JP2024014262A - Multilayer wiring board manufacturing method - Google Patents
Multilayer wiring board manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024014262A JP2024014262A JP2022116956A JP2022116956A JP2024014262A JP 2024014262 A JP2024014262 A JP 2024014262A JP 2022116956 A JP2022116956 A JP 2022116956A JP 2022116956 A JP2022116956 A JP 2022116956A JP 2024014262 A JP2024014262 A JP 2024014262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- support
- laser
- manufacturing
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 197
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 96
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 181
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 59
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 35
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 34
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 28
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 20
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 12
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- VPXSRGLTQINCRV-UHFFFAOYSA-N dicesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][W]([O-])(=O)=O VPXSRGLTQINCRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJFITTKTVWJPNO-UHFFFAOYSA-N 3h-dithiole;nickel Chemical class [Ni].C1SSC=C1 MJFITTKTVWJPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】本発明では、ばらつきの少ない貫通孔を形成することが可能な多層配線基板の製造技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、第１面および前記第１面に対向する第２面を有するガラス基板に貫通孔を形成する多層配線基板の製造方法において、第１支持体と前記ガラス基板の間に接着層を形成し、前記接着層を介して、前記ガラス基板の前記第２面と前記第１支持体を接着する接着工程と、前記ガラス基板の第１面側からレーザを照射し、前記ガラス基板にレーザ改質部を形成する改質部形成工程と、前記第１支持体を前記ガラス基板から剥離する第１支持体剥離工程と、前記ガラス基板の前記第２面側からエッチング処理をし貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を有し、前記接着層は、前記レーザの波長に対して所定値以上の透過率を有する吸収材料を含む。【選択図】図１２An object of the present invention is to provide a manufacturing technique for a multilayer wiring board that allows through holes to be formed with little variation. One of the methods of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention is a method of manufacturing a multilayer wiring board in which a through hole is formed in a glass substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. an adhesion step of forming an adhesive layer between the first support and the glass substrate, and adhering the second surface of the glass substrate and the first support via the adhesive layer; a modified part forming step of irradiating a laser from one surface side to form a laser modified part on the glass substrate; a first support peeling step of peeling the first support from the glass substrate; and a first support peeling step of peeling the first support from the glass substrate. a through-hole forming step of performing an etching process from the second surface side to form a through-hole, and the adhesive layer includes an absorbing material having a transmittance of at least a predetermined value with respect to the wavelength of the laser. . [Selection diagram] Figure 12
Description
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.
近年、電子機器の小型化が進む中で、電子機器に搭載されるインターポーザに代表される多層配線基板にも、さらなる薄型化が求められている。
特に、最近の多層配線基板にはガラス基板がコア基板として採用されるものがある。このような多層配線基板の製造方法としては、ガラス基板に貫通孔を形成して貫通電極を設け、ガラス基板の両面に導体層、絶縁樹脂層、導体層、…を順次積層していく。
In recent years, as electronic devices have become smaller, there has been a demand for even thinner multilayer wiring boards, such as interposers, that are mounted on electronic devices.
In particular, some recent multilayer wiring boards employ glass substrates as core substrates. A method for manufacturing such a multilayer wiring board involves forming through holes in a glass substrate, providing through electrodes, and sequentially laminating a conductor layer, an insulating resin layer, a conductor layer, etc. on both sides of the glass substrate.
薄い基板をそのまま扱って精度よく加工を行うことは一般的に困難である。そこで、例えば特許文献１では、より簡便にガラス厚３００μｍ以下の薄ガラス基板を有するガラスデバイスを提供するため、一方のガラス基板面に配線を形成した後に、貫通孔の形成とガラス基板の薄板化をエッチングにより同時に行う製造方法が示されている。この製造方法においては、ガラス基板をガラスキャリアでサポートした状態でガラスの薄板化と貫通孔の形成を実施しているため、ガラス基板上に回路などを形成するときのガラス基板の取扱いのし易さが向上し、安定的に導体層および絶縁樹脂層を形成することを可能としている。
It is generally difficult to process thin substrates with high precision by handling them as they are. For example, in
特許文献１においては、ガラス基板に貫通孔を形成するために、レーザ改質部を形成したうえで、ガラス基板を支持体であるガラスキャリアに貼り合わせて、製造工程を進めていた。この方法では、レーザ改質部をガラス基板の厚さ方向に均一に形成できず、後のエッチング工程を経た貫通孔にもばらつきが発生していた。また、薄型のガラス基板の取扱いは困難であるため、ガラス基板にはある程度の厚さが必要になり、薄型化の妨げとなっていた。
In
そこで、本発明では、ばらつきの少ない貫通孔を形成することが可能な多層配線基板の製造技術を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a manufacturing technique for a multilayer wiring board that can form through holes with little variation.
上記の課題を解決するために、代表的な本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、第１面および前記第１面に対向する第２面を有するガラス基板に貫通孔を形成する多層配線基板の製造方法において、第１支持体と前記ガラス基板の間に接着層を形成し、前記接着層を介して、前記ガラス基板の前記第２面と前記第１支持体を接着する接着工程と、前記ガラス基板の第１面側からレーザを照射し、前記ガラス基板にレーザ改質部を形成する改質部形成工程と、前記第１支持体を前記ガラス基板から剥離する第１支持体剥離工程と、前記ガラス基板の前記第２面側からエッチング処理をし貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を有し、前記接着層は、前記レーザの波長に対して所定値以上の透過率を有する吸収材料を含むものである。 In order to solve the above problems, one of the typical methods of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention is to form a through hole in a glass substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. In the method for manufacturing a multilayer wiring board, an adhesive layer is formed between a first support and the glass substrate, and the second surface of the glass substrate and the first support are adhered via the adhesive layer. a modified part forming step of irradiating a laser from the first surface side of the glass substrate to form a laser modified part on the glass substrate; and a first support for peeling the first support from the glass substrate. and a through-hole forming step of performing an etching process from the second surface side of the glass substrate to form a through-hole. It includes an absorbing material that has a transmittance.
本発明によれば、ばらつきの少ない貫通孔を形成することが可能な多層配線基板を提供することができる。
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。
According to the present invention, it is possible to provide a multilayer wiring board in which through holes can be formed with little variation.
Problems, configurations, and effects other than those described above will be made clear by the description in the following detailed description.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する
なお、以下の説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the following description relates to an example of the present invention, and the present invention is not limited thereto. In addition, in the description of the drawings, the same parts are denoted by the same reference numerals.
The position, size, shape, range, etc. of each component shown in the drawings may not represent the actual position, size, shape, range, etc. in order to facilitate understanding of the invention. Therefore, the present invention is not necessarily limited to the position, size, shape, range, etc. disclosed in the drawings.
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第１面」、「第２面」と称することもある。 Note that in the present disclosure, the term "plane" may refer not only to the surface of a plate-like member, but also to an interface between layers included in the plate-like member that is substantially parallel to the surface of the plate-like member. In addition, "upper surface" and "lower surface" mean a surface shown above or below in the drawing when a plate-like member or a layer included in the plate-like member is illustrated. Note that the "upper surface" and "lower surface" may also be referred to as "first surface" and "second surface."
また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚みの部分を意味する。さらに、面の一部及び側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
Further, the term "side surface" refers to a surface of a plate-like member or a layer included in the plate-like member, or a portion of the thickness of the layer. Furthermore, a part of the surface and the side surface may be collectively referred to as an "end portion."
Moreover, "above" means a vertically upward direction when a plate-like member or layer is placed horizontally. Furthermore, "upward" and the opposite "downward" are sometimes referred to as the "Z-axis plus direction" and "Z-axis minus direction," and the horizontal direction is referred to as the "X-axis direction" and "Y-axis direction." Sometimes called "direction."
＜第１実施形態＞
以下では、図１から図１１を参照して、本発明の第１実施形態における多層配線層の製造方法について説明する。ここで説明する製造方法を通じて、ガラス基板６０に貫通孔が形成される。
<First embodiment>
Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer wiring layer according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11. A through hole is formed in the
（第１支持体の接着）
まず、図１を参照して、ガラス基板６０に第１支持体６１を接着する工程を説明する。図１は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体の接着工程を示す図である。ここでは、第１支持体６１とガラス基板６０の間に第１接着層６２を形成し、第１接着層６２を介して、ガラス基板６０の第２面３０と第１支持体６１を接着する。なお、以下の説明において、ガラス基板の厚さ方向（ｚ軸方向）の断面構造を主に用いる。ガラス基板は水平方向（ｙ軸方向）に拡がりをもつが、簡単にするため直線の境界を付けて示している。
ガラス基板６０は、第１面２０及び第１面２０に対向する第２面３０を有している。また、ガラス基板６０の厚みをＴ１とする。厚みＴ１は例えば１５０μｍ以下である。ここに示すように、第１接着層６２を用いて、ガラス基板６０に第１支持体６１を貼り合わせ、ガラス基板６０、第１接着層６２、第１支持体６１からなる積層構造体６３を形成する。
(Adhesion of first support)
First, with reference to FIG. 1, the process of bonding the
The
第１接着層６２は、ガラス基板６０の第２面３０または第１支持体６１のガラス基板６０側の面の少なくとも一方の面上に形成され、樹脂組成物から構成される。そして、この樹脂組成物には、後述する貫通孔形成工程において用いられるレーザを吸収する物質が含まれる。言い換えると、樹脂組成物は、レーザの波長に対して所定値以上の透過率を有する吸収材料を含む。
第１接着層６２は、ガラス基板６０と第１支持体６１を仮固定するものであり、所定の工程の間、ガラス基板６０と第１支持体６１を固定するために用いられる。
The first
The first
第１支持体６１上に第１接着層６２を形成する方法は、例えば、第１支持体６１上に流動性または非流動性の樹脂組成物を設置し、これを固化することにより形成される。
第１支持体６１上に樹脂組成物を設置する方法としては、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、およびグラビアコート法が挙げられる。
第１接着層６２に使用する樹脂組成物を固化する方法は、例えば、加熱処理または紫外線照射処理等を用いることが可能である。
The first
Examples of methods for installing the resin composition on the
The resin composition used for the first
前記第１接着層６２の材料としては、硬化性シリコーン樹脂または紫外線照射により離型性を発現するアクリル樹脂の少なくとも一方を含んでもよい。
例えば、硬化性シリコーン樹脂を材料に用いる場合、オルガノアルケニルポリシロキサンと分子末端のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含む硬化性シリコーン樹脂の樹脂組成物を第１支持体６１上に塗布する。塗布した状態で、大気下、５０℃以上３００℃以下の温度に保持して、樹脂組成物を固化させる。なお、樹脂組成物には、必要に応じて有機溶剤を含めてもよい。
The material for the first
For example, when a curable silicone resin is used as the material, a resin composition of a curable silicone resin containing an organoalkenyl polysiloxane and an organohydrogenpolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom at the end of the molecule is used as the first support. 61. In the applied state, the resin composition is maintained at a temperature of 50° C. or higher and 300° C. or lower in the atmosphere to solidify the resin composition. Note that the resin composition may contain an organic solvent as necessary.
