JP2024021704A - Wafer cleaning device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely remove a fracture piece of a protective member left in an outer peripheral edge part of a wafer in a short time.

SOLUTION: A wafer cleaning device 1 comprises: a holding part 10 which holds a wafer W in which a portion of a fractured protective member F adheres to an outer peripheral edge part thereof when peeling the protective member F formed so as to wrap the entire one surface of one of the wafer W and the outer peripheral edge part from the wafer W; a rotation mechanism 20 which rotates the wafer W held by the holding part 10; and a cleaning mechanism 30 which cleans the outer peripheral edge part of the rotating wafer W. The cleaning mechanism 30 includes a spray nozzle 32 which sprays two fluids (high pressure water) of water and air toward a fracture piece f of the holding member F adhering to the outer peripheral edge part of the wafer W held by the holding part 10. The cleaning mechanism cleans the outer peripheral edge part of the rotating wafer W by spraying the two fluids (high pressure water) from the spray nozzle 32.

SELECTED DRAWING: Figure 1

COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハの外周エッジ部に付着して残る保護部材の破断片を除去して該ウェーハの外周エッジ部を洗浄するウェーハ洗浄装置に関する。 The present invention relates to a wafer cleaning apparatus that cleans the outer peripheral edge of a wafer by removing fragments of a protective member that remain attached to the outer peripheral edge of the wafer.

シリコンなどの半導体ウェーハは、製造工程において、円柱状のインゴットからブレードソーやワイヤーソーなどの切断装置によってアズスライスドウェーハ（以下、単に「ウェーハ」と称する）として切り出される。このようにスライスされたウェーハは、反りやうねりを有しているため、特許文献１において提案されているように、ウェーハの両面を研削して反りやうねりを除去し、平坦で所定厚みのウェーハを得るようにしている。 Semiconductor wafers such as silicon are cut into as-sliced wafers (hereinafter simply referred to as "wafers") from a cylindrical ingot using a cutting device such as a blade saw or a wire saw in a manufacturing process. Since the wafer sliced in this way has warps and undulations, as proposed in Patent Document 1, both sides of the wafer are ground to remove the warps and undulations, and a flat wafer with a predetermined thickness is obtained. I'm trying to get it.

上述のように、ウェーハの両面を研削する場合、該ウェーハの一方の面を研削する際には、特許文献２において提案されているように、該ウェーハの他方の面に液状樹脂を押し広げて硬化させることによって該他方の面に保護部材を形成し、この保護部材を介してウェーハをチャックテーブルに保持するようにしている。そして、ウェーハの一方の面の研削が終了すると、特許文献３に記載されているように、保護部材をウェーハの他方の面から剥離させるようにしている。 As mentioned above, when grinding both sides of a wafer, when grinding one side of the wafer, as proposed in Patent Document 2, liquid resin is spread over the other side of the wafer. By curing, a protective member is formed on the other surface, and the wafer is held on the chuck table via this protective member. When the grinding of one surface of the wafer is completed, the protective member is peeled off from the other surface of the wafer, as described in Patent Document 3.

ここで、保護部材は、ウェーハの他方の面と外周エッジ部を包み込むように形成されているため、該保護部材がウェーハから剥離した際にウェーハの外周エッジ部に該保護部材の一部が破断片として残ってしまう。このため、特許文献４には、回転する上下一対のロールスポンジをウェーハの外周エッジ部に接触させて該ウェーハの外周エッジ部に残った保護部材の破断片を除去するウェーハ洗浄装置が提案されている。 Here, since the protective member is formed so as to wrap around the other surface and the outer peripheral edge of the wafer, when the protective member is peeled off from the wafer, a part of the protective member is broken at the outer peripheral edge of the wafer. It remains as a fragment. For this reason, Patent Document 4 proposes a wafer cleaning device that removes fragments of the protective member remaining on the outer peripheral edge of the wafer by bringing a pair of rotating upper and lower roll sponges into contact with the outer peripheral edge of the wafer. There is.

特開２０１１－２４９６５２号公報Japanese Patent Application Publication No. 2011-249652 特開２００９－１４８８６６号公報Japanese Patent Application Publication No. 2009-148866 特開２０１９－００９２００号公報JP2019-009200A 特開２０２０－２０２３２２号公報JP2020-202322A

しかしながら、特許文献４において提案されたウェーハ洗浄装置においては、ウェーハの外周エッジ部に接触して回転するロールスポンジの削り屑がウェーハの両面に付着するため、その付着した削り屑を除去するための手間と時間を要する他、ロールスポンジの摩耗によって保護部材の破断片を除去しきれず、この破断片がウェーハに残ってしまうという問題がある。 However, in the wafer cleaning apparatus proposed in Patent Document 4, the shavings of the roll sponge that rotates in contact with the outer circumferential edge of the wafer adhere to both sides of the wafer. In addition to requiring time and effort, there is a problem in that the broken pieces of the protective member cannot be completely removed due to wear of the roll sponge, and the broken pieces remain on the wafer.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ウェーハの外周エッジ部に残った保護部材の破断片を、短時間で確実に除去することができるウェーハ洗浄装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wafer cleaning device that can reliably remove fragments of a protective member remaining on the outer peripheral edge of a wafer in a short time. It is in.

上記目的を達成するための本発明は、ウェーハの一方の面全面と外周エッジ部を包み込むように形成されている保護部材をウェーハから剥離した際に、外周エッジ部を包み込んでいた保護部材が破断してその一部が外周エッジ部に付着しているウェーハの一方の面を保持する保持部と、該保持部に保持されたウェーハを回転させる回転機構と、回転するウェーハの外周エッジ部を洗浄する洗浄機構と、を備えるウェーハ洗浄装置であって、該洗浄機構は、該保持部に保持されたウェーハの外周エッジ部に付着している該保持部材の破断片の破断面に向かって水とエアの２流体または高圧水を噴射する噴射ノズルを備え、該噴射ノズルから２流体または高圧水を噴射して、回転するウェーハの外周エッジ部を洗浄することを特徴とする。 To achieve the above object, the present invention provides that when the protective member formed to wrap around the entire surface of one side of the wafer and the outer peripheral edge is peeled off from the wafer, the protective member wrapping around the outer peripheral edge is broken. A holding part that holds one side of the wafer, a part of which is attached to the outer peripheral edge part, a rotation mechanism that rotates the wafer held in the holding part, and a cleaning part of the outer peripheral edge part of the rotating wafer. A wafer cleaning apparatus comprising: a cleaning mechanism that sprays water toward a fractured surface of a broken piece of the holding member attached to an outer peripheral edge of a wafer held in the holding part; It is characterized in that it is equipped with an injection nozzle that injects two fluids of air or high-pressure water, and the two fluids or high-pressure water are injected from the injection nozzle to clean the outer peripheral edge portion of the rotating wafer.

