JP2024052110A - 半導体加工用粘着テープ - Google Patents
半導体加工用粘着テープ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024052110A JP2024052110A JP2022158592A JP2022158592A JP2024052110A JP 2024052110 A JP2024052110 A JP 2024052110A JP 2022158592 A JP2022158592 A JP 2022158592A JP 2022158592 A JP2022158592 A JP 2022158592A JP 2024052110 A JP2024052110 A JP 2024052110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor processing
- adhesive
- adhesive tape
- energy ray
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 213
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 201
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 description 72
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 23
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 23
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 22
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 21
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 20
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 16
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 16
- 239000002585 base Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 7
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 7
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- RWPICVVBGZBXNA-BGYRXZFFSA-N Bis(2-ethylhexyl) terephthalate Natural products CCCC[C@H](CC)COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC[C@H](CC)CCCC)C=C1 RWPICVVBGZBXNA-BGYRXZFFSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC(CC)CCCC)C=C1 RWPICVVBGZBXNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- JXCHMDATRWUOAP-UHFFFAOYSA-N diisocyanatomethylbenzene Chemical compound O=C=NC(N=C=O)C1=CC=CC=C1 JXCHMDATRWUOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229920005555 halobutyl Polymers 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- SJPFBRJHYRBAGV-UHFFFAOYSA-N n-[[3-[[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]methyl]phenyl]methyl]-1-(oxiran-2-yl)-n-(oxiran-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C1OC1CN(CC=1C=C(CN(CC2OC2)CC2OC2)C=CC=1)CC1CO1 SJPFBRJHYRBAGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】柔軟性に優れ、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材1と、基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層2と、を有する半導体加工用粘着テープ10であって、半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である。
【選択図】図1
【解決手段】基材1と、基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層2と、を有する半導体加工用粘着テープ10であって、半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である。
【選択図】図1
Description
本開示は、半導体加工用粘着テープに関する。
半導体の製造工程では、ウェハをチップに切断(ダイシング)するダイシング工程において、ウェハおよびチップを保護および固定するために、ダイシングテープと呼ばれる半導体加工用粘着テープが用いられている。
半導体加工用粘着テープには、加工工程中はウェハやチップを十分な粘着力で固定できるとともに、加工工程後はチップを破損することなく容易に剥離できることが求められる。
このような半導体加工用粘着テープとしては、加工工程中は所定の粘着力を有し、加工工程後には粘着力が低下し得る粘着テープが知られている。
例えば特許文献1および特許文献2には、エネルギー線硬化型の粘着テープが開示されている。エネルギー線硬化型の粘着テープは、エネルギー線の照射により粘着層を硬化させることで粘着力を低下させることができるが、エネルギー線照射前の加工工程中はウェハやチップを強固に固定できる粘着テープである。
また、例えば特許文献3には、ガス発生層を有する粘着テープが開示されている。ガス発生層を有する粘着テープにおいては、レーザー光照射により微小な範囲で部分的にガスを発生させ、このガス発生に起因して粘着剤層が変形することによって、レーザー光が照射された部分において剥離性が発現する。
エネルギー線硬化型の半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法では、例えば、リングフレームに半導体加工用粘着テープが貼付され、その半導体加工用粘着テープ上にウェハが固定される。次に、ウェハをチップに切断(ダイシング)するダイシング工程を行う。その後、半導体加工用粘着テープを引き伸ばして、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、半導体加工用粘着テープのエネルギー線硬化性の粘着層にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、チップを半導体加工用粘着テープから剥離して、チップをピックアップするピックアップ工程を行う。
近年、被着体であるウェハや基板の薄層化に伴い、半導体加工用粘着テープには、小さな負荷でエキスパンドできるように高い柔軟性が求められている。しかし、半導体加工用粘着テープの柔軟性を高くすると、エキスパンド工程およびピックアップ工程において、半導体加工用粘着テープが破れることがあるという問題がある。そのため、柔軟性が高く、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープが求められている。
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、柔軟性に優れ、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープを提供することを主目的とする。
本開示の一実施形態は、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。
本開示における半導体加工用粘着テープは、柔軟性に優れ、かつ、破れにくいという効果を奏する。
下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。
本開示の半導体加工用粘着テープについて詳細に説明する。
本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である。
図1は、本開示の半導体加工用粘着テープを例示する概略断面図である。図1における半導体加工用粘着テープ10は、基材1と、基材1の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層2とを有している。半導体加工用粘着テープ10においては、40%伸長時の引張強度が、所定の値以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、所定の値以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、所定の値以下である。
図2(a)~(e)は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図2(a)に示すように、リングフレーム21に半導体加工用粘着テープ10を貼り付けて、ウェハ11を半導体加工用粘着テープ10に貼り付ける。次に、図2(b)に示すように、ウェハ11をチップ12に切断(ダイシング)するダイシング工程を行う。次に、図2(c)に示すように、半導体加工用粘着テープ10を引き伸ばして、チップ12同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、図示しないが、半導体加工用粘着テープ10のエネルギー線硬化性の粘着層にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図2(d)に示すように、チップ12を半導体加工用粘着テープ10から剥離して、チップ12をピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、図2(e)に示すように、ピックアップされたチップ12を基板30に接着するマウント(ダイボンディング)工程を行う。
本開示の半導体加工用粘着テープは、エネルギー線照射前の40%伸長時の引張強度が、所定の値以下であり、高い柔軟性を有する。そのため、例えば、図2(c)に示すエキスパンド工程において、半導体加工用粘着テープを弱い力で容易に引き伸ばすことができるので、チップへの負荷を軽減できる。
ここで、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープは、エキスパンド工程およびピックアップ工程において破れやすい。特に、ピックアップ工程においては、半導体加工用粘着テープに局所的に応力がかかる場合があるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。例えば、ピックアップ工程においては、通常、チップを1つずつピックアップする。この際、半導体加工用粘着テープにおいては、チップを剥離する領域に応力が局所的にかかるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
