JP2023120864A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理装置の長さを短縮する。【解決手段】基板処理装置は、インデクサ装置から基板が搬入される被搬入領域から露光装置に向けて基板を搬出するインターフェース部に至るまで基板が移動する往路部分と、インターフェース部からインデクサ装置に向けて基板が搬出される被搬出領域に至るまで露光装置からインターフェース部に搬入された基板が移動する復路部分と、を有する。往路部分は、インデクサ装置から搬入された基板に洗浄処理を施す洗浄部と、洗浄部で洗浄処理が施された基板上に処理液を塗布する塗布部と、基板が一時的に収納されるバッファ部と、洗浄部からの基板の搬出、バッファ部への基板の搬入、バッファ部からの基板の搬出、および塗布部への基板の搬入を行う搬送ロボットと、を含む。復路部分は、処理液に係る膜に現像処理を施す現像部、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、複数の基板を収容するカセットを載置する載置台と搬送装置とを有する装置（インデクサ装置ともいう）から搬入された基板を対象として、前処理、フォトレジストの塗布膜の形成処理、減圧乾燥処理、加熱乾燥処理、露光装置への搬出、露光装置からの搬入、露光後のフォトレジスト膜の現像処理、リンス処理、および乾燥処理等を順に行い、インデクサ装置に基板を搬出する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１～５等）。
前処理では、例えば、基板に対して、紫外（ＵＶ）光の照射による有機物の除去、洗浄液を用いた洗浄、ブロワー等による乾燥、加熱乾燥、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）の吹き付けによる疎水化処理、および冷風の吹き付けによる冷却が順に行われる。ここで、例えば、疎水化処理は、基板の表面に対するフォトレジスト膜の密着性を向上させるための処理である。例えば、露光装置への基板の搬出および露光装置からの基板の搬入は、インターフェース部の搬送装置によって実行され得る。
この基板処理装置については、例えば、特許文献１～５に記載されているように、全長の短縮が指向されている。
特開２０１９－２２０６２８号公報 特開２０２０－３５８８４号公報 特開２０２０－３５９３５号公報 特開２０２０－１０７６８６号公報 特開２０２０－１０７７４７号公報
ところで、例えば、基板が大型の液晶表示装置用のガラス基板である場合等、基板上にフォトレジストの塗布膜を形成する前に、乾燥された基板に疎水化処理を施さなくても良い場合がある。この場合には、前処理において、加熱乾燥および疎水化処理を施す工程を省略することが可能である。ここでは、ＵＶ光の照射による有機物の除去、洗浄液を用いた洗浄、およびブロワー等による乾燥等の洗浄処理を施す洗浄部から、コンベア（中継コンベアともいう）を用いて、フォトレジストの塗布膜を形成する塗布部に基板を搬送する態様が考えられる。
このような態様では、例えば、塗布部が何らかの原因で停止した際には、洗浄部内で洗浄中の複数枚の基板については、洗浄部内における洗浄を完了させて、洗浄部と塗布部との間に位置している中継コンベア上で待機させることが考えられる。これにより、例えば、複数枚の基板が不良な基板として廃棄の対象となる不具合が回避され得る。
しかしながら、この場合には、複数枚の基板を待機させるエリア（基板待機エリアともいう）を確保するために、中継コンベアの基板の搬送方向（基板搬送方向ともいう）における長さが長くなる。これにより、例えば、基板処理装置のうち、洗浄部におけるインデクサ装置から基板が搬入される箇所からインターフェース部に至るまで基板が移動する経路を構成する部分（往路部分ともいう）の長さが長くなる。ここで、例えば、工場内において基板処理装置の配置が可能な領域に制限があれば、洗浄部と塗布部との間に、基板待機エリアが確保された中継コンベアを配置することが困難である場合がある。
また、例えば、配管等の各種構成の設計上の制約で、洗浄部における基板の移動経路（第１パスラインともいう）の高さと、塗布部における基板の移動経路（第２パスラインともいう）の高さとが異なる場合がある。ここでは、第１パスラインの高さが第２パスラインの高さよりも高い形態と、第１パスラインの高さが第２パスラインの高さよりも低い形態とが考えられる。この場合には、例えば、中継コンベアの一部に、昇降する機構を備えたコンベア（昇降コンベアともいう）を配置することが考えられる。
しかしながら、例えば、基板待機エリアの確保に加えて、昇降コンベアの存在を実現すると、洗浄部と塗布部との間に位置している中継コンベアの基板搬送方向における長さが長くなり得る。これにより、例えば、基板処理装置における往路部分の長さが長くなり得る。ここで、例えば、工場内における基板処理装置を配置することができる領域に制限があれば、洗浄部と塗布部との間に、基板待機エリアの確保と昇降コンベアの存在とを実現した中継コンベアを配置することが困難である場合がある。
また、例えば、基板の上下の主面が長方形状であり、洗浄部の第１パスラインにおいて基板が主面の第１辺に沿った方向に搬送され、塗布部の第２パスラインにおいて基板が主面の第１辺と直交する第２辺に沿った方向に搬送される場合が考えられる。換言すれば、例えば、第１パスラインと第２パスラインとの間で、基板の搬送方向に対する基板の向きが異なる場合が考えられる。ここでは、例えば、第１辺が長辺であり且つ第２辺が短辺である態様と、第１辺が短辺であり且つ第２辺が長辺である態様とが考えられる。この場合には、例えば、中継コンベアの一部に、基板の向きを水平面に沿って９０度回転させるターンテーブル（回転台ともいう）を備えたコンベア（回転台付きコンベアともいう）を配置することが考えられる。この場合には、例えば、塗布部からインターフェース部に至る経路上に基板の向きを水平面に沿って９０度回転させることで、基板の向きを、第１パスラインにおける基板の向きに戻す回転台等の機構が存在していてもよい。
しかしながら、例えば、基板待機エリアの確保に加えて、回転台付きコンベアの配置を実現すると、中継コンベアの基板搬送方向における長さが長くなり得る。これにより、例えば、基板処理装置における往路部分の長さが長くなり得る。ここで、例えば、工場内における基板処理装置を配置することができる領域に制限があれば、洗浄部と塗布部との間に、基板待機エリアの確保と回転台付きコンベアの存在とを実現した中継コンベアを配置することが困難である場合がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板処理装置の長さを短縮することができる技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、インデクサ装置から基板が搬入される被搬入領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される被搬出領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を有する。前記往路部分は、前記インデクサ装置から搬入された前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄部で前記洗浄処理が施された前記基板上に処理液を塗布する塗布部と、前記基板が一時的に収納されるバッファ部と、前記洗浄部からの前記基板の搬出、前記バッファ部への前記基板の搬入、前記バッファ部からの前記基板の搬出、および前記塗布部への前記基板の搬入を行う搬送ロボットと、を含む。前記復路部分は、前記処理液に係る膜に現像処理を施す現像部、を含む。
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記搬送ロボットは、前記基板を昇降させる。
第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記バッファ部は、前記洗浄部または前記塗布部に対して上下方向に重なるように位置している。
第４の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記バッファ部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している。
第５の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記バッファ部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している。
第６の態様に係る基板処理装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記往路部分は、上下方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記基板を回転させる回転部、をさらに含み、前記搬送ロボットは、前記回転部への前記基板の搬入および前記回転部からの前記基板の搬出を行う。
第７の態様に係る基板処理装置は、第６の態様に係る基板処理装置であって、前記回転部は、前記洗浄部または前記塗布部に対して上下方向に重なるように位置している。
第８の態様に係る基板処理装置は、第６または第７の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記回転部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している。
第９の態様に係る基板処理装置は、第６または第７の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記回転部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している。
第１０の態様に係る基板処理装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリア、または前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している。
第１１の態様に係る基板処理装置は、第１０の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している。
第１２の態様に係る基板処理装置は、第１０の態様に係る基板処理装置であって、上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している。
