JP2024001479A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 安定した動作が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第1及び第2基板と、第1及び第2基板に挟まれた液晶層と、第1基板の表示領域に配置され、複数の画素を含む画素アレイ2と、画素アレイ2に配置された複数の走査線と、第1基板に設けられ、表示領域の周囲の周辺領域に配置され、複数の走査線に接続され、複数のトランジスタを含む走査線駆動回路4と、第2基板に設けられ、複数の画素の境界と、周辺領域とを遮光するように構成されたブラックマトリクス14と、周辺領域におけるブラックマトリクス14上に配置されたカラー樹脂層29とを含む。
【選択図】 図5
【解決手段】 液晶表示装置は、第1及び第2基板と、第1及び第2基板に挟まれた液晶層と、第1基板の表示領域に配置され、複数の画素を含む画素アレイ2と、画素アレイ2に配置された複数の走査線と、第1基板に設けられ、表示領域の周囲の周辺領域に配置され、複数の走査線に接続され、複数のトランジスタを含む走査線駆動回路4と、第2基板に設けられ、複数の画素の境界と、周辺領域とを遮光するように構成されたブラックマトリクス14と、周辺領域におけるブラックマトリクス14上に配置されたカラー樹脂層29とを含む。
【選択図】 図5
Description
本発明は、液晶表示装置に関する。
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、ロウ方向にそれぞれが延びかつ走査信号が入力される複数の走査線と、カラム方向にそれぞれが延びかつ画像信号が入力される複数の信号線と、複数の走査線と複数の信号線とが交差する複数の交差領域にそれぞれ配置された複数の画素とを備える。複数の画素は、画素アレイを構成する。画素は、TFT基板に設けられた、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を備える。
複数の走査線を駆動する走査線駆動回路を画素アレイの1辺に配置した液晶表示装置が知られている。このような構造は、例えば、GIP(gate in panel)構造と呼ばれている。走査線駆動回路は、複数の走査線を走査するシフトレジスタ回路を備える。シフトレジスタ回路は、複数のTFTを用いて構成される。シフトレジスタ回路を構成する複数のTFTは、TFT基板に形成される。
GIP構造において、走査線駆動回路の上部には、遮光層(ブラックマトリクスという)が配置される。ブラックマトリクスは、TFT基板に対向する対向基板に設けられる。ブラックマトリクスは、例えば、遮光性を有するクロムを含むように構成される。このように構成されたブラックマトリクスでは、液層層側の面にバックライトからの光が入射し、バックライトからブラックマトリクスに入射した光は、液晶層側に反射される。ブラックマトリクスで反射された反射光は、走査線駆動回路に含まれる複数のTFTに照射される。TFTに光が照射されると、光リーク電流が発生し、走査線駆動回路が誤動作をするという問題がある。
本発明は、安定した動作が可能な液晶表示装置を提供する。
本発明の第1態様によると、第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板に挟まれた液晶層と、前記第1基板の表示領域に配置され、複数の画素を含む画素アレイと、前記画素アレイに配置された複数の走査線と、前記第1基板に設けられ、前記表示領域の周囲の周辺領域に配置され、前記複数の走査線に接続され、複数のトランジスタを含む走査線駆動回路と、前記第2基板に設けられ、前記複数の画素の境界と、前記周辺領域とを遮光するように構成されたブラックマトリクスと、前記周辺領域における前記ブラックマトリクス上に配置されたカラー樹脂層とを具備する液晶表示装置が提供される。
本発明の第2態様によると、前記カラー樹脂層は、赤である、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第3態様によると、前記カラー樹脂層は、赤のカラー樹脂層と、赤以外の色のカラー樹脂層との積層膜で構成される、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第4態様によると、前記赤以外の色のカラー樹脂層は、緑である、第3態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第5態様によると、前記複数のトランジスタの各々は、アモルファスシリコンからなる半導体層を含む、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第6態様によると、前記複数のトランジスタの各々は、TFT(Thin Film Transistor)で構成される、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第7態様によると、前記ブラックマトリクスは、酸化クロム層とクロム層とが前記第1基板側から順に積層されて構成される、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明の第8態様によると、前記第1基板に白色光を照射するバックライトをさらに具備する、第1態様に係る液晶表示装置が提供される。