以上、第１支持体６１上に第１接着層６２を形成する方法を説明したが、方法はこれに限定されない。材料の条件に応じて、他の方法を適宜設定することができる。
Although the method for forming the first
また、第１支持体６１を接着する工程は、第１支持体６１上に第１接着層６２を設置した後、第１接着層６２を硬化させる工程を有していてもよい。ガラス基板６０に第１接着層６２を介して第１支持体６１を貼り合わせるためには、例えば、ラミネーター、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等の方法を使用することができる。
Further, the step of bonding the
第１支持体６１の材料としては、ガラス基板６０と同一の材料であることが望ましい。ガラス基板６０が無アルカリガラスである場合、第１支持体６１も無アルカリガラスであることが望ましい。また第１支持体の厚みについては、ガラス基板６０の厚みＴ１に応じて、適宜設定することができる。ただし、製造工程中に搬送可能な厚みであることが好ましく、その範囲は、３００μｍ以上１．５００μｍ以下の範囲となる。
The
なお、以降の工程において、積層構造体６３からガラス基板６０を分離する際に、第１支持体６１と第１接着層６２の界面で剥離が生じないよう、第１支持体６１と第１接着層６２の間の密着力を確保する必要がある。
このため、樹脂組成物を設置する前に、第１支持体６１の表面に対して表面改質処理を実施しても良い。表面改質処理としては、例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）や、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、およびサンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることによりくさび効果を発現させる機械的処理方法などが挙げられる。
In addition, in the subsequent steps, when separating the
Therefore, the surface of the
一方で、第１接着層６２は、以降の工程でガラス基板６０を分離するため、離型性を有することが好ましい。離型性を有する場合、積層構造体６３のガラス基板６０を分離する工程において、ガラス基板６０と第１接着層６２の界面で、両者を容易に分離することができるという効果が得られる。
On the other hand, since the first
（レーザ改質部の形成）
次に、図２を参照して、レーザ改質部の形成工程について説明する。ここでは、ガラス基板６０の第１面２０側からレーザを照射し、ガラス基板６０にレーザ改質部６５を形成する。
図２は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３に対し、第１面２０側から貫通孔を形成する位置にレーザを照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部６５を形成する。レーザ改質部６５は、ガラス基板６０に対し、例えば垂直方向に延在し、ガラス基板６０のほぼ全面にわたって所望の位置に形成することができる。このとき、レーザ改質部６５は、ガラス基板６０を貫通し、第１接着層６２および第１支持体６１まで到達するように形成されていても構わない。
(Formation of laser modified part)
Next, with reference to FIG. 2, a process for forming the laser modified portion will be described. Here, a laser is irradiated from the
FIG. 2 is a diagram showing a step of forming a laser-modified portion in the manufacturing method according to the first embodiment. As shown here, a laser is irradiated onto the
ここで、第１接着層６２に従来技術に用いられる接着層を用いる場合、レーザ照射によって接着層にクラックが発生し、第１支持体６１をガラス基板６０から剥離する際に接着樹脂がガラス基板６０上に残渣として残留する事象が発生する可能性がある。
このような接着樹脂がガラス基板６０上に残留した場合には、後のフッ酸エッチングによる貫通孔形成工程において、不具合の原因となり得る。例えば、ガラス基板６０における表面凹凸の発生などにつながる虞がある。
これに対し、第１実施形態において用いられる樹脂組成物は、レーザ照射時にレーザのパワーを樹脂内で吸収する。このため、第１接着層６２内でクラックが発生することなく、第１支持体６１をガラス基板６０から剥離する際に接着樹脂がガラス基板６０上に残留しない。
Here, when using an adhesive layer used in the prior art as the first
If such adhesive resin remains on the
In contrast, the resin composition used in the first embodiment absorbs the laser power within the resin during laser irradiation. Therefore, no cracks occur in the first
（第１配線層の形成）
次に図３を参照して、第１配線層２１の形成工程について説明する。図３は、本発明の第１実施形態において、第１配線層の形成工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３のガラス基板６０上の第１面２０に、導電層と絶縁樹脂層を含む第１配線層２１を形成する。
(Formation of first wiring layer)
Next, with reference to FIG. 3, a process for forming the
第１配線層２１の形成工程において、まず、ガラス基板６０上に耐フッ酸金属層１５を含むシード層を形成する。ガラス基板６０上の耐フッ酸金属層１５は、クロムまたはニッケルの少なくともいずれかを含む合金層であり、スパッタ処理にて１０ｎｍ以上１．０００ｎｍ以下の厚さで形成する。その後、耐フッ酸金属層１５上に導電金属皮膜を所望の厚みで形成する。導電金属皮膜の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ３Ｎ４から少なくとも１つを適宜選択することができる。
In the step of forming the
次に、貫通電極接続部（電極）及び配線の形成は、例えばセミアディティブ（ＳＡＰ）工法によって行う。セミアディティブ工法では、フォトレジストを使用し、所望のパターンを形成する。一般的には、ドライフィルムレジストを用いるが、液体のレジストを使用しても構わない。レジストに露光、現像をし、所望のパターンを形成した後に、電解めっきにて２μｍ以上２０μｍ以下の厚さのめっき被膜を形成する。不要となったレジストパターンを剥離し、シード層をエッチングすることで、レーザ改質部６５の上方に位置する貫通電極接続部４１とレーザ改質部６５の間に位置する配線１６が形成される。
Next, the through-electrode connection portion (electrode) and wiring are formed by, for example, a semi-additive (SAP) construction method. In the semi-additive method, a photoresist is used to form a desired pattern. Generally, a dry film resist is used, but a liquid resist may also be used. After exposing and developing the resist to form a desired pattern, a plated film having a thickness of 2 μm or more and 20 μm or less is formed by electrolytic plating. By peeling off the unnecessary resist pattern and etching the seed layer, the
最後に、絶縁樹脂層２５を形成する。絶縁樹脂層２５は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂の少なくとも一種類以上を含み、シリカ、酸化チタン、ウレタン等のフィラーを含む材料であり、液状、もしくはフィルム状の材料であることが望ましい。液状樹脂の場合は、スピンコート法、フィルム状樹脂の場合は、真空ラミネーターを用いて、真空下で加熱・加圧を行って形成することができる。絶縁樹脂層２５の材料は、必要に応じて適宜選択することができる。
Finally, an insulating
なお、ここでは第１配線層２１内に貫通電極接続部４１および配線１６を形成する例を示したが、他の回路素子、たとえば、キャパシタやインダクタを形成することも可能である。
Although an example is shown here in which the through
（第２支持体の接着）
次に図４を参照して、第２支持体の接着工程について説明する。図４は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３の第１配線層２１上に第２接着層７１を形成し、第２接着層７１に第２支持体７０を接着する。
(Adhesion of second support)
Next, referring to FIG. 4, the process of adhering the second support will be described. FIG. 4 is a diagram showing a step of adhering the second support in the manufacturing method according to the first embodiment. As shown here, the second
第２接着層７１については、ＵＶ光などの光を吸収して発熱、昇華、または変質によって剥離可能となる樹脂、熱によって発泡により剥離可能となる樹脂、もしくは、ガラス基板６０、第１支持体６１を仮固定する官能基等から、適宜選択することができる。
The second
第２支持体７０については、ガラス基板６０と同一の材料であることが望ましい。ガラス基板６０が無アルカリガラスである場合、第１支持体６１も無アルカリガラスであることが望ましい。また第２支持体７０の厚みについては、ガラス基板６０の厚みに応じて、適宜設定することができる。ただし、搬送可能な厚みであることが好ましく、３００μｍ以上１，５００μｍ以下の範囲である。
The
（第１支持体の剥離）
次に、図５を参照して、第１支持体の分離工程について説明する。図５は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体６１の剥離工程を示す図である。ここに示すように、第１支持体６１をガラス基板６０から剥離することが行われる。
(Peeling off the first support)
Next, the step of separating the first support will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing a step of peeling off the
ガラス基板６０から第１支持体６１を剥離するにあたっては、積層構造体６３の側面からガラス基板６０と第１支持体６１の界面に剥離開始部を物理的に形成し、この剥離開始部に力を加えることによって剥離を進行させることができる。
ガラス基板６０と第１支持体６１の界面にけがきを形成し、ガラス基板６０および前記第１支持体６１に剥離する方向に力を加える。より具体的には、第１支持体６１と第１支持体６１の界面にカッター等でけがき処理を施した箇所を剥離開始部とし、第１支持体６１およびガラス基板６０を引き離す方向（プラスｚ軸方向と－ｚ軸方向）に力をかけることによって、ガラス基板６０と第１支持体６１を分離することができる。
第１支持体６１とガラス基板を引き離すように力をかけた状態のまま、けがき処理を施すと、剥離処理を円滑に行うことができる。