第１３の態様に係る基板処理方法は、インデクサ装置から基板が搬入される被搬入領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される被搬出領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法である。前記往路部分は、前記インデクサ装置から搬入された前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄部で前記洗浄処理が施された前記基板上に処理液を塗布する塗布部と、前記基板が一時的に収納されるバッファ部と、搬送ロボットと、を含む。前記復路部分は、前記処理液に係る膜に現像処理を施す現像部、を含む。前記基板処理方法は、前記搬送ロボットによって、前記洗浄部から前記基板を搬出し、前記バッファ部への該基板の搬入および前記バッファ部からの該基板の搬出を経ることなく、前記塗布部に該基板を搬入する第１工程と、前記搬送ロボットによって、前記洗浄部から前記基板を搬出し、前記バッファ部への該基板の搬入および前記バッファ部からの該基板の搬出を経て、前記塗布部に該基板を搬入する第２工程と、を有する。
第１の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、洗浄部から塗布部へ基板を搬送するために、搬送ロボットとバッファ部とを配置することで、洗浄部と塗布部との間に基板待機エリアを有する中継コンベアを配置するよりも、往路部分の長さが短縮され得る。これにより、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。
第２の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、洗浄部と塗布部との間で基板のパスラインの高さが異なっている場合に、昇降機構を備えた昇降コンベアを設けることなく、搬送ロボットによって洗浄部から塗布部へ基板を搬送することができる。これにより、例えば、往路部分の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。
第３の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、バッファ部を洗浄部または塗布部に対して上下方向に重ねて配置することで、基板処理装置の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第４の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、往路部分と復路部分との間のエリアを有効利用してバッファ部を配置することで、基板処理装置の設置面積を低減することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第５の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板処理装置の往路部分の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用してバッファ部を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第６の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、洗浄部における基板のパスラインと塗布部における基板のパスラインとの間で、基板の搬送方向に対する基板の向きが異なる場合に、回転部によって容易に基板の向きを変更することができる。
第７の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、回転部を洗浄部または塗布部に対して上下方向に重ねて配置することで、基板処理装置の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第８の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、往路部分と復路部分との間のエリアを有効利用して回転部を配置することで、基板処理装置の設置面積を低減することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第９の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板処理装置の往路部分の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用して回転部を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第１０の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、塗布部が洗浄部側にずれることで、往路部分の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。また、例えば、洗浄部の第１パスラインと塗布部の第２パスラインとの間で、基板の搬送方向に対する基板の向きが異なる場合に、回転部を設けることなく、搬送ロボットによって基板の向きを変更させた状態で塗布部に基板を搬入することができる。
第１１の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、上方から平面視した場合に往路部分と復路部分との間のエリアを有効利用して塗布部を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第１２の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板処理装置の往路部分の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用して塗布部を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置の設置が容易となり得る。
第１３の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、搬送ロボットとバッファ部とを用いて洗浄部から塗布部へ基板を搬送することで、基板待機エリアを有する中継コンベアを用いて洗浄部から塗布部へ基板を搬送する場合よりも、往路部分の長さが短縮され得る。これにより、例えば、基板処理装置の長さを短縮することができる。また、例えば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板に不具合が生じるリスクが低減され得る。
図１は、基板処理装置の構成の一例を示す概略図である。 図２は、往路部分の一部の構成の一例を模式的に示す平面図である。 図３は、往路部分の一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。 図４は、通常状態における洗浄部から塗布部への基板の搬送動作について動作の流れの一例を示すフローチャートである。 図５は、塗布部が停止した異常状態で開始される洗浄部から塗布部への基板の搬送動作について動作の流れの一例を示すフローチャートである。 図６は、塗布部が停止した異常状態で開始される洗浄部から塗布部への基板の搬送動作についての流れの一変形例を示すフローチャートである。 図７は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図８は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図９は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１０は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１１は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１２は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１３は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１４は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１５は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１６は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１７は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１８は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図１９は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２０は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２１は、往路部分の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２２は、回転部がない基板処理装置の通常状態における洗浄部から塗布部への基板の搬送動作について動作の流れの一変形例を示すフローチャートである。 図２３は、回転部がない基板処理装置の塗布部が停止した異常状態で開始される洗浄部から塗布部への基板の搬送動作について動作の流れの一変形例を示すフローチャートである。 図２４は、往路部分の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２５は、往路部分の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２６は、往路部分の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２７は、往路部分の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。 図２８は、往路部分の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の各種実施形態について説明する。これらの実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、同様な構成および機能を有する部分には同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面においては、理解を容易にするために、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている。各図においては、各要素の位置関係を説明するために、図２、図３、図７から図２１および図２４から図２８には、右手系のＸＹＺ直交座標系を付している。ここでは、Ｘ軸およびＹ軸が水平方向に延びており、Ｚ軸が鉛直方向（上下方向）に延びているものとする。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を＋（プラス）方向とし、その逆方向を－（マイナス）方向とする。ここでは、鉛直方向上向きが＋Ｚ方向であり、鉛直方向下向きが－Ｚ方向である。
