JPH10303156A - Substrate cleaning device - Google Patents

Substrate cleaning device

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Publication number
JPH10303156A
JPH10303156A JP11279397A JP11279397A JPH10303156A JP H10303156 A JPH10303156 A JP H10303156A JP 11279397 A JP11279397 A JP 11279397A JP 11279397 A JP11279397 A JP 11279397A JP H10303156 A JPH10303156 A JP H10303156A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
substrate
brush
rotation speed
cassette
Prior art date
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Pending
Application number
JP11279397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Joichi Nishimura
讓一 西村
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Akihiko Morita
彰彦 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11279397A priority Critical patent/JPH10303156A/en
Publication of JPH10303156A publication Critical patent/JPH10303156A/en
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning device which can effectively perform cleaning treatment with little downtime. SOLUTION: After a worker teaches the starting position, ending position, etc., of cleaning scanning work to a substrate cleaning device at the time of starting the device (step S1), the worker throws each cassette in a cassette stage 11 (step S2) and arranges a cleaning recipe containing different brush rotting speeds, cleaner scanning rates, cleaner scanning widths, etc., in accordance with the objective cassettes (step S3). Thereafter, cleaning treatment is sequentially and automatically performed on the substrates housed in the cassettes in accordance with the corresponding recipe at every cassette. Since it is not required to set the brush rotating speed at every cassette, little downtime occurs and effective cleaning treatment can be performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、回転する半導体
ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス
基板、光ディスク用基板等の基板(以下「基板」とい
う。)表面にブラシを当接又は近接して洗浄する基板洗
浄装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rotating semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk (hereinafter referred to as "substrate"). The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for performing cleaning.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、基板洗浄装置とりわけスピン
スクラバにおいては基板を回転しながらブラシを押圧し
て回転しつつ、ブラシがその先端に取り付けられた支持
アームを回動することにより洗浄スキャン動作を行い基
板の洗浄を行っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate cleaning apparatus, in particular, in a spin scrubber, a brush is rotated while pressing and rotating a substrate while rotating the substrate, thereby performing a cleaning scan operation by rotating a support arm attached to the tip of the brush. Cleaning of the substrate.

【0003】このような装置においては基板の膜種や膜
厚等の特性に応じてカセット単位でブラシの回転速度を
微妙に設定して洗浄処理を行っている。
In such an apparatus, the cleaning process is performed by finely setting the rotation speed of the brush for each cassette according to the characteristics such as the film type and the film thickness of the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なブラシ回転速度の設定作業においては、例えばカセッ
ト毎に基板種類が異なる場合に1つのカセットにおける
基板の洗浄処理の終了ごとに装置を停止させて、ダイヤ
ル設定を変更させてブラシ回転速度の設定を変更してい
るため、ダウンタイムが頻繁に発生していた。
In the operation of setting the brush rotation speed as described above, for example, when the substrate type is different for each cassette, the apparatus is stopped every time the substrate cleaning process in one cassette is completed. Therefore, downtime frequently occurs because the setting of the brush rotation speed is changed by changing the dial setting.

【0005】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、ダウンタイムの発生が少なく、
効果的な基板洗浄を行うことができる基板洗浄装置を提
供することを目的とする。
[0005] The present invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and has low downtime.
An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus capable of performing effective substrate cleaning.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の装置は、回転する基板表面に
ブラシを当接又は近接しつつ、当該ブラシを回転させて
基板洗浄を行う基板洗浄装置であって、複数のブラシ回
転速度パターンを記憶する記憶手段と、予め記憶手段に
記憶された複数のブラシ回転速度パターンのうちから任
意のものを選択して指定するパターン指定手段と、指定
されたブラシ回転速度パターンに基づいてブラシ回転速
度を制御する制御手段と、を備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for cleaning a substrate by rotating the brush while abutting or approaching the brush on the surface of the rotating substrate. A substrate cleaning device for performing, a storage means for storing a plurality of brush rotation speed patterns, and a pattern specification means for selecting and specifying an arbitrary one of a plurality of brush rotation speed patterns stored in advance in the storage means. Control means for controlling the brush rotation speed based on the designated brush rotation speed pattern.

【0007】また、この発明の請求項2の装置は、請求
項1の基板洗浄装置であって、記憶手段がブラシ回転速
度パターンを含む基板洗浄の各種パラメータの集合であ
る洗浄処理パラメータ群を複数記憶するものであり、パ
ターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を指定す
ることによって任意のブラシ回転速度パターンを指定す
るものであることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the apparatus for cleaning a substrate according to the first aspect, wherein the storage means includes a plurality of cleaning processing parameter groups each of which is a set of various parameters for cleaning the substrate including a brush rotation speed pattern. The pattern designating means designates an arbitrary brush rotation speed pattern by designating an arbitrary group of cleaning processing parameters.

【0008】さらに、この発明の請求項3の装置は、請
求項1または請求項2の基板洗浄装置であって、複数の
洗浄ブラシ回転速度パターンが回転速度が0であるブラ
シ回転速度パターンを含むことを特徴とする。
Further, the apparatus according to a third aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the first or second aspect, wherein the plurality of cleaning brush rotation speed patterns include a brush rotation speed pattern whose rotation speed is zero. It is characterized by the following.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0010】[0010]

【1.実施の形態における機構的構成と装置配列】図1
(a)は第1の実施の形態の基板洗浄装置1の平面図で
あり、図1(b)はその正面図である。以下、図1を用
いてこの基板洗浄装置1について説明していく。
[1. FIG. 1 shows a mechanical configuration and an arrangement of the apparatus according to the embodiment.
FIG. 1A is a plan view of a substrate cleaning apparatus 1 according to the first embodiment, and FIG. 1B is a front view thereof. Hereinafter, the substrate cleaning apparatus 1 will be described with reference to FIG.