また、例えば、ピックアップ工程においては、図3(a)、図3(b)に示すように、ニードル50で半導体加工用粘着テープ10の基材1側からチップ12を突き上げて、チップ12を半導体加工用粘着テープ10から剥離する場合がある。この場合、半導体加工用粘着テープが引き伸ばされた状態で、ニードルによる局所的な応力がかかるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。さらに、例えば、ピックアップ工程において、半導体加工用粘着テープからチップを剥離する際、半導体加工用粘着テープはチップの端から徐々に剥がれ始めると考えられる。この際、半導体加工用粘着テープとチップとは、面で接着していたのが、点で接着するようになるため、半導体加工用粘着テープには局所的な応力がかかるようになると推量される。そのため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
また、例えば、ピックアップ工程において、搬送装置またはピックアップ装置の一部が半導体加工用粘着テープに接触し、半導体加工用粘着テープに局所的に応力がかかる場合が想定される。この場合も、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
そこで、本開示の発明者らは、半導体加工用粘着テープにおいて、局所的な応力に対する破れにくさについて検討し、突き刺し強度に着目した。また、エネルギー線硬化型の半導体加工用粘着テープにおいて、ピックアップ工程では、上述したように、半導体加工用粘着テープが引き伸ばされた状態で、半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射した後、チップのピックアップを行う。そこで、エネルギー線照射後かつ伸長後の突き刺し強度に着目した。そして、エネルギー線照射後かつ伸長後の突き刺し強度を所定の値以上とすることにより、局所的な応力がかかった場合でも破れが抑制されることを知見した。
すなわち、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が所定の値以上であるため、ピックアップ工程において局所的な応力がかかった場合でも破れにくくすることができる。
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が所定の値以下であるため、比較的弱い力で、チップを半導体加工用粘着テープから容易に剥離できる。そのため、ピックアップ工程において剥離時の破れを抑制できる。
したがって、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、高い柔軟性と破れにくさとを両立できる。
以下、本開示の半導体加工用粘着テープの各構成について説明する。
1.半導体加工用粘着テープの特性
(1)突き刺し強度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、好ましくは8.0N以上であり、より好ましくは8.3N以上である。上記突き刺し強度が上記範囲であることにより、ピックアップ工程での半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、上記突き刺し強度の上限は、後述のエネルギー線照射前の40%伸長時の引張強度を満たすことが可能であれば特に限定されないが、例えば、40N以下であり、好ましくは30N以下であり、より好ましくは25N以下である。エネルギー線照射後の突き刺し強度が大きいと、エネルギー線照射前の突き刺し強度も大きくなる傾向にある。そのため、上記突き刺し強度が大きすぎると、エネルギー線照射前の柔軟性が損なわれる可能性がある。
(1)突き刺し強度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、好ましくは8.0N以上であり、より好ましくは8.3N以上である。上記突き刺し強度が上記範囲であることにより、ピックアップ工程での半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、上記突き刺し強度の上限は、後述のエネルギー線照射前の40%伸長時の引張強度を満たすことが可能であれば特に限定されないが、例えば、40N以下であり、好ましくは30N以下であり、より好ましくは25N以下である。エネルギー線照射後の突き刺し強度が大きいと、エネルギー線照射前の突き刺し強度も大きくなる傾向にある。そのため、上記突き刺し強度が大きすぎると、エネルギー線照射前の柔軟性が損なわれる可能性がある。
なお、半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度とは、エネルギー線照射後、かつ、半導体加工用粘着テープをMD方向に40%伸長した後に測定する、半導体加工用粘着テープの厚さ方向の突き刺し強度をいう。
また、MD方向とは、基材の製造時における流れ方向をいい、TD方向とは、MD方向に対して垂直な方向をいう。例えば、半導体加工用粘着テープが長尺状である、または枚葉状であり矩形状である場合、MD方向は半導体加工用粘着テープの長さ方向、TD方向は半導体加工用粘着テープの幅方向を示す。
ここで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度は、JIS Z1707に準拠し、以下の方法により測定できる。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度:100mm/minで40%伸長する。次に、JIS Z1707に準拠し、伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を突き刺し試験治具に貼合して固定し、直径1.0mm、先端形状半径0.5mmの半円形の針を、300mm/minの速度で、基材側から突き刺し、針が半導体加工用粘着テープの試験片を貫通するまでの最大荷重を測定する。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は1分間とする。突き刺し試験は、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下で行う。試験片の数は5個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とする。測定装置は、イマダ社製のデジタルフォースゲージ「ZTS-500N」を使用できる。また、試験片を固定する治具は、直径20mmの円形開口部を有する突き刺し試験治具(イマダ社製「TKS-250N」)を使用できる。また、針は、イマダ社製「TP-20」を使用できる。
上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を制御する手段としては、例えば、基材の厚さ、弾性率を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着力を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着層の粘弾性を調整する方法、半導体加工用粘着テープの破断強度を調整する方法が挙げられる。
基材の厚さを調整する方法においては、基材の厚さが厚いと、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。基材の弾性率を調整する方法においては、基材の弾性率やヤング率が大きくなると、半導体加工用粘着テープが硬くなる傾向にあり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
エネルギー線照射後の粘着力を調整する方法においては、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法が挙げられる。粘着層に含有される成分や組成を調整する方法においては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の含有量またはエネルギー線硬化性官能基の数を調整する方法、粘着主剤の極性を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後の粘着層が硬くなる傾向にあり、エネルギー線照射後の粘着力が小さくなり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。また、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなりすぎると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなりすぎ、塗膜が硬もろくなり、突刺し強度が小さくなる。また、例えば、粘着主剤の極性を、エネルギー線硬化性化合物との相溶性が高くなるように調整することにより、エネルギー線照射後の粘着力が小さくなり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
エネルギー線照射後の粘着層の粘弾性を調整する方法においては、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着層の弾性率を調整する方法が挙げられる。粘着層に含有される成分や組成を調整する方法においては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の官能基当量を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基当量が小さいと、架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後の粘着層が硬くなる傾向にあり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。また、官能基当量が小さすぎる場合、架橋密度が高くなりすぎ、塗膜が硬もろくなり、突刺し強度が小さくなる。また、例えば、エネルギー線照射後の粘着層の弾性率が高くなると、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射前の40%伸長後の突き刺し強度は、例えば、6.0N以上であり、7.0N以上であってもよく、7.5N以上であってもよい。一方、上記突き刺し強度は、例えば、40N以下であり、30N以下であってもよく、25N以下であってもよい。上記突き刺し強度が上記範囲であれば、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。
(2)SUS板に対する粘着力
本開示において、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力は、1.4N/25mm以下であり、好ましくは1.2N/25mm以下であり、より好ましくは1.0N/25mm以下である。エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープからチップを容易に剥離できる。そのため、剥離時に半導体加工用粘着テープにかかる応力を低減でき、半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、0.02N/25mm以上である。
本開示において、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力は、1.4N/25mm以下であり、好ましくは1.2N/25mm以下であり、より好ましくは1.0N/25mm以下である。エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープからチップを容易に剥離できる。そのため、剥離時に半導体加工用粘着テープにかかる応力を低減でき、半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、0.02N/25mm以上である。
ここで、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力は、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、測定できる。まず、半導体加工用粘着テープを手動ローラーを用いてSUS板に貼合する。次に、粘着層にエネルギー線を照射し、硬化させる。この際、例えば、半導体加工用粘着テープの基材側の面からエネルギー線を照射できる。次に、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を測定する。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を使用できる。