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」等）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸および面取り等を有する形状も表すものとする。１つの構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「～の上」および「～の下」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む場合がある。「特定方向に移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この特定方向と平行に移動させる場合のみならず、この特定方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。
＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の概略的な構成＞
図１は、基板処理装置１の構成の一例を示す概略図である。基板処理装置１は、例えば、インデクサ装置２から搬入される基板Ｇ１に対して、洗浄、処理液の塗布、処理液の乾燥および加熱による塗布膜の形成、露光装置３への搬出、露光装置３からの搬入、露光後の現像、現像後の加熱による乾燥および冷却を行う装置である。基板処理装置１における処理後の基板Ｇ１は、インデクサ装置２に搬入される。基板Ｇ１には、例えば、平板状のガラス基板等が適用される。基板Ｇ１は、例えば、第１主面としての第１面（上面ともいう）と、この第１面とは逆の第２主面としての第２面（下面ともいう）と、を有する平板状の基板である。処理液には、例えば、レジスト液またはポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）等の塗布用の液（塗布液ともいう）が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。
基板処理装置１は、例えば、往路部分１１と、インターフェース部１２と、復路部分１３とを有する。例えば、往路部分１１は、インデクサ装置２から基板Ｇ１が搬入される領域（被搬入領域ともいう）１１ｉを有し、被搬入領域１１ｉからインターフェース部１２に至るまで基板Ｇ１が移動する部分である。例えば、インターフェース部１２は、露光装置３に向けて基板Ｇ１を搬出するとともに、露光装置３から基板Ｇ１を搬入する部分である。例えば、復路部分１３は、インデクサ装置２に向けて基板Ｇ１が搬出される領域（被搬出領域ともいう）１３ｏを有し、インターフェース部１２から被搬出領域１３ｏに至るまで、露光装置３からインターフェース部１２に搬入された基板Ｇ１が移動する部分である。
インデクサ装置２は、例えば、複数の基板Ｇ１を収容するカセットが載置される載置台と、搬送機構と、を有する。搬送機構には、例えば、載置台上のカセットと往路部分１１との間、および復路部分１３と載置台上のカセットとの間において、基板Ｇ１の搬送を行う搬送ロボット等が適用される。
往路部分１１は、例えば、複数の処理部として、洗浄部１１１、塗布部１１２、減圧乾燥部１１３およびプリベーク部１１４を有する。往路部分１１の各処理部は、例えば、上記の処理部の記載順に配置されている。基板Ｇ１は、例えば、搬送ロボットもしくはコンベア等の搬送機構によって、細い２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ上記の記載順に搬送される。
洗浄部１１１は、例えば、インデクサ装置２から搬入された基板Ｇ１に洗浄処理を施す。洗浄処理には、例えば、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染、金属汚染、油脂および自然酸化膜等を除去する処理が含まれる。洗浄部１１１では、例えば、紫外光の照射による基板Ｇ１の表面に付着した有機物の除去、脱イオン水等の洗浄液の供給とブラシ等の洗浄部材とによる基板Ｇ１の表面の洗浄、ならびにブロワー等による基板Ｇ１の乾燥が行われる。ブロワー等による基板Ｇ１の乾燥には、例えば、エアナイフによる基板Ｇ１上からの洗浄液の除去等が含まれる。
塗布部１１２は、例えば、洗浄部１１１で洗浄された基板Ｇ１上に処理液を塗布する。塗布部１１２には、例えば、スリットコータが適用される。スリットコータは、例えば、処理液を吐出口から吐出するスリットノズルを、基板Ｇ１に対して相対的に移動させることで、基板Ｇ１上に処理液の塗布することができる。ここで、塗布部１１２では、例えば、基板Ｇ１上に処理液が塗布されるエリア（塗布エリアともいう）において、浮上式の搬送機構によって上下面が水平方向に沿った姿勢（水平姿勢ともいう）の基板Ｇ１が水平方向に沿って搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、基板Ｇ１のうちの基板Ｇ１の搬送方向（基板搬送方向ともいう）に垂直な幅方向の両端部分を下方から支持もしくは保持し、基板Ｇ１に向けて下方から圧縮空気を吹き付けることで上下面が水平方向に沿った状態にある基板Ｇ１を保持しつつ、基板Ｇ１を水平方向に移動させる。塗布部１１２では、例えば、塗布エリアの上流側に位置している部分（入側部分ともいう）および塗布エリアの下流側に位置している部分（出側部分ともいう）のそれぞれにおいて、コンベアによって基板Ｇ１が搬送される。コンベアは、基板Ｇ１の基板搬送方向に沿って並んだ複数のローラを駆動機構（不図示）によって回転させることで、水平姿勢の基板Ｇ１を水平方向に移動させる。塗布部１１２には、その他の塗布方式の塗布装置が適用されてもよい。
減圧乾燥部１１３は、例えば、基板Ｇ１上に塗布された処理液を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を行う。ここでは、例えば、基板Ｇ１の表面に塗布された処理液の溶媒が減圧によって気化（蒸発）させられることで、基板Ｇ１が乾燥される。
プリベーク部１１４は、例えば、減圧乾燥部１１３で乾燥された基板Ｇ１を加熱し、基板Ｇ１の表面上で、処理液に含まれる成分を固化させる。これにより、基板Ｇ１上に処理液に係る膜が形成される。例えば、処理液がレジストである場合には、レジストの塗膜に熱処理が施されることで、レジスト膜が形成される。例えば、処理液がポリイミド前駆体である場合には、ポリイミド前駆体の塗膜に熱処理が施されることで、ポリイミド前駆体のイミド化によってポリイミド膜が形成される。プリベーク部１１４は、例えば、単一の基板Ｇ１を加熱する枚葉方式の加熱処理部であってもよいし、複数の基板Ｇ１を一括して加熱するバッチ方式の加熱処理部であってもよい。ここで、例えば、減圧乾燥部１１３における減圧乾燥処理のタクトタイムと、プリベーク部１１４における加熱処理のタクトタイムと、が大きく相違しており、プリベーク部１１４が枚葉方式の加熱処理部を有する場合が想定される。この場合には、プリベーク部１１４は、例えば、並列して加熱処理を行う複数台の枚葉式の加熱処理部を有していてもよい。複数台の加熱処理部は、例えば、上下に積層された状態で配置される。
インターフェース部１２は、例えば、往路部分１１から露光装置３に向けて基板Ｇ１を搬送する。インターフェース部１２は、例えば、往路部分１１と露光装置３との間に位置している。基板Ｇ１は、例えば、インターフェース部１２が有する搬送ロボットもしくはコンベア等の搬送機構によって、細い２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、往路部分１１から露光装置３に向けて搬送される。例えば、往路部分１１のプリベーク部１１４から露光装置３に向けて基板Ｇ１が搬送される。また、インターフェース部１２は、例えば、露光装置３から復路部分１３に向けて基板Ｇ１を搬送する。インターフェース部１２は、例えば、露光装置３と復路部分１３との間に位置している。基板Ｇ１は、例えば、インターフェース部１２が有する搬送ロボット等の搬送機構によって、細い２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、露光装置３から復路部分１３に向けて搬送される。例えば、露光装置３から復路部分１３の現像部１３１に向けて基板Ｇ１が搬送される。
露光装置３は、例えば、往路部分１１において基板Ｇ１上に形成された処理液に係る膜に対して、露光処理を行う。具体的には、露光装置３は、例えば、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線等の特定の波長の光を照射し、処理液に係る膜にパターンを転写する。露光装置３は、例えば、周辺露光部およびタイトラーを含んでいてもよい。周辺露光部は、基板Ｇ１上の処理液に係る膜の外周部を除去するための露光処理を行う部分である。タイトラー部は、例えば、基板Ｇ１に所定の情報を書き込む部分である。
復路部分１３は、例えば、複数の処理部として、現像部１３１、ポストベーク部１３２および冷却部１３３を有する。復路部分１３の各処理部は、例えば、上記の処理部の記載順に配置されている。基板Ｇ１は、例えば、搬送ロボット等の搬送機構によって、細い２点鎖線で描かれた矢印で示されるように、処理の進行に従って、各処理部へ上記の記載順に搬送される。ここで、例えば、露光装置３に、周辺露光部およびタイトラー部を設けることなく、復路部分１３が、インターフェース部１２と現像部１３１との間に周縁露光部とタイトラー部とを有していてもよい。
現像部１３１は、例えば、往路部分１１で形成された処理液に係る膜に現像処理を施す。現像処理には、例えば、処理液に係る膜を現像する処理、現像液を洗い流す処理、および基板Ｇ１を乾燥させる処理が含まれる。現像部１３１では、例えば、露光装置３でパターンが露光された基板Ｇ１上の処理液に係る膜を現像液に浸す処理、基板Ｇ１上の現像液を脱イオン水等の洗浄液で洗い流す処理、ならびにブロワー等によって基板Ｇ１を乾燥させる処理が行われる。ブロワー等による基板Ｇ１の乾燥には、例えば、エアナイフによる基板Ｇ１上からの洗浄液の除去等が含まれる。
ポストベーク部１３２は、例えば、基板Ｇ１を加熱し、現像部１３１において基板Ｇ１に付着した洗浄液を気化させることで、基板Ｇ１を乾燥させる。
冷却部１３３は、例えば、ポストベーク部１３２で加熱された基板Ｇ１を冷却する。冷却部１３３には、例えば、コンベアによって基板Ｇ１を搬送しながら基板Ｇ１を空冷する構成、あるいは基板Ｇ１を棚状の部分に載置して空気等のガスの吹き付けによって基板Ｇ１を冷却する構成等が適用される。冷却部１３３で冷却された基板Ｇ１は、例えば、インデクサ装置２によって復路部分１３から基板処理装置１の外部へ搬出される。