In peeling off the
A scribe is formed on the interface between the
If the scribing process is performed while applying force to separate the
（エッチングによる貫通孔の形成）
次に、図６を参照して、エッチングによる貫通孔の形成工程について説明する。図６は、第１実施形態に係る製造方法において、エッチングによる貫通孔の形成工程を示す図である。ここに示すように、ガラス基板６０の第２面３０側からエッチング処理をし貫通孔を形成することが行われる。レーザ改質部６５は、選択的にエッチングされる。これにより貫通孔１１が形成される。エッチングはフッ化水素水溶液を使用した湿式エッチングが適している。フッ化水素水溶液によるエッチング量は、ガラス多層配線基板の厚さに応じて、適宜設定する。例えば、ガラス基板６０の厚みＴ１が２００μｍである場合、そのエッチング量は５０μｍ以上１７５μｍ以下の範囲であることが望ましい。
なお、レーザ改質部６５のエッチングに伴い、ガラス基板６０も同様にエッチングされる。エッチング後のガラス基板６０の厚みＴ２は、２５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
(Formation of through holes by etching)
Next, with reference to FIG. 6, a process for forming a through hole by etching will be described. FIG. 6 is a diagram showing a step of forming a through hole by etching in the manufacturing method according to the first embodiment. As shown here, etching is performed from the
Note that, along with the etching of the laser modified
（第２配線層の形成）
次に、図７を参照して、第２配線層の形成工程について説明する。図７は、第１実施形態に係る製造方法において、第２配線層の形成工程を示す図である。ここに示すように、第１支持体６１が剥離除去されたガラス基板６０の第２面に第２配線層を形成する。第２配線層２２は、貫通電極接続部４２と絶縁樹脂層２５を含む。貫通電極接続部４２は、給電用のシード層の形成し、レジストによるパターン形成を行い、２μｍ以上２０μｍ以下の厚さのめっきを形成するようにめっき処理をした後に、不要となったレジストパターンを剥離し、シード層を除去して、形成される。ガラス基板６０内の貫通電極１２も、貫通電極接続部４２と同じ工程を経て形成される。
貫通電極接続部４２と貫通電極１２が形成された後、絶縁樹脂層２５が形成される。絶縁樹脂層２５を形成する樹脂は、貫通電極１２内にも充填されている。なお、ここに示される例では、第１配線層２１と第２配線層２２に形成された絶縁樹脂層２５が同じ材料で形成されたこととしているが、これに限定されない。異なる材料で絶縁樹脂層を形成してもよい。
(Formation of second wiring layer)
Next, with reference to FIG. 7, a process for forming the second wiring layer will be described. FIG. 7 is a diagram showing a step of forming the second wiring layer in the manufacturing method according to the first embodiment. As shown here, a second wiring layer is formed on the second surface of the
After the through
第２配線層２２では、その後の工程でフッ化水素水溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属と異なる材料を使用することができる。この場合、貫通孔１１の側面に、耐フッ酸金属と異なる材料からなる金属層が形成され、貫通電極接続部４２となる。耐フッ酸金属と異なる材料として、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ等が挙げられ、それらの材料からなる少なくとも１層以上の金属層が、貫通孔１１の側面、並びにガラス基板６０の第２面３０上に形成される。材料、層数等は、実施の形態の開示内容に限られたものだけでなく、必要に応じて適宜設定することができる。
In the
（第２支持体の剥離）
次に、図８および図９を参照して、第２支持体７０の剥離工程について説明する。図８は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体７０の剥離工程を示す図である。また、図９は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体７０の剥離工程が行われた後を示す図である。図８に示すように、第２支持体７０をガラス基板６０から剥離する。詳しく言うと、ガラス基板６０の第１面２０側の第１配線層２１の上方に形成された第２接着層７１並びに第２支持体７０を、第１面側の第１配線層２１と第２接着層７１の界面より剥離する。これによって、図９に示すように、ガラス基板６０の第１面２０側に第１配線層２１、第２面３０側に第２配線層２２が形成されたガラス基板６０が得られる。
第２支持体７０を第２配線層２２から剥離するにあたっては、第２接着層７１に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から使用材料に応じた剥離方式を適宜選択することができる。また、第１配線層２１と第２接着層７１との接合面に、接着樹脂の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗、アルコールを使用した溶剤洗浄などを行ってもよい。
(Peeling off the second support)
Next, the process of peeling off the
When peeling the
（ビルドアップ層の形成）
次に、図１０を参照して、ビルドアップ層、言い換えると第１配線層２１及び第２配線層２２の積層された配線層の形成工程について説明する。図１０は、第１実施形態に係る製造方法において、ビルドアップ層の形成工程を示す図である。
図１０に示すように、第１配線層２１内に導通をとるための導通電極３１、第２配線層内に導通をとるための導通電極３２を形成する。導通電極３１、３２は、絶縁樹脂層２５にレーザでビアを形成した後、ビア上にシード層を形成し、その後、セミアディティブ工法（すなわち、レジストパターン形成、めっき処理、レジストの剥離、シード層の除去、絶縁樹脂層２５、一連の処理を行う）を用いて形成される。
なお、第１配線層２１、第２配線層２２は、少なくとも１層以上積層されており、必要に応じて、層数を適宜設定することができる。図１０においては、第１配線層２１および第２配線層２２のいずれも２層が積層されている。
(Formation of build-up layer)
Next, with reference to FIG. 10, a process for forming a build-up layer, in other words, a wiring layer in which the
As shown in FIG. 10, a
Note that the
導通電極３１及び導通電極３２を形成するために使用するレーザは、レーザ改質部６５の形成に用いるレーザとは異なるレーザを用いる。例えば、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザといったパルスレーザを用いることが好ましく、パルス幅がμｓオーダのレーザが適している。
The laser used to form the
（接続パッドの形成）
次に、図１１を参照して、接続パッドの形成について説明する。図１１は、第１実施形態に係る製造方法において、接続パッドの形成工程を説明する図である。ここに示すように、第１配線層２１、第２配線層２２にソルダーレジスト５５等の外層保護膜を形成した後に、第１配線層２１条に半導体素子用接合パッド５１を形成し、第２配線層２２上に基板用接合パッド５３を形成する。半導体素子用接合パッド５１および基板用接合パッド５３にＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ＩＴ、ＯＳＰ（水溶性プリフラックス）等の表面処理を施し、必要に応じて半導体素子接合用はんだ５２、基板接合用はんだ５４を形成し、多層配線基板を完成させる。なお、Ｎｉ／ＡｕはＮｉとＡｕの両方を用いる意味であり、Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕはＮｉとＰｄとＡｕのいずれをも用いる意味である。
(Formation of connection pad)
Next, with reference to FIG. 11, formation of connection pads will be described. FIG. 11 is a diagram illustrating a process of forming a connection pad in the manufacturing method according to the first embodiment. As shown here, after forming an outer protective film such as a solder resist 55 on the
（第１実施形態に係る製造方法のフローチャート）
以上説明した工程を、フローチャートにまとめて示す。図１２は、第１実施形態に係る製造方法のフローチャートを示す図である。
(Flowchart of manufacturing method according to first embodiment)
The steps explained above are summarized in a flowchart. FIG. 12 is a diagram showing a flowchart of the manufacturing method according to the first embodiment.
ステップＳ１は、第１支持体の接着工程である。ガラス基板６０に第１支持体６１を接着する。ガラス基板６０と第１支持体６１は、樹脂組成物で構成される第１接着層６２を介して接続する。
ステップＳ２は、レーザ改質層の形成工程である。レーザは第１支持体を接着した面とは反対側の面から照射する。レーザ改質部は、貫通孔の起点となる。
ステップＳ３は、第１配線層の形成工程である。第１配線層には、貫通電極接続部４１および配線１６を形成する。
ステップＳ４は、第２支持体の接着工程である。第２支持体７０は、第２接着層７１を介して第１配線層２１上に接着される。
ステップＳ５は、第１支持体の剥離工程である。ガラス基板６０から第１支持体６１を分離させる。
ステップＳ６は、エッチングによる貫通孔の形成工程である。レーザ改質部６５を選択的にエッチングし、貫通孔１１を形成する。
ステップＳ７は、第２配線層の形成工程である。第２配線層２２は、貫通電極接続部４２と絶縁樹脂層２５を含む。
ステップＳ８は、第２支持体の剥離工程である。ガラス基板６０から第２支持体７０を分離させる。
ステップＳ９は、ビルドアップ層の形成である。第１配線層２１および第２配線層２２上に、配線層が形成される。
ステップＳ１０は、接続パッドの形成である。第１配線層２１および第２配線層２２の表面に保護膜を形成し、半導体素子や基板と接合するためのはんだバンプを形成する。
Step S1 is a step of adhering the first support. A
Step S2 is a step of forming a laser modified layer. The laser is irradiated from the surface opposite to the surface to which the first support is bonded. The laser modified portion becomes the starting point of the through hole.
