JP2023108478A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面２ａ及び第１面２ａと反対側の第２面２ｂを有していて第１貫通孔１ａを備える第１絶縁層２と、第１貫通孔１ａを充填する磁性体７と、磁性体７を貫く第２貫通孔１ｂの内部に形成されている第１スルーホール導体５１と、第１面２ａ側及び第２面２ｂ側に設けられていて第１スルーホール導体５１と連結されている第１導体パッド４ａ１、４ａ２と、を含んでいる。配線基板１は、さらに、第１面２ａの上に形成されていて磁性体７を覆っている第２絶縁層３２及び第２面２ｂの上に形成されていて磁性体７を覆っている第３絶縁層３３を含み、第２貫通孔１ｂは第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３を貫通しており、第１導体パッド４ａ１、４ａ２は第２絶縁層３２及び第３絶縁層３３それぞれの表面３２ａ、３３ａに形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板に関する。

特許文献１には、コア基板の開口に充填された磁性体樹脂を含むインダクタ内蔵基板が開示されている。磁性体樹脂に形成された貫通孔内にスルーホール導体が形成されている。スルーホール導体に繋がっているスルーホールランドは磁性体樹脂の上に形成されている。

特開２０２０－１７８０９５号公報

特許文献１に開示されるインダクタ内蔵基板では、使用条件によってはスルーホールランドとコア基板との密着強度が十分でないことがある。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有していて第１貫通孔を備える第１絶縁層と、前記第１貫通孔を充填する磁性体と、前記磁性体を貫く第２貫通孔の内部に形成されている第１スルーホール導体と、前記第１面側及び前記第２面側に設けられていて前記第１スルーホール導体と連結されている第１導体パッドと、を含んでいる。前記配線基板は、さらに、前記第１面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第２絶縁層及び前記第２面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第３絶縁層を含んでいる。そして、前記第２貫通孔は前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通しており、前記第１導体パッドは前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれの表面に形成されている。

本発明の実施形態によれば、磁性体を貫くスルーホール導体と連結される導体パッドのその下地からの剥離を防止し、それにより配線基板の品質を向上させ得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１のII部の拡大図。 図１のIII部の拡大図。 本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図が示されている。なお、実施形態の配線基板は、後に参照される図４に示されるように、図１の例の配線基板１の両面それぞれに形成される任意の層数の絶縁層及び導体層をさらに含み得る。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１は、絶縁層２（第１絶縁層）と、絶縁層２を通るスルーホール導体５１（第１スルーホール導体）と、スルーホール導体５１と連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）と、を含んでいる。図１の例の配線基板１は複数のスルーホール導体５１を含んでいる。絶縁層２は、絶縁層２の厚さ方向と直交する２つの主面の一方である第１面２ａと、２つの主面の他方であって第１面２ａと反対側の第２面２ｂとを有している。絶縁層２は、第１面２ａと第２面２ｂとの間で絶縁層２を貫く貫通孔１ａ（第１貫通孔）を備えている。スルーホール導体５１は、貫通孔１ａの中を通っている。第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）は、絶縁層２の厚さ方向における両側に、すなわち第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに設けられている。導体パッド４ａ１は第１面２ａ側に設けられており、導体パッド４ａ２は第２面２ｂ側に設けられている。

絶縁層２を貫く貫通孔１ａの内部は磁性体７で充填されている。すなわち、配線基板１は、さらに、貫通孔１ａを充填する磁性体７を含んでいる。磁性体７には、磁性体７を、絶縁層２の厚さ方向、すなわち配線基板１の厚さ方向に貫く貫通孔１ｂ（第２貫通孔）が形成されている。スルーホール導体５１は貫通孔１ｂの内部に形成されている。スルーホール導体５１及び貫通孔１ｂは、磁性体７を介して絶縁層２を貫いている。

図１に例示の絶縁層２には、さらに貫通孔１ｃ（第３貫通孔）が形成されている。貫通孔１ｃは、絶縁層２を絶縁層２の厚さ方向に貫いている。配線基板１は、さらに、スルーホール導体５２（第２スルーホール導体）と、スルーホール導体５２と連結されている第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）と、を含んでいる。図１の配線基板１は複数のスルーホール導体５２を含んでいる。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内部に形成されている。第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）は、絶縁層２の厚さ方向における両側に、すなわち第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに設けられている。導体パッド４ｂ１は第１面２ａ側に設けられており、導体パッド４ｂ２は第２面２ｂ側に設けられている。

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、スルーホール導体５１の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。同様に、導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２は、スルーホール導体５２の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。スルーホール導体のスルーホールランド（スルーホールパッドと称されることもある）は、スルーホール導体に貫かれる絶縁層の表面において座切れが生じないように設けられる導体パターンである。スルーホールランドは、設計上、平面視でスルーホール導体の外周よりも外側に外縁を有するように、すなわち、平面視でスルーホール導体を内包するように設けられる導体パターンである。