基板処理装置１の各部の動作は、例えば、制御装置１４によって制御される。制御装置１４は、例えば、コンピュータと同様な構成を有しており、制御部１４１と記憶部１４２とを有する。制御部１４１は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ：Central Processing Unit）と、ＲＡＭ（Random access memory）等の揮発性のメモリと、を含む。記憶部１４２は、例えば、ハードディスクドライブ等の不揮発性の記憶媒体を含む。制御装置１４は、例えば、制御部１４１によって記憶部１４２に記憶されたプログラムを読み出して実行することで、基板処理装置１の各部の動作を制御することができる。制御装置１４は、例えば、基板処理装置１とは別に設けられていてもよいし、基板処理装置１に含まれていてもよい。
＜１－２．洗浄部から塗布部へ基板を搬送する構成＞
図２は、往路部分１１の一部の構成の一例を模式的に示す平面図である。図３は、往路部分１１の一部の構成の一例を模式的に示す縦断面図である。図２では、往路部分１１のうちの洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送するための構成が示されており、復路部分１３の外縁が細い２点鎖線で模式的に示されている。図３では、図２で示される構成の縦断面が模式的に描かれている。
また、図３では、洗浄部１１１のうち、被搬入領域１１ｉに位置している搬送機構の一例としてのコンベアの一部と、塗布部１１２側の端部付近に位置している搬送機構の一例としてのコンベアとが、簡易的に記載されており、洗浄部１１１のその他の構成については記載が省略されている。塗布部１１２のうち、洗浄部１１１側の端部付近に位置している搬送機構の一例としてのコンベアの一部と、浮上式の搬送機構の一部と、スリットノズルと、洗浄部１１１とは逆側の端部付近に位置している搬送機構の一例としてのコンベアの一部とが、簡易的に記載されており、塗布部１１２のその他の構成については記載が省略されている。図２および図３では、被搬入領域１１ｉに位置している基板Ｇ１が実線で描かれている。洗浄部１１１のうちの塗布部１１２側の端部付近に位置している基板Ｇ１、搬送ロボット１１５に支持もしくは保持された基板Ｇ１、バッファ部１１６に載置された基板Ｇ１、回転部１１７に載置された基板Ｇ１、ならびに塗布部１１２における洗浄部１１１側の端部付近および洗浄部１１１とは逆側の端部付近に位置している基板Ｇ１のそれぞれの外縁が細い２点鎖線で描かれた四角形で模式的に示されている。洗浄部１１１において基板Ｇ１が移動する経路（第１パスラインともいう）Ｐ１が細い１点鎖線で描かれた矢印で模式的に示されており、塗布部１１２において基板Ｇ１が移動する経路（第２パスラインともいう）Ｐ２が細い１点鎖線で描かれた矢印で模式的に示されている。
図２および図３で示されるように、往路部分１１は、例えば、搬送ロボット１１５と、バッファ部１１６と、回転部１１７と、を含んでいる。
搬送ロボット１１５は、例えば、洗浄部１１１からの基板Ｇ１の搬出、バッファ部１１６への基板Ｇ１の搬入、バッファ部１１６からの基板Ｇ１の搬出、および塗布部１１２への基板Ｇ１の搬入、を行うことができる。また、第１実施形態では、搬送ロボット１１５は、例えば、回転部１１７への基板Ｇ１の搬入、および回転部１１７からの基板Ｇ１の搬出を行うことができる。また、第１実施形態では、搬送ロボット１１５は、基板Ｇ１を昇降させることができる。
搬送ロボット１１５は、例えば、洗浄部１１１と塗布部１１２との間に位置している。搬送ロボット１１５には、例えば、ハンド部、アーム機構、回転機構、および昇降機構を有する構造が適用される。ハンド部は、基板Ｇ１を水平姿勢で支持もしくは保持することが可能な部分である。アーム機構は、ハンド部が取り付けられており、水平方向に伸縮することでハンド部を水平方向に進退させることが可能な機構である。回転機構は、アーム機構を鉛直方向に沿った回転軸を中心として回転させることが可能な機構である。昇降機構は、ハンド部およびアーム機構とともに回転機構を昇降させることが可能な機構である。図３では、搬送ロボット１１５における昇降機構によって、ハンド部およびアーム機構とともに回転機構が昇降する方向が、２点鎖線の細線で描かれた矢印で示されている。ここでは、例えば、洗浄部１１１のうちの塗布部１１２側の端部付近における搬送機構、および塗布部１１２のうちの洗浄部１１１側の端部付近における搬送機構には、搬送ロボット１１５のハンド部が基板Ｇ１の下方に挿入可能な溝部等の空間が設けられている態様が採用され得る。
バッファ部１１６は、例えば、基板Ｇ１が一時的に収納される部分である。バッファ部１１６は、例えば、基板Ｇ１をそれぞれ載置可能な複数の部分（載置部分ともいう）が上下に並んでいる多段の棚状の構造を有する。各段では、例えば、立設された複数のピン上に基板Ｇ１が水平姿勢で載置される。バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５によって基板Ｇ１を洗浄部１１１から塗布部１１２へ搬送する際に、塗布部１１２が何らかの原因で停止した状態（異常状態ともいう）にあれば、基板Ｇ１を一時的に待機させておくエリア（基板待機エリアともいう）を有する部分として機能する。ここでは、例えば、洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送するために、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とを配置することで、洗浄部１１１と塗布部１１２との間に基板待機エリアを有する中継コンベアを配置するよりも、往路部分１１の長さが短縮され得る。これにより、例えば、基板処理装置１の長さを短縮することができる。
また、例えば、仮に洗浄部１１１と塗布部１１２との間に基板待機エリアを有する中継コンベアを配置すると、基板待機エリアを確保するために中継コンベアの基板搬送方向の長さが大きくなれば、基板Ｇ１に対して帯電による静電気放電（ＥＳＤ）が発生する可能性が高まり得る。これに対して、例えば、洗浄部１１１と塗布部１１２との間に中継コンベアを配置する代わりに、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とを配置すれば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板Ｇ１に不具合が生じるリスクが低減され得る。
図３の例では、バッファ部１１６が三段の構造を有しているが、これに限られず、バッファ部１１６が、１段の構造、２段の構造または４段以上の構造を有していてもよい。
ここで、第１実施形態では、例えば、バッファ部１１６は、塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置している。このように、例えば、バッファ部１１６を塗布部１１２に対して上下方向に重ねて配置することで、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
回転部１１７は、例えば、上下方向に沿った仮想的な回転軸（仮想回転軸ともいう）Ａｘ１を中心として基板Ｇ１を回転させる部分である。回転部１１７には、例えば、ターンテーブルが適用される。ターンテーブルには、例えば、テーブル部、軸部、および回転駆動部を有する構造が適用される。テーブル部は、例えば、上面に立設された複数のピン上に水平姿勢の基板Ｇ１を載置することが可能な部分である。軸部は、例えば、テーブル部が固定された上端部を有し、仮想回転軸Ａｘ１に沿って上下方向に延びている柱状または棒状の部分である。回転駆動部は、例えば、仮想回転軸Ａｘ１を中心として軸部を回転させるモーター等の駆動部である。
ここで、例えば、洗浄部１１１における第１パスラインＰ１と塗布部１１２における第２パスラインＰ２との間で、基板搬送方向が同一であり、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きが異なる場合には、回転部１１７によって容易に基板Ｇ１の向きを変更することができる。例えば、基板Ｇ１の上下の主面が長方形状であり、洗浄部１１１の第１パスラインＰ１において基板Ｇ１が主面の第１辺に沿った方向に搬送され、塗布部１１２の第２パスラインＰ２において基板Ｇ１が主面の第１辺と直交する第２辺に沿った方向に搬送される場合を想定する。換言すれば、例えば、第１パスラインＰ１と第２パスラインＰ２との間で、基板搬送方向が同一であり、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きが異なる場合を想定する。ここでは、例えば、第１辺が基板Ｇ１の主面の長辺であり且つ第２辺が基板Ｇ１の主面の短辺である場合と、第１辺が基板Ｇ１の主面の短辺であり且つ第２辺が基板Ｇ１の主面の長辺である場合とが考えられる。これらの場合には、例えば、回転部１１７は、基板Ｇ１の向きを水平面に沿って９０度回転させる。
ここで、第１実施形態では、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置している。このように、例えば、回転部１１７を洗浄部１１１に対して上下方向に重ねて配置することで、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
ところで、例えば、洗浄部１１１における第１パスラインＰ１の高さと、塗布部１１２における第２パスラインＰ２の高さとが異なっている場合を想定する。ここでは、第１パスラインＰ１の位置が、第２パスラインＰ２の位置よりも高い場合と、第２パスラインＰ２の位置が、第１パスラインＰ１の位置よりも高い場合とが考えられる。これらの場合には、例えば、上述したように、搬送ロボット１１５が、基板Ｇ１を昇降させることができれば、昇降する機構を備えたコンベア（昇降コンベア）を設けることなく、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送することができる。これにより、例えば、往路部分１１の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置１の長さを短縮することができる。
また、ここで、例えば、仮に昇降コンベアを配置すれば、昇降コンベアは、基板搬送方向に並んだ複数のローラと、これらの複数のローラの下方に位置している底板と、この底板の下方に位置している昇降機構と、を有する。このため、例えば、基板処理装置１の上部に清浄空気の下降気流を発生させるファンフィルタユニット（ＦＦＵ）を配置しても、ＦＦＵによって発生される下降気流が底板によって阻害され、昇降機構から発生するパーティクルが下方に落下し難い。これに対して、第１実施形態では、例えば、昇降コンベアを設ける代わりに、基板Ｇ１を昇降させることができる搬送ロボット１１５が配置されている。このため、例えば、基板処理装置１の上部にＦＦＵ１０を配置すれば、搬送ロボット１１５の昇降動作によってパーティクルが発生したとしても、このパーティクルはＦＦＵ１０によって生じる下降気流によって下方に落下し易い。これにより、例えば、基板Ｇ１がパーティクルで汚染され難い。