【0011】図1に示すようにこの装置は、主にインデ
クサ10、基板搬送部20、スピンスクラバ30、メイ
ンコンピュータ40、メインパネル50、ティーチング
パネル60、レシピ設定パネル70を備えている。
As shown in FIG. 1, the apparatus mainly includes an indexer 10, a substrate transport section 20, a spin scrubber 30, a main computer 40, a main panel 50, a teaching panel 60, and a recipe setting panel 70.

【0012】インデクサ10はカセットCSをその投入
時に載置するカセットステージ11およびそれらのカセ
ットCSと基板搬送部20の間で基板の搬送を行う搬送
ユニット12を備えている。
The indexer 10 includes a cassette stage 11 on which a cassette CS is placed when the cassette CS is inserted, and a transport unit 12 for transporting substrates between the cassette CS and the substrate transport unit 20.

【0013】基板搬送部20は図示しない基板搬送ロボ
ットを備えており、インデクサ10とスピンスクラバ3
0との間の基板の搬送を行う。
The substrate transfer section 20 includes a substrate transfer robot (not shown), and includes an indexer 10 and a spin scrubber 3.
The transfer of the substrate between 0 is performed.

【0014】スピンスクラバ30は後に詳述するように
カップ内に基板を保持して回転しながら洗浄する。
As will be described in detail later, the spin scrubber 30 holds the substrate in the cup and performs cleaning while rotating.

【0015】メインコンピュータ40はその内部にメモ
リを備え、上記各部の制御を行う。
The main computer 40 has a memory therein and controls the above components.

【0016】さらに、この装置は後に詳述する3種のコ
ンソールパネルであるメインパネル50、ティーチング
パネル60、レシピ設定パネル70を備えている。
The apparatus further includes a main panel 50, a teaching panel 60, and a recipe setting panel 70, which are three types of console panels described in detail later.

【0017】そして、以上のような装置構成により、イ
ンデクサ10に投入される各カセットCSの基板Wを搬
送ユニット12により取り出し、基板搬送部20に受け
渡し、基板搬送部20は基板搬送ロボットによりその基
板をスピンスクラバ30に搬送し、そこでその基板を洗
浄し、洗浄が終了すると逆の手順でその基板をもとのカ
セットCSに戻すといった動作を各基板に対して順次繰
り返して、インデクサ10に投入された各カセットCS
の基板Wを順次洗浄する。
With the above-described apparatus configuration, the substrate W of each cassette CS to be loaded into the indexer 10 is taken out by the transfer unit 12 and delivered to the substrate transfer unit 20, and the substrate transfer unit 20 transfers the substrate W by the substrate transfer robot. Is transported to the spin scrubber 30, where the substrate is washed, and when the cleaning is completed, the operation of returning the substrate to the original cassette CS in the reverse order is sequentially repeated for each substrate, and the substrate is put into the indexer 10. Each cassette CS
Are sequentially washed.

【0018】つぎに、この実施の形態のスピンスクラバ
30を図面を用いて説明する。図2はスピンスクラバ3
0の要部の概略縦断面図であり、図3は平面図である。
Next, the spin scrubber 30 of this embodiment will be described with reference to the drawings. Figure 2 shows the spin scrubber 3
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of a main part of FIG.

【0019】スピンチャック31は電動モータ311が
その駆動軸周りに設けられた軸受け312を介して鉛直
方向の軸芯周りで回転する回転軸313に連結されてお
り、さらに、その回転軸上端には基板Wを吸着保持する
回転台314とを備えるとともに、回転軸313の内部
には軸方向に沿って図示しない真空経路が設けられてお
り、その一端は回転台314上面に設けられた図示しな
い吸引口に連結されているとともに、他端は軸受け31
4を通じて外部の真空配管315に連結され、真空配管
315は1つのポートが大気解放された三方弁316を
介して外部の真空ラインに連結されている。
The spin chuck 31 has an electric motor 311 connected to a rotating shaft 313 which rotates around a vertical axis through a bearing 312 provided around the driving shaft. A rotary table 314 for sucking and holding the substrate W is provided, and a vacuum path (not shown) is provided along the axial direction inside the rotary shaft 313, and one end of the vacuum path is provided on an upper surface of the rotary table 314 (not shown). The other end is connected to the mouth and the bearing 31
4, the vacuum pipe 315 is connected to an external vacuum line via a three-way valve 316 whose one port is open to the atmosphere.

【0020】そして、回転台314上面に基板Wを載置
した状態で、吸引口から真空経路等を通じて真空源に連
通させることによって基板Wを吸着保持した状態で電動
モータ311の駆動により鉛直方向の軸芯周りで回転す
る。
Then, with the substrate W placed on the upper surface of the rotary table 314, the suction port is connected to a vacuum source through a vacuum path or the like to drive the electric motor 311 in a vertical direction while holding the substrate W by suction. Rotate around the axis.

【0021】カップ32はスピンチャック31およびそ
れによって保持された基板W等の周囲を覆うように設け
られ、図示しない昇降駆動機構によって昇降可能となっ
ており、洗浄処理中に上昇して基板Wから飛散する洗浄
液の飛沫の外部への飛散を防止し、基板Wの搬出入時に
は降下、退避する。
The cup 32 is provided so as to cover the periphery of the spin chuck 31 and the substrate W and the like held by the spin chuck 31 and can be moved up and down by a lifting drive mechanism (not shown). The splash of the scattered cleaning liquid is prevented from scattering outside, and the substrate W is lowered and retracted when the substrate W is carried in and out.

【0022】バックリンスノズル33はカップ32の内
部に設けられており、スピンチャック31に保持された
基板Wの裏面に純水等の洗浄液を噴射する。
The back rinse nozzle 33 is provided inside the cup 32 and sprays a cleaning liquid such as pure water on the back surface of the substrate W held by the spin chuck 31.