本発明によれば、従来のように回転するロールスポンジをウェーハの外周エッジ部に接触させることなく、噴射ノズルから２流体または高圧水をウェーハのエッジ部に向かって噴射することによって、ウェーハの外周エッジ部に残った保護部材の破断片を除去するようにしたため、ロールスポンジなどの削り屑が発生することがない。このため、ウェーハの両面に付着した削り屑を除去する手間と時間を省略することができ、ウェーハの外周エッジ部に残った保護部材の破断片を短時間で確実に除去することができる。 According to the present invention, the outer periphery of the wafer is sprayed by injecting two fluids or high-pressure water from the injection nozzle toward the wafer edge, without bringing a rotating roll sponge into contact with the wafer outer periphery as in the past. Since the fragments of the protective member remaining on the edges are removed, scraps of roll sponge and the like are not generated. Therefore, it is possible to omit the effort and time required to remove shavings attached to both surfaces of the wafer, and it is possible to reliably remove fragments of the protective member remaining on the outer peripheral edge of the wafer in a short time.

本発明の第１実施形態に係るウェーハ洗浄装置の破断側面図である。1 is a cutaway side view of a wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係るウェーハ洗浄装置によってウェーハを洗浄している状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a wafer is being cleaned by the wafer cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図１の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the main part of FIG. 1. FIG. 図３のＡ部を拡大して示す図である。FIG. 4 is an enlarged view of part A in FIG. 3; （ａ）～（ｃ）はウェーハに形成された保護部材が剥離するときに該保護部材の一部が破断片としてウェーハの外周エッジ部に残る過程を示す断面図である。(a) to (c) are cross-sectional views showing a process in which when a protection member formed on a wafer is peeled off, a portion of the protection member remains as a broken piece on the outer peripheral edge of the wafer. 本発明の変更例１を示す図３と同様の図である。FIG. 4 is a diagram similar to FIG. 3 showing modification example 1 of the present invention. 図６のＢ部を拡大して示す図である。7 is an enlarged view of part B in FIG. 6. FIG. 保持部の別形態である樹脂テーブルの部分斜視図である。FIG. 7 is a partial perspective view of a resin table that is another form of the holding section. 本発明の変更例２を示す図６と同様の図である。FIG. 7 is a diagram similar to FIG. 6 showing modification example 2 of the present invention. 本発明の第２実施形態に係るウェーハ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 3 is a cutaway side view of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態に係るウェーハ洗浄装置によってウェーハを洗浄している状態を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a state in which a wafer is being cleaned by a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態に係るウェーハ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 7 is a cutaway side view of a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第４実施形態に係るウェーハ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 7 is a cutaway side view of a wafer cleaning apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態に係るウェーハ洗浄装置の破断側面図である。FIG. 7 is a cutaway side view of a wafer cleaning apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the accompanying drawings.

＜第１実施形態１＞
まず、本発明の第１実施形態に係るウェーハ洗浄装置の構成について説明する。 <First Embodiment 1>
First, the configuration of a wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described.

［ウェーハ洗浄装置の構成］
本発明の第１実施形態に係るウェーハ洗浄装置１は、図１に示すように、洗浄対象である円板状のウェーハＷを保持する保持部１０と、該保持部１０をウェーハＷと共に垂直な軸中心回りに所定の速度で回転駆動する回転機構２０と、回転するウェーハＷの外周エッジ部を洗浄する洗浄機構３０を備えている。 [Configuration of wafer cleaning equipment]
As shown in FIG. 1, the wafer cleaning apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention includes a holder 10 that holds a disk-shaped wafer W to be cleaned, and a holder 10 that is vertically aligned with the wafer W. It includes a rotating mechanism 20 that rotates around an axis at a predetermined speed, and a cleaning mechanism 30 that cleans the outer peripheral edge of the rotating wafer W.

上記保持部１０は、ウェーハＷよりも小径の円柱状の部材であって、その上端中央部には、多孔質のセラミックなどで構成された円板状のポーラス部材１０Ａが組み込まれている。ここで、ポーラス部材１０Ａの上面は、円形の保持面１０ａを構成しており、ポーラス部材１０Ａは、真空ポンプなどの不図示の吸引源に選択的に接続される。なお、保持部１０としては、図６及び図８に示す樹脂テーブルを用いてもよい。この樹脂テーブル１０においては、図８に示すように、円孔状の上面の中心部に円孔状の吸引口１０ｂが開口しており、上面の外周部には円環状の環状溝１０ｃが形成されている。また、樹脂テーブル１０の上面には、吸引口１０ｂと環状溝１０ｃとを連通させる十字溝１０ｄが形成されている。したがって、保持部１０の上面に形成された環状溝１０ｃと十字溝１０ｄは、図６に示すように、吸引口１０ｂと樹脂テーブル１０の軸中心に垂直に形成された吸引路２を介して真空ポンプなどの吸引源３に連通している。 The holding part 10 is a cylindrical member having a diameter smaller than that of the wafer W, and a disc-shaped porous member 10A made of porous ceramic or the like is installed in the center of the upper end thereof. Here, the upper surface of the porous member 10A constitutes a circular holding surface 10a, and the porous member 10A is selectively connected to a suction source (not shown) such as a vacuum pump. Note that as the holding portion 10, a resin table shown in FIGS. 6 and 8 may be used. In this resin table 10, as shown in FIG. 8, a circular hole-shaped suction port 10b is opened at the center of the circular hole-shaped upper surface, and an annular annular groove 10c is formed at the outer periphery of the upper surface. has been done. Furthermore, a cross groove 10d is formed on the upper surface of the resin table 10 to communicate the suction port 10b with the annular groove 10c. Therefore, as shown in FIG. 6, the annular groove 10c and the cross groove 10d formed on the upper surface of the holding part 10 are vacuumed through the suction port 10b and the suction path 2 formed perpendicularly to the axial center of the resin table 10. It communicates with a suction source 3 such as a pump.

したがって、ウェーハＷは、その下面中央部が保持部１０の上面に載置され、不図示の吸引源によって保持部１０のポーラス部材１０Ａが真空引きされると、該ポーラス部材１０Ａに負圧が発生し、この負圧に引かれてウェーハＷの下面中央部が保持部１０の保持面１０ａに吸引保持される。このように、下面中央部が保持部１０の保持面１０ａによって吸引保持されたウェーハＷは、外周部分が保持部１０から径方向外方にはみ出した状態で水平に保持される。 Therefore, when the wafer W is placed with the center portion of its lower surface on the upper surface of the holding unit 10, and the porous member 10A of the holding unit 10 is evacuated by a suction source (not shown), negative pressure is generated in the porous member 10A. However, the central portion of the lower surface of the wafer W is attracted and held by the holding surface 10a of the holding section 10 due to this negative pressure. In this way, the wafer W, whose lower center portion is suction-held by the holding surface 10a of the holding portion 10, is held horizontally with the outer peripheral portion protruding outward from the holding portion 10 in the radial direction.

また、保持部１０とこれを回転駆動する回転機構２０は、移動機構４０によって水平方向（図１の左右方向）に移動可能であって、移動機構４０は、水平に配置されたガイドレール４１と、該ガイドレール４１に沿って移動するスライダ４２によって構成されている。したがって、スライダ４２に支持された回転機構２０と保持部１０及びこれに保持されたウェーハＷがガイドレール４１に沿って水平方向（図１の左右方向）移動する。 Further, the holding part 10 and the rotation mechanism 20 that rotationally drives the holding part 10 are movable in the horizontal direction (left and right direction in FIG. 1) by a moving mechanism 40, and the moving mechanism 40 is connected to a horizontally arranged guide rail 41. , a slider 42 that moves along the guide rail 41. Therefore, the rotation mechanism 20 supported by the slider 42, the holding section 10, and the wafer W held therein move in the horizontal direction (left-right direction in FIG. 1) along the guide rail 41.