Step S3 is a step of forming a first wiring layer. The through
Step S4 is a step of adhering the second support. The
Step S5 is a step of peeling off the first support. The
Step S6 is a step of forming a through hole by etching. The laser modified
Step S7 is a step of forming a second wiring layer. The
Step S8 is a step of peeling off the second support. The
Step S9 is the formation of a buildup layer. A wiring layer is formed on the
Step S10 is the formation of connection pads. A protective film is formed on the surfaces of the
＜作用・効果＞
以上、第１実施形態において説明した製造方法によれば、最初にガラス基板６０を第１支持体６１に接着したうえで、レーザ改質部の形成工程を含む一連の製造工程が行われる。ガラス基板の厚さが１５０μｍ以下であったとしても第１支持体６１があるため容易に取り扱うことができ、精度を要するレーザ改質部の形成工程（ステップＳ２）にあっても、ガラス基板６０を容易に取り扱うことができる。これにより、ガラス基板の厚さに制限を設ける必要がなくなりより薄型のガラス基板を用いることができるため、より薄型化した多層配線基板を製造することができる。
<Action/Effect>
According to the manufacturing method described in the first embodiment, the
また、レーザ改質部の形成工程に関し、従来は、ガラス基板６０のみをレーザ照射の対象としていたことから、ガラス基板の表面付近では、レーザ改質部が必ずしも均質に形成されず、結果的に貫通孔の形状のばらつきが生じていた。
一方、第１実施形態においては、レーザをガラス基板６０側の第１面２０側から照射し、ガラス基板６０だけをレーザの照射対象とするのではなく、ガラス基板６０と同質の材料で構成される第１支持体６１をも照射対象としている。レーザの焦点は第１支持体６１中に設定されているため、ガラス基板６０の厚さ方向（ｚ軸方向）にわたって確実にレーザ改質部６５を形成することができる。そして、第１支持体６１中には十分にレーザが照射されていない部分があるが、第１支持体の剥離工程（ステップＳ５）において、第１支持体６１と共に剥離され、除去されることとなる。このため、ガラス基板６０に形成されるレーザ改質部６５は、均質性が高く、精度よく形成されることから、後のエッチングによっても貫通孔を均一に形成することが可能となる。また、ガラス基板６０にレーザ改質部を形成する際にレーザの焦点をガラス基板６０の厚さ以上に設定しておけばよく、かつガラス基板６０の第１面２０および第２面３０に形成される構造にかかわらずレーザの照射位置を設定することができるため、レーザの照射条件を設定する場合の自由度を高めることができるという効果も期待できる。
このように、第１実施形態の製造方法によれば、ばらつきの少ない貫通孔を持つ多層配線基板を製造することができる。
In addition, regarding the process of forming the laser-modified portion, conventionally, only the
On the other hand, in the first embodiment, the laser is irradiated from the
In this way, according to the manufacturing method of the first embodiment, a multilayer wiring board having through holes with little variation can be manufactured.
＜本発明の実施形態に係るガラス多層配線基板について＞
第１実施形態に係る製造方法により製造される多層配線基板の構造について、図１３から図１５を用いて説明する。図１３は、第１実施形態に係る製造方法によって製造される多層配線基板の断面図である。図１３は図１１に示される多層配線基板と同じである。図１４は、図１３に示される多層配線基板の貫通電極１２を拡大して示す図である。図１５は、第１配線層の形成工程において、キャパシタ構造が形成された場合の多層配線基板を示す図である。
<About the glass multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention>
The structure of the multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 13 to 15. FIG. 13 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment. 13 is the same as the multilayer wiring board shown in FIG. 11. FIG. 14 is an enlarged view of the through
ここで、図１５に示される誘電体層８０は、第１配線層の形成工程に含めて製造することができる。貫通電極接続部４１と誘電体層８０と、誘電体層８０のプラスｚ軸方向に形成された導通電極３１と組み合わせて、ＭＩＭ構造が形成される。
Here, the
＜作用・効果＞
従来技術であるガラスのコア基板とガラス支持体の粘着剤による貼り合わせをし、レーザ改質部の形成工程を行う場合、レーザが粘着剤に照射されることでレーザ照射熱による改質が起こると考えらえる。
そうすると、ガラス支持体の剥離時に、粘着材の改質部を起点として粘着材バルク内で凝集破壊が起こり、コアガラス側に残渣が発生する。残渣が発生した状態でフッ酸エッチングを行うとエッチングにばらつきが起こり、コア基板表面に凹凸が発生する。コア基板表面に発生した凹凸は、次工程以降の成膜時の密着性悪化、貫通孔径のばらつき、多層配線基板とした場合の特性値の悪化を引き起こす要因となる。
<Action/Effect>
When using the conventional technique of bonding a glass core substrate and a glass support with an adhesive and performing the process of forming a laser-modified part, the adhesive is irradiated with the laser, causing modification due to laser irradiation heat. That's what I think.
Then, when the glass support is peeled off, cohesive failure occurs within the bulk of the adhesive starting from the modified portion of the adhesive, and a residue is generated on the core glass side. If hydrofluoric acid etching is performed in a state where a residue is generated, variations in etching will occur and unevenness will occur on the surface of the core substrate. The unevenness generated on the surface of the core substrate becomes a factor that causes deterioration of adhesion during film formation in subsequent steps, variation in through-hole diameter, and deterioration of characteristic values when used as a multilayer wiring board.
一方、第１実施形態では第１接着層６２に、樹脂組成物にレーザを吸収する物質を含めていたため、レーザ照射時の改質が抑えられ、凝集破壊を防止できる。これによって、ばらつきの少ない貫通孔を形成することが可能な多層配線基板を製造することができる。
On the other hand, in the first embodiment, since the resin composition of the first
また、上述の製造方法においては貫通孔のばらつきを少なく形成することが可能であるところ、第２配線層２２の開口径Ｄ２を安定して形成することができ、開口径Ｄ２が閉塞されるといった障害を抑止することが可能となる。このため、図１４に示すように、第１配線層２１の開口径Ｄ１と、第２配線層２２の開口径Ｄ２の関係は、Ｄ２＞Ｄ１であり、かつ第１面２０側開口径Ｄ１／第２面側開口Ｄ２を約０．３以上０．８以下の範囲となる貫通電極１２を形成することができる。このような貫通電極１２では、貫通電極１２の側面および底面へのシード層の付き回りが確保される。これによって、貫通電極１２の側面および底面の金属膜の密着性を確保することができ、高い接合信頼性を得ることができる。
In addition, in the above-described manufacturing method, it is possible to form through holes with less variation, and the opening diameter D2 of the
（利用例）
以上説明した、ガラス厚１５０μｍ以下の薄ガラス用いたガラス多層配線基板の製造方法は、図１５に示すキャパシタ構造を内蔵した受動部品用のガラス多層配線基板、図１６に示すような複数の半導体素子を搭載したインターポーザといったデバイスに利用することができる。
図１５は、キャパシタ構造を内蔵した受動部品用の多層配線基板を示す図である。図１５に示される誘電体層８０は、第１配線層の形成工程に含めて製造することができる。貫通電極接続部４１と誘電体層８０と、誘電体層８０のプラスｚ軸方向に形成された導通電極３１と組み合わせて、キャパシタ構造であるＭＩＭ構造が形成される。また、図１６は、多層配線基板をインターポーザとして利用した例を示す図である。多層配線基板１は、半導体素子１００とＢＧＡ（ball grid array）基板９０の間を接続させる。
(Usage example)
The above-described method for manufacturing a glass multilayer wiring board using thin glass with a glass thickness of 150 μm or less includes a glass multilayer wiring board for passive components having a built-in capacitor structure shown in FIG. 15, and a plurality of semiconductor elements as shown in FIG. It can be used for devices such as interposers equipped with
FIG. 15 is a diagram showing a multilayer wiring board for passive components that includes a built-in capacitor structure. The
図１５および図１６は一例を示したものであり、適用例はこれに限定されない。第１実施形態に係る製造方法は、ガラス厚１５０μｍ以下の薄ガラスを用いることを容易とし、簡便に貫通孔および貫通電極を形成することが可能となる。製造された多層配線基板は、様々なデバイスに利用することができる。 15 and 16 show an example, and the application example is not limited to this. The manufacturing method according to the first embodiment facilitates the use of thin glass having a glass thickness of 150 μm or less, and enables easy formation of through holes and through electrodes. The manufactured multilayer wiring board can be used for various devices.
＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態における製造方法は図１０に示すフローチャートを挙げたが、工程の順序はこれに限定されない。例えば、次の変形例１または変形例２のような工程の順序とすることも可能である。以下の説明において、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。
<Modified example of the first embodiment>
Although the manufacturing method in the first embodiment is illustrated in the flowchart shown in FIG. 10, the order of the steps is not limited thereto. For example, it is also possible to set the process order as in
＜第１変形例＞
次に、第１実施形態の第１変形例について、図１７から図１９を参照して説明する。
第１変形例は、レーザ改質部の形成工程を第１配線層の形成工程の後に行う点で、第１実施形態と異なる。
<First modification example>
Next, a first modification of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 17 to 19.
The first modification differs from the first embodiment in that the step of forming the laser modified portion is performed after the step of forming the first wiring layer.