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力は、例えば、1.0N/25mm以上であることが好ましく、1.2N/25mm以上であることがより好ましい。上記のSUS板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープにウェハや分割されたチップを十分に固定できる。一方、上記のSUS板に対する粘着力の上限は、特に限定されない。
ここで、SUS板に対する粘着力は、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定できる。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、大きさ100mm×150mmのSUS板を使用できる。
上記のエネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を制御する手段としては、例えば、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法が挙げられる。
粘着層に含有される成分や組成を調整する方法としては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の含有量またはエネルギー線硬化性官能基の数を調整する方法、粘着主剤の極性を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が小さくなる傾向にある。また、例えば、粘着主剤の極性を、エネルギー線硬化性化合物との相溶性が高くなるように調整することにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が小さくなる傾向にある。
(3)40%伸長時の引張強度
本開示の半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度は、200N/45mm以下であり、好ましくは150N/45mm以下であり、より好ましくは100N/45mm以下である。40%伸長時の引張強度が上記範囲であることにより、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープとなる。一方、上記40%伸長時の引張強度は、例えば、15N/45mm以上であり、好ましくは20N/45mm以上であり、より好ましくは25N/45mm以上である。40%伸長時の引張強度が小さすぎると、柔軟性が高くなりすぎて、取り扱いが困難になる可能性がある。
本開示の半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度は、200N/45mm以下であり、好ましくは150N/45mm以下であり、より好ましくは100N/45mm以下である。40%伸長時の引張強度が上記範囲であることにより、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープとなる。一方、上記40%伸長時の引張強度は、例えば、15N/45mm以上であり、好ましくは20N/45mm以上であり、より好ましくは25N/45mm以上である。40%伸長時の引張強度が小さすぎると、柔軟性が高くなりすぎて、取り扱いが困難になる可能性がある。
なお、半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度とは、半導体加工用粘着テープをMD方向に40%伸長した時の引張強度である。
ここで、上記40%伸長時の引張強度は、JIS K7127に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:50mm、引張速度:100mm/minの条件にて、MD方向に40%伸長し、このときの引張強度を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1350」を使用できる。
上記40%伸長時の引張強度を制御する手段としては、例えば、基材の厚さ、弾性率を調整する方法が挙げられる。
基材の厚さを調整する方法においては、例えば、基材の厚さが薄いと、40%伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材の弾性率やヤング率が小さくなると、半導体加工用粘着テープが柔軟になる傾向にあり、40%伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。本開示においては、基材の厚さおよび弾性率を適宜調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度と、上記の40%伸長時の引張強度とを、それぞれ、所定の範囲に調整できる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後の40%伸長時の引張強度は、特に限定されないが、例えば、25N/45mm以上200N/45mm以下であり、30N/45mm以上150N/45mm以下であってもよく、35N/45mm以上100N/45mm以下であってもよい。
(4)破断点応力
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向の破断点応力が22MPa以上、150MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向の破断点応力が22MPa以上、200MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向の破断点応力が22MPa以上、150MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向の破断点応力が22MPa以上、200MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
エネルギー線照射後の破断点応力は、JIS K7127に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の応力を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を使用できる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前の、MD方向の破断点応力が15MPa以上、150MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、TD方向の破断点応力が20MPa以上、200MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の破断点応力の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
(5)破断点伸度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向の破断点伸度が、150%GL以上、600%GL以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向の破断点伸度が100%GL以上、700%GL以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。なお、上記GLとは標線間距離(Gage Length)の略称であり、このGLが変形前の元の長さになる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向の破断点伸度が、150%GL以上、600%GL以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向の破断点伸度が100%GL以上、700%GL以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。なお、上記GLとは標線間距離(Gage Length)の略称であり、このGLが変形前の元の長さになる。
エネルギー線照射後の破断点伸度は、JIS K7127に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を使用できる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前のMD方向の破断点伸度が150%GL以上、600%GL以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、TD方向の破断点伸度が100%GL以上、700%GL以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の破断点伸度の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
(6)ヤング率
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向のヤング率が、180MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向のヤング率が、130MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、MD方向のヤング率が、180MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、TD方向のヤング率が、130MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープのヤング率は、JIS K7127に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件で、MD方向またはTD方向に引っ張り、ヤング率を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を使用できる。
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前の、MD方向のヤング率が、100MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、TD方向のヤング率が、80MPa以上、500MPa以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープのヤング率の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
2.基材
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
基材としては、特に限定されないが、ピックアップ工程では半導体加工用粘着テープの基材側からエネルギー線を照射して粘着層を硬化させることにより、粘着層の粘着力を低下させることが好ましいことから、基材は、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。
基材はエキスパンド可能であればよく、中でも、柔軟性を有することが好ましい。また、上述したように、基材のヤング率を調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度と、上記の40%伸長時の引張強度とを、制御できる。例えば、基材のヤング率が大きいと、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。一方、基材のヤング率が小さいと、上記40%伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材のヤング率は、上記の半導体加工用粘着テープの特性を満たすように適宜調整される。基材のヤング率は、例えば、20MPa以上であることが好ましく、30MPa以上であることがより好ましく、40MPa以上であることがさらに好ましい。基材のヤング率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。一方、基材のヤング率は、500MPa以下であることが好ましく、300MPa以下であることがより好ましく、150MPa以下であることがさらに好ましい。基材のヤング率が上記範囲であれば、基材のエキスパンド性を向上させることができる。また、上記40%伸長時の引張強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。