ここで、ウェーハＷは、単結晶のシリコン母材で構成されており、その厚みｔ（図３参照）は、７８０～８５０μｍであって、図５（ａ）に示すように、一方の面（図５においては、下面）には、保護部材Ｆが該ウェーハＷの一方の面全面と外周エッジ部を包み込むように形成されており、該保護部材Ｆの下面には薄いシートＳが被着されている。ここで、保護部材Ｆは、以下のような過程を経て形成される。 Here, the wafer W is made of a single-crystal silicon base material, and its thickness t (see FIG. 3) is 780 to 850 μm, and as shown in FIG. In FIG. 5, a protective member F is formed on the lower surface of the wafer W so as to wrap around the entire surface of one side and the outer peripheral edge, and a thin sheet S is attached to the lower surface of the protective member F. ing. Here, the protection member F is formed through the following process.

すなわち、不図示のステージの上面に薄いシートＳを載置し、ステージの上方に位置する不図示の樹脂供給ノズルから所定量の液状樹脂をシートＳの上面中心部に向けて滴下する。なお、この液状樹脂には、紫外線などの照射によって硬化する光硬化性樹脂が使用される。 That is, a thin sheet S is placed on the upper surface of a stage (not shown), and a predetermined amount of liquid resin is dropped toward the center of the upper surface of the sheet S from a resin supply nozzle (not shown) located above the stage. Note that this liquid resin is a photocurable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays or the like.

そして、適量の液状樹脂がシートＳの上面に堆積して液溜まり状態となった時点で、ウェーハＷを液状樹脂の上方に位置させ、ウェーハＷを下降させてシートＳ上の液状樹脂を該ウェーハＷによって径方向に拡張させてウェーハＷの一方の面（下面）の全面に均一な厚さの未硬化の樹脂層を形成する。 Then, when an appropriate amount of liquid resin has accumulated on the upper surface of the sheet S to form a liquid pool, the wafer W is positioned above the liquid resin, and the wafer W is lowered to transfer the liquid resin on the sheet S to the wafer. An uncured resin layer having a uniform thickness is formed on the entire surface of one surface (lower surface) of the wafer W by expanding it in the radial direction using W.

上述のようにウェーハＷの一方の面（下面）に均一な厚さの樹脂層が形成されると、例えば、ステージの内部に配設されたＵＶランプ（ＵＶ－ＬＥＤ）から樹脂層に向けて紫外線を照射すると、光硬化性樹脂からなる樹脂層が硬化して保護部材Ｆが形成され、この保護部材ＦによってウェーハＷの一方の面全面と外周エッジ部が保護される。 When a resin layer of uniform thickness is formed on one surface (lower surface) of the wafer W as described above, for example, a UV lamp (UV-LED) disposed inside the stage is directed toward the resin layer. When irradiated with ultraviolet rays, the resin layer made of a photocurable resin is cured to form a protective member F, and this protective member F protects the entire surface of one side and the outer peripheral edge of the wafer W.

以上のようにして、一方の面全面と外周エッジ部が保護部材Ｆによって保護されたウェーハＷは、研削ユニットのチャックテーブルに保持されて他方の面が研削される。その後、ウェーハの一方の面（図５の下面）を研削する際には、図５（ｂ）に示すように、保護部材ＦがウェーハＷの一方の面（下面）から剥離されるが、保護部材Ｆが剥離されたウェーハＷの外周エッジ部には、図５（ｃ）に示すように、保護部材Ｆの一部が破断片ｆとして残ってしまう。 As described above, the wafer W whose entire surface on one side and the outer peripheral edge portion is protected by the protection member F is held on the chuck table of the grinding unit, and the other surface is ground. Thereafter, when one surface of the wafer (lower surface in FIG. 5) is ground, the protective member F is peeled off from one surface (lower surface) of the wafer W, as shown in FIG. 5(b). As shown in FIG. 5C, a portion of the protective member F remains as a broken piece f at the outer peripheral edge portion of the wafer W from which the member F has been peeled off.

上記破断片ｆは、前記洗浄機構３０による洗浄によって除去されるが、この洗浄機構３０は、図１に示すように、矩形ボックス状のケース３１内の洗浄室Ｒに配置された噴射ノズル３２と、反射板３３と、ケース３１の外部に設置された水シールノズル３４と気液分離ユニット３５を含んで構成されている。 The broken pieces f are removed by cleaning by the cleaning mechanism 30, which, as shown in FIG. , a reflecting plate 33, a water seal nozzle 34 installed outside the case 31, and a gas-liquid separation unit 35.

ここで、図１に示すように、ケース３１の前壁３１Ａには、ウェーハＷの外周部の一部が通過するための矩形スリット状の開口部３１ａが図１の紙面垂直方向に沿って形成されており、ケース３１の前壁３１Ａの開口部３１ａの上方には、ウェーハＷの開口部３１ａに近い上面に向かって水を噴射する水シールノズル３４が垂直に取り付けられている。なお、この水シールノズル３４には、水源３６が接続されている。また、ケース３１に形成された開口部３１ａの開口高さは、ウェーハＷの厚みｔよりも若干大きく設定されており、この開口部３１ａとウェーハＷの上面との間には、上下方向の隙間δ１が形成されている。 Here, as shown in FIG. 1, a rectangular slit-shaped opening 31a through which a part of the outer periphery of the wafer W passes is formed in the front wall 31A of the case 31 along the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. A water seal nozzle 34 is vertically installed above the opening 31a of the front wall 31A of the case 31 to spray water toward the upper surface of the wafer W near the opening 31a. Note that a water source 36 is connected to this water seal nozzle 34. Further, the opening height of the opening 31a formed in the case 31 is set to be slightly larger than the thickness t of the wafer W, and there is a vertical gap between the opening 31a and the upper surface of the wafer W. δ1 is formed.

前記噴射ノズル３２は、ケース３１内の洗浄室Ｒに外周部が臨むウェーハＷの径方向外側（図１の右側）の斜め下方に設置されており、その噴射口３２ａは、ウェーハＷの外周エッジ部に向かって開口している。そして、この噴射ノズル３２には、水源３７とエア源３８が接続されている。 The injection nozzle 32 is installed diagonally below the radially outer side (right side in FIG. 1) of the wafer W whose outer peripheral portion faces the cleaning chamber R in the case 31, and the injection port 32a is located at the outer peripheral edge of the wafer W. It opens towards the end. A water source 37 and an air source 38 are connected to this injection nozzle 32.

また、洗浄室ＲのウェーハＷの外周部の上方には、円弧凹曲面状に湾曲する反射面３３ａを備える反射板３３が設置されている。この反射板３３は、図１に紙面垂直方向に沿って配置されており、その長手方向両端は、ケース３１に固定されている。そして、この反射板３３の下端とウェーハＷの上面との間には、微小な隙間δ２が形成されている。 Moreover, above the outer peripheral portion of the wafer W in the cleaning chamber R, a reflection plate 33 is installed, which includes a reflection surface 33a that is curved in a concave arc shape. This reflecting plate 33 is arranged along the direction perpendicular to the plane of the drawing in FIG. 1, and both longitudinal ends thereof are fixed to the case 31. A small gap δ2 is formed between the lower end of the reflecting plate 33 and the upper surface of the wafer W.