（第１配線層の形成）
図１７は、第１変形例に係る製造方法において、配線層の形成工程を示す図である。第１変形例においては、図１７に示すように、第１支持体６１の接着工程に続いて、ガラス基板６０上に第１配線層２１を形成する。
(Formation of first wiring layer)
FIG. 17 is a diagram showing a process of forming a wiring layer in the manufacturing method according to the first modification. In the first modification, as shown in FIG. 17, the
第１配線層２１の形成工程において、まず、ガラス基板６０上には耐フッ酸金属層１５を含むシード層を形成する。続いて、セミアディティブ（ＳＡＰ）工法で貫通電極接続部４１、貫通電極間の配線１６を形成し、不要となるシード層を除去する。最後に、絶縁樹脂層２５を形成する。
なお、耐フッ酸金属層および電極の材料や成膜方法などは、第１実施形態の場合と同様である。
In the step of forming the
Note that the materials and film-forming methods for the hydrofluoric acid-resistant metal layer and the electrodes are the same as in the first embodiment.
（レーザ改質部の形成）
次に、図１８を参照して、第１変形例におけるレーザ改質部の形成工程について説明する。図１８は、第１変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３に対し、レーザを第１支持体６１側から照射し、レーザ改質部６５を形成する。ガラス基板６０の厚さ方向に均一にレーザ改質部６５が形成されるように、焦点や強度が調整される。
(Formation of laser modified part)
Next, with reference to FIG. 18, a process for forming a laser-modified portion in the first modification will be described. FIG. 18 is a diagram illustrating a step of forming a laser-modified portion in the manufacturing method according to the first modification. As shown here, the
（その他の工程）
図１９は、第１変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。第１変形例においては、第１配線層の形成（ステップＳ１２）及びレーザ改質部の形成（ステップＳ１３）の他は、第１実施形態に係る製造方法と同じである。
(Other processes)
FIG. 19 is a diagram showing a flowchart of the manufacturing method according to the first modification. The first modification is the same as the manufacturing method according to the first embodiment except for the formation of the first wiring layer (step S12) and the formation of the laser-modified portion (step S13).
＜第２変形例＞
次に、第１実施形態の第２変形例について、図２０から図２２を参照して説明する。
第２変形例は、レーザ改質部の形成工程を、第１配線層の形成工程を行い、さらに第２支持体の接着工程を行った後に行う点で、第１実施形態と異なる。
<Second modification example>
Next, a second modification of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 20 to 22.
The second modification differs from the first embodiment in that the step of forming the laser modified portion is performed after the step of forming the first wiring layer and the step of adhering the second support.
（第２支持体の接着）
図２０は、第２変形例に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を示す図である。第２変形例においては、図２０に示すように、ガラス基板６０および第１支持体６１にレーザ改質部が形成されていない状態で、第２支持体７０を積層構造体６３に接着する。
(Adhesion of second support)
FIG. 20 is a diagram showing a step of adhering the second support in the manufacturing method according to the second modification. In the second modification, as shown in FIG. 20, the
（レーザ改質部の形成）
図２１は、第２変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３に対し、レーザを第１支持体６１側から照射し、レーザ改質部６５を形成する。
(Formation of laser modified part)
FIG. 21 is a diagram illustrating a step of forming a laser-modified portion in a manufacturing method according to a second modification. As shown here, the
（その他の工程）
図２２は、第２変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。第２変形例においては、レーザ改質部の形成（ステップＳ２２）の順序が異なる点のほかは、第１実施形態に係る製造方法と同じである。
(Other processes)
FIG. 22 is a diagram showing a flowchart of the manufacturing method according to the second modification. The second modified example is the same as the manufacturing method according to the first embodiment except that the order of forming the laser-modified portion (step S22) is different.
（作用・効果）
仮に製造工程上の問題が発生しそのままでは製造工程を進行できない場合でも、第１変形例および第２変形例に示すように製造工程を柔軟に変更することができ、製造工程を進行させることができる。
(action/effect)
Even if a problem occurs in the manufacturing process and the manufacturing process cannot proceed as it is, the manufacturing process can be changed flexibly as shown in the first modification and the second modification, and the manufacturing process can be continued. can.
＜第２実施形態＞
第２実施形態は、第１接着層に隣接するようにレーザ吸収層を設ける点で、第１実施形態と異なる。以下の説明において、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。
<Second embodiment>
The second embodiment differs from the first embodiment in that a laser absorption layer is provided adjacent to the first adhesive layer. In the following description, the same or equivalent components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.
（第１支持体の接着）
図２３と図２４を参照し、第２実施形態に係る製造方法の第１支持体の接着工程を説明する。図２３は、第２実施形態に係る製造方法において、レーザ吸収層の形成工程を示す図である。また、図２４は、第２実施形態に係る製造方法において、第１支持体の接着工程を示す図である。
(Adhesion of first support)
Referring to FIGS. 23 and 24, the step of adhering the first support in the manufacturing method according to the second embodiment will be described. FIG. 23 is a diagram showing a step of forming a laser absorption layer in the manufacturing method according to the second embodiment. Moreover, FIG. 24 is a diagram showing the step of adhering the first support in the manufacturing method according to the second embodiment.
図２３に示されるように、ガラス基板６０の第２面３０にレーザ吸収層６４が形成される。レーザ吸収層６４としては、レーザを吸収する金属膜を用いることができる。例えば、レーザ改質部の形成工程においてＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）が用いられる場合、波長１０６４ｎｍを吸収できるアルミニウムを蒸着により成膜する。なお、アルミニウムに限定されることはなく、レーザ波長に対応する吸収率を持つものであれば、他の金属膜でもよい。
As shown in FIG. 23, a
また、レーザ吸収層６４に樹脂材料を用いることもできる。樹脂材料を用いる場合、樹脂材料内にレーザを吸収する材料を分散させたものを用いることが考えられる。樹脂材料をレーザ吸収層６４としてガラス基板６０に形成する場合、第１実施形態に示した第１接着層６２を第１支持体６１に形成する方法と同様の方法を用いることが可能である。
Further, a resin material can also be used for the
図２４は、ガラス基板６０と第１支持体６１を接着させる工程を示す図である。ここに示すように、上からガラス基板６０、レーザ吸収層６４、第１接着層６２、第１支持体６１の順に重なり、積層構造体６３が形成される。このように、第２実施形態においては、レーザ吸収層６４と第１接着層６２は、ガラス基板６０とレーザ吸収層６４を接着するための接着層としての機能を持つ。このような接着層はレーザ吸収層６４と第１接着層６２の２層に限定されず、他の層を含んでもよい。
FIG. 24 is a diagram showing a process of bonding the
（レーザ改質部の形成）
次に、図２５を参照して、レーザ改質部の形成工程について説明する。図２５は、第２実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を示す図である。ここに示すように、積層構造体６３に対し、ガラス基板６０の第１面２０側からレーザを照射し、レーザ改質部６５を形成する。このとき、ガラス基板６０においては第１面２０から第２面３０まで厚さ方向に一様にレーザ改質部６５が形成される。一方、レーザ吸収層６４でレーザエネルギが吸収されるため、第１接着層６２および第１支持体６１には、レーザ改質部６５が形成されない。
(Formation of laser modified part)
Next, with reference to FIG. 25, a process for forming the laser modified portion will be described. FIG. 25 is a diagram showing a step of forming a laser-modified portion in the manufacturing method according to the second embodiment. As shown here, the
レーザ吸収層６４を第１接着層６２とガラス基板６０の間に配置することで、第１接着層６２にレーザが到達することを防ぎ、第１接着層６２の変質を防ぐことができる。これにより、第１接着層６２内でクラックが発生せず、第１支持体６１をガラス基板６０から剥離する際に第１接着層６２に凝集破壊が発生しない。また、第１接着層６２とガラス基板６０が接触しないため、第１支持体６１をガラス基板６０から分離させる工程において、仮に第１接着層６２に凝集破壊が発生したとしても、ガラス基板６０に接着樹脂が残留することを防止できる。
By arranging the
（第１支持体の剥離）
次に、図２６から図２８を参照して、第１支持体の剥離工程について説明する。図２６は、レーザ吸収層６４を適用した際の配線形成後の断面図を示す。ここに示すように、耐フッ酸金属層１５、貫通電極接続部４１、配線１６、絶縁樹脂層２５からなる第１配線層２１が形成されている。第１配線層２１の上方には第２接着層７１が形成され、第２接着層７１に第２支持体７０が接着されている。
(Peeling off the first support)
Next, the step of peeling off the first support will be described with reference to FIGS. 26 to 28. FIG. 26 shows a cross-sectional view after wiring is formed when the
図２７は、第１支持体６１を剥離した状態を示す図である。ガラス基板６０から第１支持体６１を剥離するにあたっては、ガラス基板６０と第１支持体６１の界面に剥離開始部を物理的に形成し、この剥離開始部に力を加えることによって剥離を進行させる。
より具体的には、ガラス基板６０と第１支持体６１の界面にカッター等でけがき処理を施して剥離部とする。第１支持体６１とガラス基板を、剥離する方向に引き離すように引っ張りあうことによって、ガラス基板６０と第１支持体６１を剥離する。
第１支持体６１とガラス基板を引き離すように引っ張り合った状態で、けがき処理を施すと、剥離処理を円滑に行うことができる。
FIG. 27 is a diagram showing a state in which the
More specifically, the interface between the
If the scribing process is performed while the
第１支持体６１、第１接着層６２を剥離した後、ガラス基板６０にはレーザ吸収層６４が残留する。また、第１支持体には第１接着層６２が残留する。
たとえば、レーザ吸収層６４の材料としてＩＴＯが用いられる。ＩＴＯは一般的な溶解液で除去が可能である。また、ＩＴＯ以外で構成されたレーザ吸収層６４であっても、各材料に適したエッチング液や、ドライエッチングを用いることで除去が可能である。
図２８は、レーザ吸収層６４を除去した状態を示す図である。これは第１実施形態の図５と同じ状態となっている。以降の工程は第１実施形態のエッチングによる貫通孔形成と同様のため省略する。
After peeling off the
For example, ITO is used as the material for the
FIG. 28 is a diagram showing a state in which the
図２９は、第２実施形態の製造方法をフローチャートにした図である。
ステップＳ１０１において、レーザ吸収層６４の形成工程をする。レーザ吸収層６４は、ガラス基板６０にレーザ改質部の形成工程で用いるレーザの波長に合わせて、選択される。
ステップＳ１０２において、レーザ吸収層６４の除去工程をする。エッチング等の手段を選択して、ガラス基板６０からレーザ吸収層を除去する。
他の工程については、第１実施形態に係る製造方法と同じである。
FIG. 29 is a flowchart of the manufacturing method of the second embodiment.
