第１の装置ベース、１１：第２の装置ベース、
１２：蛇腹カバー、１３：開口部、１５：コラム、
２０：チャックテーブル、２１：ポーラス部材、２２：保持面、２３：枠体、
２４：枠体面、２５：無端ベルト、２６：駆動部、２７：支持柱、２８：支持部材、
２９：チャックテーブルベース、３０：ウェーハ保持機構、３９：カバー板、
４０：Ｙ軸方向移動機構、４１：保持台、４２：Ｙ軸ガイドレール、
４３：Ｙ軸ボールネジ、４４：Ｙ軸モータ、４５：Ｙ軸移動テーブル、
６０：垂直移動機構、６１：Ｚ軸ガイドレール、６２：Ｚ軸ボールネジ、
６３：Ｚ軸移動テーブル、６４：Ｚ軸モータ、６６：ホルダ、６７：固定板、
７０：研磨機構、７１：スピンドルハウジング、７２：スピンドル、
７３：スピンドルモータ、７４：ホイールマウント、７５：研磨ホイール、
７６：ホイール基台、７７：研磨パッド、７８：研磨液供給部、８１：第１棚、
８２：第２棚、８３：第３棚、８４：第４棚、８５：第５棚、８６：第６棚、
８７：第７棚、８８：第８棚、１００：ウェーハ、１０１：表面、１０２：裏面、
１５２：仮置き機構、１５３：位置合わせ部材、１５４：仮置きテーブル、
１５５：ロボット、１５６：スピンナ洗浄機構、１５７：スピンナテーブル、
１５８：ノズル、１６０：第１カセットステージ、１６２：第２カセットステージ、
１７０：搬入機構、１７２：搬出機構、２０１：研磨液供給源、
Ａ１～Ａ７：矢印、Ｂ１～Ｂ３：品種 1: polishing device, 3: first cassette, 4: second cassette, 5: opening, 6: side wall,
7: control unit, 9: touch panel, 10: first device base, 11: second device base,
12: bellows cover, 13: opening, 15: column,
20: chuck table, 21: porous member, 22: holding surface, 23: frame,
24: frame surface, 25: endless belt, 26: drive unit, 27: support column, 28: support member,
29: chuck table base, 30: wafer holding mechanism, 39: cover plate,
40: Y-axis direction moving mechanism, 41: support stand, 42: Y-axis guide rail,
43: Y-axis ball screw, 44: Y-axis motor, 45: Y-axis moving table,
60: vertical movement mechanism, 61: Z-axis guide rail, 62: Z-axis ball screw,
63: Z-axis moving table, 64: Z-axis motor, 66: holder, 67: fixed plate,
70: polishing mechanism, 71: spindle housing, 72: spindle,
73: spindle motor, 74: wheel mount, 75: grinding wheel,
76: wheel base, 77: polishing pad, 78: polishing liquid supply unit, 81: first shelf,
82: second shelf, 83: third shelf, 84: fourth shelf, 85: fifth shelf, 86: sixth shelf,
87: seventh shelf, 88: eighth shelf, 100: wafer, 101: front surface, 102: back surface,
152: temporary placement mechanism, 153: alignment member, 154: temporary placement table,
155: robot, 156: spinner cleaning mechanism, 157: spinner table,
158: nozzle, 160: first cassette stage, 162: second cassette stage,
170: Carry-in mechanism, 172: Carry-out mechanism, 201: Polishing liquid supply source,
A1-A7: Arrows, B1-B3: Varieties

Claims (3)

複数の棚を備えたカセットの該棚に収納されたウェーハを加工する加工装置であって、
ウェーハを保持する保持部と、
該保持部に保持されたウェーハを加工する加工ユニットと、
ウェーハが収納された第１カセットが載置される第１カセットステージと、
ウェーハが収納されていない第２カセットが載置される第２カセットステージと、
該第１カセットと該第２カセットと該保持部とに対してウェーハを搬送する搬送機構と、
該第１カセットにおける加工後に検査されるウェーハが収納されている棚である検査対象棚を設定するための設定部と、
制御部と、を備え、
該制御部は、該第１カセットの該検査対象棚に収納されていたウェーハを、加工後に、該搬送機構によって、該第２カセットにおける、該第１カセットの該検査対象棚と同じ位置の棚に収納する、加工装置。 A processing apparatus for processing wafers stored in shelves of a cassette having a plurality of shelves, comprising:
A holder that holds the wafer;
a processing unit that processes the wafer held by the holding unit;
a first cassette stage on which a first cassette containing wafers is placed;
a second cassette stage on which a second cassette containing no wafers is placed;
a transfer mechanism that transfers wafers between the first cassette, the second cassette, and the holder;
a setting unit for setting an inspection target shelf which is a shelf storing wafers to be inspected after processing in the first cassette;
A control unit,
The control unit of the processing apparatus stores, after processing, the wafer stored in the inspection target shelf of the first cassette in a shelf in the second cassette at the same position as the inspection target shelf of the first cassette, using the transport mechanism. ウェーハを加工する加工条件を複数設定する加工条件設定部をさらに備え、
該制御部は、加工条件ごとに少なくとも１つのウェーハを加工後に検査されるウェーハとして選択し、該第１カセットにおける選択されたウェーハが収容されている棚を、該検査対象棚として設定する、
請求項１記載の加工装置。 Further comprising a processing condition setting unit for setting a plurality of processing conditions for processing the wafer,
the control unit selects at least one wafer for each processing condition as a wafer to be inspected after processing, and sets a shelf in the first cassette in which the selected wafer is accommodated as the shelf to be inspected;
The processing device according to claim 1. 該制御部は、ウェーハの品種ごとに少なくとも１つのウェーハを加工後に検査されるウェーハとして選択し、該第１カセットにおける選択されたウェーハが収容されている棚を、該検査対象棚として設定する、
請求項１記載の加工装置。 the control unit selects at least one wafer for each type of wafer as a wafer to be inspected after processing, and sets a shelf in the first cassette in which the selected wafer is accommodated as the shelf to be inspected;
The processing device according to claim 1.

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