さらに、ケース３１の後壁３１Ｂの上部には、前記気液分離ユニット３５が設置されており、この気液分離ユニット３５は、ケース３１の後壁３１Ｂの上部に開口する吸引口３１ｂを介して洗浄室Ｒに連通している。そして、この気液分離ユニット３５には、吸引源３９が接続されている。 Further, the gas-liquid separation unit 35 is installed at the upper part of the rear wall 31B of the case 31, and the gas-liquid separation unit 35 is connected to It communicates with the washing room R. A suction source 39 is connected to this gas-liquid separation unit 35.

また、図１に示すように、ケース３１の底壁３１Ｃは、後方（図１の右方）に向かって斜め下方に傾斜しており、したがって、ケース３１は、断面積が下方に向かって小さくなるように絞られた形状に成形されており、この底壁３１Ｃの最下部には、排水口３１ｃが開口している。 Further, as shown in FIG. 1, the bottom wall 31C of the case 31 is inclined diagonally downward toward the rear (right side in FIG. 1), and therefore, the cross-sectional area of the case 31 decreases downward. The drain port 31c is formed at the lowest part of the bottom wall 31C.

［ウェーハ洗浄装置の作用］
次に、以上のように構成されたウェーハ洗浄装置１の作用について説明する。 [Function of wafer cleaning equipment]
Next, the operation of the wafer cleaning apparatus 1 configured as above will be explained.

一方の面（下面）から保護部材Ｆが剥離されたウェーハＷは、該一方の面を下にしてその中央部分が保持部１０の保持面１０ａ上に載置される。そして、この状態から不図示の吸引源によって保持部１０のポーラス部材１０Ａが真空引きされると、該ポーラス部材１０Ａに負圧が発生し、この負圧に引かれてウェーハＷの下面中央部が保持部１０の保持面１０ａに吸引保持される。このように、下面中央部が保持部１０の保持面１０ａに吸引保持されたウェーハＷは、その外周部が保持部１０から径方向外方にはみ出している。 The wafer W from which the protective member F has been peeled off from one surface (lower surface) is placed with the one surface facing down and its center portion on the holding surface 10a of the holding section 10. Then, when the porous member 10A of the holding unit 10 is evacuated from this state by a suction source (not shown), negative pressure is generated in the porous member 10A, and the central part of the lower surface of the wafer W is pulled by this negative pressure. It is held by suction on the holding surface 10a of the holding part 10. In this way, the wafer W whose lower center portion is suction-held by the holding surface 10a of the holding portion 10 has its outer peripheral portion protruding outward from the holding portion 10 in the radial direction.

上述のように、ウェーハＷが保持部１０の保持面１０ａに保持されると、移動機構４０が駆動されてスライダ４２が回転機構２０と保持部１０及び該保持部１０に保持されたウェーハＷと共にガイドレール４１に沿って図１の矢印方向（右方）に移動し、ウェーハＷの外周部がケース３１の開口部３１ａを通過して洗浄室Ｒの内部に進入する。 As described above, when the wafer W is held on the holding surface 10a of the holding section 10, the moving mechanism 40 is driven and the slider 42 is moved together with the rotating mechanism 20, the holding section 10, and the wafer W held on the holding section 10. The wafer W moves along the guide rail 41 in the direction of the arrow in FIG.

上記状態から回転機構２０によって保持部１０とこれに保持されたウェーハＷを垂直な軸中心回りに所定の速度で図示矢印方向（時計方向）に回転駆動し、水源３６から水シールノズル３４に水を供給するとともに、水源３７からの水とエア源３８からのエアが洗浄室Ｒ内の噴射ノズル３２に供給される。すると、水シールノズル３４から水がウェーハＷの外周部上面に向かって垂直下方に噴射されるとともに、水とエアとが混合された２流体がウェーハＷの外周エッジ部に向かって噴射される。 From the above state, the holding unit 10 and the wafer W held therein are rotated by the rotation mechanism 20 at a predetermined speed around the vertical axis in the direction of the arrow shown in the figure (clockwise), and water is supplied from the water source 36 to the water seal nozzle 34. At the same time, water from the water source 37 and air from the air source 38 are supplied to the injection nozzle 32 in the cleaning chamber R. Then, water is jetted vertically downward from the water seal nozzle 34 toward the upper surface of the outer peripheral portion of the wafer W, and two fluids in which water and air are mixed are jetted toward the outer peripheral edge portion of the wafer W.

上述のように、水シールノズル３４から水がウェーハＷの外周部上面に向かって噴射されると、ウェーハＷの回転に伴う遠心力によって水がウェーハＷの上面を径方向外方に向かって流れ、ケース３１の開口部３１ａとウェーハＷとの隙間δ１を通過して洗浄室Ｒに流入する。そして、洗浄室Ｒに流入した水は、ウェーハＷの上面外周部を径方向外方に向かってさらに流れ、ウェーハＷと反射板３３との間の隙間δ２を通過して該隙間δ２をシールする。 As described above, when water is injected from the water seal nozzle 34 toward the upper surface of the outer periphery of the wafer W, the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W causes the water to flow radially outward on the upper surface of the wafer W. , and flows into the cleaning chamber R through the gap δ1 between the opening 31a of the case 31 and the wafer W. The water that has flowed into the cleaning chamber R further flows radially outward on the upper surface of the wafer W, passes through the gap δ2 between the wafer W and the reflection plate 33, and seals the gap δ2. .

また、噴射ノズル３２からは水とエアの２流体がウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆの破断面に向かって噴射され、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆが２流体の噴射によって除去される。そして、保護部材Ｆの破断片ｆの除去に供された後の２流体は、反射板３３の円弧曲面状の反射面３３ａに衝突して図４に示すように流れ方向が斜め下方へと変えられてウェーハＷの外周エッジ部の外側に向かうが、この場合、前述のように反射板３３とウェーハＷの他方の面（被研削面）との間の隙間δ２が水シールノズル３４から噴射される水によってシールされるため、保護部材Ｆの破断片ｆの除去に供された２流体の隙間δ２からの吹き抜けが防がれる。 Further, two fluids, water and air, are injected from the injection nozzle 32 toward the fractured surface of the fragment f of the protective member F remaining on the outer peripheral edge of the wafer W, and the protective member remaining on the outer peripheral edge of the wafer W is The fragments f of F are removed by jetting two fluids. The two fluids that have been used to remove the fragments f of the protection member F collide with the arc-shaped reflection surface 33a of the reflection plate 33, and the flow direction changes diagonally downward as shown in FIG. In this case, the water is sprayed from the water seal nozzle 34 into the gap δ2 between the reflection plate 33 and the other surface (surface to be ground) of the wafer W, as described above. Since the water is sealed by the water, the two fluids used for removing the fragment f of the protection member F are prevented from blowing through the gap δ2.

