JP2024027928A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱処理の均一性を高めることができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による熱処理装置は、下端が開口する有天井の円筒形状を有し、内部に第1空間を形成する処理容器と、前記下端の開口を塞ぐ蓋と、前記蓋を貫通して設けられる支持部であり、軸部と、前記軸部の上部に位置する載置部とを有する支持部と、前記載置部の上に設置され、複数の基板を上下方向に多段に配列して保持するボートと、前記軸部の周囲に前記載置部の下面との間に隙間をあけて設けられる区画部材であり、前記第1空間に対して区画された第2空間を形成する区画部材と、前記第2空間に設けられる断熱材と、を備え、前記処理容器には、側壁の一部に排気口が設けられ、前記処理容器の周方向において、前記隙間は、少なくとも前記排気口が設けられる角度位置を含む第1隙間と、前記第1隙間を除く角度位置に設けられる第2隙間とを有し、前記第1隙間は、前記第2隙間よりも広い。【選択図】図1
Description
本開示は、熱処理装置に関する。
下端に開口部を有する反応容器内に、多段に配列した複数の基板を保持するボートを収容し、開口部を蓋部で閉塞した状態で、複数の基板に熱処理を施す基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1では、蓋部を覆うカバー部を設け、カバー部で覆われた空間に断熱部を設置している。
本開示は、熱処理の均一性を高めることができる技術を提供する。
本開示の一態様による熱処理装置は、下端が開口する有天井の円筒形状を有し、内部に第1空間を形成する処理容器と、前記下端の開口を塞ぐ蓋と、前記蓋を貫通して設けられる支持部であり、軸部と、前記軸部の上部に位置する載置部とを有する支持部と、前記載置部の上に設置され、複数の基板を上下方向に多段に配列して保持するボートと、前記軸部の周囲に前記載置部の下面との間に隙間をあけて設けられる区画部材であり、前記第1空間に対して区画された第2空間を形成する区画部材と、前記第2空間に設けられる断熱材と、を備え、前記処理容器には、側壁の一部に排気口が設けられ、前記処理容器の周方向において、前記隙間は、少なくとも前記排気口が設けられる角度位置を含む第1隙間と、前記第1隙間を除く角度位置に設けられる第2隙間とを有し、前記第1隙間は、前記第2隙間よりも広い。
本開示によれば、熱処理の均一性を高めることができる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔第1実施形態〕
図1から図4を参照し、第1実施形態に係る熱処理装置について説明する。図1は、第1実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図2は、図1のII-II矢視断面図である。図3は、図1のIII-III矢視断面図である。図4は、プレートを斜め上方から見た斜視図である。
図1から図4を参照し、第1実施形態に係る熱処理装置について説明する。図1は、第1実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図2は、図1のII-II矢視断面図である。図3は、図1のIII-III矢視断面図である。図4は、プレートを斜め上方から見た斜視図である。
第1実施形態に係る熱処理装置1Aは、複数の基板Wに対して一度に熱処理を行うバッチ式の装置である。基板Wは、例えば半導体ウエハである。熱処理は、例えば成膜処理である。熱処理装置1Aは、処理容器10と、ガス供給部30と、加熱部50と、断熱部60と、制御部90とを備える。
処理容器10は、内部を減圧可能である。処理容器10は、内部に基板Wを収容する。処理容器10は、内管11と、外管12とを有する。
内管11は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。外管12は、下端が開放されて内管11の外側を覆う有天井の円筒形状を有する。内管11及び外管12は、同軸状に配置されて2重管構造を有する。内管11及び外管12は、例えば石英により形成される。