＜１－３．洗浄部から塗布部への基板の搬送動作＞
図４は、塗布部１１２が停止していない状態（通常状態ともいう）における洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送動作についての流れの一例を示すフローチャートである。図５は、塗布部１１２が何らかの原因で停止した異常状態で開始される洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送動作についての流れの一例を示すフローチャートである。図４および図５では、１枚の基板Ｇ１の搬送動作に着目したフローチャートが示されている。基板Ｇ１の搬送動作は、例えば、制御部１４１による各部の動作の制御によって実現され得る。
通常状態では、図４に示すステップＳ１からステップＳ５の動作が順に行われる搬送動作の流れが実行される。
ステップＳ１の動作では、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ２の動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７に基板Ｇ１を搬入する。ステップＳ３の動作では、回転部１１７によって基板Ｇ１が回転される。具体的には、回転部１１７によって、基板Ｇ１の向きを水平面に沿って９０度回転する。ステップＳ４の動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ５の動作では、搬送ロボット１１５によって塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する。
この場合には、例えば、基板処理装置１を用いた基板処理方法の少なくとも一部を構成する、洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送方法（基板搬送方法ともいう）は、搬送ロボット１１５によって、洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出し、バッファ部１１６への基板Ｇ１の搬入およびバッファ部１１６からの基板Ｇ１の搬出を経ることなく、塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する工程（第１工程ともいう）を有する。
異常状態で開始される搬送動作においては、図５に示すステップＳ１１からステップＳ１８の動作が順に行われる搬送動作の流れが実行される。
ステップＳ１１の動作では、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１２の動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７に基板Ｇ１を搬入する。ステップＳ１３の動作では、回転部１１７によって基板Ｇ１が回転される。具体的には、回転部１１７によって、基板Ｇ１の向きを水平面に沿って９０度回転する。ステップＳ１４の動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１５の動作では、搬送ロボット１１５によって基板Ｇ１をバッファ部１１６に搬入する。具体的には、バッファ部１１６に基板Ｇ１を一時的に収納して、基板Ｇ１を一時的に待機させた状態にする。ステップＳ１６では、制御部１４１によって異常状態が解消されたか否か判定される。ここでは、異常状態が解消されるまでステップＳ１６の判定が繰り返され、異常状態が解消されればステップＳ１７に進む。ステップＳ１７の動作では、搬送ロボット１１５によってバッファ部１１６から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１８の動作では、搬送ロボット１１５によって塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する。
この場合には、例えば、基板処理装置１を用いた基板処理方法の少なくとも一部を構成する、洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送方法（基板搬送方法）は、搬送ロボット１１５によって、洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出し、バッファ部１１６への基板Ｇ１の搬入およびバッファ部１１６からの基板Ｇ１の搬出を経て、塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する工程（第２工程ともいう）を有する。
このように、例えば、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送することで、基板待機エリアを有する中継コンベアを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送する場合よりも、往路部分１１の長さが短縮され得る。これにより、例えば、基板処理装置１の長さが短縮され得る。また、例えば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板Ｇ１に不具合が生じるリスクが低減され得る。
上述した異常状態で開始される搬送動作では、基板Ｇ１を、回転部１１７によって回転した後に、バッファ部１１６に一時的に収納したが、これに限られない。例えば、基板Ｇ１を、バッファ部１１６に一時的に収納した後に、回転部１１７によって回転してもよい。図６は、塗布部１１２が何らかの原因で停止した異常状態で開始される洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送動作についての流れの一変形例を示すフローチャートである。図６では、図５と同様に、１枚の基板Ｇ１の搬送動作に着目したフローチャートが示されている。基板Ｇ１の搬送動作は、例えば、制御部１４１による各部の動作の制御によって実現され得る。ここでは、図６に示すステップＳ１１ＡからステップＳ１８Ａの動作が順に行われる。
ステップＳ１１Ａの動作では、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１２Ａの動作では、搬送ロボット１１５によってバッファ部１１６に基板Ｇ１を搬入する。具体的には、バッファ部１１６に基板Ｇ１を一時的に収納して、基板Ｇ１を一時的に待機させた状態にする。ステップＳ１３Ａでは、制御部１４１によって異常状態が解消されたか否か判定する。ここでは、異常状態が解消されるまでステップＳ１３Ａの判定を繰り返し、異常状態が解消されればステップＳ１４Ａに進む。ステップＳ１４Ａの動作では、搬送ロボット１１５によってバッファ部１１６から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１５Ａの動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７に基板Ｇ１を搬入する。ステップＳ１６Ａの動作では、回転部１１７によって基板Ｇ１を回転する。具体的には、回転部１１７によって、基板Ｇ１の向きを水平面に沿って９０度回転する。ステップＳ１７Ａの動作では、搬送ロボット１１５によって回転部１１７から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１８Ａの動作では、搬送ロボット１１５によって塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する。
＜１－４．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る基板処理装置１では、例えば、往路部分１１において、洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送するために、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とが配置されている。これにより、例えば、仮に洗浄部１１１と塗布部１１２との間に基板待機エリアを有する中継コンベアを配置するよりも、往路部分１１の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置１の長さを短縮することができる。
また、例えば、仮に洗浄部１１１と塗布部１１２との間に基板待機エリアを有する中継コンベアを配置すると、基板待機エリアを確保するために中継コンベアの基板搬送方向の長さが大きくなり、基板Ｇ１に対して帯電による静電気放電（ＥＳＤ）が発生する可能性が高まり得る。これに対して、第１実施形態に係る基板処理装置１では、例えば、洗浄部１１１と塗布部１１２との間に中継コンベアを配置する代わりに、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とが配置されている。これにより、例えば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板Ｇ１に不具合が生じるリスクが低減され得る。
また、第１実施形態に係る基板処理装置１を用いた基板処理方法では、例えば、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送する。これにより、例えば、仮に基板待機エリアを有する中継コンベアを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送する場合よりも、往路部分１１の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置１の長さが短縮され得る。また、例えば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板Ｇ１に不具合が生じるリスクが低減され得る。
＜２．変形例＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
上記第１実施形態において、例えば、バッファ部１１６は、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、バッファ部１１６が塗布部１１２に対して上下方向に重ねて配置されるため、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。
上記第１実施形態において、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、回転部１１７が洗浄部１１１に対して上下方向に重ねて配置されるため、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。