また、２流体によってウェーハＷから除去された破断片ｆは、水シールノズル３４から噴射されウェーハＷの上面（被研削面）を覆って回転するウェーハＷの遠心力を受けて外周に向かって流れている水流によってウェーハＷの外周に向かって流れ、水と共にウェーハＷから流れ落ちる。つまり、水シールノズル３４から噴射された水は、破断片ｆをウェーハＷの上面に付着させないように、隙間δ２を塞いでいる。なお、円弧凹曲面状の反射面３３ａを有する反射板３３に代えて、図６及び図７に示すような「く」の字状に屈曲する反射板３３’を用いてもよい。この反射板３３’の反射面３３ａ’で反射した２流体は、流れ方向が斜め上方に変えられ、隙間δ２を塞ぐ水の流れを阻害することなく、図１に示す吸引口３１ｂに導かれる。 Further, the fragments f removed from the wafer W by the two fluids are sprayed from the water seal nozzle 34 and flow toward the outer periphery under the centrifugal force of the rotating wafer W while covering the upper surface (surface to be ground) of the wafer W. The water flows toward the outer periphery of the wafer W, and falls from the wafer W together with the water. In other words, the water injected from the water seal nozzle 34 closes the gap δ2 so as to prevent the fragments f from adhering to the upper surface of the wafer W. Note that instead of the reflecting plate 33 having the reflecting surface 33a having a concave arc surface shape, a reflecting plate 33' bent in a dogleg shape as shown in FIGS. 6 and 7 may be used. The flow direction of the two fluids reflected by the reflective surface 33a' of the reflective plate 33' is changed diagonally upward, and the fluids are guided to the suction port 31b shown in FIG. 1 without interfering with the flow of water that closes the gap δ2.

そして、保護部材Ｆの破断片ｆの除去に供された２流体は、図１に示す気液分離ユニット３５によって水とエアとに分離される。すなわち、保護部材Ｆの破断片ｆの除去に供されて反射板３９によって流れ方向が変えられた２流体は、吸引源３９によって吸引されてケース３１の吸引口３１ｂから気液分離ユニット３５へと流入し、比重の違いによって水とエアとに分離され、エアは、吸引源３９によって吸引されて大気中に排出され、水は、洗浄室Ｒ内を落下してケース３１の底壁３１Ｃに開口する排水口３１ｃから洗浄室Ｒ外へと排出される。 The two fluids used to remove the fragments f of the protection member F are separated into water and air by the gas-liquid separation unit 35 shown in FIG. That is, the two fluids used to remove the fragment f of the protection member F and whose flow direction has been changed by the reflection plate 39 are sucked by the suction source 39 and flowed from the suction port 31b of the case 31 to the gas-liquid separation unit 35. Water flows in and is separated into water and air due to the difference in specific gravity. The air is sucked by the suction source 39 and discharged into the atmosphere, and the water falls inside the cleaning chamber R and opens at the bottom wall 31C of the case 31. It is discharged to the outside of the cleaning chamber R from the drain port 31c.

以上のように、洗浄機構３０の噴射ノズル３２からの２流体の噴射によって保護部材Ｆの破断片ｆがウェーハＷの外周エッジ部から除去されると、ウェーハＷが保持部１０の保持面１０ａから取り外されて不図示の研削ユニットのチャックテーブルへと搬送される。そして、このウェーハＷは、チャックテーブルの保持面上に保持された状態で所定の速度で回転駆動され、同じく回転する不図示の研削砥石によって上面（保護部材Ｆが形成されていた面）が研削されるが、該ウェーハＷがチャックテーブルに保持される前に、該ウェーハＷの外周エッジ部に残った破断片ｆが洗浄機構３０の噴射ノズル３２から噴射される２流体によって除去されるため、保護部材Ｆの破断片ｆがウェーハＷとチャックテーブルとの間に介入することがなく、ウェーハＷのチャックテーブルへの保持が確実になされるとともに、ウェーハＷの高精度な研削が可能になる。 As described above, when the fragment f of the protection member F is removed from the outer peripheral edge portion of the wafer W by the injection of the two fluids from the injection nozzle 32 of the cleaning mechanism 30, the wafer W is removed from the holding surface 10a of the holding unit 10. It is removed and transported to a chuck table of a grinding unit (not shown). Then, this wafer W is rotated at a predetermined speed while being held on the holding surface of the chuck table, and the upper surface (the surface on which the protective member F was formed) is ground by a grinding wheel (not shown) that also rotates. However, before the wafer W is held on the chuck table, the fragments f remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are removed by the two fluids sprayed from the spray nozzle 32 of the cleaning mechanism 30. The broken pieces f of the protection member F do not intervene between the wafer W and the chuck table, so that the wafer W can be reliably held on the chuck table, and the wafer W can be ground with high precision.

以上のように、本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１においては、従来のように回転するロールスポンジをウェーハＷの外周エッジ部に接触させることなく、噴射ノズル３２から２流体をウェーハＷの外周エッジ部に向かって噴射させることによって、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを除去するようにしたため、ロールスポンジの削り屑が発生することがない。このため、ウェーハＷの両面に付着した削り屑を除去する手間と時間を省略することができ、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを、短時間で確実に除去することができる。
なお、以上の実施の形態では、噴射ノズル３２から水とエアの２流体をウェーハＷの外周エッジ部に向けて噴射するようにしたが、２流体に代えて高圧水を噴射ノズル３２から噴射するようにしても良い。このように噴射ノズル３２から高圧水を噴射するようにすれば、気液分離ユニット３５が不要となる。 As described above, in the wafer cleaning apparatus 1 according to the present embodiment, the two fluids are applied to the outer circumferential edge of the wafer W from the injection nozzle 32 without bringing the rotating roll sponge into contact with the outer circumferential edge of the wafer W as in the conventional case. Since the fragments f of the protection member F remaining on the outer circumferential edge of the wafer W are removed by spraying toward the outer peripheral edge of the wafer W, scraps of the roll sponge are not generated. Therefore, it is possible to omit the effort and time required to remove the shavings attached to both sides of the wafer W, and the broken pieces f of the protective member F remaining on the outer peripheral edge of the wafer W can be reliably removed in a short time. be able to.
Note that in the above embodiment, the two fluids of water and air are jetted from the jet nozzle 32 toward the outer peripheral edge of the wafer W, but instead of the two fluids, high-pressure water is jetted from the jet nozzle 32. You can do it like this. If high-pressure water is injected from the injection nozzle 32 in this way, the gas-liquid separation unit 35 becomes unnecessary.

また、以上の実施形態では、ウェーハＷの下面中央部が保持部１０の保持面１０ａに保持されているが、図９に示すように、ウェーハＷの下面全面を保持部１０で保持するようにしてもよい。 Further, in the above embodiment, the central part of the lower surface of the wafer W is held by the holding surface 10a of the holding section 10, but as shown in FIG. 9, the entire lower surface of the wafer W is held by the holding section 10. You can.

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を図１０及び図１１に基づいて以下に説明する。なお、図１０及び図１１においては、図１及び図２に示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。 <Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 10 and 11. Note that in FIGS. 10 and 11, the same elements as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and a repeated explanation of them will be omitted below.