内管11は、第1円筒部11aと、拡径部11bと、第2円筒部11cと、天板11dとを有する。第1円筒部11a、拡径部11b及び第2円筒部11cは、上側から下側に向かってこの順に設けられる。第1円筒部11aは、後述するボート18の上端よりも上方からボート18の下端までの高さ領域を含んで設けられる。第1円筒部11aは、第1内径を有する。拡径部11bは、第1円筒部11aの下に位置する。拡径部11bは、上方から下方に向けて第1内径から第2内径まで拡径する。第2内径は、第1内径よりも大きい。第2円筒部11cは、拡径部11bの下に位置する。第2円筒部11cは、第2内径を有する。天板11dは、第1円筒部11aの上端の開口を塞ぐ。
内管11には、側壁の一部を外側へ向けて突出させた凸部11eが形成される。凸部11eは、内管11の長手方向(上下方向)に沿って形成される。凸部11eは、後述するインジェクタ31を収容する収容部を内部に形成する。凸部11eに対向させて内管11の反対側の側壁には、上下方向に沿って延びる矩形状の排気口11fが形成される。具体的には、排気口11fは、内管11の第1円筒部11aから第2円筒部11cの上端近傍まで延びるように形成されている。処理容器10内の処理ガスは、排気口11fを通って排気される。
外管12の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円環状のフランジ部材13によって支持され、Oリング等のシール部材15を介して気密に取り付けられる。外管12の下方の内壁には、円環板状の支持部12aが設けられる。支持部12aは、内管11の下端を支持する。外管12の側壁であって、支持部12aの上方には、ガス出口12bが設けられる。ガス出口12bには、排気通路(図示せず)が接続される。排気通路には、圧力調整弁及び真空ポンプ(いずれも図示せず)が順次介設される。外管12の下端の開口には、蓋14がOリング等のシール部材68を介して気密に取り付けられる。蓋14は、処理容器10の下端の開口、すなわち外管12の開口を気密に塞ぐ。蓋14は、例えばステンレス鋼等の金属により形成される。
蓋14の中央部には、回転機構16が設けられる。回転機構16は、例えば磁性流体シールを含む。回転機構16の下部には、ボートエレベータよりなる昇降機構のアーム(図示せず)が接続される。回転機構16は、アームの昇降により上下動する。回転機構16の上部には、支持部17が接続される。支持部17は、蓋14に対して回転自在である。支持部17は、例えば石英により形成される。支持部17は、軸部17aと、載置部17bとを有する。軸部17aの下部は、回転機構16に接続される。載置部17bは、軸部17aの上部に位置する。載置部17bは、上方からの平面視において軸部17aよりも直径が大きい円板形状を有する。載置部17bは、ボート18を支持する。ボート18は、複数(例えば25枚~200枚)の基板Wを水平姿勢で上下方向に多段に配列して保持する。ボート18は、例えば石英、炭化珪素により形成される。ボート18は、アームの昇降により、蓋14、回転機構16及び支持部17と一体として上下動する。これにより、ボート18が処理容器10に対して挿脱される。
ガス供給部30は、インジェクタ31を有する。インジェクタ31は、内管11の内面の近傍を複数の基板Wの配列方向(上下方向)に沿って直線状に延在すると共に、内管11の下部においてL字状に屈曲し、外管12を貫通して内管11の外部まで延びる。インジェクタ31は、例えば石英により形成される。インジェクタ31において内管11の外部の端部には、ガス供給経路(図示せず)を介して処理ガスのガス源(図示せず)が接続される。インジェクタ31において内管11の内部に位置する部位には、複数の吐出孔31hが設けられる。各吐出孔31hは、インジェクタ31の延在方向に沿って所定の間隔ごとに設けられる。ガス源の処理ガスは、ガス供給経路からインジェクタ31に流入し、各吐出孔31hから内管11内に吐出される。内管11は、ボート18が位置する高さ領域において内径が絞られており、かつインジェクタ31と対向させて排気口11fが設けられる。この場合、各吐出孔31hから吐出される処理ガスが基板W側へ流れることを促進できる。各吐出孔31h同士の間隔は、例えばボート18に保持される基板Wの間隔と同じに設定される。各吐出孔31hの高さ方向の位置は、例えば上下方向に隣り合う基板W間の中間位置に設定される。この場合、各吐出孔31hは隣り合う基板W間の対向面に処理ガスを効率的に供給できる。
ガス供給部30は、複数種類の処理ガスを混合して1つのインジェクタから混合した処理ガスを吐出してもよい。ガス供給部30は、インジェクタ31の他に、別の処理ガスを吐出するインジェクタを更に有してもよい。