In step S101, a step of forming a
In step S102, a step of removing the
The other steps are the same as the manufacturing method according to the first embodiment.
＜作用・効果＞
第２実施形態では、ガラス基板６０と第１接着層６２との間にレーザを吸収する層を設ける。これにより、レーザ改質部を形成するときに照射したレーザを吸収、もしくはレーザ強度を弱めることができる。これにより、レーザ改質部の形成工程において第１接着層に到達するレーザエネルギーを弱めることができ、第１接着層の変質を回避することができる。
<Action/Effect>
In the second embodiment, a layer that absorbs laser is provided between the
このように、第２実施形態に係る製造方法においては、ガラス基板６０に接着樹脂の残渣が発生することを防止できるため、貫通孔のばらつきの低減に加えて、ガラス基板表面の凹凸に起因する不具合の発生を防止することができる。
In this manner, in the manufacturing method according to the second embodiment, it is possible to prevent adhesive resin residue from being generated on the
＜第３実施形態＞
ガラス基板６０と第１支持体６１を接着するための第１接着層６２にポリイミドを用いる場合を説明する。ポリイミドは他の有機材料や高分子材料に比べて耐熱性が高く、また優れた機械的性質や化学薬品に対する耐性を有する材料である。また、ポリイミドはＵＶ波長帯に吸収を持つため、無アルカリガラスなどの透明材料上に形成しＵＶ波長をもつレーザを照射すると無アルカリガラスを透過したレーザはポリイミド界面で吸収が起こり、アブレーションが発生しガラスとポリイミド界面での剥離が可能である。
<Third embodiment>
A case where polyimide is used for the first
（第１支持体の剥離）
次に、図３０を参照して、第１支持体の剥離工程について説明する。図３０は、第３実施形態に係る製造方法において、第１支持体の剥離工程を示す図である。
(Peeling off the first support)
Next, with reference to FIG. 30, the step of peeling off the first support will be described. FIG. 30 is a diagram showing a step of peeling off the first support in the manufacturing method according to the third embodiment.
図３０に示される工程のまえに、第１支持体の接着工程が行われる。第１支持体の接着工程において、ガラス基板６０にポリイミドによって構成される第１接着層６２が形成される。
Before the step shown in FIG. 30, a first support bonding step is performed. In the step of bonding the first support, a first
ポリイミドの形成方法は、ガラス基板６０上にスピンコータを使用し塗布する。塗布の方法としては、第１実施形態の第１支持体の接着工程において、第１支持体６１に第１接着層を塗布する場合の方法を、ガラス基板６０とポリイミドとの関係に適用することができる。
なお、第１支持体６１上に塗布したポリイミドはプレス機を使用しガラス基板６０と接着を行い、キュアを実施しより強固に接着を行うことで、後の工程中の剥離が発生しないようにしている。
The polyimide is formed by coating it on the
Note that the polyimide coated on the
図３０に示されるように、第１支持体の剥離工程において、ガラス基板６０から第１支持体６１が剥離される。剥離にはレーザーリフトオフ法を実施する。この時のレーザはポリイミドにレーザ吸収波長があることが条件となる。第３実施形態においては、ＵＶレーザを使用した。
ガラス基板６０の第２面に残留したポリイミドは溶解剤などで除去をすることが可能となり、除去後にはガラス基板６０にはポリイミドが残留しない。また、ポリイミド以外の材料を用いても各材料に適した溶解液や、ドライエッチングを用いることで除去が可能である。
As shown in FIG. 30, in the step of peeling off the first support, the
The polyimide remaining on the second surface of the
第１接着層６２にポリイミドを用いる点のほかは、第１実施形態に係る製造方法と同様である。
The manufacturing method is the same as the manufacturing method according to the first embodiment except that polyimide is used for the first
（作用・効果）
本実施形態で使用している第１接着層に剥離に用いるレーザ波長に吸収をもつ材料を使用することで、第１接着層６２内でクラックが発生をしていても、第１支持体６１とガラス基板を引き離すように剥離をしないため、第１接着層内で凝集破壊は発生せず、接着樹脂がガラス基板６０上に残留をしない。
このように、第３実施形態に係る製造方法においては、ガラス基板６０に接着樹脂の残渣が発生することを防止できるため、貫通孔のばらつきの低減に加えて、ガラス基板表面の凹凸に起因する不具合の発生を防止することができる。
(action/effect)
By using a material that absorbs the laser wavelength used for peeling in the first adhesive layer used in this embodiment, even if cracks occur in the first
In this way, in the manufacturing method according to the third embodiment, it is possible to prevent the adhesive resin residue from being generated on the
なお、本発明においては後の工程の耐熱性を担保するためにポリイミドを使用したが、剥離用のレーザ波長に吸収を持ちアブレーション加工が可能な材料であれば他の樹脂や無機膜でも構わない。また材料に合わせてレーザ波長を変更しても構わない。 In the present invention, polyimide was used to ensure heat resistance in subsequent steps, but other resins or inorganic films may be used as long as they have absorption at the wavelength of the laser used for peeling and can be ablated. . Further, the laser wavelength may be changed depending on the material.
（実施例）
本発明を適用した例を示す。
(Example)
An example to which the present invention is applied will be shown.
＜実施例＞
以下に、本発明の適用例について説明する。
レーザ改質部の形成工程には、波長１０６４ｎｍのピコ秒レーザを用いた。
そのため、ガラス基板６０、第１接着層６２、第１支持体６１には１０６４ｎｍの波長のレーザが照射されることになるため、エネルギーを吸収するためには近赤外域で吸収する材料を選択する必要がある。
赤外線吸収層を構成する材料としては、赤外線吸収剤としては、例えばＩＴＯ（スズ酸化インジウム）微粒子、ＡＴＯ（アンチモン酸化スズ）微粒子、ＬａＢ６（六ホウ化ランタン）、ＣＷＯ（セシウム酸化タングステン）微粒子、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン化合物、ニッケルジチオレン錯体、スクアリウム色素、キノン系化合物、ジインモニウム化合物、アゾ化合物などが挙げられる。
<Example>
Application examples of the present invention will be described below.
A picosecond laser with a wavelength of 1064 nm was used in the process of forming the laser modified portion.
Therefore, the
Examples of materials constituting the infrared absorbing layer include infrared absorbers such as ITO (indium tin oxide) fine particles, ATO (antimony tin oxide) fine particles, LaB6 (lanthanum hexaboride), CWO (cesium tungsten oxide) fine particles, and cyanine. Examples include dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine compounds, nickel dithiolene complexes, squalium dyes, quinone compounds, diimmonium compounds, and azo compounds.
（実施例１）
実施例１は第１実施形態の製造方法を適用した場合である。第１支持体６１として無アルカリガラス（ＮＥＧ製ＯＡ－１０Ｇ）を準備した。第１支持体６１は純水、アルカリなどで十分に表面が清浄化されている。
第１支持体の接着工程について説明する。次に第１接着層６２として、次の要素を混合した樹脂組成物を材料に用いた。シリコーン粘着剤を１００重量部として基準にした。
・シリコーン粘着剤（「ＫＲ－３７０４」、信越化学工業社製） １００重量部
・白金触媒（「ＣＡＴ－ＰＬ－５０Ｔ」、信越化学工業社製） １重量部
・トルエン１５０部
・近赤外吸収材料（「ＩＴＯナノ粒子 トルエン分散液１０ｗｔ％」、アズワン製） １０重量部
・シランカップリング剤（「ＫＢＭ－６０３」、信越化学社製） ０．２重量部
上記の樹脂組成物を第１支持体６１に塗布し、１４０℃で３分間、大気中で加熱した後、２３０℃に２０分間大気中で加熱硬化して、第１支持体６１上に厚さ１０μｍのシリコーン硬化膜が得られた。
次にガラス基板６０を第１支持体６１上に形成した第１接着層６２上に配置し、真空プレスにより貼り合わせを実施した。
ＩＴＯナノ粒子は無機フィラーとなり混合させることによるガラスへの密着性の低下が考えられるため、シランカップリング剤を添加して密着力を補った。密着力は以後の配線形成から剥離の工程で密着が保持されていることと、支持体剥離の工程で容易に剥離ができることが必要であるため、密着力は密着強度が０．１５ｊ／ｍｍ２以上０．４５ｊ／ｍｍ２以下の範囲になるように調整した。
(Example 1)
Example 1 is a case where the manufacturing method of the first embodiment is applied. As the
The step of adhering the first support will be explained. Next, as the first
・Silicone adhesive (“KR-3704”, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 100 parts by weight ・Platinum catalyst (“CAT-PL-50T”, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1 part by weight ・
Next, the
Since the ITO nanoparticles become an inorganic filler and are likely to reduce adhesion to glass when mixed, a silane coupling agent was added to supplement the adhesion. The adhesion strength is 0.15J/mm 2 because it is necessary that the adhesion is maintained in the subsequent steps from wiring formation to peeling, and that it can be easily peeled off in the support peeling process. Adjustments were made to the above range of 0.45j/ mm2 or less.