本実施の形態に係るウェーハ洗浄装置１’においては、ウェーハＷの上面中央部を保持部１０の保持面１０ａによって吸引保持し、噴射ノズル３２から水とエアとの２流体または高圧水をウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆの破断面に向かって斜め上方から噴射するようにしている。なお、本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１’においては、図１０に示すように、ウェーハＷを保持した保持部１０を収容するケース３１を備える。ここで、ケース３１は、その下部に排水口３１ｃを備えている。 In the wafer cleaning apparatus 1' according to the present embodiment, the central part of the upper surface of the wafer W is held by suction by the holding surface 10a of the holding part 10, and two fluids of water and air or high pressure water are injected into the wafer W from the injection nozzle 32. The water is sprayed diagonally from above toward the fractured surface of the fragment f of the protective member F remaining on the outer peripheral edge of the protective member F. Note that the wafer cleaning apparatus 1' according to the present embodiment includes a case 31 that houses the holding section 10 holding the wafer W, as shown in FIG. Here, the case 31 is provided with a drain port 31c at its lower part.

本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１’において、ウェーハＷを例えば１０ｒｐｍ程度の低速で回転させつつ、噴射ノズル３２から２流体または高圧水をウェーハＷの外周エッジ部に向けて噴射して外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを除去する。そして、ウェーハＷが１回転すると、該ウェーハＷを例えば２０００ｒｐｍ程度の高速で回転させウェーハＷを乾燥させる。保護部材Ｆを除去する際に、水ノズル５から水をウェーハＷの下面外周部に向けて噴射する。すると、ウェーハＷの低速での回転（１０ｒｐｍ）による遠心力を受け、ウェーハＷの下面に水膜を形成して、噴射ノズル３２によって、ウェーハＷの外周エッジ部から除去された保護部材Ｆの破断片ｆがウェーハＷの下面に付着されることを防止する。 In the wafer cleaning apparatus 1' according to the present embodiment, while the wafer W is rotated at a low speed of, for example, about 10 rpm, two fluids or high-pressure water are injected from the injection nozzle 32 toward the outer peripheral edge of the wafer W. Remove the remaining fragments f of the protective member F. When the wafer W rotates once, the wafer W is rotated at a high speed of, for example, about 2000 rpm, and the wafer W is dried. When removing the protection member F, water is sprayed from the water nozzle 5 toward the outer circumference of the lower surface of the wafer W. Then, a water film is formed on the lower surface of the wafer W due to the centrifugal force caused by the low speed rotation (10 rpm) of the wafer W, and the protection member F removed from the outer peripheral edge of the wafer W is broken by the spray nozzle 32. This prevents the fragment f from being attached to the bottom surface of the wafer W.

また、水ノズル５は、水を噴射する噴射口の周りにウェーハＷの下面に隙間を空けてプレート６０を配置して、該プレート６０とウェーハＷの下面との間の隙間を水で満たすことで水膜を形成するようにしてもよい。 Further, the water nozzle 5 has a plate 60 arranged around the water injection port with a gap on the bottom surface of the wafer W, and fills the gap between the plate 60 and the bottom surface of the wafer W with water. Alternatively, a water film may be formed.

また、水ノズル５は、ウェーハＷの下面中央部に向けて水を噴射してもよい。この場合、ウェーハＷの下面に付着した水は、ウェーハＷの低速の回転による遠心力を受け、ウェーハＷの下面全面に水膜を形成する。 Furthermore, the water nozzle 5 may spray water toward the center of the lower surface of the wafer W. In this case, the water adhering to the lower surface of the wafer W is subjected to centrifugal force due to the slow rotation of the wafer W, and forms a water film over the entire lower surface of the wafer W.

また、噴射ノズル３２から２流体または高圧水をウェーハＷの外周エッジ部に向けて噴射して該外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを除去しているときに、水ノズル５から水を噴射してもよい。そして、水ノズル５は、図１０及び図１１に示すように、プレート６０を備え、噴射ノズル３２の近傍に配置し、該水ノズル５から噴射した水がプレート６０の上面とウェーハＷとの隙間に水で埋め水膜を形成して、ウェーハＷの外周エッジ部から除去した保護部材Ｆの破断片ｆの付着を防止するようにしてもよい。 Further, when the jet nozzle 32 sprays two fluids or high-pressure water toward the outer peripheral edge of the wafer W to remove the fragments f of the protective member F remaining on the outer peripheral edge, the water nozzle 5 Water may also be sprayed. As shown in FIGS. 10 and 11, the water nozzle 5 includes a plate 60 and is disposed near the injection nozzle 32, so that the water ejected from the water nozzle 5 flows into the gap between the upper surface of the plate 60 and the wafer W. A water film may be formed by filling the wafer W with water to prevent the fragments f of the protective member F removed from the outer peripheral edge portion of the wafer W from adhering thereto.

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を図１２に基づいて以下に説明する。なお、図１２においては、図１０に示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。 <Third embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 12. In FIG. 12, the same elements as those shown in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and their explanation will not be repeated hereafter.

本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ａにおいては、保持部（樹脂テーブル）１０の下面（保持面）にウェーハＷがその一方の面Ｗ１を下にして他方の面Ｗ２を上にして他方の面Ｗ２を吸着保持されている。このとき、他方の面Ｗ２全面を保持面１０ａで吸引保持している。そして、このウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆ（図５参照）の破断片ｆは、該ウェーハＷの外周エッジ部の外側下方に斜めに配置された噴射ノズル３２から斜め上方に向かって噴射される２流体または高圧水によって除去される。なお、図１２において、２は吸引路、３は吸引源である。 In the wafer cleaning apparatus 1A according to the present embodiment, the wafer W is placed on the lower surface (holding surface) of the holding part (resin table) 10 with one surface W1 facing down and the other surface W2 facing up. The adsorption is held. At this time, the entire surface of the other surface W2 is suction-held by the holding surface 10a. The broken pieces f of the protective member F (see FIG. 5) remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are directed diagonally upward from the injection nozzle 32 that is disposed diagonally below the outside of the outer peripheral edge of the wafer W. It is removed by two fluids or high-pressure water that is injected. In addition, in FIG. 12, 2 is a suction path, and 3 is a suction source.

また、ウェーハＷの外周エッジ部の上角と下角とにＣ面（斜面）が形成されている場合には、Ｃ面に保護部材Ｆ（図５参照）の破断片ｆが残ることがある。このようにＣ面に残った破断片ｆの破断面は、鉛直方向となる場合がある。この場合には、噴射ノズル３２は、ウェーハＷの外周エッジ部の外側から水平方向に２流体または高圧水を噴射する。つまり、ウェーハＷの他方の面Ｗ２全面が保持面１０ａに保持されているため、噴射ノズル３２の噴射方向は、破断片ｆの破断面に向かって噴射するのであれば、どの方向であってもよい。 Further, when a C plane (slope) is formed at the upper and lower corners of the outer peripheral edge of the wafer W, a fragment f of the protection member F (see FIG. 5) may remain on the C plane. In this way, the fracture surface of the fragment f remaining on the C plane may be in the vertical direction. In this case, the spray nozzle 32 sprays two fluids or high-pressure water horizontally from the outside of the outer peripheral edge of the wafer W. In other words, since the entirety of the other surface W2 of the wafer W is held on the holding surface 10a, the injection direction of the injection nozzle 32 can be any direction as long as the injection is directed toward the fracture surface of the fragment f. good.