加熱部50は、チャンバヒータ51を含む。チャンバヒータ51は、処理容器10の径方向外側において処理容器10を囲み、かつ処理容器10の天井を覆う有天井の円筒形状を有する。チャンバヒータ51は、処理容器10の側周囲及び天井を加熱することにより、処理容器10内に収容された各基板Wを加熱する。
断熱部60は、区画部材61と、断熱材62と、ヒータ63と、放射板64と、反射板65と、プレート66とを有する。
区画部材61は、蓋14の上に設置される。区画部材61は、処理容器10の下端の開口が蓋14により気密に塞がれた状態において、処理容器10の内部に位置する。区画部材61は、例えば石英により形成される。区画部材61は、内壁部61aと、外壁部61bと、天壁部61cと、フランジ部61dとを含む。
内壁部61aは、軸部17aの周囲に設けられる。内壁部61aは、円筒形状を有する。内壁部61aの下端は、Oリング等のシール部材67を介して蓋14の上に設置される。内壁部61aの内面と軸部17aの外面との間には、狭空間B1が設けられる。狭空間B1には、パージガス源PGからパージガスが供給される。パージガスは、処理容器10の下側から上側に向けて供給される。パージガスは、内管11内に吐出された処理ガスが回転機構16に流入することを抑制する。パージガスは、例えば窒素ガスである。
外壁部61bは、内壁部61aの周囲に設けられる。外壁部61bは、円筒形状を有する。外壁部61bは、内壁部61aと同軸状に設けられる。外壁部61bの下端は、蓋14の上に設置される。
天壁部61cは、内壁部61aの上端と外壁部61bの上端とを接続し、内壁部61aと外壁部61bとの間の空間の上部を塞ぐ。天壁部61cは、円環板状を有する。天壁部61cは、蓋14、内壁部61a及び外壁部61bと共に、処理容器10の内部の第1空間A1に対して区画された第2空間A2を形成する。第1空間A1は、大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えられる。第2空間A2は、処理容器10の外部の環境である。第2空間A2は、例えば大気雰囲気又は不活性ガス雰囲気に維持される。不活性ガスは、例えば窒素ガスである。天壁部61cは、載置部17bに対して隙間をあけて対向する。
フランジ部61dは、外壁部61bの下部から外側に向けて延びる。フランジ部61dの外縁の上面と外管12の下端との間には、Oリング等のシール部材68が設けられる。
断熱材62は、第2空間A2に設けられる。断熱材62は、例えば蓋14の上に設置される。断熱材62は、処理容器10の下端の開口からの放熱を抑制する。断熱材62は、繊維系断熱材を円筒状に成型した構造を有する。ただし、断熱材62は繊維系断熱材に限定されない。例えば石英、炭化珪素等からなる断熱プレートを上下方向に間隔をあけて積層した構造であってもよい。
ヒータ63は、天板ヒータ63aと、外側円筒ヒータ63bと、インジェクタヒータ63cとを含む。ヒータ63は、更に別のヒータを含んでもよい。
天板ヒータ63aは、天壁部61cと断熱材62との間に設けられる。天板ヒータ63aを設けることで、処理容器10内において上下方向の均熱長が向上する。天板ヒータ63aは、例えば円環板状を有する。天板ヒータ63aは、例えばカーボン系ヒータであってよい。この場合、昇降温特性を良くし温度リカバリ時間を短縮できる。また、天板ヒータ63aはカーボン系ヒータ以外であってもよい。第2空間A2は第1空間A1に対して区画された空間であるため、シースヒータやカンタル線ヒータなど、安価なヒータを用いることができる。この場合、カーボン系ヒータに比べて大幅にコストを削減できる。
外側円筒ヒータ63bは、外壁部61bと断熱材62との間に設けられる。外側円筒ヒータ63bは、外壁部61bを加熱する。これにより、外壁部61bの表面に副生成物が付着することを抑制できる。外側円筒ヒータ63bは、例えば円筒形状を有し、蓋14の上に設置される。外側円筒ヒータ63bは、例えばシース系ヒータであってよい。この場合、遠赤外線が発せられるため、石英により形成される外壁部61bが加熱されやすい。
インジェクタヒータ63cは、外壁部61bと断熱材62との間に設けられる。インジェクタヒータ63cは、上下方向に沿って延びる棒状を有する。インジェクタヒータ63cは、例えば処理容器10の周方向におけるインジェクタ31と同じ角度位置に設けられる。この場合、各吐出孔31hから吐出される前に処理ガスを加熱できるので、ボート18の下部に保持される基板Wに向けて吐出される処理ガスの温度が低くなることを抑制できる。