本発明によれば、安定した動作が可能な液晶表示装置を提供することができる。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複する説明は省略する。
[1] 第1実施形態
[1-1] 液晶表示装置1の全体構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置1のブロック図である。液晶表示装置1は、画素アレイ2、バックライト(照明装置)3、走査線駆動回路4、信号線駆動回路5、共通電極駆動回路6、電圧生成回路7、及び制御回路8を備える。
[1-1] 液晶表示装置1の全体構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置1のブロック図である。液晶表示装置1は、画素アレイ2、バックライト(照明装置)3、走査線駆動回路4、信号線駆動回路5、共通電極駆動回路6、電圧生成回路7、及び制御回路8を備える。
画素アレイ2は、マトリクス状に配置された複数の画素PXを備える。画素アレイ2には、それぞれがロウ方向に延びる複数の走査線GL1~GLmと、それぞれがカラム方向に延びる複数の信号線SL1~SLnとが配設される。“m”及び“n”はそれぞれ、2以上の整数である。走査線GLと信号線SLとの交差領域には、画素PXが配置される。
バックライト3は、画素アレイ2の背面に光を照射する面光源である。バックライト3としては、例えば、直下型又はサイドライト型(エッジライト型)のLEDバックライトが用いられる。バックライト3は、白色光を発光する複数の白色LEDを備える。
走査線駆動回路4は、複数の走査線GLに接続される。走査線駆動回路4は、制御回路8から送られる制御信号に基づいて、画素PXに含まれるスイッチング素子をオン/オフするための走査信号を画素アレイ2に送る。走査線駆動回路4は、複数の走査線GLを順に走査するためのシフトレジスタ回路を備える。シフトレジスタ回路は、1フレーム期間ごとに、複数の走査線に対して順に走査信号をシフトさせる。
信号線駆動回路5は、複数の信号線SLに電気的に接続される。信号線駆動回路5は、制御回路8から制御信号、及び表示データを受ける。信号線駆動回路5は、制御信号に基づいて、表示データに対応する複数の階調信号(駆動電圧)を画素アレイ2に送る。
共通電極駆動回路6は、共通電圧Vcomを生成し、これを画素アレイ2内の共通電極に供給する。電圧生成回路7は、液晶表示装置1の動作に必要な各種電圧を生成して各回路に供給する。
制御回路8は、液晶表示装置1の動作を統括的に制御する。制御回路8は、外部から画像データDT及び制御信号CNTを受ける。制御回路8は、画像データDTに基づいて、各種制御信号を生成し、これら制御信号を、対応する回路に送る。
図2は、図1に示した画素アレイ2の回路図である。図2のX方向は、走査線が延びるロウ方向であり、Y方向は、信号線が延びるカラム方向である。
画素アレイ2には、複数の走査線GL1~GLm、及び複数の信号線SL1~SLnが配設される。
画素PXは、スイッチング素子(アクティブ素子)9、液晶容量(液晶素子)Clc、及び蓄積容量Csを備える。スイッチング素子9としては、例えばTFT(Thin Film Transistor)が用いられ、またnチャネルTFTが用いられる。なお、トランジスタのソース及びドレインは、トランジスタに流れる電流の向きによって変化するが、以下の説明では、トランジスタの接続状態の一例を説明する。しかし、ソース及びドレインが名称通りに固定されるものでないことは勿論である。
TFT9のソースは、信号線SLに接続され、そのゲートは、走査線GLに接続され、そのドレインは、液晶容量Clcの一方の電極に接続される。液晶素子としての液晶容量Clcは、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた液晶層とにより構成される。液晶容量Clcの他方の電極には、共通電極駆動回路6により共通電圧Vcomが印加される。
蓄積容量Csの一方の電極は、液晶容量Clcの一方の電極に接続される。蓄積容量Csの他方の電極には、共通電極駆動回路6により共通電圧Vcomが印加される。蓄積容量Csは、画素電極に生じる電位変動を抑制するとともに、画素電極に印加された駆動電圧を次の信号に対応する駆動電圧が印加されるまでの間保持する機能を有する。蓄積容量Csは、画素電極と、蓄積容量線と、これらに挟まれた絶縁層とにより構成される。蓄積容量Csの他方の電極(蓄積容量線)には、共通電圧Vcomと異なる蓄積容量電圧を印加してもよい。
[1-2] 液晶表示装置1の具体的な構成
次に、液晶表示装置1の具体的な構成について説明する。図3は、液晶表示装置1のレイアウトを説明する平面図である。
次に、液晶表示装置1の具体的な構成について説明する。図3は、液晶表示装置1のレイアウトを説明する平面図である。
液晶表示装置1は、TFT基板10、画素アレイ2、2個の走査線駆動回路4-1、4-2、及び集積回路(IC:integrated circuit)11を備える。走査線駆動回路4-1、4-2は、図1の走査線駆動回路4に対応する。