（実施例２）
実施例２は、近赤外吸収材料を１重量部にした点で実施例１と異なる。そのほかについては、実施例１と同様である。
(Example 2)
Example 2 differs from Example 1 in that the amount of near-infrared absorbing material is 1 part by weight. The rest is the same as in the first embodiment.
（実施例３）
実施例３は、近赤外吸収材料を５重量部とした点で実施例１と異なる。そのほかについては、実施例１と同様である。
(Example 3)
Example 3 differs from Example 1 in that the near-infrared absorbing material was 5 parts by weight. The rest is the same as in the first embodiment.
（実施例４）
実施例４は、近赤外吸収材料を２０重量部とした点で実施例１と異なる。そのほかについては、実施例１と同様である。
(Example 4)
Example 4 differs from Example 1 in that the near-infrared absorbing material was 20 parts by weight. The rest is the same as in the first embodiment.
（比較例）
比較例は、樹脂組成物としてシリコーン粘着材１００重量部および白金触媒１重量部をトルエン１５０重量部に溶解したものを用いた。近赤外吸収材料を含んでいない点で、実施例１から実施例４の場合と異なる。
第１支持体の接着工程以外の工程については、第１実施形態の製造方法と同様とした。
(Comparative example)
In the comparative example, a resin composition in which 100 parts by weight of a silicone adhesive and 1 part by weight of a platinum catalyst were dissolved in 150 parts by weight of toluene was used. This example differs from Examples 1 to 4 in that it does not contain a near-infrared absorbing material.
The steps other than the step of adhering the first support were the same as the manufacturing method of the first embodiment.
（実施例５）
実施例５は、第２実施形態の製造方法を適用した場合である。
第１支持体の接着工程について説明する。ガラス基板６０の第２面にレーザ吸収層６４としてＩＴＯ膜をスパッタによる成膜を行った。ＩＴＯ膜の厚さは１０００ｎｍとした。
第１接着層６２として、比較例に用いたものと同じ樹脂組成物を用いた。ガラス基板６０、ＩＴＯ膜、第１接着層、第１支持基盤の順に重なるようにし、真空プレスにより貼り合わせを実施した。
(Example 5)
Example 5 is a case where the manufacturing method of the second embodiment is applied.
The step of adhering the first support will be explained. An ITO film was formed as a
As the first
（実施例６）
実施例６は、ＩＴＯ膜の厚さを５００ｎｍにした点で実施例５と異なる。そのほかについては、実施例５と同じである。
(Example 6)
Example 6 differs from Example 5 in that the thickness of the ITO film is 500 nm. The rest is the same as in the fifth embodiment.
（実施例７）
実施例７は、ＩＴＯ膜の厚さを２０００ｎｍにした点で実施例５と異なる。そのほかについては、実施例５と同じである。
(Example 7)
Example 7 differs from Example 5 in that the thickness of the ITO film is 2000 nm. The rest is the same as in the fifth embodiment.
（実施例５から実施例７の第１支持体の剥離工程について）
実施例５から実施例７の場合の第１支持体の剥離工程の後、レーザ吸収層６４の接着樹脂がガラス基板６０に残留したため、以下の溶解液にガラス基板６０を浸漬させて残渣を除去した。
・ＩＴＯエッチング液（「ＩＴＯ－３０１」、関東化学社製）
(Regarding the step of peeling off the first support from Example 5 to Example 7)
After the first support peeling process in Examples 5 to 7, the adhesive resin of the
・ITO etching solution (“ITO-301”, manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd.)
（実施例８）
実施例８は、第３実施形態の製造方法を適用した場合を示す。第１支持体６１として無アルカリガラス（ＮＥＧ製ＯＡ－１０Ｇ）を準備した。第１支持体は純水、アルカリなどで十分に表面が清浄化されている。
第１支持体の接着工程について、第１接着層６２として次のポリイミドを含む樹脂組成物を用いた。
・ポリイミド（「ＰＩＡＤ６００」、荒川化学工業社製） ９０重量部
・エポキシ樹脂（「ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ」、三菱ガス化学社製）１０重量部
・シランカップリング剤（「ＫＢＭ－６０３」、信越化学社製） ０．２重量部
・トルエン １００部
上記樹脂組成物をガラス基板６０に塗布し、１５０℃５分大気中で加熱し、第１接着層を形成した。その後、ガラス基板６０、第１接着層、第１支持体の順に重なるようにし、真空プレスにより貼り合わせた。貼り合わせ後に１８０℃１時間大気で加熱を行い第１接着層を硬化させた。
(Example 8)
Example 8 shows a case where the manufacturing method of the third embodiment is applied. As the
Regarding the step of bonding the first support, the following resin composition containing polyimide was used as the first
- Polyimide ("PIAD600", manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) 90 parts by weight - Epoxy resin ("TETRAD-X", manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) 10 parts by weight - Silane coupling agent ("KBM-603", Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Co., Ltd.) 0.2 parts by weight / 100 parts toluene The above resin composition was applied to the
（実施例８の第１支持体の剥離工程について）
実施例８における第１支持体の剥離工程の後、第１接着層６２の接着樹脂がガラス基板６０に残留したため、以下の溶解液にガラス基板６０を浸漬させて残渣を除去した。
・エッチング液（「ｅソルブ２１ＫＺＥ－１００」、カネコ化学社製）
(Regarding the step of peeling off the first support in Example 8)
After the first support peeling step in Example 8, the adhesive resin of the first
・Etching liquid (“e-solve 21KZE-100”, manufactured by Kaneko Chemical Co., Ltd.)
（評価内容）
実施例１から実施例８および比較例について、各方法で接着した第１支持体６１、第１接着層６２、ガラス基板６０で形成された積層構造体６３を以後の工程で第１支持体６１を剥離する工程まで行った。図３１は、実施例１から実施例８および比較例について、接着方法と評価結果を示す図である。
ここで、剥離界面は〇〇を示す指標である。
また、剥離可否はガラス基板６０に損傷を与えることなく剥離ができるかどうかを示す指標である。記号「〇」は損傷なしに剥離ができることを示す。すべてのサンプルについて、剥離ができたことを示す。
また、残渣有無は、ガラス基板６０の第１面２０を光学顕微鏡等で確認した結果である。記号「〇」は残渣が残らない状態であることを示す。記号「△」は残渣が残らない場合と残る場合が認められた場合をしめす。記号「×」は残渣が必ず残る場合を示す。
比較例の場合は必ず残渣が残っていたが、実施例１から実施例８では残渣が解消しうることが示されている。
(Evaluation details)
Regarding Examples 1 to 8 and Comparative Examples, the
Here, the peeling interface is an index indicating 〇〇.
Moreover, whether or not the
Moreover, the presence or absence of a residue is the result of checking the
In the comparative examples, a residue always remained, but in Examples 1 to 8, it has been shown that the residue can be eliminated.
以上のように、第１実施形態から第３実施形態の製造方法では、第１支持体の剥離工程において、ガラス基板に残渣が残らない条件が確認できた。したがって、第１実施形態から第３実施形態を適用することによって、多層配線基板を製造する際に、ガラス表面状態に起因する不具合の発生が防止できる。 As described above, in the manufacturing methods of the first to third embodiments, conditions were confirmed in which no residue remained on the glass substrate in the step of peeling off the first support. Therefore, by applying the first to third embodiments, it is possible to prevent problems caused by glass surface conditions when manufacturing a multilayer wiring board.
なお、図３２は、レーザ種とそのレーザ波長の吸収率を持つ材料を示す図である。ＣＯ２レーザは波長が約１０００ｎｍであり、吸収材料としてはポリイミドやＳｉＮを採用することができる。ＹＡＧレーザであれば波長１０６４ｎｍであり、ＩＴＯやＦｅ、Ｔｉ、ＬａＢ６（六ホウ化ランタン）、Ｍｏなどがよく、市販品としては三井金属鉱山社のＣＷＯ（セシウムドープ酸化タングステン）が適している。このような材料から製造条件にあうものを選択することで、第１実施形態から第３実施形態の第１支持体の接着工程を行うことができる。 Note that FIG. 32 is a diagram showing laser types and materials having an absorption rate for the laser wavelength. The CO2 laser has a wavelength of about 1000 nm, and polyimide or SiN can be used as the absorption material. A YAG laser has a wavelength of 1064 nm, and ITO, Fe, Ti, LaB6 (lanthanum hexaboride), Mo, etc. are suitable, and as a commercially available product, CWO (cesium doped tungsten oxide) from Mitsui Kinzoku Mining Co., Ltd. is suitable. By selecting one of these materials that meets the manufacturing conditions, it is possible to perform the step of bonding the first support in the first to third embodiments.
＜そのほかの発明＞
本開示は、次の発明も包含する。
（発明１）
第１面及び第２面を有するガラス基板に貫通孔を形成する多層配線基板の製造方法において、
前記ガラス基板を運送するときに用いる第１支持体に接着層を形成し、前記接着層を介して、前記ガラス基板の前記第２面と前記第１支持体を接着する接着工程と、
前記ガラス基板の第１面側からレーザを照射し、前記ガラス基板にレーザ改質部を形成する改質部形成工程と、
前記第１支持体を前記ガラス基板から剥離する第１支持体剥離工程と、
前記ガラス基板の前記第１面側からエッチング処理をし貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を有し、
前記接着層は、前記レーザの波長に対して所定値以上の透過率を有する吸収材料を含む、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法
（発明２）
発明１に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記接着層は、少なくとも２層を含み、
前記接着層のうちの１層に、前記吸収材料を含む層が含まれる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明３）
発明１または２に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の前記第１面に第１配線層を形成する第１配線層形成工程をさらに有し、
前記第１配線層形成工程は、前記改質部形成工程の後に行われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明４）
発明１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の第１面に第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、
前記第１配線層に第２支持体を接着する第２支持体接着工程と、をさらに有し、
前記改質部形成工程は、前記第１配線層形成工程を行い、さらに、前記第２支持体接着工程を行った後に行われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明５）
発明１から４のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程の後に、前記第１支持体が剥離除去された前記ガラス基板の前記第２面に第２配線層を形成する第２配線層形成工程と、
前記第２支持体を前記ガラス基板から剥離する第２支持体剥離工程と、
をさらに有する多層配線基板の製造方法。
（発明６）
発明１から５のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第１支持体剥離工程において、
前記ガラス基板と前記第１支持体の界面にけがきを形成し、前記ガラス基板および前記第１支持体に剥離する方向に力を加える、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
<Other inventions>
This disclosure also includes the following inventions.