放射板64は、天壁部61cと天板ヒータ63aとの間に設けられる。放射板64は、基板W側からの輻射を下側に放熱する前に吸収し、基板W側に放射する。これにより、基板Wを効率よく加熱できる。放射板64は、例えばアルミナ、炭化珪素により形成される。この場合、放射板64の放射率が高くなるため、基板Wの加熱効率が向上する。
反射板65は、断熱材62と天板ヒータ63aとの間に設けられる。反射板65は、天板ヒータ63aの下側への余計な輻射を反射して天板ヒータ63aの加熱性能を向上させる。反射板65は、例えば金メッキ板により形成される。金メッキ板は、高反射率であるため、天板ヒータ63aの下側への余計な輻射を効率よく反射できる。金メッキ板は、化学的に安定であることから、劣化を抑制しやすい。
プレート66は、天壁部61cの上に設置される。プレート66は、例えば石英により形成される。プレート66は、処理容器10の軸方向からの平面視において、排気口11f側に開口するC字形状を有する。これにより、支持部17の下面と区画部材61の上面との間に、処理容器10の周方向において、少なくとも排気口11fが設けられる角度位置を含む第1隙間G1と、第1隙間G1を除く角度位置に設けられる第2隙間G2とが形成される。第1隙間G1は、第2隙間G2よりも広い。この場合、狭空間B1に供給されるパージガスが第1隙間G1を通って排気口11fに誘導される。このため、狭空間B1に供給されるパージガスがボート18まで流れ込むことを抑制でき、ボート18に保持された基板Wに対する熱処理への影響を低減できる。その結果、熱処理の均一性を高めることができる。排気口11fは、少なくとも第1隙間G1と同じ高さ位置を含んで設けられることが好ましい。この場合、第1隙間G1を通過したパージガスが排気口11fに誘導されやすい。また、排気口11fは、内管11の第1円筒部11aから第2円筒部11cの上端近傍まで延びるように形成されている。内管11の下方は拡径部11bにより第2内径が第1内径よりも大きく形成されているため、第1隙間G1および第2隙間G2を通過したパージガスはボート18まで流れ込みにくい。すなわち、内管11の内面と載置部17bの外周面との距離は内管11の内面と区画部材61の外壁部61bとの距離より十分に小さい。このため、パージガスは内管11と区画部材61の外壁部61bとの間の空間に流れ、拡径部11bおよび第2円筒部11cに形成された排気口11fに誘導される。その結果、パージガスがボート18まで流れ込むことを抑制でき、ボート18に保持された基板Wに対する熱処理への影響を低減できる。なお、第1実施形態では、排気口11fが内管11の第1円筒部11aから第2円筒部11cの上端近傍まで延びる例を説明したが、これに限定されない。排気口11fは内管11の第1円筒部11aから拡径部11bの途中まで延びる構成であってもよい。少なくとも拡径部11bの途中まで排気口11fが形成されていれば、同様の作用効果を奏することができる。
制御部90は、例えば熱処理装置1Aの各部の動作を制御する。制御部90は、例えばコンピュータであってよい。また、熱処理装置1Aの各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、DVD等であってよい。
以上に説明したように、第1実施形態に係る熱処理装置1Aによれば、区画部材61によって第1空間A1に対して区画された第2空間A2に断熱材62が設けられる。この場合、第1空間A1の表面積が小さくなるので、処理ガスの消費量を削減できる。これに対し、第1空間Aに断熱材62が設けられる場合、処理ガスが断熱材62に流れ込み、処理ガスの消費量が増加する。
また、第1実施形態に係る熱処理装置1Aによれば、区画部材61によって第1空間A1に対して区画された第2空間A2に断熱材62が設けられる。この場合、第1空間A1の容積が小さくなるので、第1空間A1を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替える時間を短縮できる。これに対し、第1空間A1に断熱材62が設けられる場合、少なくとも断熱材62の体積の分だけ第1空間A1の容積が大きくなるので、第1空間A1を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替える時間が長くなる。