TFT基板10は、透明かつ絶縁性を有する基板(例えば、ガラス基板、又はプラスチック基板)から構成される。TFT基板10上には、画素アレイ2、走査線駆動回路4-1、4-2、及び集積回路11が設けられる。TFT基板10の上方にはCF(カラーフィルタ)基板(図示せず)が配置され、TFT基板10及びCF基板間には液晶層(図示せず)が配置される。
液晶表示装置1は、表示領域DAと、表示領域DAの周囲の周辺領域PAとを有する。表示領域DAは、画像が表示される領域である。周辺領域PAは、画素アレイ2の動作を制御する周辺回路が配置される領域である。
TFT基板10の表示領域DAには、画素アレイ2が設けられる。画素アレイ2には、それぞれがX方向に延びる複数の走査線GLと、それぞれがY方向に延びる複数の信号線SLとが配設される。
TFT基板10の周辺領域PAには、走査線駆動回路4-1、4-2が設けられる。走査線駆動回路4-1、4-2は、画素アレイ2のX方向両側にそれぞれ配置される。走査線駆動回路4-1は、奇数番目の走査線GLに接続され、奇数番目の走査線GLを駆動する。走査線駆動回路4-2は、偶数番目の走査線GLに接続され、偶数番目の走査線GLを駆動する。
TFT基板10の周辺領域PAのうちY方向の端部には、集積回路11が配置される。集積回路11は、信号線駆動回路5、共通電極駆動回路6、電圧生成回路7、及び制御回路8を備える。集積回路11は、ICチップで構成される。走査線駆動回路4-1、4-2は、複数の配線12を用いて集積回路11に接続される。複数の信号線SLは、集積回路11に接続される。
次に、ブラックマトリクス(遮光層ともいう)14の構成について説明する。図4は、ブラックマトリクス14の構成を説明する平面図である。図4において、ブラックマトリクス14は、斜めのハッチングを付して示している。
液晶表示装置1は、TFT基板10の上方に設けられたCF基板13と、CF基板13に設けられたブラックマトリクス14とを備える。CF基板13は、透明かつ絶縁性を有する基板(例えば、ガラス基板、又はプラスチック基板)から構成される。例えば、CF基板13のX方向に長さは、TFT基板10のX方向に長さと同じである。CF基板13のY方向に長さは、TFT基板10のY方向に長さより短い。TFT基板10のうちCF基板13より長い部分には、集積回路11が配置される。
ブラックマトリクス14は、色の異なる画素の境界を遮光することで、コントラストを向上させる機能を有する。ブラックマトリクス14は、画素PXごとに設けられた開口部を有し、複数の画素PXの境界に設けられる。図4のマトリクス状に配置された四角が画素PXを表している。図4では、赤、緑、及び青の画素(図4のR、G、B)を色のハッチングで示している。本実施形態では、カラーフィルタの配列としては、ストライプ配列を一例として示しているが、これに限定されるのもではなく、モザイク配列、及びデルタ配列を含む任意の配列を適用可能である。画素PXのサイズは、実際には図示したサイズよりも十分小さい。
また、ブラックマトリクス14は、周辺領域PAを覆うように配置される。ブラックマトリクス14で覆われた周辺領域PAは、液晶表示装置1の額縁に対応する。額縁は、観察者からは黒の領域として視認される。周辺領域PAに配置される素子(トランジスタを含む)は、ブラックマトリクス14によって遮光される。
次に、液晶表示装置1の積層構造について説明する。図5は、図4のA-A´線に沿った液晶表示装置1の断面図である。なお、図5では、液晶表示装置1のX方向に沿った左側の領域を中心に示しているが、右側の領域は、図5の構成を線対称にした構成である。
液晶表示装置1は、スイッチング素子(TFT)及び画素電極などが形成されるTFT基板10と、TFT基板10に対向配置されかつカラーフィルタなどが形成されるCF基板13とを備える。
液晶層20は、TFT基板10及びCF基板13間に挟持及び充填される。具体的には、液晶層20は、TFT基板10、CF基板13、及びシール材21によって包囲された領域内に封入される。シール材21は、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFT基板10又はCF基板13に塗布された後、紫外線照射、又は加熱等により硬化させられる。
液晶層20を構成する液晶材料は、印加された電界に応じて液晶分子の配向が操作されて光学特性が変化する。本実施形態では、VA(Vertical Alignment)モードを一例として説明する。液晶モードは、VAモードに限定されず、TN(Twisted Nematic)モード、又はホモジニアスモードなどを用いてもよい。VAモードでは、液晶層20として、負の誘電率異方性を有するネガ型(N型)のネマティック液晶が用いられる。液晶層20は、初期状態において、垂直配向される。液晶分子は、無電圧(無電界)時には基板の主面に対してほぼ垂直に配向する。電圧印加(電界印加)時には、液晶分子のダイレクタが水平方向(基板の主面に平行な方向)に向かって傾く。
次に、TFT基板10側の構成について説明する。TFT基板10の液晶層20と反対側には、偏光板22が設けられる。偏光板22は、直線偏光板で構成され、互いに直交する透過軸及び吸収軸を有する。偏光板22の透過軸は、液晶表示装置1の表示モード(ノーマリーブラックモード又はノーマリーホワイトモード)に応じて適宜設定される。