ここで、基材のヤング率は、JIS K7127に準拠して測定できる。具体的な測定条件を下記に示す。引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を用いることができる。
(測定条件)
・試験片:試験片タイプ5
・チャック間距離:60mm
・引張速度:100mm/min
・温度:23℃
・湿度:50%RH
・試験片:試験片タイプ5
・チャック間距離:60mm
・引張速度:100mm/min
・温度:23℃
・湿度:50%RH
基材の材質としては、上記の特性を満たすものであることが好ましく、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系樹脂;ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂;ウレタン樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリカーボネート樹脂;フッ素樹脂等が挙げられる。また、基材の材質としては、例えば、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等の熱可塑性エラストマー;イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等のゴム系材料を挙げることができる。これらは1種単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。
中でも、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂が好ましい。すなわち、基材は、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂を含有することが好ましい。
基材は、必要に応じて、例えば、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、難燃剤、着色剤等の各種の添加剤を含有していてもよい。
基材は、例えば、単層であってもよく、多層であってもよい。
基材の粘着層側の面には、粘着層との密着性を向上させるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、特に限定されず、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、蒸着処理、アルカリ処理等が挙げられる。
基材の製膜方法としては、特に限定されず、例えば、キャスト法、カレンダー法、押出成形法等、従来公知の製膜方法を用いることができる。
基材の厚さを調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度と、上記の40%伸長時の引張強度とを、制御できる。例えば、基材の厚さが厚いと、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。一方、基材の厚さが薄いと、上記の40%伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材の厚さは、上記の半導体加工用粘着テープの特性を満たすように適宜調整される。基材の厚さは、基材の材質によっても異なるが、例えば、50μm以上であり、60μm以上であってもよく、70μm以上であってもよい。基材の厚さが上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。一方、基材の厚さは、基材の材質によっても異なるが、例えば、500μm以下であり、350μm以下であってもよく、200μm以下であってもよい。基材の厚さが上記範囲であれば、上記の40%伸長時の引張強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。
3.粘着層
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、ダイシング工程では、その初期粘着力により、ウェハや分割されたチップを固定できる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、ピックアップ工程では、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、チップを剥離できる。
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、ダイシング工程では、その初期粘着力により、ウェハや分割されたチップを固定できる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、ピックアップ工程では、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、チップを剥離できる。
エネルギー線としては、例えば、遠紫外線、紫外線、近紫外線、赤外線等の光線、X線、γ線等の電磁波の他、電子線、プロトン線、中性子線等が挙げられる。中でも、汎用性等の観点から、紫外線、電子線が好ましく、紫外線がより好ましい。
粘着層としては、上述の粘着特性を満たしていれば特に限定されず、例えば、樹脂(粘着主剤)と、エネルギー線硬化性化合物とを少なくとも含有できる。粘着層がエネルギー線硬化性化合物を含有することにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線硬化性化合物を硬化させることで、粘着力を低下させることができ、また、このとき凝集力が高まるため、剥離が容易になる。
(1)樹脂(粘着主剤)
樹脂(粘着主剤)としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減できる。
樹脂(粘着主剤)としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減できる。
よって、粘着層は、アクリル系樹脂と、エネルギー線硬化性化合物と、架橋剤とを少なくとも含有することが好ましい。粘着層内において、アクリル系樹脂は、通常、架橋剤によりアクリル系樹脂間が架橋されてなる架橋体として存在するが、架橋体と共にアクリル系樹脂の単体が含まれていてもよい。
(アクリル系樹脂)
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、(メタ)アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、(メタ)アクリル酸エステルを主成分として(メタ)アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、(メタ)アクリル酸エステル共重合体が好ましい。(メタ)アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ここでの主成分とは、共重合割合が51質量%以上であることを意味し、好ましくは65質量%以上である。
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、(メタ)アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、(メタ)アクリル酸エステルを主成分として(メタ)アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、(メタ)アクリル酸エステル共重合体が好ましい。(メタ)アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ここでの主成分とは、共重合割合が51質量%以上であることを意味し、好ましくは65質量%以上である。
中でも、アクリル系樹脂としては、(メタ)アクリル酸エステルを主成分とし、上記(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーとの共重合により得られる(メタ)アクリル酸エステル共重合体、または(メタ)アクリル酸エステルを主成分とし、上記(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの共重合により得られる(メタ)アクリル酸エステル共重合体を好適に用いることができる。
なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸の少なくとも一方をいう。
共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとしては、特に限定されず、例えば特開2012-31316号公報に開示される水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーが用いられる。
アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、例えば、20万以上100万以下であることが好ましく、20万以上80万以下であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることで、十分な初期粘着力を発揮できる。
ここで、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定した際のポリスチレン換算値である。重量平均分子量は、例えば、測定装置に東ソー株式会社製のHLC-8220GPCを、カラムに東ソー株式会社製のTSKGEL-SUPERMULTIPORE-HZ-Mを、溶媒にTHFを、標準品として分子量が1050、5970、18100、37900、96400、706000の標準ポリスチレンを用いることで測定できる。
また、アクリル系樹脂が、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの(メタ)アクリル酸エステル共重合体である場合、上記水酸基含有モノマーと上記カルボキシル基含有モノマーとの質量比としては、例えば、51:49~100:0であることが好ましく、中でも75:25~100:0であることが好ましい。各モノマーの質量比が上記範囲内であれば、エネルギー線照射による効果的な粘着力の低下が期待でき、糊残りの発生を抑制できる。
また、アクリル系樹脂は、エネルギー線硬化性を有していてもよく、例えば、側鎖にエネルギー線硬化性官能基を有していてもよい。エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を有することが好ましく、具体的には、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。
(2)エネルギー線硬化性化合物
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性ポリマーは、上記の樹脂(粘着主剤)とは異なるポリマーである。中でも、エネルギー線照射前後の粘着力のバランスの観点から、エネルギー線硬化性オリゴマーが好ましい。また、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーを組み合わせて用いてもよい。例えば、エネルギー線硬化性オリゴマーに加えてエネルギー線硬化性モノマーを用いる場合には、エネルギー線を照射した際に、粘着層を三次元架橋により硬化させて粘着力を低下させるとともに、凝集力を高めてチップ側へ転着させないようにすることができる。
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物等が挙げられる。中でも、ラジカル重合性化合物が好ましい。硬化速度が速く、また、多種多様な化合物から選択することができ、さらには、エネルギー線照射前後の粘着力等の物性を容易に制御することができる。
また、エネルギー線硬化性化合物のエネルギー線硬化性官能基の数を調整することにより、上記エネルギー線照射後の粘着力の制御が可能となる。さらには、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度の制御が可能となる。上述したように、例えば、エネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、上記エネルギー線照射後の粘着力が小さくなる傾向にあり、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