また、第1実施形態に係る熱処理装置1Aによれば、区画部材61によって第1空間A1に対して区画された第2空間A2に断熱材62が設けられる。この場合、第1空間A1の表面積が小さくなるので、処理ガスから生じる副生成物の付着量を削減でき、パーティクルの発生を抑制できる。また、第2空間A2に天板ヒータ63a及び外側円筒ヒータ63bが設けられる。この場合、天板ヒータ63a及び外側円筒ヒータ63bによって区画部材61の表面を加熱できるので、区画部材61の表面に副生成物が付着することを抑制しやすい。これに対し、第1空間A1に断熱材62が設けられる場合、第1空間A1の表面積が大きくなるので、処理ガスから生じる副生成物の付着量が増加する。また、天板ヒータ63a及び外側円筒ヒータ63bが設けられない場合、断熱材62の温度制御を局所的に行うことができないため、断熱材62に副生成物が付着しやすい。
また、第1実施形態に係る熱処理装置1Aによれば、区画部材61によって第1空間A1に対して区画された第2空間A2に断熱材62が設けられる。この場合、区画部材61の表面に副生成物が付着しうるが、断熱材62には副生成物が付着しない。このため、クリーニングにより副生成物を除去する時間を短縮できる。これに対し、第1空間A1に断熱材62が設けられる場合、断熱材62に副生成物が付着するため、クリーニングにより副生成物を除去する時間が長くなる。
また、第1実施形態に係る熱処理装置1Aによれば、天壁部61cの上に設置され、処理容器10の軸方向からの平面視において、排気口11f側に開口するC字形状を有するプレート66を有する。これにより、支持部17の下面と区画部材61の上面との間に、処理容器10の周方向において、少なくとも排気口11fが設けられる角度位置を含む第1隙間G1と、第1隙間G1を除く角度位置に設けられる第2隙間G2とが形成される。第1隙間G1は、第2隙間G2よりも広い。この場合、狭空間B1に供給されるパージガスが第1隙間G1を通って排気口11fに誘導される。このため、狭空間B1に供給されるパージガスがボート18まで流れ込むことを抑制でき、ボート18に保持された基板Wに対する熱処理への影響を低減できる。その結果、熱処理の均一性を高めることができる。
〔第2実施形態〕
図5及び図6を参照し、第2実施形態に係る熱処理装置について説明する。図5は、第2実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図6は、区画部材を斜め上方から見た斜視図である。
図5及び図6を参照し、第2実施形態に係る熱処理装置について説明する。図5は、第2実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図6は、区画部材を斜め上方から見た斜視図である。
第2実施形態に係る熱処理装置1Bは、プレート66を有しておらず、区画部材61の天壁部61cに形成された溝61eによって第1隙間G1が形成される点で、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと異なる。その他の構成については、熱処理装置1Aと同じ構成であってよい。以下、熱処理装置1Aと異なる点を中心に説明する。
天壁部61cは、半径方向の内側から外側まで延在する溝61eを上面に有する。溝61eは、処理容器10の周方向において、少なくとも排気口11fが設けられる角度位置を含んで設けられる。これにより、支持部17の下面と区画部材61の上面との間に、処理容器10の周方向において、少なくとも排気口11fが設けられる角度位置を含む第1隙間G1と、第1隙間G1を除く角度位置に設けられる第2隙間G2とが形成される。第1隙間G1は、第2隙間G2よりも広い。この場合、狭空間B1に供給されるパージガスが第1隙間G1を通って排気口11fに誘導される。このため、狭空間B1に供給されるパージガスがボート18まで流れ込むことを抑制でき、ボート18に保持された基板Wに対する熱処理への影響を低減できる。その結果、熱処理の均一性を高めることができる。
以上に説明したように、第2実施形態に係る熱処理装置1Bによれば、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと同様の作用効果を奏することができる。
〔第3実施形態〕
図7及び図8を参照し、第3実施形態に係る熱処理装置について説明する。図7は、第3実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図8は、張出部を示す斜視図である。