偏光板22のTFT基板10と反対側には、バックライト3が配置される。バックライト3は、遮光テープ23により偏光板22に接着される。遮光テープ23は、バックライト3及び偏光板22の外周に沿って設けられ、枠形状を有する。遮光テープ23は、光を遮光する機能を有し、その上面及び底面に粘着材を有する。遮光テープ23の底面の接着材は、バックライト3に接着し、遮光テープ23の上面の接着材は、偏光板22に接着する。遮光テープ23は、例えば、黒色の両面テープで構成される。
TFT基板10の液晶層20側には、画素PXごとに、スイッチング素子9が設けられる。スイッチング素子9としては、例えばTFTが用いられ、またnチャネルTFTが用いられる。TFT9をトランジスタとも称する。
図6は、図5に示したTFT9の断面図である。TFT9は、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極よりも下方(基板側)に設けられた逆スタガ型(ボトムゲート型ともいう)である。本実施形態では、チャネルエッチ型のTFTを例に挙げて説明する。チャネルエッチ型のTFTは、ソース電極及びドレイン電極を加工する際に、半導体層も多少エッチングするような製法で製造されたTFTである。TFT9は、エッチングストッパー型であってもよい。エッチングストッパー型のTFTは、半導体層上に形成されたエッチングストッパー層を用いてソース電極及びドレイン電極を加工するような製法で製造されたTFTである。
TFT基板10上には、X方向に延びるゲート電極GLが設けられる。ゲート電極GLは、走査線として機能する。ゲート電極GLとしては、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、及びタングステン(W)のいずれか、又はこれらの1種類以上を含む合金等が用いられる。
TFT基板10及びゲート電極GL上には、ゲート絶縁膜(絶縁層ともいう)25-1が設けられる。ゲート絶縁膜25-1としては、透明な絶縁材料が用いられ、例えばシリコン窒化物(SiN)が用いられる。
ゲート絶縁膜25-1上には、半導体層31が設けられる。半導体層31としては、例えばアモルファスシリコンが用いられる。
半導体層31上には、互いに離間したオーミックコンタクト層32、33が設けられる。オーミックコンタクト層32、33は、半導体層31と電極との電気的接続を良好にする機能を有する。オーミックコンタクト層32、33は、高濃度のn型不純物が導入されたn+型半導体層で構成される。
オーミックコンタクト層32上には、ソース電極34が設けられる。オーミックコンタクト層33上には、ドレイン電極35が設けられる。ソース電極34及びドレイン電極35としては、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、及びタングステン(W)のいずれか、又はこれらの1種類以上を含む合金等が用いられる。
半導体層31、ソース電極34、及びドレイン電極35上には、絶縁層25-2が設けられる。絶縁層25-2としては、透明な絶縁材料が用いられ、例えばシリコン窒化物(SiN)が用いられる。
図5に戻り、TFT基板10の周辺領域PAには、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれる複数のトランジスタ24が設けられる。複数のトランジスタ24の各々は、TFTで構成され、画素PXに含まれるTFT9と同じ構成である。トランジスタ24をTFTとも称する。
TFT基板10、TFT9、及びTFT24上には、絶縁層25が設けられる。絶縁層25としては、透明な絶縁材料が用いられ、例えばシリコン窒化物(SiN)が用いられる。絶縁層25は、図6に示したゲート絶縁膜25-1、及び絶縁層25-2を含む。
なお、図示は省略するが、ゲート絶縁膜25-1上には、Y方向に延びる信号線SLが設けられる。信号線SLは、TFT9のソース電極に電気的に接続される。また、ゲート絶縁膜25-1上には、TFT24のソース電極及びドレイン電極に接続された複数の配線が設けられる。
絶縁層25上には、画素PXごとに画素電極26が設けられる。画素電極26の面積は、画素PXの面積より若干小さく設定される。画素電極26は、コンタクト(図示せず)を介して、TFT9のドレイン電極に電気的に接続される。画素電極26は、透明電極で構成され、例えばITO(インジウム錫酸化物)で構成される。
画素電極26及び絶縁層25上には、液晶層20の配向を制御する配向膜(図示せず)が設けられる。配向膜は、液晶層20の初期状態において、液晶分子を垂直に配向させる。
次に、CF基板13側の構成について説明する。
CF基板13の液晶層20と反対側には、偏光板27が設けられる。偏光板27は、直線偏光板で構成され、互いに直交する透過軸及び吸収軸を有する。偏光板27の透過軸は、液晶表示装置1の表示モード(ノーマリーブラックモード又はノーマリーホワイトモード)に応じて適宜設定される。例えば、偏光板22及び偏光板27は、互いの透過軸が直交するように、すなわち直交ニコル状態で配置される。
CF基板13の液晶層20と反対側には、偏光板27が設けられる。偏光板27は、直線偏光板で構成され、互いに直交する透過軸及び吸収軸を有する。偏光板27の透過軸は、液晶表示装置1の表示モード(ノーマリーブラックモード又はノーマリーホワイトモード)に応じて適宜設定される。例えば、偏光板22及び偏光板27は、互いの透過軸が直交するように、すなわち直交ニコル状態で配置される。