【0023】リンスノズル34はカップ32の側方に設
けられており、基板Wの回転中心側に向けて純水などの
洗浄液を噴射供給する。
The rinsing nozzle 34 is provided on the side of the cup 32, and sprays and supplies a cleaning liquid such as pure water toward the rotation center of the substrate W.

【0024】ブラシ部35はカップ32側方に設けられ
ている。図4はブラシ部35の機構的構成を示す図であ
る。図4に示すように、アングル形状の支持アーム35
1の回転支軸352が前述のスピンチャック31、カッ
プ32、バックリンスノズル33、リンスノズル34が
設けられた基台36に固設された支持体353に昇降お
よび鉛直方向の第1の軸芯P1周りで回動可能に設けら
れるとともに、その回転筒354に昇降のみ可能に設け
られ、その支持アーム351の先端部分の下部に、鉛直
方向の第2の軸芯P2周りで回転可能に、基板W表面を
洗浄する洗浄ブラシ355が設けられている。
The brush 35 is provided on the side of the cup 32. FIG. 4 is a diagram showing a mechanical configuration of the brush unit 35. As shown in FIG. As shown in FIG.
The first rotating shaft 352 is moved up and down on a support 353 fixed to a base 36 provided with the above-mentioned spin chuck 31, the cup 32, the back rinse nozzle 33, and the rinse nozzle 34, and the first shaft center in the vertical direction. In addition to being provided rotatably around P1 and being provided only on the rotating cylinder 354 so as to be able to move up and down only, the substrate is provided below the tip of the support arm 351 so as to be rotatable around the second axis P2 in the vertical direction. A cleaning brush 355 for cleaning the W surface is provided.

【0025】さらに、回転支軸352の下方には、出力
ロッド356aを回転支軸352の下端に押し当てて進
退させることにより支持アーム351を昇降させる昇降
用エアシリンダ356が設けられている。また、回転筒
354にタイミングベルト357を介してアーム回動モ
ータ358が連動連結されている。図中、エンコーダ3
59は、洗浄ブラシ355が基板Wの中心位置CP(図
3参照)付近の洗浄スキャン開始位置、基板Wの外周縁
位置EP(図3参照)付近の洗浄スキャン終了位置、お
よび、基板Wの上方から外れた非洗浄時の待機位置WP
のいずれにあるかを検出する。
Further, below the rotation support shaft 352, an air cylinder 356 for raising and lowering the support arm 351 by pressing the output rod 356a against the lower end of the rotation support shaft 352 to move forward and backward is provided. Further, an arm rotation motor 358 is linked to the rotary cylinder 354 via a timing belt 357 in an interlocking manner. In the figure, encoder 3
Reference numeral 59 denotes a cleaning scan start position near the center position CP (see FIG. 3) of the substrate W, a cleaning scan end position near the outer peripheral edge position EP (see FIG. 3) of the substrate W, and a position above the substrate W. Standby position WP when not washed out
Is detected.

【0026】このエンコーダの検出結果を監視しつつ、
アーム回動モータ358の駆動を制御することにより後
述する設定された洗浄処理レシピの「洗浄スキャン周
期」や「洗浄スキャン幅」の項目に応じて、洗浄ブラシ
355による洗浄スキャン周期や洗浄スキャン幅を変更
することができる。
While monitoring the detection result of this encoder,
By controlling the driving of the arm rotation motor 358, the cleaning scan cycle and the cleaning scan width by the cleaning brush 355 can be changed according to the items of “cleaning scan cycle” and “cleaning scan width” of the cleaning process recipe set later. Can be changed.

【0027】そして、バックリンスノズル33やリンス
ノズル34から洗浄液を回転している基板W上に噴出し
つつ、基板W上方に洗浄ブラシ355が位置するように
支持アーム351が移動し(図3参照)、支持アーム3
51が降下して基板W上面に当接又は近接した(図2参
照)後、洗浄ブラシ355が回転することによって基板
Wの洗浄を行う。
Then, the support arm 351 moves so that the cleaning brush 355 is positioned above the substrate W while the cleaning liquid is jetted from the back rinse nozzle 33 and the rinse nozzle 34 onto the rotating substrate W (see FIG. 3). ), Support arm 3
After the descent of the cleaning brush 355, the cleaning brush 355 rotates to clean the substrate W.

【0028】なお、基板Wの洗浄中、洗浄ブラシ355
を回転しつつ、支持アーム351が図3の矢符A1のよ
うに基板中心付近から基板外周付近へ回動動作を行うこ
とによって基板W上面の全面を洗浄する。この際の支持
アーム351の矢符A1方向の回動を以下、洗浄スキャ
ンと呼ぶ。
During the cleaning of the substrate W, the cleaning brush 355 is used.
3, the support arm 351 rotates from the vicinity of the center of the substrate to the vicinity of the outer periphery of the substrate as indicated by arrow A1 in FIG. 3 to clean the entire upper surface of the substrate W. The rotation of the support arm 351 in the direction of arrow A1 at this time is hereinafter referred to as a cleaning scan.

【0029】図5は支持アーム351の断面図である。
支持アーム351の先端部にはブラシ回転押圧機構37
が設けられている。ブラシ回転押圧機構37において、
洗浄ブラシ355は角軸として形成された回転軸371
下端に設けられ、ベアリング372は回転軸371の4
つの側面にそれぞれ2個ずつローラ372aの外周面が
当接したベアリングとなっており、回転軸371は上下
方向に移動可能であるとともに、ベアリング372に取
り付けられた回転体373の回転とともに回転軸371
は回転可能となっている。
FIG. 5 is a sectional view of the support arm 351.
A brush rotation pressing mechanism 37 is provided at the tip of the support arm 351.
Is provided. In the brush rotation pressing mechanism 37,
The cleaning brush 355 has a rotating shaft 371 formed as a square shaft.
The bearing 372 is provided at the lower end, and
The outer peripheral surface of the roller 372a is in contact with two of the two side surfaces, and the rotating shaft 371 is movable in the vertical direction.
Is rotatable.