上記第１実施形態において、例えば、バッファ部１１６は、図７で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。換言すれば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図７は、往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
上記第１実施形態において、例えば、回転部１１７は、図７で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。換言すれば、回転部１１７は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態において、例えば、図８で示されるように、上方から平面視した場合に、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５の復路部分１３側のエリア（第１エリアともいう）Ａ１に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、バッファ部１１６は、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間のエリア（隙間エリアともいう）側に位置していてもよい。この場合には、例えば、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアを有効利用してバッファ部１１６を配置することで、基板処理装置１の設置面積を低減することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図８、図９および図１０は、それぞれ往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここで、例えば、回転部１１７は、図８で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、図９で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。また、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
また、ここで、例えば、図１０で示されるように、回転部１１７は、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側のエリア（第２エリアともいう）Ａ２に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、搬送ロボット１１５を挟んで往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアとは逆側のエリア（外側エリアともいう）に位置していてもよい。この場合には、例えば、基板処理装置１の往路部分１１の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用して回転部１１７を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態において、例えば、図１１で示されるように、上方から平面視した場合に、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５を挟んで往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアとは逆側の外側エリアに位置していてもよい。この場合には、例えば、基板処理装置１の往路部分１１の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用してバッファ部１１６を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図１１、図１２および図１３は、それぞれ往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここで、例えば、回転部１１７は、図１１で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、図１２で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。また、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、回転部１１７は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
また、ここで、例えば、図１３で示されるように、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間のエリア（隙間エリア）側に位置していてもよい。この場合には、例えば、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアを有効利用して回転部１１７を配置することで、基板処理装置１の設置面積を低減することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態において、例えば、図１４で示されるように、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間のエリア（隙間エリア）側に位置していてもよい。この場合には、例えば、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアを有効利用して回転部１１７を配置することで、基板処理装置１の設置面積を低減することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図１４および図１５は、それぞれ往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここで、例えば、バッファ部１１６は、図１４で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、図１５で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。また、例えば、バッファ部１１６は、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態において、例えば、図１６で示されるように、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、回転部１１７は、搬送ロボット１１５を挟んで往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアとは逆側の外側エリアに位置していてもよい。この場合には、例えば、基板処理装置１の往路部分１１の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用して回転部１１７を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図１６および図１７は、それぞれ往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここで、例えば、バッファ部１１６は、図１６で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、図１７で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。また、例えば、バッファ部１１６は、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態において、例えば、洗浄部１１１における第１パスラインＰ１と塗布部１１２における第２パスラインＰ２との間で、基板搬送方向が同一であり、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きが同一である場合には、図１８で示されるように、回転部１１７がなくてもよい。図１８、図１９、図２０および図２１は、それぞれ往路部分１１の一部の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここで、例えば、バッファ部１１６は、図１８で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、図１９で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。また、例えば、バッファ部１１６は、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよいし、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
また、ここで、例えば、バッファ部１１６は、図２０で示されるように上方から平面視した場合に搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置していてもよいし、図２１で示されるように上方から平面視した場合に搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していてもよい。換言すれば、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５の隙間エリア側に位置していてもよいし、搬送ロボット１１５の隙間エリアとは逆側の外側エリアに位置していてもよい。この場合にも、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
図２２は、回転部１１７がない基板処理装置１の通常状態における洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送動作について動作の流れの一例を示すフローチャートである。図２３は、回転部１１７がない基板処理装置１の異常状態で開始される洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送動作について動作の流れの一例を示すフローチャートである。図２２および図２３においても、図４および図５と同様に、１枚の基板Ｇ１の搬送動作に着目したフローチャートが示されている。
通常状態では、図２２に示すステップＳ１ＢからステップＳ２Ｂの動作が順に行われる搬送動作の流れが実行される。ステップＳ１Ｂの動作では、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ２Ｂの動作では、搬送ロボット１１５によって塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する。