配線基板１は、さらに、絶縁層２の第１面２ａの上に形成されている絶縁層３２（第２絶縁層）、及び絶縁層２の第２面２ｂの上に形成されている絶縁層３３（第３絶縁層）を含んでいる。絶縁層３２は、絶縁層２の第１面２ａに露出する磁性体７の端面７ａを覆っている。絶縁層３３は、絶縁層２の第２面２ｂに露出する磁性体７の端面７ｂを覆っている。

図１の配線基板１は、さらに、絶縁層３２の上に形成されている導体層４１（第１導体層）及び絶縁層３３の上に形成されている導体層４２（第２導体層）を含んでいる。導体層４１は、絶縁層３２における絶縁層２と反対側の表面３２ａ上に形成されている。導体層４２は、絶縁層３３における絶縁層２と反対側の表面３３ａ上に形成されている。

導体層４１は、絶縁層３２の表面３２ａに形成されている導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１、並びに、導体パッド４ａ１以外の導体パターンである導体パターン４ｃ及び配線パターン４ｅを含んでいる。配線パターン４ｅは、図１において右側に配置されている導体パッド４ａ１と導体パッド４ｂ１とを接続している。

一方、導体層４２は、絶縁層３３の表面３３ａに形成されている導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２、並びに、導体パッド４ａ２以外の導体パターンである導体パターン４ｄを含んでいる。

実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向において絶縁層２から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層２に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層、各導体パッド、各導体パターン、及び各絶縁層において、絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。また、絶縁層２の厚さ方向、すなわち配線基板１の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

スルーホール導体５１は、貫通孔１ｂの内壁上に形成されていて貫通孔１ｂの内壁を覆っている。図１の例においてスルーホール導体５１は、貫通孔１ｂの内壁を略全面的に覆う膜状の導電体からなる。スルーホール導体５１は、中空部を備えた筒状の形体を有している。スルーホール導体５１は、Ｚ方向に沿っていて磁性体７に覆われている外周側面を有している。スルーホール導体５１の外周側面は貫通孔１ｂの内壁すなわち磁性体７に接している。

スルーホール導体５１の内部は樹脂体６で充填されており、スルーホール導体５２の内部は樹脂体６１で充填されている。すなわち、図１の配線基板１は、さらに、貫通孔１ｂのうちのスルーホール導体５１に占められていない領域を充填する樹脂体６、及び、貫通孔１ｃのうちのスルーホール導体５２に占められていない領域を充填する樹脂体６１を含んでいる。

スルーホール導体５２は、貫通孔１ｃの内壁上に形成されていて貫通孔１ｃの内壁を覆っている。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内壁に露出する絶縁層２の上に形成されている。図１の例においてスルーホール導体５２は、貫通孔１ｃの内壁を略全面的に覆う膜状の導電体からなる。スルーホール導体５２も、中空部を備えた筒状の形体を有している。スルーホール導体５２は、Ｚ方向に沿っていて絶縁層２に覆われている外周側面を有しており、その外周側面は貫通孔１ｃの内壁すなわち絶縁層２に接している。

スルーホール導体５１、５２、樹脂体６、並びに磁性体７は、それぞれ、Ｚ方向と直交する断面において、例えば略円環形、又は略円形などの任意の断面形状を有し得る。従って、スルーホール導体５１、５２、樹脂体６、並びに磁性体７は、円柱状又は円筒状の形状を有し得る。しかし、本実施形態において、各スルーホール導体、樹脂体６、並びに磁性体７は、任意の断面形状を有する柱状体又は筒状体であり得る。

絶縁層２、絶縁層３２、及び絶縁層３３は、それぞれ、任意の絶縁性樹脂によって形成されている。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂などが例示される。これら絶縁性樹脂を用いて形成される各絶縁層は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

図１の例では、絶縁層２は補強材（芯材）２１を含んでいる。従って、絶縁層２は、補強材２１及び補強材２１に含侵されている上述のエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂のような樹脂を含んでいる。補強材２１としては、例えばガラス繊維、アラミド繊維、アラミド不織布などが例示されるが、補強材２１はこれらに限定されない。一方、図１の例では、絶縁層３２及び絶縁層３３は補強材を含んでいない。すなわち、絶縁層３２及び絶縁層３３は、補強材に含侵されていない樹脂によって構成されている。しかし、実施形態の配線基板１において、絶縁層２が補強材２１を含んでいなくてもよく、絶縁層３２及び絶縁層３３が上述したガラス繊維などからなる補強材を含んでいてもよい。

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１を含む導体層４１、導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２を含む導体層４２、スルーホール導体５１、並びにスルーホール導体５２は、適切な導電性を有する任意の金属で形成されている。これら各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属としては、銅やニッケルなどが例示される。しかし、各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属は、これらに限定されない。