エネルギー線硬化性化合物において、エネルギー線硬化性官能基の数は、1分子中に2個以上であることが好ましく、1分子中に3個以上であることがより好ましく、4個以上であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性官能基の数が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による糊残りの発生を抑制できる。また、エネルギー線硬化性官能基の数の上限は、特に限定されない。
エネルギー線硬化性化合物は、ラジカル重合性オリゴマーであることが好ましく、ラジカル重合性多官能オリゴマーであることがより好ましい。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。
また、エネルギー線硬化性化合物として、ラジカル重合性オリゴマーおよびラジカル重合性モノマーを用いてもよく、中でも、ラジカル重合性多官能オリゴマーおよびラジカル重合性多官能モノマーを用いてもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば特開2010-173091号公報に開示されるものが挙げられる。
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、(メタ)アクリレート系モノマー、(メタ)アクリレート系オリゴマー、(メタ)アクリレート系ポリマー等を挙げることができる。また、エネルギー線硬化性化合物として、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等を用いることもできる。
また、エネルギー線硬化性化合物は、市販品を用いてもよい。例えば、三菱ケミカル社製のウレタンアクリレート「紫光UV7620EA(分子量:4100)」;根上工業社製のウレタンアクリレート「アートレジンUN-905(分子量:50000~210000)」、「アートレジンUN-905DU1(分子量:26000)」、「アートレジンUN-951SC(分子量:12500)」、「アートレジンUN-952(分子量:6500~9500)」、「アートレジンUN-953(分子量:14000~40000)」、「アートレジンUN-954(分子量:4200)」、「アートレジンH-219(分子量:25000~50000)」、「アートレジンH-315M(分子量:6600)」、「アートレジンH-417M(分子量:4000)」;大成ファインケミカル社製のアクリルウレタンポリマー「8BR-600(分子量:100000)」;DIC社製のポリマーアクリレート「ユニディックV-6850」;共栄社化学社製のアクリルポリマー「SMP-250AP(分子量:20000~30000)」、「SMP-360A(分子量:20000~30000)」;昭和電工マテリアルズ社製のアクリル樹脂アクリレート「HA7975」等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、30,000以下であることが好ましく、10,000以下であることがより好ましく、8,000以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量が上記範囲であれば、アクリル系樹脂(粘着主剤)と十分な相溶性を示し、粘着層が、エネルギー線照射前には所望の粘着力を示し、エネルギー線照射後には糊残りの発生が抑制され、容易に剥離可能となる。一方、エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、例えば、500以上とすることができる。
また、エネルギー線硬化性化合物の含有量を調整することにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力の制御が可能となる。さらには、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度の制御が可能となる。エネルギー線硬化性化合物の含有量が多いと、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が小さくなる傾向にあり、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
エネルギー線硬化性化合物の含有量としては、例えば、樹脂(粘着主剤)100質量部に対して、5質量部以上150質量部以下であることが好ましく、20質量部以上100質量部以下であることがより好ましく、50質量部以上80質量部以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による糊残りの発生を抑制できる。
(3)重合開始剤
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
重合開始剤としては、一般的な光重合開始剤を用いることができる。具体的には、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α-ヒドロキシケトン類、ベンジルメチルケタール類、α-アミノケトン類、ビスアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートを使用する場合には、重合開始剤がビスアシルフォスフィン系重合開始剤であることが好ましい。この重合開始剤は耐熱性を有するため、基材に粘着剤組成物を塗布してエネルギー線照射を行う際に、基材を介してエネルギー線照射を行う場合であっても、確実にエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
重合開始剤は、波長230nm以上に吸収を有することが好ましく、波長300nm以上400nm以下に吸収を有することが好ましい。このような重合開始剤は、波長300nm以上の幅の広いエネルギー線を吸収し、エネルギー線硬化性化合物の重合反応を誘発する活性種を効率的に生成することができる。そのため、少量のエネルギー線照射量でもエネルギー線硬化性化合物を効率的に硬化させることができ、容易に剥離可能となる。また、後述するように基材には樹脂等を用いることができ、樹脂には、波長300nm程度までのエネルギー線を吸収するものの、波長300nm程度以上のエネルギー線を透過するものが多い。さらに、近年では、エネルギー線照射装置において、波長300nm以上のLEDランプを使用することが多い。そのため、波長230nm以上に吸収を有する重合開始剤を用いることにより、基材を透過したエネルギー線を利用してエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
重合開始剤の含有量は、例えば、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物の合計100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下であることが好ましく、0.5質量部以上6質量部以下であることがより好ましい。重合開始剤の含有量が上記範囲に満たないと、エネルギー線硬化性化合物の重合反応が十分起こらず、エネルギー線照射後の粘着層の粘着力が過剰に高くなり、剥離性を実現することができない場合がある。一方、重合開始剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射面の近傍にしかエネルギー線が届かず、粘着層の硬化が不十分となる場合がある。また、凝集力が低下し、糊残りの発生の原因となる場合もある。
(4)架橋剤
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
粘着層は、樹脂(粘着主剤)およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
架橋剤は、少なくとも樹脂(粘着主剤)間を架橋するものであれば特に限定されるものではなく、樹脂(粘着主剤)の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。イソシアネート系架橋剤およびエポキシ系架橋剤の具体例としては、特開2012-31316号公報に開示されるものが挙げられる。架橋剤は、単独または2種以上を組み合わせて用いることができる。
架橋剤の含有量としては、架橋剤の種類に応じて適宜設定することができるが、例えば、樹脂(粘着主剤)100質量部に対して、0.01質量部以上15質量部以下であることが好ましく、0.01質量部以上10質量部以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲に満たないと、密着性が劣る場合や、チップを剥離する際に粘着層が凝集破壊を起こして糊残りが生じる場合がある。一方、架橋剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射後の粘着層中に架橋剤が未反応モノマーとして残留することで、凝集力の低下により糊残りの発生の原因となる場合がある。
(5)添加剤
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤等が挙げられる。
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤等が挙げられる。
また、粘着層は、粘着力調整剤を含んでいてもよい。粘着力調整剤は、例えば、セパレータに対する剥離性や、タック性を調整する目的で使用することができる。粘着力調整剤としては、例えば、アクリル系ブロック共重合体、ポリエステル樹脂等が挙げられる。アクリル系ブロック共重合体やポリエステル樹脂は、市販品を用いてもよい。アクリル系ブロック共重合体としては、具体的には、クラレ社の製クラリティシリーズ(例えば、「LA4285」、「LA2270」、「LA2250」、「LA2140」、「LA2330」、「LA3320」等)、アルケマ社製のNANOSTRENGTH(例えば、「M22N」等)が挙げられる。また、ポリエステル樹脂としては、例えば、東洋紡社製のバイロンシリーズ(例えば、「バイロン200」、「バイロン600」等)、ユニチカ社製のエリーテルシリーズ(「エリーテルUE3210」、「エリーテルUE9200」等)が挙げられる。
(6)粘着層の貯蔵弾性率
本開示における粘着層においては、エネルギー線照射後の、温度25℃、周波数1Hzでの貯蔵弾性率が、例えば、10MPa以上であることが好ましく、100MPa以上であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。一方、上記エネルギー線照射後の貯蔵弾性率の下限は特に限定されないが、例えば、5000MPa以下である。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、適度に柔い粘着層となるため、エネルギー線照射後の粘着層の割れを抑制できる。
本開示における粘着層においては、エネルギー線照射後の、温度25℃、周波数1Hzでの貯蔵弾性率が、例えば、10MPa以上であることが好ましく、100MPa以上であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。一方、上記エネルギー線照射後の貯蔵弾性率の下限は特に限定されないが、例えば、5000MPa以下である。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、適度に柔い粘着層となるため、エネルギー線照射後の粘着層の割れを抑制できる。
ここで、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置(DMA)によって測定された値である。動的粘弾性測定装置(DMA)によって、粘着層の貯蔵弾性率を測定する際には、粘着層を巻くことによって、直径5mm以上7mm以下、高さ5mm以上10mm以下程度の円柱状のサンプルとする。まず、動的粘弾性測定装置の圧縮冶具(パラレルプレートφ8mm)の間に、上記の円柱状の測定サンプルを取り付ける。次に、温度25℃、周波数1Hzの条件で、圧縮荷重をかけ、動的粘弾性測定を行う。動的粘弾性測定装置としては、例えば、ティー・エー・インスツルメント・ジャパン社製のRSA-3を用いることができる。