この場合には、例えば、基板処理装置１を用いた基板処理方法の少なくとも一部を構成する、洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の基板搬送方法は、搬送ロボット１１５によって、洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出し、バッファ部１１６への基板Ｇ１の搬入およびバッファ部１１６からの基板Ｇ１の搬出を経ることなく、塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する工程（第１工程）を有する。
異常状態で開始される搬送動作においては、図２３に示すステップＳ１１ＣからステップＳ１５Ｃの動作が順に行われる搬送動作の流れが実行される。
ステップＳ１１Ｃの動作では、搬送ロボット１１５によって洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１２Ｃの動作では、搬送ロボット１１５によって基板Ｇ１をバッファ部１１６に搬入する。具体的には、バッファ部１１６に基板Ｇ１を一時的に収納し、基板Ｇ１を一時的に待機させた状態にする。ステップＳ１３Ｃでは、制御部１４１によって異常状態が解消されたか否か判定する。ここでは、異常状態が解消されるまでステップＳ１３Ｃの判定を繰り返し、異常状態が解消されればステップＳ１７に進む。ステップＳ１４Ｃの動作では、搬送ロボット１１５によってバッファ部１１６から基板Ｇ１を搬出する。ステップＳ１５Ｃの動作では、搬送ロボット１１５によって塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する。
この場合には、例えば、基板処理装置１を用いた基板処理方法の少なくとも一部を構成する、洗浄部１１１から塗布部１１２への基板Ｇ１の搬送方法（基板搬送方法）は、搬送ロボット１１５によって、洗浄部１１１から基板Ｇ１を搬出し、バッファ部１１６への基板Ｇ１の搬入およびバッファ部１１６からの基板Ｇ１の搬出を経て、塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入する工程（第２工程）を有する。
このように、例えば、搬送ロボット１１５とバッファ部１１６とを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送することで、基板待機エリアを有する中継コンベアを用いて洗浄部１１１から塗布部１１２へ基板Ｇ１を搬送する場合よりも、往路部分１１の長さが短縮され得る。これにより、例えば、基板処理装置１の長さが短縮され得る。また、例えば、静電気放電（ＥＳＤ）の発生によって基板Ｇ１に不具合が生じるリスクが低減され得る。
上記第１実施形態において、例えば、上方から平面視した場合に、塗布部１１２は、図２４で示されるように搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置していてもよいし、図２５で示されるように搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していてもよい。これにより、例えば、塗布部１１２が洗浄部１１１側にずれることで、往路部分１１の長さが短縮され得る。その結果、例えば、基板処理装置１の長さを短縮することができる。図２４および図２５は、それぞれ往路部分１１の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここでは、例えば、搬送ロボット１１５によって、洗浄部１１１から搬出した基板Ｇ１を塗布部１１２の入側部分に搬入する際に、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きを変更することができる。具体的には、例えば、搬送ロボット１１５の回転機構によって、洗浄部１１１から搬出した基板Ｇ１を塗布部１１２の入側部分に搬入する際に、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きを９０度回転させることができる。このため、回転部１１７は、なくてもよい。この場合には、例えば、洗浄部１１１における第１パスラインＰ１と塗布部１１２における第２パスラインＰ２との間で、基板搬送方向が同一であり、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きが異なる場合に、回転部１１７を設けることなく、搬送ロボット１１５によって基板Ｇ１の向きを変更させた状態で塗布部１１２に基板Ｇ１を搬入することができる。
ここで、例えば、図２４で示されるように、上方から平面視した場合に、塗布部１１２が、搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置していていれば、往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアを有効利用して塗布部１１２を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図２４の例では、上方から平面視した場合に、塗布部１１２の入側部分が、搬送ロボット１１５の復路部分１３側の第１エリアＡ１に位置している。
また、ここで、例えば、図２５で示されるように、上方から平面視した場合に、塗布部１１２が、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していていれば、基板処理装置１の往路部分１１の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用して塗布部１１２を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。図２５の例では、上方から平面視した場合に、塗布部１１２の入側部分が、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置している。
図２４および図２５の例では、バッファ部１１６は、例えば、搬送ロボット１１５の洗浄部１１１とは逆側のエリアに位置している。別の観点から言えば、バッファ部１１６は、例えば、搬送ロボット１１５のインターフェース部１２側のエリアに位置している。また、塗布部１１２と減圧乾燥部１１３との間に、塗布部１１２から基板Ｇ１を搬出するとともに減圧乾燥部１１３に基板Ｇ１を搬入する搬送ロボット１１８が位置している。別の観点から言えば、塗布部１１２のインターフェース部１２側のエリアに、搬送ロボット１１８が位置しているとともに、搬送ロボット１１８のインターフェース部１２側のエリアに減圧乾燥部１１３が位置している。
また、図２４の例では、減圧乾燥部１１３の復路部分１３とは逆側のエリアに、減圧乾燥部１１３から基板Ｇ１を搬出するとともにプリベーク部１１４に基板Ｇ１を搬入する搬送ロボット１１９が位置している。図２５の例では、減圧乾燥部１１３の復路部分１３側のエリアに、減圧乾燥部１１３から基板Ｇ１を搬出するとともにプリベーク部１１４に基板Ｇ１を搬入する搬送ロボット１１９が位置している。このように、減圧乾燥部１１３の復路部分１３とは逆側のエリアあるいは減圧乾燥部１１３の復路部分１３側のエリアに搬送ロボット１１９が位置している構成が採用されれば、往路部分１１の長さを短縮することができる。その結果、例えば、基板処理装置１の長さを短縮することができる。
また、図２４および図２５の例では、搬送ロボット１１９のインターフェース部１２側のエリアに、プリベーク部１１４が位置している。搬送ロボット１１８および搬送ロボット１１９のそれぞれには、例えば、搬送ロボット１１５と同様なハンド部、アーム機構、および回転機構を有する構造が適用される。搬送ロボット１１８および搬送ロボット１１９のそれぞれには、必要に応じて、ハンド部およびアーム機構とともに回転機構を昇降させることが可能な昇降機構を有していてもよい。ここでは、例えば、搬送ロボット１１９によれば、減圧乾燥部１１３から搬出した基板Ｇ１をプリベーク部１１４に搬入する際に、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きを変更することができる。具体的には、例えば、搬送ロボット１１９の回転機構によって、減圧乾燥部１１３から搬出した基板Ｇ１をプリベーク部１１４に搬入する際に、基板搬送方向に対する基板Ｇ１の向きを９０度回転させることができる。
図２６、図２７および図２８は、それぞれ往路部分１１の構成の一変形例を模式的に示す平面図である。
ここでは、例えば、バッファ部１１６は、図２６で示されるように洗浄部１１１の上において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、図２７で示されるように塗布部１１２の上において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。また、ここでは、例えば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１の下において洗浄部１１１に重なるように位置していてもよいし、塗布部１１２の下において塗布部１１２に重なるように位置していてもよい。換言すれば、例えば、バッファ部１１６は、洗浄部１１１または塗布部１１２に対して上下方向に重なるように位置していてもよい。この場合にも、例えば、基板処理装置１の設置面積が低減され得る。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
また、ここでは、例えば、図２８で示されるように、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５の復路部分１３とは逆側の第２エリアＡ２に位置していてもよい。換言すれば、上方から平面視した場合に、バッファ部１１６は、搬送ロボット１１５を挟んで往路部分１１と復路部分１３との間の隙間エリアとは逆側の外側エリアに位置していてもよい。この場合には、例えば、基板処理装置１の往路部分１１の側方に位置している柱等の構造物または他の装置等の存在によって生じている空いたエリアを有効利用してバッファ部１１６を配置することができる。これにより、例えば、工場内で基板処理装置１の設置が可能な領域に制限がある場合であっても、基板処理装置１の設置が容易となり得る。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、洗浄部１１１における第１パスラインＰ１の高さと、塗布部１１２における第２パスラインＰ２の高さと、バッファ部１１６の載置部の高さと、が同一であれば、搬送ロボット１１５が基板Ｇ１を昇降させる昇降機構を有していない態様が考えられる。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、基板処理装置１が、バッファ部１１６と回転部１１７とを有する場合に、バッファ部１１６と回転部１１７とが上下方向に重なるように位置していてもよい。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、冷却部１３３とインデクサ装置２との間に、検査部等の他の機能を有する部分が位置していてもよい。検査部は、例えば、カメラ等の光学的な部材を用いて基板Ｇ１の検査を行うための部分である。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、ポストベーク部１３２および冷却部１３３が省略されてもよい。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、処理対象としての基板Ｇ１としてのガラス基板には、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板等が適用される。また、処理対象の基板Ｇ１として、例えば、ガラス基板とは異なる、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板または太陽電池用基板等の他の精密電子装置用の基板が採用されてもよい。