図7及び図8を参照し、第3実施形態に係る熱処理装置について説明する。図7は、第3実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図8は、張出部を示す斜視図である。
第3実施形態に係る熱処理装置1Cは、第1隙間G1と同じ高さ位置を含んで設けられ、側壁から半径方向の外側に向けて張り出した張出部11gを有する点で、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと異なる。その他の構成については、熱処理装置1Aと同じ構成であってよい。以下、熱処理装置1Aと異なる点を中心に説明する。
内管11は、側壁から半径方向の外側に向けて張り出した張出部11gを有する。張出部11gは、第1隙間G1と同じ高さ位置を含んで設けられる。張出部11gが設けられることにより、狭空間B1に供給されるパージガスが第2隙間G2を通過した場合であっても、パージガスは張出部11gの内部に形成されるバッファ空間を周方向に沿って流れて排気口11fに誘導される。排気口11fは、張出部11gを含んで設けられる。例えば、排気口11fは、張出部11gと、張出部11gよりも上側の内管11の側壁に設けられる。
以上に説明したように、第3実施形態に係る熱処理装置1Cによれば、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと同様の作用効果を奏することができる。
〔第4実施形態〕
図9及び図10を参照し、第4実施形態に係る熱処理装置について説明する。図9は、第4実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図10は、プレートを斜め上方から見た斜視図である。
図9及び図10を参照し、第4実施形態に係る熱処理装置について説明する。図9は、第4実施形態に係る熱処理装置を示す概略図である。図10は、プレートを斜め上方から見た斜視図である。
第4実施形態に係る熱処理装置1Dは、第2隙間G2にラビリンス構造が設けられる点で、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと異なる。その他の構成については、熱処理装置1Aと同じ構成であってよい。以下、熱処理装置1Aと異なる点を中心に説明する。
プレート66は、天壁部61cの上に設置される。プレート66は、例えば石英により形成される。プレート66は、処理容器10の軸方向からの平面視において、排気口11f側に開口するC字形状を有する。プレート66の上面には、凸部66aと凹部66bとが半径方向に沿って交互に複数設けられる。凸部66a及び凹部66bは、同心円状に設けられる。
載置部17bの下面には、凹部66bと対向する位置に凸部17cが設けられる。各凸部17cは、例えば周方向の全体にわたって設けられる。各凸部17cは、周方向においてプレート66が設けられる位置のみに設けられてもよい。
係る熱処理装置1Dでは、プレート66の上面に設けられた凸部66a及び凹部66bと、載置部17bの下面に設けられた凸部17cとにより、第2隙間G2にラビリンス構造が形成される。一方、第1隙間G1にはラビリンス構造が形成されない。この場合、狭空間B1に供給されるパージガスが第1隙間G1を通って排気口11fに誘導される。一方、狭空間B1に供給されるパージガスは第2隙間G2を通過しにくい。このため、狭空間B1に供給されるパージガスがボート18まで流れ込むことを抑制でき、ボート18に保持された基板Wに対する熱処理への影響を低減できる。その結果、熱処理の均一性を高めることができる。また、ラビリンス構造が形成されることにより、処理容器10内の処理ガスが狭空間B1に逆拡散することを抑制できる。その結果、軸部17aや内壁部61aの表面が処理ガスによって成膜されにくくなり、副生成物の付着を抑制できる。
以上に説明したように、第4実施形態に係る熱処理装置1Dによれば、第1実施形態に係る熱処理装置1Aと同様の作用効果を奏することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
1A,1B,1C,1D 熱処理装置
11 内管
11f 排気口
14 蓋
17 支持部
17a 軸部
17b 載置部
18 ボート
61 区画部材
62 断熱材
G1 第1隙間
G2 第2隙間
W 基板