CF基板13の液晶層20側には、遮光層(ブラックマトリクス、ブラックマスクともいう)14が設けられる。ブラックマトリクス14は、複数の画素PXの境界に設けられる。ブラックマトリクス14は、平面視において、信号線SL、走査線GL、及びTFT9(特に半導体層15)を覆うように配置される。また、ブラックマトリクス14は、異なる色のカラーフィルタの境界に配置される。ブラックマトリクス14は、画素PXの境界で発生する不要な光を遮光し、コントラストを向上させる機能を有する。
さらに、ブラックマトリクス14は、周辺領域PAに設けられ、CF基板13の周辺領域PA全体を覆うように設けられる。ブラックマトリクス14は、CF基板13側から入射する外光を遮光する機能を有する。ブラックマトリクス14は、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれる複数のトランジスタ24に入射する外光を遮光する。
ブラックマトリクス14は、例えば、酸化クロム層14Aとクロム層14Bとの積層膜で構成される。酸化クロム層14AがCF基板13側に配置され、クロム層14Bが液晶層20側に配置される。酸化クロム層14Aは、主に、CF基板13側から入射する光がブラックマトリクス14で反射するのを抑制する機能を有する。クロム層14Bは、主に、光を遮光する機能を有する。
表示領域DAにおけるCF基板13及びブラックマトリクス14上には、カラーフィルタ28が設けられる。カラーフィルタ28は、赤フィルタ28R、緑フィルタ28G、及び青フィルタ28Bを備える。一般的なカラーフィルタは、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)で構成される。隣接したR、G、Bの三色のセットが表示の単位(画素)となっており、1つの画素中のR、G、Bのいずれか単色の部分はサブピクセル(サブ画素)と呼ばれる最小駆動単位である。TFT9及び画素電極26は、サブピクセルごとに設けられる。本明細書の説明では、画素とサブ画素との区別が特に必要な場合を除き、サブ画素を画素と呼ぶものとする。本明細書では、赤フィルタ28R、緑フィルタ28G、及び青フィルタ28Bを特に区別する必要がない場合は、これらをカラーフィルタ28と称する。
なお、カラーフィルタ28全体のうち外周部分に形成されたカラーフィルタの一部は、パターンの精度が低い場合がある。このため、図5の例では、表示領域DAと周辺領域PAとの境界部分に形成されたカラーフィルタの一部は、画素として使用されない。
ここで、周辺領域PAにおけるブラックマトリクス14上には、赤のカラー樹脂層29-1、29-2が設けられる。図7は、カラー樹脂層29-1、29-2の構成を説明する平面図である。カラー樹脂層29-1、29-2を特に区別する必要がない場合は、カラー樹脂層29と称する。
カラー樹脂層29は、ブラックマトリクス14による反射光を低減する機能を有する。カラー樹脂層29は、赤の顔料が混入された樹脂で構成される。カラー樹脂層29は、赤の顔料が混入された感光性のカラーレジストをブラックマトリクス14上に塗布し、露光及び現像工程を経て形成される。例えば、カラー樹脂層29は、赤フィルタ28Rと同じ材料で構成される。
カラー樹脂層29-1は、少なくとも走査線駆動回路4-1を覆う面積を有する。カラー樹脂層29-1の画素アレイ2側の端部は、走査線駆動回路4-1の画素アレイ2側の端部と同じか、走査線駆動回路4-1の画素アレイ2側の端部より画素アレイ2側に配置される。カラー樹脂層29-1の端部は、カラーフィルタ28の端部(最も端に配置されたカラーフィルタ)に接している。
カラー樹脂層29-2は、少なくとも走査線駆動回路4-2を覆う面積を有する。カラー樹脂層29-2の画素アレイ2側の端部は、走査線駆動回路4-2の画素アレイ2側の端部と同じか、走査線駆動回路4-2の画素アレイ2側の端部より画素アレイ2側に配置される。カラー樹脂層29-2の端部は、カラーフィルタ28の端部(最も端に配置されたカラーフィルタ)に接している。
なお、カラー樹脂層29は、画素アレイ2のY方向における両側には、配置してもよいし、配置しなくてもよい。典型的には、カラー樹脂層29は、画素アレイ2のY方向における両側には配置されない。
カラーフィルタ28及びカラー樹脂層29上には、共通電極30が設けられる。共通電極30は、少なくとも全ての画素電極26に対向する面積を有する。共通電極30は、透明電極で構成され、例えばITOで構成される。
共通電極30上には、液晶層20の配向を制御する配向膜(図示せず)が設けられる。配向膜は、液晶層20の初期状態において、液晶分子を垂直に配向させる。
[1-3] 動作
上記のように構成された液晶表示装置1の動作について説明する。
上記のように構成された液晶表示装置1の動作について説明する。
図8は、バックライト3のスペクトルの一例を説明するグラフである。図8の縦軸が相対強度、横軸が波長(nm)を表している。
バックライト3は、複数の白色LEDを備え、白色光を発光する。バックライト3が発光した白色光は、波長450nm付近にピークを持つ。