【0030】回転体373の外周に取り付けられたプー
リ374と支持アーム351のブラシ回転モータ381
に取り付けられたプーリ382との間にはタイミングベ
ルト375が掛けられており、回転スピード可変可能な
ブラシ回転モータ381と連動して回転体373が回転
し、その回転の駆動力がベアリング372を介して回転
軸371を回転させ、それによって洗浄ブラシ355が
鉛直方向を軸として回転する。ブラシ回転モータ381
の回転スピードを制御することにより後述する設定され
た洗浄処理レシピの「ブラシ回転速度」の項目に応じ
て、洗浄ブラシ355の回転速度を変更することができ
る。
The pulley 374 attached to the outer periphery of the rotating body 373 and the brush rotating motor 381 of the support arm 351
A timing belt 375 is hung between the pulley 382 and the rotating body 373 that rotates in conjunction with a brush rotation motor 381 capable of rotating at a variable speed. To rotate the rotating shaft 371, whereby the cleaning brush 355 rotates around the vertical direction. Brush rotation motor 381
By controlling the rotation speed of the cleaning brush 355, the rotation speed of the cleaning brush 355 can be changed in accordance with the item of “brush rotation speed” of the set cleaning process recipe described later.

【0031】さらに、回転体373上部にはバネ376
が設けられ、その上部には押圧板377が設けられてい
る。そしてエアシリンダ378には圧力計391、電空
レギュレータ392、開閉弁393を介して給排気管3
9が連結され、その給排気管39はエア供給源394
(図6参照)に連結している。そして、圧力計391に
よる圧力信号をもとにCPU300(図6参照)が電空
レギュレータ392を制御し、エア流量を調節してエア
シリンダ378に供給するエアの圧力を制御する。そし
て、エアシリンダ378の押圧力に応じて押圧板377
が押下されることによって回転軸371が押下され、そ
れにより洗浄ブラシ355が基板W上に押圧される圧力
が制御される。
Further, a spring 376 is provided above the rotating body 373.
, And a pressing plate 377 is provided on the upper part thereof. The air cylinder 378 is connected to the supply / exhaust pipe 3 via a pressure gauge 391, an electropneumatic regulator 392, and an on-off valve 393.
9 is connected, and the air supply / exhaust pipe 39 is connected to an air supply source 394.
(See FIG. 6). The CPU 300 (see FIG. 6) controls the electropneumatic regulator 392 based on the pressure signal from the pressure gauge 391, adjusts the air flow rate, and controls the pressure of the air supplied to the air cylinder 378. The pressing plate 377 is pressed according to the pressing force of the air cylinder 378.
Is pressed, the rotating shaft 371 is pressed down, whereby the pressure at which the cleaning brush 355 is pressed onto the substrate W is controlled.

【0032】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。
Next, the main part will be described in more detail.

【0033】図6は第1の実施の形態の基板洗浄装置1
における全体構成図である。CPU41およびメモリ4
2を備えたメインコンピュータ40にはメインパネル5
0、4機のレシピ設定パネル70、基板搬送部20の制
御機構、インデクサ10の制御機構およびスピンスクラ
バ30のCPU300が接続されており、さらにそのC
PU300には主に洗浄液供給源331,341、電動
モータ311、三方弁316、昇降用エアシリンダ35
6、アーム回動モータ358、エンコーダ359、ブラ
シ回転モータ381、電空レギュレータ392、開閉弁
393およびティーチングパネル60が接続されてい
る。
FIG. 6 shows a substrate cleaning apparatus 1 according to the first embodiment.
FIG. CPU 41 and memory 4
The main panel 40 includes a main panel 5
0, 4 recipe setting panels 70, a control mechanism of the substrate transport unit 20, a control mechanism of the indexer 10, and a CPU 300 of the spin scrubber 30 are connected to each other.
The PU 300 mainly includes cleaning liquid supply sources 331 and 341, an electric motor 311, a three-way valve 316, and a lift air cylinder 35.
6, the arm rotation motor 358, the encoder 359, the brush rotation motor 381, the electropneumatic regulator 392, the on-off valve 393, and the teaching panel 60 are connected.

【0034】以上各部のうち、メインパネル50は作業
者が自動モード、手動モードの切換えや、後述する各種
洗浄処理のパラメータをまとめたデータである洗浄処理
レシピを新たに作成したり、洗浄処理レシピの各項目の
部分的変更等を行うためのコンソールパネルである。
Of the above components, the main panel 50 is used by the operator to switch between the automatic mode and the manual mode, to newly create a cleaning process recipe which is data summarizing various cleaning processes described later, Is a console panel for performing a partial change of each item.

【0035】また、4機のレシピ設定パネル70は、そ
れぞれカセットステージ11上の各カセット載置位置に
対応しており、各カセットの基板Wの洗浄処理条件を指
定するデータである洗浄処理レシピ(「洗浄処理パラメ
ータ群」に相当)を選択指定するためのコンソールパネ
ルである。
The recipe setting panels 70 of the four units correspond to the respective cassette mounting positions on the cassette stage 11, and include a cleaning processing recipe (data) for specifying the cleaning processing conditions for the substrate W of each cassette. This is a console panel for selecting and specifying a “cleaning processing parameter group”.

【0036】さらに、ティーチングパネル60はその取
り付けられたスピンスクラバ30の初期設定としてスキ
ャン開始位置および終了位置を設定する作業であるティ
ーチングを作業者が行う際に支持アーム351の位置の
移動量等を入力するためのコンソールパネルである。
Further, the teaching panel 60 determines the amount of movement of the position of the support arm 351 when the operator performs a teaching operation for setting a scan start position and an end position as an initial setting of the attached spin scrubber 30. Console panel for input.