11 内管
11f 排気口
14 蓋
17 支持部
17a 軸部
17b 載置部
18 ボート
61 区画部材
62 断熱材
G1 第1隙間
G2 第2隙間
W 基板
Claims (12)
- 下端が開口する有天井の円筒形状を有し、内部に第1空間を形成する処理容器と、
前記下端の開口を塞ぐ蓋と、
前記蓋を貫通して設けられる支持部であり、軸部と、前記軸部の上部に位置する載置部とを有する支持部と、
前記載置部の上に設置され、複数の基板を上下方向に多段に配列して保持するボートと、
前記軸部の周囲に前記載置部の下面との間に隙間をあけて設けられる区画部材であり、前記第1空間に対して区画された第2空間を形成する区画部材と、
前記第2空間に設けられる断熱材と、
を備え、
前記処理容器には、側壁の一部に排気口が設けられ、
前記処理容器の周方向において、前記隙間は、少なくとも前記排気口が設けられる角度位置を含む第1隙間と、前記第1隙間を除く角度位置に設けられる第2隙間とを有し、
前記第1隙間は、前記第2隙間よりも広い、
熱処理装置。 - 前記排気口は、少なくとも前記第1隙間と同じ高さ位置を含んで設けられる、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記区画部材は、
前記軸部の周囲に設けられる内壁部と、
前記内壁部の周囲に前記内壁部と同軸状に設けられる外壁部と、
前記内壁部の上端と前記外壁部の上端とを接続し、前記内壁部と前記外壁部との間の空間の上部を塞ぐ天壁部と、
を有し、
前記天壁部は、半径方向の内側から外側まで延在し、前記第1隙間を形成する溝を上面に有する、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記区画部材は、
前記軸部の周囲に設けられる内壁部と、
前記内壁部の周囲に前記内壁部と同軸状に設けられる外壁部と、
前記内壁部の上端と前記外壁部の上端とを接続し、前記内壁部と前記外壁部との間の空間の上部を塞ぐ天壁部と、
を有し、
前記天壁部の上に設けられるプレートを更に備え、
前記処理容器の軸方向からの平面視において、前記プレートは前記排気口側に開口するC字形状を有する、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記処理容器は、第1内径を有する第1円筒部と、前記第1内径よりも大きい第2内径を有する第2円筒部と、前記第1円筒部と前記第2円筒部との間に設けられる拡径部と、を有し、
前記第1円筒部、前記拡径部及び前記第2円筒部は、前記処理容器の上側から下側に向かってこの順に設けられ、
前記拡径部は、前記第1隙間と同じ高さ位置を含んで設けられる、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記排気口は、前記第1円筒部から少なくとも前記拡径部まで延びるように形成されている、
請求項5に記載の熱処理装置。 - 前記処理容器は、側壁から半径方向の外側に向けて張り出した張出部を有し、
前記張出部は、前記第1隙間と同じ高さ位置を含んで設けられる、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記第2空間における前記天壁部と前記断熱材との間に設けられるヒータを更に備える、
請求項4に記載の熱処理装置。 - 前記処理容器内において前記複数の基板の配列方向に沿って延在するインジェクタと、
前記区画部材の内部でありかつ前記処理容器の周方向において前記インジェクタが設けられる角度位置に設けられ、前記配列方向に沿って延在するヒータと、
を更に備える、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記第2隙間には、ラビリンス構造が設けられる、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記軸部と前記区画部材との間にパージガスを供給するパージガス源を更に備える、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 有天井の円筒形状を有し、前記処理容器の外側を覆う第2処理容器を更に備える、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の熱処理装置。
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