(7)粘着層の厚さおよび形成方法
粘着層の厚さは、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、3μm以上50μm以下であり、好ましくは5μm以上40μm以下である。
粘着層の厚さは、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、3μm以上50μm以下であり、好ましくは5μm以上40μm以下である。
粘着層の形成方法としては、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗布する方法や、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成し、粘着層および基材を貼り合わせる方法が挙げられる。
4.その他の構成
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
本開示の半導体加工用粘着テープは、粘着層の基材とは反対側の面にセパレータを有していてもよい。セパレータにより粘着層を保護することができる。
また、本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と粘着層との間にプライマー層を有していてもよい。プライマー層により基材および粘着層の密着性を高めることができる。
5.用途
本開示の半導体加工用粘着テープは、ダイシングテープとして好適に用いることができる。
本開示の半導体加工用粘着テープは、ダイシングテープとして好適に用いることができる。
なお、本開示は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。
以下、実施例および比較例を示し、本開示をさらに説明する。
[粘着剤組成物の材料]
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤A(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量80万)
・粘着主剤B(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量20万)
・紫外線硬化性化合物A(ウレタンアクリレート、官能基数10、分子量2000)
・紫外線硬化性化合物B(ウレタンアクリレート、官能基数9、分子量4100)
・紫外線硬化性化合物C(ウレタンアクリレート、官能基数6、分子量4200)
・紫外線硬化性化合物D(ウレタンアクリレート、官能基数10、分子量500~1200)
・架橋剤A:(イソシアネート系硬化剤、トリメチロールプロパンのトルイレンジイソシアネートアダクト体)
・架橋剤B(エポキシ系硬化剤、N,N,N’,N’-テトラグリシジル-m-キシリレンジアミン)
・架橋剤C:(金属キレート系硬化剤、アルミニウムトリスアセチルアセトネート)
・光重合開始剤(アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド)
・添加剤(メタクリル酸メチル・アクリル酸n-ブチル共重合体、アクリル酸n-ブチルの含有量:50質量%)
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤A(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量80万)
・粘着主剤B(アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量20万)
・紫外線硬化性化合物A(ウレタンアクリレート、官能基数10、分子量2000)
・紫外線硬化性化合物B(ウレタンアクリレート、官能基数9、分子量4100)
・紫外線硬化性化合物C(ウレタンアクリレート、官能基数6、分子量4200)
・紫外線硬化性化合物D(ウレタンアクリレート、官能基数10、分子量500~1200)
・架橋剤A:(イソシアネート系硬化剤、トリメチロールプロパンのトルイレンジイソシアネートアダクト体)
・架橋剤B(エポキシ系硬化剤、N,N,N’,N’-テトラグリシジル-m-キシリレンジアミン)
・架橋剤C:(金属キレート系硬化剤、アルミニウムトリスアセチルアセトネート)
・光重合開始剤(アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド)
・添加剤(メタクリル酸メチル・アクリル酸n-ブチル共重合体、アクリル酸n-ブチルの含有量:50質量%)
[実施例1]
(1)粘着層の形成
アクリル系粘着主剤A 100質量部と、紫外線硬化性化合物A 50質量部と、架橋剤A 3質量部と、光重合開始剤 5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(1)粘着層の形成
アクリル系粘着主剤A 100質量部と、紫外線硬化性化合物A 50質量部と、架橋剤A 3質量部と、光重合開始剤 5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
ポリエチレンテレフタレート(PET)セパレータ上に、乾燥後の厚さが20μmとなるように上記粘着剤組成物を塗工し、110℃オーブンで3分間乾燥させて、粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂 70質量部と、可塑剤 25質量部と、ノニルフェノール 0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂 70質量部と、可塑剤 25質量部と、ノニルフェノール 0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、50℃で3日間エージングを行い、半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例2]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤B 100質量部と、紫外線硬化性化合物B 40質量部と、紫外線硬化性化合物C 30質量部と、架橋剤A 3質量部と、光重合開始剤 7質量部と、添加剤 0.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤25質量部と、ノニルフェノール0.3質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤25質量部と、ノニルフェノール0.3質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例3]
(1)粘着層の形成
実施例2と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
実施例2と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
実施例1と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
実施例1と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニル(PVC)フィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例4]
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は、実施例1と同様の方法で粘着剤層を形成した。
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は、実施例1と同様の方法で粘着剤層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤(テレフタル酸ビス(2-エチルヘキシル))30質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ200μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤(テレフタル酸ビス(2-エチルヘキシル))30質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ200μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例5]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤B 100質量部と、紫外線硬化性化合物B 70質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、架橋剤C 0.2質量部と、光重合開始剤 2.8質量部と、添加剤 1質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤40質量部と、安定剤0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂70質量部と、可塑剤40質量部と、安定剤0.5質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例6]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤B 100質量部と、紫外線硬化性化合物D 70質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、光重合開始剤 4.2質量部と、添加剤 1.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
実施例5と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した
実施例5と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[実施例7]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤B 100質量部と、紫外線硬化性化合物B 60質量部と、架橋剤B 0.35質量部と、架橋剤C 0.2質量部と、光重合開始剤 2.4質量部と、添加剤 1質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
実施例2と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
実施例2と同様の方法で、厚さ90μmのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例1]
(1)粘着層の形成
実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
厚さを70μmとした以外は、実施例2と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを70μmとした以外は、実施例2と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例2]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤A 100質量部と、紫外線硬化性化合物A 50質量部と、架橋剤A 3質量部と、光重合開始剤 1.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ100μmのPEフィルムを準備した。
基材として、厚さ100μmのPEフィルムを準備した。
上記粘着層上に、基材として上記PEフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例3]
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は比較例2と同様の方法で粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は比較例2と同様の方法で粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ100μmのPETフィルムを準備した。
基材として、厚さ100μmのPETフィルムを準備した。