【0037】そして、この装置では作業者は初期設定と
して予めティーチングを行っておく。より詳細にはティ
ーチングは、図3のようにブラシアームがスキャン開始
位置の初期設定としてチャック上に保持された基板Wの
中心位置CPと、スキャン終了位置の初期設定として洗
浄ブラシ355が基板Wの周縁に接する外周縁位置EP
をティーチングしてメモリ42に記憶させる。なお、中
心位置CPおよび外周縁位置EPが「基準位置」に相当
する。
In this apparatus, a worker performs teaching in advance as an initial setting. More specifically, in the teaching, as shown in FIG. 3, the brush arm is used as the initial setting of the scan start position, the center position CP of the substrate W held on the chuck, and the cleaning end position is set by the cleaning brush 355 of the substrate W. Outer edge position EP in contact with the outer edge
Is stored in the memory 42. Note that the center position CP and the outer peripheral edge position EP correspond to a “reference position”.

【0038】さらに、この装置ではティーチング以外
に、洗浄処理対象の基板Wの膜種、膜厚、ブラシ種類、
前工程の種類等の特性に応じて洗浄処理の各種洗浄処理
のパラメータをまとめたデータである洗浄処理レシピを
多数、メインコンピュータ40内のメモリ42に予め記
憶している。そして、作業者はレシピ設定パネル70に
よって洗浄処理にあたり各カセット毎にそれに収納され
た基板Wの上記特性に応じた洗浄処理レシピを選択す
る。さらに、その洗浄処理レシピをそのまま利用するこ
ともできるが、基板Wの種類によってはさらに微妙な洗
浄処理の条件を指定したい場合などには、作業者はメイ
ンパネル50により洗浄処理レシピの各項目のデータ
(「洗浄処理パラメータ」に相当)を部分的に変更して
設定することも可能となっている。なお、メインパネル
50を洗浄処理レシピを選択指定するパネルとして使用
することもできる。
Further, in this apparatus, besides teaching, a film type, a film thickness, a brush type,
A large number of cleaning recipes, which are data summarizing various cleaning processing parameters of the cleaning processing in accordance with characteristics such as the type of the preceding process, are stored in the memory 42 in the main computer 40 in advance. Then, the operator performs a cleaning process using the recipe setting panel 70, and selects a cleaning process recipe according to the above-described characteristic of the substrate W stored in each cassette for each cassette. Further, the cleaning recipe can be used as it is. However, when it is desired to specify more delicate cleaning processing conditions depending on the type of the substrate W, the operator can use the main panel 50 to select each item of the cleaning recipe. It is also possible to partially change and set data (corresponding to “cleaning parameters”). In addition, the main panel 50 can be used as a panel for selecting and specifying a cleaning process recipe.

【0039】具体的には、洗浄処理レシピの例としては
表1〜表3のようなものが挙げられる。
Specifically, examples of cleaning treatment recipes include those shown in Tables 1 to 3.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】[0041]

【表2】 [Table 2]

【0042】[0042]

【表3】 [Table 3]

【0043】これらの表に示すように、洗浄処理レシピ
には洗浄処理における各ステップ毎に各ステップの「時
間」、「基板回転速度」、「ブラシ回転速度」、「洗浄
スキャン周期」、「洗浄スキャン幅」、「薬液等」、
「ブラシ荷重」といった項目が設けられている。
As shown in these tables, the cleaning process recipe includes “time”, “substrate rotation speed”, “brush rotation speed”, “cleaning scan cycle”, “cleaning "Scan width", "chemical solution",
Items such as “brush load” are provided.

【0044】このうち、「ブラシ回転速度」は洗浄ブラ
シ355の回転速度を表わしている。なお、表3では洗
浄処理中にもブラシ回転速度を0rpmに保っている。
すなわち洗浄処理ブラシを回転しないとするものであ
る。このようにこの実施の形態の装置では洗浄処理ブラ
シを回転しないで洗浄スキャンした方が洗浄効率がいい
場合等にもレシピ変更だけで対応することができる。
The "brush rotation speed" indicates the rotation speed of the cleaning brush 355. In Table 3, the brush rotation speed is kept at 0 rpm even during the cleaning process.
That is, the cleaning brush is not rotated. As described above, in the apparatus according to the present embodiment, it is possible to cope with a case where the cleaning efficiency is better by performing the cleaning scan without rotating the cleaning processing brush, only by changing the recipe.

【0045】また、「洗浄スキャン周期」の項目は洗浄
ブラシ355の1回のスキャンに要する時間を秒単位で
あらわし、洗浄スキャン速度に相当するものである。こ
の実施の形態では1回の洗浄処理に対して1回または複
数回の洗浄スキャンを行うものである。例えば表1のス
テップ3では1回の洗浄スキャンを8秒とし、ステップ
3は24秒行うものと設定されているため、洗浄スキャ
ンは表1の場合には24/8回すなわち、3回の洗浄ス
キャンを行うものである。
The item of “cleaning scan cycle” indicates the time required for one scan of the cleaning brush 355 in seconds, and corresponds to the cleaning scan speed. In this embodiment, one or more cleaning scans are performed for one cleaning process. For example, in Step 3 of Table 1, one cleaning scan is set to 8 seconds, and Step 3 is set to be performed for 24 seconds. Therefore, in Table 1, the cleaning scan is performed 24/8 times, that is, three times. It performs scanning.