図9は、カラーフィルタの分光透過率を説明するグラフである。図9の縦軸が透過率(%)、横軸が波長(nm)を表している。図9において、“R”は、赤フィルタ28Rの分光透過率、“G”は、緑フィルタ28Gの分光透過率、“B”は、青フィルタ28Bの分光透過率を表している。
赤フィルタ28Rは、赤色光を透過し、おおよそ610~750nmの波長帯域の光を透過する。緑フィルタ28Gは、緑色光を透過し、おおよそ500~560nmの波長帯域の光を透過する。青フィルタ28Bは、青色光を透過し、おおよそ435~480nmの波長帯域の光を透過する。
ここで、本実施形態では、周辺領域PAにおけるブラックマトリクス14上には、赤のカラー樹脂層29が設けられる。カラー樹脂層29の分光透過率は、図9の“R”の分光透過率と同じである。図9から理解できるように、カラー樹脂層29は、波長450nm付近の光(青色光)の透過率が非常に低い。
周辺領域PAにおいて、バックライト3が発光した白色光のうち大きな割合の光成分は、カラー樹脂層29によって吸収される。よって、周辺領域PAにおいて、ブラックマトリクス14で反射される光成分(光強度)はより少ない。これにより、ブラックマトリクス14で反射された反射光が、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれるトランジスタ24(特に半導体層)に照射されるのを抑制することができる。
図10は、ブラックマトリクス14で反射した反射光の光強度を説明するグラフである。図10の縦軸が光強度(任意単位)、横軸が波長(nm)を表している。図10において、“R”、“G”、“B”、“CFなし”、“BL入射”は、以下の分光を表している。
R:バックライトから出射された光が赤フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
G:バックライトから出射された光が緑フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
B:バックライトから出射された光が青フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
CFなし:カラーフィルタ(CF)が無い状態で、バックライトから出射された光がブラックマトリクス14で反射された後の分光
BL入射:バックライトから入射する分光
R:バックライトから出射された光が赤フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
G:バックライトから出射された光が緑フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
B:バックライトから出射された光が青フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光
CFなし:カラーフィルタ(CF)が無い状態で、バックライトから出射された光がブラックマトリクス14で反射された後の分光
BL入射:バックライトから入射する分光
図10から理解できるように、赤フィルタを透過した光は、400~570nmの波長帯域で光強度が十分に低い。よって、周辺領域PAにおけるブラックマトリクス14上に赤のカラー樹脂層29を設けることで、ブラックマトリクス14で反射された反射光が、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれるトランジスタ24に照射されるのを抑制することができる。
トランジスタ24の半導体層に光が照射されると、トランジスタ24において光リーク電流が発生する。この光リーク電流に起因して、走査線駆動回路4-1、4-2が誤動作を起こす可能性がある。
図11は、アモルファスシリコンの分光感度を説明するグラフである。図11の縦軸が相対分光感度、横軸が波長(nm)を表している。
アモルファスシリコンは、トランジスタ24の半導体層として用いられる。図11から理解できるように、アモルファスシリコンの分光感度は、波長450nm付近にピークを持つ。アモルファスシリコンの分光感度のピークは、バックライト3の光強度のピークと波長がおおよそ一致する。
本実施形態では、バックライト3の光強度のピークをカラー樹脂層29で吸収することができる。よって、トランジスタ24の光リーク電流をより低減できる。
[1-4] 比較例
次に、比較例について説明する。図12は、比較例に係る液晶表示装置の断面図である。図12に対応する平面図は、図4と同じである。
次に、比較例について説明する。図12は、比較例に係る液晶表示装置の断面図である。図12に対応する平面図は、図4と同じである。
比較例に係る液晶表示装置では、周辺領域PAにおいて、ブラックマトリクス14上にカラー樹脂層29が設けられてない。周辺領域PAにおいて、ブラックマトリクス14上には、共通電極30が設けられる。
周辺領域PAにおいて、バックライト3が発光した白色光は、ブラックマトリクス14で反射され、ブラックマトリクス14で反射された反射光は、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれるトランジスタ24に照射される。よって、比較例では、トランジスタ24の光リーク電流に起因して、走査線駆動回路4-1、4-2が誤動作を起こす可能性がある。比較例において、ブラックマトリクス14で反射される反射光の光強度は、図10の“CFなし”で表される。