上記粘着層上に、基材として上記PETフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例4]
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は比較例2と同様の方法で、粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
厚さを10μmとした以外は比較例2と同様の方法で、粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ188μmのPETフィルムを準備した。
基材として、厚さ188μmのPETフィルムを準備した。
上記粘着層上に、基材として上記PETフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例5]
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ10μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例1と同様にして、厚さ10μmの粘着層を形成した。
アクリル系粘着主剤A 100質量部と、紫外線硬化性化合物A 50質量部と、架橋剤A 1.5質量部と、光重合開始剤 1.5質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒(混合比1:1)で固形分20%となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
(2)半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ188μmのPETフィルムを準備した。
基材として、厚さ188μmのPETフィルムを準備した。
上記粘着層上に、基材として上記PETフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例6]
(1)粘着層の形成
実施例6と同様の方法で、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
実施例6と同様の方法で、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
厚さを70μmとした以外は実施例2と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを70μmとした以外は実施例2と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[比較例7]
(1)粘着層の形成
実施例7と同様の方法で、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(1)粘着層の形成
実施例7と同様の方法で、厚さ20μmの粘着層を形成した。
(2)半導体加工用粘着テープの作製
厚さを90μmとした以外は実施例5と同様の方法で、ポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを90μmとした以外は実施例5と同様の方法で、ポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例1と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
[評価1]
(1)突き刺し強度
(1-1)エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度
半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を以下の方法で測定した。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。この際、試験片の長さ方向は、MD方向である。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度:100mm/minでMD方向に40%伸長した。40%伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を、直径20mmの円形開口部を有する突き刺し試験治具(イマダ社製TKS-250N)に固定した。円形開口部の中心において、ピン(イマダ社製TP-20、先端径:1mm、先端形状:半径0.5mmの半円形)を突き刺し速度:300mm/minで基材側から突き刺し、デジタルフォースゲージ(イマダ社製ZTS-500N)を用いて、破壊点における最大荷重を測定した。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は1分間とした。試験片の数を5個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とした。突き刺し試験は、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下で行った。
(1)突き刺し強度
(1-1)エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度
半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度を以下の方法で測定した。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。この際、試験片の長さ方向は、MD方向である。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度:100mm/minでMD方向に40%伸長した。40%伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を、直径20mmの円形開口部を有する突き刺し試験治具(イマダ社製TKS-250N)に固定した。円形開口部の中心において、ピン(イマダ社製TP-20、先端径:1mm、先端形状:半径0.5mmの半円形)を突き刺し速度:300mm/minで基材側から突き刺し、デジタルフォースゲージ(イマダ社製ZTS-500N)を用いて、破壊点における最大荷重を測定した。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は1分間とした。試験片の数を5個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とした。突き刺し試験は、温度25℃±5℃、湿度40%RH以上60%RH以下、エネルギー線を遮断した環境下で行った。
(1-2)エネルギー線照射前かつ40%伸長後の突き刺し強度を
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前かつ40%伸長後の突き刺し強度(初期の突き刺し強度)を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前かつ40%伸長後の突き刺し強度(初期の突き刺し強度)を測定した。
(2)SUS板に対する粘着力
(2-1)エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力
エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、測定した。まず、半導体加工用粘着テープからセパレータを剥離し、手動ローラーを用いてSUS板に貼合した。半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次に、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を測定した。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いた。
(2-1)エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力
エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を、JIS Z0237:2009(粘着テープ・粘着シート試験方法)の試験方法の方法1(温度23℃湿度50%RH、テープおよびシートをステンレス試験板に対して180°に引きはがす試験方法)に準拠し、測定した。まず、半導体加工用粘着テープからセパレータを剥離し、手動ローラーを用いてSUS板に貼合した。半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次に、幅25mm、剥離角度180°、剥離速度300mm/minの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力を測定した。SUS板は、SUS304、表面仕上げBA、厚さ1.5mm、幅100mm、長さ150mmのSUS板を用いた。
(2-2)エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力(初期のSUS板に対する粘着力)を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前のSUS板に対する粘着力(初期のSUS板に対する粘着力)を測定した。
(3)40%伸長時の引張強度
(3-1)エネルギー線照射前の40%伸長時の引張強度
エネルギー線照射前の半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度を以下のようにして測定した。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備し、セパレータを剥離した。この際、試験片の長さ方向は、MD方向である。この試験片を、チャック間距離:50mm、引張速度:100mm/minで、40%伸長した際の引張強度を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1350」を用いた。
(3-1)エネルギー線照射前の40%伸長時の引張強度
エネルギー線照射前の半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度を以下のようにして測定した。まず、幅45mm、長さ150mmの半導体加工用粘着テープの試験片を準備し、セパレータを剥離した。この際、試験片の長さ方向は、MD方向である。この試験片を、チャック間距離:50mm、引張速度:100mm/minで、40%伸長した際の引張強度を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1350」を用いた。
(3-2)エネルギー線照射後の40%伸長時の引張強度
セパレータを剥離する前に、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させたこと以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射後の40%伸長時の引張強度を測定した。
セパレータを剥離する前に、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させたこと以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射後の40%伸長時の引張強度を測定した。
(4)破断点応力
(4-1)エネルギー線照射後の破断点応力
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件にて、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を用いた。
(4-1)エネルギー線照射後の破断点応力
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件にて、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンRTF1150」を用いた。
(4-2)エネルギー線照射前の破断点応力
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。
(5)破断点伸度