(Invention 1)
In a method for manufacturing a multilayer wiring board in which a through hole is formed in a glass substrate having a first surface and a second surface,
an adhesion step of forming an adhesive layer on a first support used when transporting the glass substrate, and adhering the second surface of the glass substrate and the first support via the adhesive layer;
a modified part forming step of irradiating a laser from the first surface side of the glass substrate to form a laser modified part on the glass substrate;
a first support peeling step of peeling the first support from the glass substrate;
a through hole forming step of performing an etching process from the first surface side of the glass substrate to form a through hole,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, characterized in that the adhesive layer includes an absorbing material having a transmittance of a predetermined value or more for the wavelength of the laser (invention 2).
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to
The adhesive layer includes at least two layers,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, characterized in that one of the adhesive layers includes a layer containing the absorbent material.
(Invention 3)
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to
further comprising a first wiring layer forming step of forming a first wiring layer on the first surface of the glass substrate,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the first wiring layer forming step is performed after the modified portion forming step.
(Invention 4)
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of
a first wiring layer forming step of forming a first wiring layer on the first surface of the glass substrate;
further comprising a second support bonding step of bonding a second support to the first wiring layer,
The method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the modified portion forming step is performed after performing the first wiring layer forming step and further performing the second support bonding step.
(Invention 5)
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of
a second wiring layer forming step of forming a second wiring layer on the second surface of the glass substrate from which the first support has been peeled off after the through hole forming step;
a second support peeling step of peeling the second support from the glass substrate;
A method for manufacturing a multilayer wiring board, further comprising:
(Invention 6)
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of
In the first support peeling step,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: forming a scribe on the interface between the glass substrate and the first support, and applying force to the glass substrate and the first support in a direction of peeling.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various changes can be made without departing from the gist of the present invention.
本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
さらに、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含むものである。
The scope of the invention is not limited to the exemplary embodiments shown and described, but includes various modifications. For example, the above-described embodiments have been described in detail to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and the present invention is not necessarily limited to having all the configurations described.
Furthermore, it is possible to replace a part of the configuration of one embodiment with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment. Furthermore, it is possible to add, delete, or replace some of the configurations of each embodiment with other configurations.
Furthermore, the present invention also includes all embodiments that provide effects equivalent to those intended by the present invention.
１：多層配線基板
１１：貫通孔
１２：貫通電極
１５：耐フッ酸金属層
１６：配線
２１：第１配線層
２２：第２配線層
２５：絶縁樹脂層
３１、３２：導通電極
４１、４２：貫通電極接続部
５１：半導体素子用接合パッド
５２：半導体素子接合用はんだ
５３：基板用接合パッド
５４：基板用接合用はんだ
５５：ソルダーレジスト
６０：ガラス基板
６１：第１支持体
６２：第１接着層
６３：積層構造体
６４：レーザ吸収層
６５：レーザ改質部
７０：第２支持体
７１：第２接着層
８０：誘電体層
９０：ＢＧＡ基板
１００：半導体素子
1: Multilayer wiring board 11: Through hole 12: Through electrode 15: Hydrofluoric acid resistant metal layer 16: Wiring 21: First wiring layer 22: Second wiring layer 25: Insulating
Claims (6)
第１支持体と前記ガラス基板の間に接着層を形成し、前記接着層を介して、前記ガラス基板の前記第２面と前記第１支持体を接着する接着工程と、
前記ガラス基板の第１面側からレーザを照射し、前記ガラス基板にレーザ改質部を形成する改質部形成工程と、
前記第１支持体を前記ガラス基板から剥離する第１支持体剥離工程と、
前記ガラス基板の前記第２面側からエッチング処理をし貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、を有し、
前記接着層は、前記レーザの波長に対して所定値以上の透過率を有する吸収材料を含む、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board in which a through hole is formed in a glass substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
an adhesion step of forming an adhesive layer between a first support and the glass substrate, and adhering the second surface of the glass substrate and the first support via the adhesive layer;
a modified part forming step of irradiating a laser from the first surface side of the glass substrate to form a laser modified part on the glass substrate;
a first support peeling step of peeling the first support from the glass substrate;
a through hole forming step of performing an etching process from the second surface side of the glass substrate to form a through hole;
The method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the adhesive layer includes an absorbing material having a transmittance of a predetermined value or more with respect to the wavelength of the laser.
前記接着層は、少なくとも２層を含み、
前記接着層のうちの１層に、前記吸収材料を含む層が含まれる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, comprising:
The adhesive layer includes at least two layers,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, characterized in that one of the adhesive layers includes a layer containing the absorbent material.
前記ガラス基板の前記第１面に第１配線層を形成する第１配線層形成工程をさらに有し、
前記第１配線層形成工程は、前記改質部形成工程の後に行われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, comprising:
further comprising a first wiring layer forming step of forming a first wiring layer on the first surface of the glass substrate,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the first wiring layer forming step is performed after the modified portion forming step.
前記ガラス基板の前記第１面に第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、
前記第１配線層に第２支持体を接着する第２支持体接着工程と、をさらに有し、
前記改質部形成工程は、前記第１配線層形成工程を行い、さらに前記第２支持体接着工程を行った後に行われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, comprising:
a first wiring layer forming step of forming a first wiring layer on the first surface of the glass substrate;
further comprising a second support bonding step of bonding a second support to the first wiring layer,
The method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the modified portion forming step is performed after performing the first wiring layer forming step and further performing the second support bonding step.
前記貫通孔形成工程の後に、前記第１支持体が剥離除去された前記ガラス基板の前記第２面に第２配線層を形成する第２配線層形成工程と、
前記第２支持体を前記ガラス基板から剥離する第２支持体剥離工程と、
をさらに有する多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, comprising:
a second wiring layer forming step of forming a second wiring layer on the second surface of the glass substrate from which the first support has been peeled off after the through hole forming step;
a second support peeling step of peeling the second support from the glass substrate;
A method for manufacturing a multilayer wiring board, further comprising:
前記第１支持体剥離工程において、
前記ガラス基板と前記第１支持体の界面にけがきを形成し、前記ガラス基板および前記第１支持体に剥離する方向に力を加える、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, comprising:
In the first support peeling step,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: forming a scribe on the interface between the glass substrate and the first support, and applying force to the glass substrate and the first support in a direction of peeling.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022116956A JP2024014262A (en) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | Multilayer wiring board manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022116956A JP2024014262A (en) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | Multilayer wiring board manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024014262A true JP2024014262A (en) | 2024-02-01 |
Family
ID=89718608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022116956A Pending JP2024014262A (en) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | Multilayer wiring board manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024014262A (en) |
-
2022
- 2022-07-22 JP JP2022116956A patent/JP2024014262A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2023100586A1 (en) | Multilayer wiring board manufacturing method, and multilayer wiring board | |
| JP2000106482A (en) | Manufacture of flexible board | |
| JP2004304129A (en) | Pattern forming method by droplet discharge method, and forming method for multilevel interconnection structure | |
| JP2017050464A (en) | Wiring board laminate, manufacturing method therefor, and manufacturing method for semiconductor device | |
| JP2022040197A (en) | Manufacturing method of wiring board | |
| JP2024014262A (en) | Multilayer wiring board manufacturing method | |
| JP7351107B2 (en) | Wiring board and wiring board manufacturing method | |
| JP2016178101A (en) | Wiring board laminate, semiconductor device using the same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2021114534A (en) | Wiring board and manufacturing method for wiring board | |
| JP2017228765A (en) | Wiring board formation substrate and method of manufacturing the same, wiring board and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| WO2022124394A1 (en) | Substrate unit with support, substrate unit, and method for manufacturing substrate unit with support | |
| JP2005217372A (en) | Electronic-component-built-in substrate, substrate, and method of manufacturing the same | |
| JP7052464B2 (en) | Manufacturing method of coreless substrate with fine wiring layer and manufacturing method of semiconductor package | |
| JP2021197484A (en) | Wiring board with support, wiring board and semiconductor device | |
| JP2011071542A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| WO2023047947A1 (en) | Wiring board unit and design method therefor | |
| JP2022122509A (en) | Substrate unit with support, substrate unit, semiconductor device, and manufacturing method thereof | |
| WO2022080152A1 (en) | Wiring board and method for producing wiring board | |
| JP2020198429A (en) | Wiring board with support, wiring board, semiconductor device, and manufacturing method of wiring board | |
| JP2023046266A (en) | Wiring board unit and its design method | |
| JP2004063510A (en) | Method for transferring element | |
| JP2021158306A (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP2023046250A (en) | Wiring board unit and method for manufacturing wiring board | |
| JP6593136B2 (en) | Wiring substrate laminate, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2020191380A (en) | Method for manufacturing wiring board |