したがって、本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ａにおいても、前記第１及び第２実施形態に係るウェーハ洗浄装置１，１’と同様に、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを、短時間で確実に除去することができるという効果が得られる。 Therefore, in the wafer cleaning apparatus 1A according to the present embodiment, the fragments of the protection member F remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are similar to the wafer cleaning apparatuses 1 and 1' according to the first and second embodiments. The effect is that f can be reliably removed in a short time.

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を図１３に基づいて以下に説明する。なお、図１３においては、図１２に示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。 <Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 13. Note that in FIG. 13, the same elements as those shown in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals, and a repeated explanation of them will be omitted below.

本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ｂにおいては、保持部を構成する搬送パッド５０の下面に、ウェーハＷがその一方の面Ｗ１を下にして他方の面Ｗ２を上にして吸着保持されている。そして、このウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆ（図５参照）の破断片ｆは、前記第３実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ａと同様に、該ウェーハＷの外周エッジ部の外側下方に斜めに配置された噴射ノズル３２から斜め上方に向かって噴射され２流体または高圧水によって除去される。 In the wafer cleaning apparatus 1B according to the present embodiment, a wafer W is suction-held on the lower surface of a transfer pad 50 constituting a holding section with one surface W1 facing downward and the other surface W2 facing upward. Then, the broken pieces f of the protection member F (see FIG. 5) remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are removed from the outside of the outer peripheral edge of the wafer W, as in the wafer cleaning apparatus 1A according to the third embodiment. The liquid is injected diagonally upward from the injection nozzle 32 arranged diagonally downward and removed by two fluids or high-pressure water.

ここで、搬送パッド５０は、移動機構５１によって水平に揺動するアーム５２の先端に取り付けられており、ウェーハＷをその下面に吸着保持して他の場所へと搬送するものである。なお、図１３において、２は吸引路、３は吸引源である。 Here, the transfer pad 50 is attached to the tip of an arm 52 that swings horizontally by a moving mechanism 51, and is used to suction-hold the wafer W on its lower surface and transfer it to another location. In addition, in FIG. 13, 2 is a suction path and 3 is a suction source.

したがって、本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ｂにおいても、前記第１～第３実施形態に係るウェーハ洗浄装置１，１’，１Ａと同様に、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを、短時間で確実に除去することができるという効果が得られる。このように、第３及び第４実施形態は、保持部１０がウェーハＷの他方の面（被研削面）全面を覆っているので、前記第１及び第２実施形態で用いている被研削面に向かって水を噴射する水シールノズル、水ノズルが無くても、被研削面に保護部材を付着させることがない。つまり、第３及び第４実施形態は、水シールノズル、水ノズルを不要とする。 Therefore, in the wafer cleaning apparatus 1B according to the present embodiment, similarly to the wafer cleaning apparatuses 1, 1', 1A according to the first to third embodiments, the protection member F remaining on the outer peripheral edge of the wafer W is removed. This provides the effect that the broken pieces f can be reliably removed in a short time. As described above, in the third and fourth embodiments, since the holding part 10 covers the entire surface of the other surface (surface to be ground) of the wafer W, the surface to be ground used in the first and second embodiments is similar to the surface to be ground used in the first and second embodiments. Even if there is no water seal nozzle or water nozzle that sprays water toward the surface, there is no need to attach the protective member to the surface to be ground. In other words, the third and fourth embodiments eliminate the need for water seal nozzles and water nozzles.

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態を図１４に基づいて以下に説明する。なお、図１４においては、図１２に示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。 <Fifth embodiment>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described below based on FIG. 14. In FIG. 14, the same elements as those shown in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals, and their explanation will not be repeated hereafter.

本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ａにおいては、保持部（樹脂テーブル）１０の上面（保持面）にウェーハＷがその一方の面Ｗ１を上にして他方の面Ｗ２を下にして該他方の面Ｗ２が吸着保持されている。そして、このウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆ（図１５参照）の破断片ｆは、該ウェーハＷの外周エッジ部の外周上方に斜めに配置された噴射ノズル３２から斜め下方に向かって噴射される２流体または高圧水によって除去される。なお、図１４において、２は吸引路、３は吸引源である。 In the wafer cleaning apparatus 1A according to the present embodiment, the wafer W is placed on the upper surface (holding surface) of the holding portion (resin table) 10 with one surface W1 facing up and the other surface W2 facing down. W2 is held by suction. The broken pieces f of the protection member F (see FIG. 15) remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are directed diagonally downward from the injection nozzle 32 that is arranged diagonally above the outer peripheral edge of the wafer W. It is removed by two fluids or high-pressure water that is injected. In addition, in FIG. 14, 2 is a suction path, and 3 is a suction source.

したがって、本実施形態に係るウェーハ洗浄装置１Ａにおいても、前記第１～第４実施形態に係るウェーハ洗浄装置１，１’と同様に、ウェーハＷの外周エッジ部に残った保護部材Ｆの破断片ｆを、短時間で確実に除去することができるという効果が得られる。 Therefore, in the wafer cleaning apparatus 1A according to the present embodiment, as well as in the wafer cleaning apparatuses 1 and 1' according to the first to fourth embodiments, the fragments of the protection member F remaining on the outer peripheral edge of the wafer W are The effect is that f can be reliably removed in a short time.

このように第５実施形態は、保持部１０がウェーハＷの他方の面（被研削面）Ｗ２全面を覆っているため、第３及び第４実施形態と同様に、水シールノズル、水ノズルを不要とする。また、ウェーハＷの他方の面Ｗ２全面が保持部１０の保持面に吸引保持されているため、噴射ノズル３２の噴射方向は、破断片ｆの破断面に向かって噴射するのであれば、どの方向であってもよい。 As described above, in the fifth embodiment, since the holding part 10 covers the entire surface of the other surface (surface to be ground) W2 of the wafer W, the water seal nozzle and the water nozzle are connected similarly to the third and fourth embodiments. Make it unnecessary. In addition, since the entire surface of the other surface W2 of the wafer W is suction-held by the holding surface of the holding unit 10, the injection direction of the injection nozzle 32 is determined in which direction if the injection is to be performed toward the fracture surface of the fragment f. It may be.

ところで、以上の実施の形態では、ウェーハＷの外周部を洗浄室Ｒに進入させて外周エッジ部に残る保護部材Ｆの破断片ｆを除去するようにしたが、ウェーハＷの洗浄すべき外周エッジ部のみを洗浄室Ｒに進入させて該外周エッジ部を洗浄するようにして洗浄室Ｒを小型化しても良い。また、洗浄室Ｒは、上記のようにウェーハＷの外周部を収容する場合、または、ウェーハＷの洗浄すべき外周エッジ部のみを収容する場合以外に、ウェーハＷ全体を収容するように洗浄室Ｒ内に保持部１０を配置することによって移動機構４０を不要としても良い。また、洗浄室Ｒは必ずしも必須のものではなく、これを省略しても良い。 By the way, in the above embodiment, the outer peripheral part of the wafer W is moved into the cleaning chamber R to remove the fragments f of the protective member F remaining at the outer peripheral edge part, but the outer peripheral part of the wafer W to be cleaned is The cleaning chamber R may be made smaller by allowing only the outer peripheral edge portion to enter the cleaning chamber R and cleaning the outer peripheral edge portion. In addition, the cleaning chamber R is designed to accommodate the entire wafer W, in addition to accommodating the outer peripheral portion of the wafer W as described above or accommodating only the outer peripheral edge portion of the wafer W to be cleaned. By arranging the holding portion 10 within R, the moving mechanism 40 may be unnecessary. Further, the cleaning chamber R is not necessarily essential, and may be omitted.