(5-1)エネルギー線照射後の破断点伸度
上述した「(4-1)エネルギー線照射後の破断点応力」と同様の方法で、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープをMD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
(5-1)エネルギー線照射後の破断点伸度
上述した「(4-1)エネルギー線照射後の破断点応力」と同様の方法で、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープをMD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
(5-2)エネルギー線照射前の破断点伸度
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
(6)半導体加工用粘着テープのヤング率
(6-1)エネルギー線照射後のヤング率
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件で、ヤング率を測定した。
(6-1)エネルギー線照射後のヤング率
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ5の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離:60mm、引張速度:100mm/分の条件で、ヤング率を測定した。
(6-2)エネルギー線照射前のヤング率
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、ヤング率を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、MD方向またはTD方向に引っ張り、ヤング率を測定した。
[評価2]
(1)加工性
上記で得られた半導体加工用粘着テープを、8インチ径、厚さ100μmのシリコンウェハに貼り合せた。次に、シリコンウェハを3mm×3mmのチップサイズに個片化するダイシングを行い、チップの飛散の有無を確認した。そして、下記基準にて評価した。
(1)加工性
上記で得られた半導体加工用粘着テープを、8インチ径、厚さ100μmのシリコンウェハに貼り合せた。次に、シリコンウェハを3mm×3mmのチップサイズに個片化するダイシングを行い、チップの飛散の有無を確認した。そして、下記基準にて評価した。
(評価基準)
A:チップ飛びの割合が1%未満であった。
B:チップ飛びの割合が1%以上5%以下であった。
C:チップ飛びの割合が5%超であった。
A:チップ飛びの割合が1%未満であった。
B:チップ飛びの割合が1%以上5%以下であった。
C:チップ飛びの割合が5%超であった。
(2)剥離性(破れにくさ)
貼合装置(テクノビジョン社製のセミオートフィルム貼付装置)を用いて、半導体加工用粘着テープをSUS製のリングフレームに速度10mm/sで貼合した。その後、60分間静置した。次に、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射した。次いで、半導体加工用粘着テープをリングフレームから剥離した際の破れの有無を観察した。実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープをそれぞれ5個準備し、剥離性を確認して、下記基準にて評価した。
貼合装置(テクノビジョン社製のセミオートフィルム貼付装置)を用いて、半導体加工用粘着テープをSUS製のリングフレームに速度10mm/sで貼合した。その後、60分間静置した。次に、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が500mJ/cm2となるように紫外光を照射した。次いで、半導体加工用粘着テープをリングフレームから剥離した際の破れの有無を観察した。実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープをそれぞれ5個準備し、剥離性を確認して、下記基準にて評価した。
(評価基準)
A:すべてのテープに破れが発生しなかった。
B:一部のテープに破れが発生した。
C:すべてのテープにフィルム破れが発生した。
A:すべてのテープに破れが発生しなかった。
B:一部のテープに破れが発生した。
C:すべてのテープにフィルム破れが発生した。
(3)柔軟性
ウエハエキスパンダー(テクノビジョン社製のテープ拡張装置)を用いて、SUS製のリングフレームに貼り合せた半導体加工用粘着テープを、拡張ステージストローク35mm、拡張スピード6mm/s、拡張ステージ温度40℃にて拡張した。その際の柔軟性(拡張性)を下記基準にて評価した。
ウエハエキスパンダー(テクノビジョン社製のテープ拡張装置)を用いて、SUS製のリングフレームに貼り合せた半導体加工用粘着テープを、拡張ステージストローク35mm、拡張スピード6mm/s、拡張ステージ温度40℃にて拡張した。その際の柔軟性(拡張性)を下記基準にて評価した。
(評価基準)
A:拡張ステージストロークを40mmに変更しても十分に拡張できた。
B:十分に拡張できた。
C:拡張が不十分であった。
D:拡張できなかった。
A:拡張ステージストロークを40mmに変更しても十分に拡張できた。
B:十分に拡張できた。
C:拡張が不十分であった。
D:拡張できなかった。
表1および表2に示すように、実施例1~7の半導体加工用粘着テープは、剥離性(破れにくさ)及び柔軟性が良好であった。一方、比較例1、比較例2および比較例6の半導体加工用粘着テープは、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、低いため、剥離性(破れにくさ)に劣る結果となった。比較例3~5の半導体加工用粘着テープは、40%伸長時の引張強度が高いため、柔軟性に劣る結果となった。比較例7は、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が高いため、剥離性(破れにくさ)に劣る結果となった。
すなわち、本開示においては、以下の発明を提供できる。
[1]基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、前記半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である、半導体加工用粘着テープ。
[1]基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、前記半導体加工用粘着テープの40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である、半導体加工用粘着テープ。
1 … 基材
2 … 粘着層
10 … 半導体加工用粘着テープ
2 … 粘着層
10 … 半導体加工用粘着テープ
Claims (1)
- 基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、
40%伸長時の引張強度が、200N/45mm以下であり、
エネルギー線照射後かつ40%伸長後の突き刺し強度が、7.2N以上であり、
エネルギー線照射後のSUS板に対する粘着力が、1.4N/25mm以下である、半導体加工用粘着テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022158592A JP2024052110A (ja) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 半導体加工用粘着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022158592A JP2024052110A (ja) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 半導体加工用粘着テープ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024052110A true JP2024052110A (ja) | 2024-04-11 |
Family
ID=90622882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022158592A Pending JP2024052110A (ja) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 半導体加工用粘着テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024052110A (ja) |
-
2022
- 2022-09-30 JP JP2022158592A patent/JP2024052110A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6475901B2 (ja) | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4493643B2 (ja) | 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート | |
JP5128575B2 (ja) | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP7326270B2 (ja) | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2020003919A1 (ja) | 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 | |
JP6009188B2 (ja) | ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート | |
JP2009164556A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP2013211438A (ja) | 表面保護用シート | |
JP2011089009A (ja) | 放射線硬化性粘着剤組成物、それを用いたダイシング用粘着フィルム、及び切断片の製造方法 | |
JP6207192B2 (ja) | 半導体加工用粘着シート | |
JP2004228420A (ja) | 半導体ウェハー固定用粘着テープ | |
JP2010106283A (ja) | 再剥離型粘着剤組成物、及び粘着テープ又はシート | |
JP7382690B2 (ja) | ワーク加工用シート | |
WO2014136777A1 (ja) | 半導体ウェハ加工用粘着テープ | |
US20110076490A1 (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet for retaining elements and method of producing elements | |
JP2024052110A (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JPWO2019172219A1 (ja) | 粘着シート | |
JP7276555B1 (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP7107455B1 (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP7173392B1 (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
WO2020217793A1 (ja) | 粘着テープ | |
JP7197038B1 (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP2023069662A (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP2024052188A (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JPWO2019172218A1 (ja) | 粘着シート |