これに対して、本実施形態では、バックライト3が発光した白色光を、赤のカラー樹脂層29が吸収することができる。これにより、トランジスタ24の光リーク電流を低減できるため、走査線駆動回路4-1、4-2が誤動作を起こすのを抑制できる。
[1-5] 変形例
上記実施形態では、周辺領域PAに設けられたカラー樹脂層29は、赤の樹脂の単層で構成される。変形例として、カラー樹脂層29は、緑のカラー樹脂層で構成してもよい。緑のカラー樹脂層は、緑フィルタ28Gと同じ材料で構成される。
上記実施形態では、周辺領域PAに設けられたカラー樹脂層29は、赤の樹脂の単層で構成される。変形例として、カラー樹脂層29は、緑のカラー樹脂層で構成してもよい。緑のカラー樹脂層は、緑フィルタ28Gと同じ材料で構成される。
バックライトから出射された光が緑フィルタを介してブラックマトリクス14で反射された後の分光は、図10の“G”で示される。図10から理解できるように、緑フィルタは、400~480nmの波長帯域で光強度が十分に低い。すなわち、緑フィルタは、バックライトから出射された白色光のうち波長450nm付近のピークを吸収することができる。よって、変形例においても、トランジスタ24の光リーク電流を低減できる。
また、カラー樹脂層29は、赤のカラー樹脂層と、赤以外の色のカラー樹脂層との積層膜で構成してもよい。例えば、カラー樹脂層29は、赤のカラー樹脂層と、緑のカラー樹脂層との積層膜で構成される。緑のカラー樹脂層は、緑の顔料が混入された樹脂で構成される。緑のカラー樹脂層は、緑フィルタ28Gと同じ材料で構成される。この変形例によれば、カラー樹脂層29の光吸収率をより高くすることができる。
また、カラー樹脂層29は、赤のカラー樹脂層と、緑のカラー樹脂層と、青のカラー樹脂層とを含む3層の積層膜で構成してもよい。青のカラー樹脂層は、青の顔料が混入された樹脂で構成される。青のカラー樹脂層は、青フィルタ28Bと同じ材料で構成される。この変形例によれば、カラー樹脂層29の光吸収率をより高くすることができる。
[1-6] 第1実施形態の効果
第1実施形態では、周辺領域PAにおいて、ブラックマトリクス14上に赤のカラー樹脂層29を設けるようにしている。周辺領域PAにおいて、赤のカラー樹脂層29は、バックライト3が発光した白色光がブラックマトリクス14で液晶層20側に反射される反射光を吸収することができる。これにより、周辺領域PAにおいてブラックマトリクス14で反射された反射光が、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれる複数のトランジスタ24に照射されるのを抑制することができる。
第1実施形態では、周辺領域PAにおいて、ブラックマトリクス14上に赤のカラー樹脂層29を設けるようにしている。周辺領域PAにおいて、赤のカラー樹脂層29は、バックライト3が発光した白色光がブラックマトリクス14で液晶層20側に反射される反射光を吸収することができる。これにより、周辺領域PAにおいてブラックマトリクス14で反射された反射光が、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれる複数のトランジスタ24に照射されるのを抑制することができる。
また、TFTで構成されるトランジスタ24の光リーク電流を低減できる。これにより、シフトレジスタ回路を含む走査線駆動回路4-1、4-2が誤動作するのを抑制することができる。ひいては、安定した動作が可能な液晶表示装置を実現できる。
[2] 第2実施形態
第2実施形態は、カラー樹脂層29及びカラーフィルタ28の他の構成例である。
第2実施形態は、カラー樹脂層29及びカラーフィルタ28の他の構成例である。
図13は、本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置1の断面図である。図13に対応する平面図は、図4及び図7と同じである。
表示領域DAには、カラーフィルタ28(複数の赤フィルタ28R、複数の緑フィルタ28G、及び複数の青フィルタ28Bを含む)が設けられる。周辺領域PAにおけるブラックマトリクス14上には、赤のカラー樹脂層29-1、29-2が設けられる。カラー樹脂層29-1、29-2はそれぞれ、少なくとも走査線駆動回路4-1、4-2を覆う面積を有する。
カラー樹脂層29-1とカラーフィルタ28とは連続するように形成されていない。カラー樹脂層29-1とカラーフィルタ28とは、接触しておらず、間隔を空けて配置される。カラー樹脂層29-2の構成も、カラー樹脂層29-1と同じである。
このように、カラー樹脂層29とカラーフィルタ28とが連続するように形成しなくてもよい。カラー樹脂層29の面積は、周辺領域PAに収まる範囲で任意に設定可能である。
図14は、変形例に係る液晶表示装置1の断面図である。図14に対応する平面図は、図4と同じである。
カラー樹脂層29-1とカラーフィルタ28とが間隔を空けて配置されるのは、図13と同じである。カラー樹脂層29-1は、少なくとも走査線駆動回路4-1を覆う面積を有する。さらに、カラー樹脂層29-1は、走査線駆動回路4-1の端部よりも画素アレイ2側に配置される。すなわち、平面視において、カラー樹脂層29-1は、余裕を持って走査線駆動回路4-1を覆うように構成される。カラー樹脂層29-2の構成も、カラー樹脂層29-1と同じである。