【0046】また、「洗浄スキャン幅」の項目は洗浄対
象の基板Wに対して洗浄スキャンの開始位置および終了
位置がそれぞれティーチングされた基板Wの中心位置C
Pおよび外周縁位置EPとの相対的な位置として設定さ
れる。なお、表1〜表3において「洗浄スキャン幅」の
項目における正負の符号は図3中、反時計回り方向を正
としている。表1のステップ3ではティーチング開始位
置である中心位置CPより10mm負側、すなわち洗浄
ブラシ355外周が基板W中心にスキャンの手前側から
接する位置からスキャンを開始し、ティーチング終了位
置である外周縁位置EPより10mm正側、すなわち洗
浄ブラシ355外周が基板W周縁に外側で接する位置で
終了することを表わしている。そしてこれらの値(正負
も含めて)は洗浄処理レシピごとに異なる値をとること
が可能となっている。
The item of “cleaning scan width” is a center position C of the substrate W where the start position and the end position of the cleaning scan have been taught for the substrate W to be cleaned.
It is set as a position relative to P and the outer peripheral edge position EP. In Tables 1 to 3, the positive and negative signs in the item of “cleaning scan width” indicate that the counterclockwise direction in FIG. 3 is positive. In step 3 of Table 1, scanning is started from a position 10 mm negative from the center position CP, which is the teaching start position, that is, the position where the outer periphery of the cleaning brush 355 contacts the center of the substrate W from the front side of the scan, and the outer peripheral edge position as the teaching end position This indicates that the process ends on the positive side of 10 mm from the EP, that is, the position where the outer periphery of the cleaning brush 355 contacts the outer periphery of the substrate W on the outside. These values (including positive and negative) can take different values for each cleaning process recipe.

【0047】また、「薬液等」の項目は洗浄時に基板W
の表面および裏面に洗浄液を供給する際に純水リンス、
バックリンスの洗浄液の供給を指定するものである。
The item of “chemical solution etc.” indicates that the substrate W
When supplying the cleaning liquid to the front and back surfaces of the
This specifies the supply of the back rinse cleaning liquid.

【0048】さらに、「ブラシ荷重」の項目は洗浄時に
基板Wに当接される洗浄ブラシの押圧における荷重を表
わし、実際には、前述のブラシ回転押圧機構37に対す
るCPUによるエア供給圧の制御値を指定するものであ
る。表1、表2では20gであるが表3では10gと異
なっており、これらは前述のブラシ回転押圧機構37の
CPU300による制御により実現される。
Further, the item "brush load" represents a load in pressing the cleaning brush abutting on the substrate W at the time of cleaning. Actually, the control value of the air supply pressure by the CPU to the brush rotation pressing mechanism 37 described above. Is specified. In Tables 1 and 2, the weight is 20 g, but in Table 3, it is different from 10 g. These are realized by the control of the CPU 300 of the brush rotation pressing mechanism 37 described above.

【0049】また、このような洗浄処理レシピの選択に
際して、メインパネル50には上記の表1〜表3のよう
な洗浄処理レシピが表示されることができるとともに、
図7のような、その洗浄処理レシピによる基板Wの回転
速度の時間変化を表わすグラフを同時に表示させること
もできる。このような表示により作業者は洗浄処理レシ
ピの特徴を捉えて、その選択を容易に行うことができ
る。
When selecting such a cleaning recipe, the main panel 50 can display the cleaning recipes as shown in Tables 1 to 3 above.
As shown in FIG. 7, a graph representing the time change of the rotation speed of the substrate W by the cleaning process recipe can be displayed at the same time. With such a display, the operator can easily understand the characteristics of the cleaning process recipe and make a selection.

【0050】そして、この装置はこのような洗浄処理レ
シピの指定に従って動作する。このようにこの装置では
容易にそれらの設定を変更することができ、その変更の
度に装置を停止してティーチングを行う必要がない。
The apparatus operates in accordance with the specification of such a cleaning process recipe. As described above, the setting can be easily changed in this apparatus, and it is not necessary to stop the apparatus and perform teaching every time the setting is changed.

【0051】[0051]

【2.実施の形態における処理手順】図7はこの実施の
形態の基板洗浄装置の洗浄処理手順を示すフローチャー
トである。以下、図7に従って基板洗浄処理の手順につ
いて説明していく。
[2. FIG. 7 is a flow chart showing a cleaning procedure of the substrate cleaning apparatus according to this embodiment. Hereinafter, the procedure of the substrate cleaning process will be described with reference to FIG.

【0052】まず、装置の立ち上げ時に作業者が洗浄ス
キャンの開始位置および終了位置を前述のように基板W
中央および外周縁に設定する等のティーチング処理を行
う(ステップS1)。
First, when the apparatus is started up, the operator sets the start position and the end position of the cleaning scan as described above on the substrate W.
A teaching process such as setting at the center and the outer periphery is performed (step S1).

【0053】つぎに、作業者が各カセットをカセットス
テージ11に投入する(ステップS2)。
Next, the operator puts each cassette into the cassette stage 11 (step S2).

【0054】つぎに、作業者が対象とするカセットに応
じて洗浄処理レシピを設定する(ステップS3)。な
お、この設定は前述のように予めメモリ42に記憶され
た複数の洗浄処理レシピの中から選択してそのまま利用
することもできるし、それに部分的な変更を加えて設定
することもできる。
Next, the operator sets a cleaning recipe according to the target cassette (step S3). This setting can be selected from a plurality of cleaning recipes stored in the memory 42 in advance as described above and can be used as it is, or can be set with a partial change.

【0055】つぎに、自動的に洗浄対象のカセットが設
定される(ステップS4)。すなわち、カセットステー
ジ11のカセット載置順に洗浄対象のカセットが順次設
定される。
Next, a cassette to be cleaned is automatically set (step S4). That is, the cassettes to be cleaned are sequentially set in the order of placing the cassettes on the cassette stage 11.

【0056】つぎに、装置が自動的に基板洗浄の対象と
なるカセットが終了したかどうかを判断し、終了してい
れば洗浄処理自体を終了し、終了していなければステッ
プS5に進む(ステップS5)。
Next, the apparatus automatically determines whether or not the cassette for substrate cleaning has been completed. If the cassette has been completed, the cleaning process itself is completed. If not, the process proceeds to step S5 (step S5). S5).