その他、本発明は、以上説明した実施の形態に適用が限定されるものではなく、特許請求の範囲及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。 In addition, the application of the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the technical ideas described in the claims, specification, and drawings. Of course.

１， １’，１Ａ，１Ｂ：ウェーハ洗浄装置、２：吸引路、３：吸引源、４：水源、
５：水ノズル、１０：保持部、１０Ａ：ポーラス部材、１０ａ：保持面、
１０ｂ：吸引口、１０ｃ：環状溝、１０ｄ：十字溝、２０：回転機構、
３０：洗浄機構、３１：ケース、３１Ａ：ケースの前壁、３１Ｂ：ケースの後壁、
３１Ｃ：ケースの底壁、３１ａ：開口部、３１ｂ：吸引口、３１ｃ：排水口、
３２：噴射ノズル、３３，３３’：反射板、３３ａ，３３ａ’：反射面、
３４：水シールノズル、３５：気液分離ユニット、３６，３７：水源、
３８：エア源、３９：吸引源、４０：移動機構、４１：ガイドレール、
４２：スライダ、５０：搬送パッド、５１：移動機構、５２：アーム、
６０：プレート、Ｆ：保護部材、ｆ：保護部材の破断片、６０Ｒ：洗浄室、
Ｓ：シート、ｔ：ウェーハの厚み、Ｗ：ウェーＷ１：ウェーハの一方の面、
Ｗ２：ウェーハの他方の面、δ１，δ２：隙間 1, 1', 1A, 1B: wafer cleaning device, 2: suction path, 3: suction source, 4: water source,
5: water nozzle, 10: holding part, 10A: porous member, 10a: holding surface,
10b: suction port, 10c: annular groove, 10d: cross groove, 20: rotation mechanism,
30: cleaning mechanism, 31: case, 31A: front wall of case, 31B: rear wall of case,
31C: bottom wall of the case, 31a: opening, 31b: suction port, 31c: drain port,
32: Spray nozzle, 33, 33': Reflector plate, 33a, 33a': Reflective surface,
34: water seal nozzle, 35: gas-liquid separation unit, 36, 37: water source,
38: Air source, 39: Suction source, 40: Movement mechanism, 41: Guide rail,
42: Slider, 50: Transfer pad, 51: Movement mechanism, 52: Arm,
60: Plate, F: Protection member, f: Fragment of protection member, 60R: Washing chamber,
S: sheet, t: wafer thickness, W: wafer W1: one side of the wafer,
W2: other side of wafer, δ1, δ2: gap

Claims (6)

ウェーハの一方の面全面と外周エッジ部を包み込むように形成されている保護部材をウェーハから剥離した際に、外周エッジ部を包み込んでいた保護部材が破断してその一部が外周エッジ部に付着しているウェーハを保持する保持部と、該保持部に保持されたウェーハを回転させる回転機構と、回転するウェーハの外周エッジ部を洗浄する洗浄機構と、を備えるウェーハ洗浄装置であって、
該洗浄機構は、
該保持部に保持されたウェーハの外周エッジ部に付着している該保護部材の破断片の破断面に向かって水とエアの２流体または高圧水を噴射する噴射ノズルを備え、
該噴射ノズルから２流体または高圧水を噴射して、回転するウェーハの外周エッジ部を洗浄するウェーハ洗浄装置。 When the protective member that is formed to wrap around the entire surface of one side of the wafer and the outer peripheral edge is peeled off from the wafer, the protective member that wraps around the outer peripheral edge breaks and a part of it adheres to the outer peripheral edge. A wafer cleaning apparatus comprising: a holder for holding a wafer; a rotation mechanism for rotating the wafer held by the holder; and a cleaning mechanism for cleaning an outer peripheral edge of the rotating wafer.
The cleaning mechanism is
comprising a spray nozzle that sprays two fluids of water and air or high-pressure water toward the fractured surface of the fractured piece of the protection member attached to the outer peripheral edge of the wafer held by the holding part;
A wafer cleaning device that sprays two fluids or high-pressure water from the spray nozzle to clean the outer peripheral edge of a rotating wafer. 該保持部は、ウェーハの一方の面を下にして一方の面を保持し、
該噴射ノズルは、該保持部に保持されたウェーハの外周エッジ部の外側下方から該保護部材の破断片の破断面に向かって２流体または高圧水を噴射し、
該洗浄機構は、
該保持部に保持されたウェーハの上面に隙間をあけて配置され、ウェーハの上方に吹き抜けた２流体または高圧水をウェーハの外周エッジ部の外側に向かわせる反射板を備える請求項１記載のウェーハ洗浄装置。 The holding unit holds one side of the wafer with one side facing down;
The spray nozzle sprays two fluids or high-pressure water from below the outer peripheral edge of the wafer held by the holding part toward the fractured surface of the fractured piece of the protection member,
The cleaning mechanism is
The wafer according to claim 1, further comprising a reflector plate disposed with a gap above the upper surface of the wafer held by the holder, for directing the two fluids or high-pressure water blown above the wafer to the outside of the outer peripheral edge portion of the wafer. cleaning equipment. 該噴射機構は、
該保持部材に保持されたウェーハの上面に水を供給して、該保持部に保持されたウェーハの上面と該反射板の下端との隙間に水シールを形成する水シールノズルを備える請求項２記載のウェーハ洗浄装置。 The injection mechanism is
Claim 2 further comprising a water seal nozzle for supplying water to the upper surface of the wafer held by the holding member to form a water seal in the gap between the upper surface of the wafer held by the holding member and the lower end of the reflecting plate. The wafer cleaning equipment described. 該保持部は、ウェーハの一方の面を上にして一方の面を保持し、
該噴射ノズルは、該保持部に保持されたウェーハの外周エッジ部の外側上方から該保護部材の破断片の破断面に向かって２流体または高圧水を噴射する請求項１記載のウェーハ洗浄装置。 The holding unit holds one side of the wafer with one side facing up,
2. The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the spray nozzle sprays two fluids or high-pressure water from above the outer peripheral edge of the wafer held by the holder toward the fractured surface of the fractured piece of the protection member. 該洗浄機構は、
該保持部に保持されたウェーハの下面に水を噴射する水ノズルを備える請求項４記載のウェーハ洗浄装置。 The cleaning mechanism is
The wafer cleaning apparatus according to claim 4, further comprising a water nozzle that sprays water onto the lower surface of the wafer held by the holding section. 該保持部は、ウェーハの他方の面を保持する請求項１記載のウェーハ洗浄装置。 The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the holding section holds the other side of the wafer.

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