上記第１実施形態および上記各変形例において、例えば、基板処理装置１に、インデクサ装置２が含まれていてもよいし、露光装置３が含まれていてもよい。
なお、上記第１実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
１ 基板処理装置
１１ 往路部分
１１ｉ 被搬入領域
１１１ 洗浄部
１１２ 塗布部
１１５，１１８，１１９ 搬送ロボット
１１６ バッファ部
１１７ 回転部
１２ インターフェース部
１３ 復路部分
１３ｏ 被搬出領域
１３１ 現像部
２ インデクサ装置
３ 露光装置
Ａ１ 第１エリア
Ａ２ 第２エリア
Ａｘ１ 仮想回転軸
Ｇ１ 基板
Ｐ１ 第１パスライン
Ｐ２ 第２パスライン

Claims (13)

  1. インデクサ装置から基板が搬入される被搬入領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される被搬出領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を有する基板処理装置であって、
    前記往路部分は、
    前記インデクサ装置から搬入された前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、
    前記洗浄部で前記洗浄処理が施された前記基板上に処理液を塗布する塗布部と、
    前記基板が一時的に収納されるバッファ部と、
    前記洗浄部からの前記基板の搬出、前記バッファ部への前記基板の搬入、前記バッファ部からの前記基板の搬出、および前記塗布部への前記基板の搬入を行う搬送ロボットと、を含み、
    前記復路部分は、
    前記処理液に係る膜に現像処理を施す現像部、を含む、基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記搬送ロボットは、前記基板を昇降させる、基板処理装置。
  3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
    前記バッファ部は、前記洗浄部または前記塗布部に対して上下方向に重なるように位置している、基板処理装置。
  4. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記バッファ部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している、基板処理装置。
  5. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記バッファ部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している、基板処理装置。
  6. 請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記往路部分は、上下方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記基板を回転させる回転部、をさらに含み、
    前記搬送ロボットは、前記回転部への前記基板の搬入および前記回転部からの前記基板の搬出を行う、基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
    前記回転部は、前記洗浄部または前記塗布部に対して上下方向に重なるように位置している、基板処理装置。
  8. 請求項６または請求項７に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記回転部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している、基板処理装置。
  9. 請求項６または請求項７に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記回転部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している、基板処理装置。
  10. 請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリア、または前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している、基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分側のエリアに位置している、基板処理装置。
  12. 請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    上方から平面視した場合に、前記塗布部は、前記搬送ロボットの前記復路部分とは逆側のエリアに位置している、基板処理装置。
  13. インデクサ装置から基板が搬入される被搬入領域から露光装置に向けて前記基板を搬出するインターフェース部に至るまで前記基板が移動する往路部分と、前記インターフェース部から前記インデクサ装置に向けて前記基板が搬出される被搬出領域に至るまで前記露光装置から前記インターフェース部に搬入された前記基板が移動する復路部分と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
    前記往路部分は、前記インデクサ装置から搬入された前記基板に洗浄処理を施す洗浄部と、前記洗浄部で前記洗浄処理が施された前記基板上に処理液を塗布する塗布部と、前記基板が一時的に収納されるバッファ部と、搬送ロボットと、を含み、
    前記復路部分は、前記処理液に係る膜に現像処理を施す現像部、を含み、
    前記搬送ロボットによって、前記洗浄部から前記基板を搬出し、前記バッファ部への該基板の搬入および前記バッファ部からの該基板の搬出を経ることなく、前記塗布部に該基板を搬入する第１工程と、
    前記搬送ロボットによって、前記洗浄部から前記基板を搬出し、前記バッファ部への該基板の搬入および前記バッファ部からの該基板の搬出を経て、前記塗布部に該基板を搬入する第２工程と、
    を有する、基板処理方法。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154652A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002043203A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置および基板洗浄装置
JP2002324740A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005123430A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム
JP2006041235A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008053331A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 姿勢変換装置および基板搬送装置
JP2010080856A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010219435A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2016027588A (ja) * 2013-08-30 2016-02-18 東京応化工業株式会社 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021021748A (ja) * 2019-07-24 2021-02-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 追加露光装置およびパターン形成方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154652A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002043203A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置および基板洗浄装置
JP2002324740A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005123430A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム
JP2006041235A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008053331A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 姿勢変換装置および基板搬送装置
JP2010080856A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010219435A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2016027588A (ja) * 2013-08-30 2016-02-18 東京応化工業株式会社 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021021748A (ja) * 2019-07-24 2021-02-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 追加露光装置およびパターン形成方法

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