【0057】つぎに、選択されたカセットにおいてスピ
ンスクラバ30により、各基板Wの洗浄を行い(ステッ
プS6)、ステップS4に戻る。
Next, each substrate W is washed by the spin scrubber 30 in the selected cassette (step S6), and the process returns to step S4.

【0058】そして、ステップS4〜ステップS6の処
理を繰返して各カセットの各基板Wの洗浄を行い、洗浄
の対象となるカセットに対して全て洗浄したことを装置
が確認するとステップS4において終了に進み洗浄処理
を終了する。
Then, the processing of steps S4 to S6 is repeated to wash each substrate W of each cassette, and when the apparatus confirms that all the cassettes to be washed have been washed, the process proceeds to the end in step S4. The cleaning process ends.

【0059】以上のようにこの実施の形態の基板洗浄装
置では、予めメモリ42に記憶された複数の洗浄処理レ
シピのうちから任意のものを選択して指定し、それに基
づいてブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄ス
キャン幅等を制御して基板洗浄を行うので、ブラシ回転
速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキャン幅等を容易
に変更できる。
As described above, in the substrate cleaning apparatus of this embodiment, an arbitrary one of a plurality of cleaning processing recipes stored in advance in the memory 42 is selected and designated, and the brush rotation speed, cleaning Since the substrate cleaning is performed by controlling the scan speed, the cleaning scan width, and the like, the brush rotation speed, the cleaning scan speed, the cleaning scan width, and the like can be easily changed.

【0060】また、異なる種類の基板Wを収容したカセ
ット毎にそれに対応した洗浄処理レシピを設定しておく
ことにより、洗浄処理対象のカセットが変わる度にティ
ーチングをしたり、ブラシ回転速度や洗浄スキャン周期
等の設定を変更したりする必要がないので、ダウンタイ
ムの発生を抑えることができ、手動操作の機会が少ない
ので人為的ミスの発生も抑えることができる。
Further, by setting a corresponding cleaning process recipe for each cassette accommodating different types of substrates W, teaching can be performed each time a cassette to be cleaned is changed, or a brush rotation speed or a cleaning scan can be performed. Since it is not necessary to change the setting of the cycle or the like, the occurrence of downtime can be suppressed, and the occurrence of human error can be suppressed since there are few opportunities for manual operation.

【0061】さらに、カセットごとの基板Wの特性に応
じたブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキ
ャン幅等の洗浄処理パラメータを含んだ洗浄処理レシピ
を選択することができるので、基板の種類に応じた効果
的な基板洗浄を行うことができる。
Further, a cleaning recipe including cleaning processing parameters such as a brush rotation speed, a cleaning scan speed, and a cleaning scan width according to the characteristics of the substrate W for each cassette can be selected. In addition, effective substrate cleaning can be performed.

【0062】[0062]

【3.変形例】この実施の形態ではスピンスクラバ30
においてブラシ部35による洗浄スキャンを基板Wの半
径に相当する分だけ行うものとしたが、この発明はこれ
に限られず、基板Wの直径に相当する分を行う等その他
の範囲を行うものとしてもよい。
[3. Modification In this embodiment, a spin scrubber 30 is used.
In the above description, the cleaning scan by the brush unit 35 is performed by an amount corresponding to the radius of the substrate W. However, the present invention is not limited to this, and may perform other ranges such as by performing an amount corresponding to the diameter of the substrate W. Good.

【0063】また、この実施の形態ではスピンスクラバ
30においてブラシ部35による洗浄スキャンを支持ア
ーム351を回動させて円弧状に行うものとしたが、こ
の発明はこれに限られず、支持アームに沿ってブラシが
並進移動するものとして直線状に洗浄スキャンを行う等
のものとしてもよい。
In this embodiment, the cleaning scan by the brush unit 35 in the spin scrubber 30 is performed in an arc shape by rotating the support arm 351. However, the present invention is not limited to this. The cleaning scan may be performed linearly assuming that the brush is translated.

【0064】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において各ステップではブラシ回転速度および洗浄スキ
ャン速度は一定のものとして指定しているが、この発明
はこれに限られず、ステップ内での初期速度と終了速度
を指定して変化するものとしてもよい。
Further, in this embodiment, the brush rotation speed and the cleaning scan speed are specified as being constant in each step in the cleaning processing recipe. However, the present invention is not limited to this, and the initial speed and the initial speed in the step are not limited to this. It may be changed by designating the end speed.

【0065】また、この実施の形態ではカセットごとに
洗浄処理レシピを異なるものとしたが、この発明はこれ
に限られず、同一カセット内において異なる特性の基板
Wを収納している場合に基板Wごとに洗浄処理レシピを
異なるものを指定する等としてもよい。
In this embodiment, the cleaning recipe is different for each cassette. However, the present invention is not limited to this, and when substrates W having different characteristics are stored in the same cassette, Alternatively, a different cleaning process recipe may be designated.

【0066】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
を選択した後に各処理毎に微少な設定の変更を行えるも
のとしたが、この発明はこれに限られず、洗浄処理レシ
ピは選択するのみで変更できないものとしてもよい。
Further, in this embodiment, a minute setting change can be made for each process after selecting a cleaning process recipe. However, the present invention is not limited to this. It may be impossible.

【0067】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において洗浄スキャン周期の指定を含んでいるが、この
発明はこれに限られず、洗浄スキャン周期の代わりにそ
の速度を指定するものとしてもよい。
In this embodiment, the cleaning process recipe includes the specification of the cleaning scan cycle. However, the present invention is not limited to this, and the speed may be specified instead of the cleaning scan cycle.