変形例によれば、走査線駆動回路4-1、4-2に含まれるトランジスタ24に照射される光をより低減できる。
[3] 第3実施形態
第3実施形態は、走査線駆動回路4の他の構成例である。
第3実施形態は、走査線駆動回路4の他の構成例である。
図15は、本発明の第3実施形態に係る液晶表示装置1のレイアウトを説明する平面図である。図16は、第3実施形態に係るブラックマトリクス14の構成を説明する平面図である。図17は、第3実施形態に係るカラー樹脂層29の構成を説明する平面図である。図15及び図16のA-A´線に沿った断面図は、図5と同じである。図5において、走査線駆動回路4-1、カラー樹脂層29-1がそれぞれ、走査線駆動回路4、カラー樹脂層29に置き換えられる。図16において、ブラックマトリクス14は、斜めのハッチングを付して示している。
液晶表示装置1は、1個の走査線駆動回路4を備える。走査線駆動回路4は、画素アレイ2の例えば左側に配置される。走査線駆動回路4には、全ての走査線GLが接続される。
カラー樹脂層29は、少なくとも走査線駆動回路4を覆う面積を有する。カラー樹脂層29の画素アレイ2側の端部は、走査線駆動回路4の画素アレイ2側の端部と同じか、走査線駆動回路4の画素アレイ2側の端部より画素アレイ2側に配置される。
このように、1個の走査線駆動回路4を画素アレイ2の片側のみに配置してもよい。そして、カラー樹脂層29は、1個の走査線駆動回路4を覆うように配置される。画素アレイ2の右側には、カラー樹脂層29を配置してもよいし、配置しなくてもよい。典型的には、カラー樹脂層29は、画素アレイ2の右側には配置されない。また、カラー樹脂層29は、画素アレイ2のY方向における両側には、配置してもよいし、配置しなくてもよい。典型的には、カラー樹脂層29は、画素アレイ2のY方向における両側には配置されない。
第3実施形態によれば、第1実施形態と同じ効果を得ることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
1…液晶表示装置、2…画素アレイ、3…バックライト、4…走査線駆動回路、5…信号線駆動回路、6…共通電極駆動回路、7…電圧生成回路、8…制御回路、9…TFT、10…TFT基板、11…集積回路、12…配線、13…CF基板、14…ブラックマトリクス、20…液晶層、21…シール材、22…偏光板、23…遮光テープ、24…TFT、25…絶縁層、25-1…ゲート絶縁膜、25-2…絶縁層、26…画素電極、27…偏光板、28…カラーフィルタ、28R…赤フィルタ、28G…緑フィルタ、28B…青フィルタ、29…カラー樹脂層、30…共通電極、31…半導体層、32,33…オーミックコンタクト層、33…オーミックコンタクト層、34…ソース電極、35…ドレイン電極。
Claims (8)
- 第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板に挟まれた液晶層と、
前記第1基板の表示領域に配置され、複数の画素を含む画素アレイと、
前記画素アレイに配置された複数の走査線と、
前記第1基板に設けられ、前記表示領域の周囲の周辺領域に配置され、前記複数の走査線に接続され、複数のトランジスタを含む走査線駆動回路と、
前記第2基板に設けられ、前記複数の画素の境界と、前記周辺領域とを遮光するように構成されたブラックマトリクスと、
前記周辺領域における前記ブラックマトリクス上に配置されたカラー樹脂層と、
を具備する液晶表示装置。 - 前記カラー樹脂層は、赤である
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記カラー樹脂層は、赤のカラー樹脂層と、赤以外の色のカラー樹脂層との積層膜で構成される
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記赤以外の色のカラー樹脂層は、緑である
請求項3に記載の液晶表示装置。 - 前記複数のトランジスタの各々は、アモルファスシリコンからなる半導体層を含む
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記複数のトランジスタの各々は、TFT(Thin Film Transistor)で構成される
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記ブラックマトリクスは、酸化クロム層とクロム層とが前記第1基板側から順に積層されて構成される
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板に白色光を照射するバックライトをさらに具備する
請求項1に記載の液晶表示装置。
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2023
- 2023-06-06 WO PCT/JP2023/021011 patent/WO2023248785A1/ja unknown
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WO2023248785A1 (ja) | 2023-12-28 |
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