JP2023158709A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明の目的はパターンが崩れるか、或いは曲がるリーニング(Leaning)現象を防止することができる装置を提供することにある。
基板処理装置は搬送ユニットを制御する制御器(図示せず)をさらに含むことができる。一実施形態で、制御器は基板Wが湿式処理チャンバー3200に搬入された後、超臨界チャンバー3500に搬入されるように搬送ユニットを制御することができる。基板Wは湿式処理チャンバー3200で現像液によって現像処理され、基板Wは超臨界チャンバー3500で基板W上に残留する現像液が除去されることができる。
4000 供給ユニット
4100 メーン供給ライン
4200 上部供給ライン
4210 第1ヒーター
4220 第1温度センサー
4230 第1フィルター
4240 上部開閉バルブ
4300 下部供給ライン
4210 第1ヒーター
4220 第1温度センサー
4230 第1フィルター
4240 上部開閉バルブ
5000 排気ユニット
5100 排気ライン
5110 開閉バルブ
5120 圧力センサー
5130 温度センサー
6000 制御器
Claims (20)
- 内部に処理空間を有するチャンバーと、
第1開閉バルブが設置され、前記処理空間に処理流体を供給する供給ラインと、
前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を加熱するヒーターと、
第2開閉バルブが設置され、前記処理空間を排気する排気ラインと、
前記第1開閉バルブと前記第2開閉バルブを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は。前記処理空間で基板に対して処理工程を進行する前に、前記処理空間に前記加熱された処理流体を供給及び排気するように前記第1開閉バルブと前記第2開閉バルブを制御する基板処理装置。 - 前記制御器は、前記処理空間に前記基板が投入される前に、前記処理空間に前記加熱された処理流体を供給及び排気するように前記第1開閉バルブと前記第2開閉バルブを制御する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記供給ラインは、前記チャンバーの上壁に連結される上部供給ラインと、前記チャンバーの下壁に連結される下部供給ラインと、を含み、
前記ヒーターは、前記上部供給ライン上に設置される第1ヒーターと、前記下部供給ライン上に設置される第2ヒーターと、を含む請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記処理流体は、前記基板が前記処理空間に投入される前に前記上部供給ラインと前記下部供給ラインに同時に供給される請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記供給ライン上に設置され、前記ヒーターより下流に設置されるフィルターを含む請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御器は、前記基板が前記処理流体が前記ヒーターによって設定温度以上に加熱された場合、前記処理空間に投入されるように制御する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記設定温度は、前記処理流体が超臨界状態に変化し始める温度である臨界温度より低い請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記流体は、超臨界状態の流体である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1開閉バルブは、
前記上部供給ライン上に設置される上部開閉バルブと、
前記下部供給ライン上に設置される下部開閉バルブと、を含み、
前記制御器は、
前記基板の処理工程が進行される前に、前記上部開閉バルブと前記下部開閉バルブが同時に開閉されるように制御する請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記超臨界状態の流体は、前記基板上に残留する現像液を乾燥する請求項8に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する装置において、
前記基板が収納される容器を含むインデックスモジュールと、
前記基板に工程を遂行する処理モジュールと、を含み、
前記処理モジュールは、
前記基板を一時的に保管するバッファユニットと、
現像液を供給して前記基板を現像処理する湿式処理チャンバーと、
超臨界流体を供給して前記基板を処理する超臨界処理チャンバーと、
前記基板に対して熱処理工程を遂行する熱処理チャンバーと、
前記湿式処理チャンバー、前記超臨界処理チャンバー、及び前記熱処理チャンバーの間で前記基板を搬送する搬送ユニットを含む搬送チャンバーと、を含み、
前記超臨界処理チャンバーは、
内部の処理空間に前記超臨界流体を供給する供給ラインと、
前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を加熱するヒーターと、
前記処理空間を排気する排気ラインと、
前記供給ユニットと前記排気ユニットを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、前記処理空間で前記基板に対して処理工程を進行する前に、前記処理空間に前記加熱された処理流体を供給及び排気するように制御する基板処理装置。 - 前記供給ラインは、前記チャンバーの上壁に連結される上部供給ラインと、前記チャンバーの下壁に連結される下部供給ラインと、を含み、
前記ヒーターは、前記上部供給ライン上に設置される第1ヒーターと、前記下部供給ライン上に設置される第2ヒーターと、を含む請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記制御器は、前記処理流体が前記上部供給ラインと前記下部供給ラインに同時に供給されるように制御する請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記供給ライン上に設置され、前記ヒーターより下流に設置されるフィルターを含む請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記処理流体は、超臨界状態の流体である請求項11に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する方法において、
処理空間を閉じる密閉段階と、
処理流体を前記処理空間に供給及び排出するプリ供給段階と、
前記処理流体を前記処理空間に供給して基板を処理する基板処理段階と、
前記処理空間を開き、前記基板を搬出する搬出段階と、を含む基板処理方法。 - 前記プリ供給段階と前記基板処理段階との間に、前記処理空間に前記基板を搬入する搬入段階を含む請求項16に記載の基板処理方法。
- 前記搬入段階は、前記処理流体が前記プリ供給段階で設定温度以上に加熱された後に遂行される請求項16に記載の基板処理方法。
- 前記処理流体は、前記処理空間の上部から供給される第1供給経路と、前記処理空間の下部から供給される第2供給経路と、を含み、
前記処理流体は、前記第1供給経路と前記第2供給経路に同時に供給される請求項16に記載の基板処理方法。 - 前記方法は、複数の基板に対して基板処理工程を遂行し、
前記プリ供給段階は、前記複数の基板の各々に対して遂行される請求項16に記載の基板処理方法。
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