【0068】また、この実施の形態では洗浄ヘッドとし
て洗浄ブラシ355を備えるものとしたが、この発明は
これに限られず、高圧の洗浄液を吐出するジェット洗浄
ヘッドや超音波洗浄ヘッド等のその他のものでもよい。
Further, in this embodiment, the cleaning brush 355 is provided as the cleaning head. However, the present invention is not limited to this, and other devices such as a jet cleaning head and an ultrasonic cleaning head for discharging a high-pressure cleaning liquid are provided. May be.

【0069】さらに、この実施の形態においては、回転
台314を吸着式のものとしてスピンチャック31を構
成しているが、この発明はこれに限られるものではな
く、例えぱ、回転台に基板Wの外縁を支持する基板支持
部材を複数設けるとともに、この基板支持部材の上端に
基板Wの水平方向位置を規制する位置決めピンを設けて
基板保持手段を成し、基板Wを回転台の上面から離隔し
た状態で回転可能に保持させるようにしてもよい。
Further, in the present embodiment, the spin chuck 31 is constituted by using the turntable 314 as a suction type, but the present invention is not limited to this, and for example, the substrate W may be provided on the turntable. A plurality of substrate supporting members for supporting the outer edge of the substrate W are provided, and positioning pins for regulating the horizontal position of the substrate W are provided at the upper end of the substrate supporting member to form a substrate holding means, and the substrate W is separated from the upper surface of the turntable. You may make it hold rotatably in the state which carried out.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項3の発明によれば、パターン指定手段により、予め
記憶手段に記憶された複数のブラシ回転速度パターンの
うちから任意のものを選択して指定し、それに基づいて
制御手段がブラシ回転速度を制御するので、ブラシ回転
速度を容易に変更でき、それにより、ダウンタイムの発
生を抑えることができる。
As described above, according to the first to third aspects of the present invention, the pattern designating means selects an arbitrary one of a plurality of brush rotation speed patterns stored in the storage means in advance. Since the brush rotation speed is controlled by the control means based on the specified rotation speed, the brush rotation speed can be easily changed, thereby suppressing the occurrence of downtime.

【0071】さらに、基板の特性に応じたブラシ回転速
度パターンを選択することができるので、効果的な基板
洗浄を行うことができる。
Further, since the brush rotation speed pattern can be selected according to the characteristics of the substrate, effective substrate cleaning can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の基板洗浄装置の平
面図および正面図である。
FIG. 1 is a plan view and a front view of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】スピンスクラバの主要部の概略縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a main part of the spin scrubber.

【図3】スピンスクラバの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a spin scrubber.

【図4】スピンスクラバのブラシ部の機構的構成を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a mechanical configuration of a brush portion of the spin scrubber.

【図5】ブラシアームの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a brush arm.

【図6】基板洗浄装置の全体構成図である。FIG. 6 is an overall configuration diagram of a substrate cleaning apparatus.

【図7】この実施の形態の洗浄処理手順を示すフローチ
ャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a cleaning processing procedure according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板洗浄装置 42 メモリ 60 ティーチングパネル 70 レシピ設定パネル 300 CPU 351 支持アーム 355 洗浄ブラシ CP 中心位置 EP 外周縁位置 W 基板 1 Substrate Cleaning Device 42 Memory 60 Teaching Panel 70 Recipe Setting Panel 300 CPU 351 Support Arm 355 Cleaning Brush CP Center Position EP Outer Edge Position W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasuo Imanishi 322 Hahazushi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dinichi Screen Manufacturing Co., Ltd. Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd., Rakusai Office (72) Inventor Yuki Iwami, Kyoto 322 Fushimi-ku, Hazukashi Furukawa-cho Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. 322 Furukawacho Dainichi Hon Screen Manufacturing Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転する基板表面にブラシを当接又は近
接しつつ、当該ブラシを回転させて基板洗浄を行う基板
洗浄装置であって、 複数のブラシ回転速度パターンを記憶する記憶手段と、 予め前記記憶手段に記憶された前記複数のブラシ回転速
度パターンのうちから任意のものを選択して指定するパ
ターン指定手段と、 前記指定されたブラシ回転速度パターンに基づいてブラ
シ回転速度を制御する制御手段と、を備えることを特徴
とする基板洗浄装置。
1. A substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate by rotating a brush while abutting or approaching a brush on a surface of a rotating substrate, comprising: a storage unit for storing a plurality of brush rotation speed patterns; Pattern designating means for selecting and specifying an arbitrary one of the plurality of brush rotation speed patterns stored in the storage means; and control means for controlling the brush rotation speed based on the specified brush rotation speed pattern. And a substrate cleaning apparatus comprising:
【請求項2】 請求項1の基板洗浄装置であって、 前記記憶手段が前記ブラシ回転速度パターンを含む基板
洗浄の各種パラメータの集合である洗浄処理パラメータ
群を複数記憶するものであり、 前記パターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を
指定することによって任意の前記ブラシ回転速度パター
ンを指定するものであることを特徴とする基板洗浄装
置。
2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the storage unit stores a plurality of cleaning process parameter groups each of which is a set of various parameters of the substrate cleaning including the brush rotation speed pattern. A substrate cleaning apparatus, wherein the specifying means specifies an arbitrary brush rotation speed pattern by specifying an arbitrary cleaning processing parameter group.
【請求項3】 請求項1または請求項2の基板洗浄装置
であって、 前記複数の洗浄ブラシ回転速度パターンが回転速度が0
であるブラシ回転速度パターンを含むことを特徴とする
基板洗浄装置。
3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the plurality of cleaning brush rotation speed patterns have a rotation speed of zero.
A substrate cleaning apparatus characterized by including a brush rotation speed pattern.
JP11279397A 1997-04-30 1997-04-30 Substrate cleaning device Pending JPH10303156A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002263597A (en) * 2001-03-06 2002-09-17 Seiko Corp Apparatus and method for washing piping system of production plant and program
JP2011077245A (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and teaching method
JP2011211093A (en) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for teaching of substrate processing apparatus

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