導体層４１及び導体層４２、スルーホール導体５１、並びにスルーホール導体５２は、無電解めっき膜又はスパッタリング膜、及び、電解めっき膜などで構成される多層構造を有し得る。図１の例では、導体層４１は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４１ａ（上層膜）を含んでいる。導体層４２は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４２ａ（上層膜）を含んでいる。スルーホール導体５１は、導体パッド４ａ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。スルーホール導体５２は、導体パッド４ｂ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ｂ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。金属膜４０、スルーホール導体５１、５２、並びに、金属膜４１ａ、４２ａそれぞれは、後述されるように、さらに多層構造を有し得る。

スルーホール導体５１又はスルーホール導体５２の内部を充填する樹脂体６、６１は、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部を満たし得る任意の材料で形成され得る。樹脂体６、６１は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を含み得るが、樹脂体６、６１の材料はこれらに限定されない。また、樹脂体６、６１は、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性樹脂を含んでいてもよい。

樹脂体６又は樹脂体６１によって、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃのうちのスルーホール導体５１又はスルーホール導体５２に占められていない空き領域が埋められる。そのため、絶縁層２が多層配線基板の一部（例えばコア基板）として用いられる場合に、各スルーホール導体の真上にビア導体（図示せず）を形成することができる。また、樹脂体６、６１によって、スルーホール導体５１、５２と絶縁層２との間に生じがちな熱応力が軽減されることがある。

磁性体７は、少なくとも、絶縁層２よりも磁性を帯び易い材料を含んでいる。磁性体７は、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料を含んでいる。磁性体７は、これらの強磁性を示す材料の他に、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料を含み得る。例えば磁性体７は、磁性粒子（磁性フィラー）とエポキシ樹脂とを含み得る。磁性粒子としては、前述した酸化鉄、コバルト又はニッケルなどの強磁性を示す金属の粒子が例示される。

貫通孔１ａを充填する磁性体７は、磁性体７を貫く貫通孔１ｂ内に形成されているスルーホール導体５１の側面を覆っている。強磁性を示す材料を含む磁性体７でスルーホール導体５１の側面が覆われるので、スルーホール導体５１に電流が流れると、その周囲には高い密度で磁束が生じ得る。従ってスルーホール導体５１を用いて、高いインダクタンスを有するインダクタを配線基板１に形成することができる。

図１に示されるように、本実施形態では、貫通孔１ｂは絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。さらに、貫通孔１ｂの内部に形成されているスルーホール導体５１も、絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。そして、スルーホール導体５１と連結されている導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面に形成されている。すなわち、導体パッド４ａ１は、スルーホール導体５１の側面を覆っている磁性体７の端面７ａ上には直接形成されておらず、及び導体パッド４ａ２も磁性体７の端面７ｂ上には直接形成されていない。導体パッド４ａ１は、絶縁層３２を介して磁性体７の端面７ａの上に形成されている。導体パッド４ａ２は、絶縁層３３を介して磁性体７の端面７ｂの上に形成されている。本実施形態では、このように導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２が磁性体７の上に直接形成されていない。そのため、スルーホール導体５１に連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）のその下地からの剥がれが防止されると考えられる。その理由が以下に説明される。

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、絶縁層２や絶縁層３２及び絶縁層３３などの絶縁層に対する密着性と同様の密着性を、磁性体７に対して有し得ないことがある。例えば、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２のうち、その下地と接する部分（後に参照する図２の例では最下層である下層金属膜５０１）が無電解めっきで形成される場合、無電解めっきの前には、被めっき表面へのパラジウムなどの触媒の吸着性を向上させるために、被めっき表面の電荷を調整する活性化処理が行われる。磁性体７のような強磁性材料を含む磁性体の表面及び絶縁層２のような樹脂体の表面の上に無電解めっき膜が形成される場合、磁性体の表面が適切に活性化されず、触媒が十分な密着強度で磁性体の表面に付着しないことがある。その結果、十分でない密着強度で磁性体の表面に付着した触媒の周囲に析出する無電解めっき膜と磁性体との間に十分な密着強度が得られないことがある。そのため、無電解めっき膜と、その下地（磁性体）との間で、外力や熱応力などによって剥離が生じることがある。

これに対して本実施形態では、前述したように、磁性体７を貫くスルーホール導体５１に連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）は、磁性体７及び絶縁層２を覆う絶縁層３２又は絶縁層３３の上に形成されている。導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０は、適切に活性化処理された絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａの上に十分な強度で付着した触媒の周囲に形成される。従って、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２が、絶縁層３２又は絶縁層３３を介して、磁性体７との間に十分な密着強度を有し得る。従って、本実施形態では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２における下地（絶縁層３２及び絶縁層３３並びにそれらの下側の磁性体７）からの剥離は生じ難い。そのため、本実施形態では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２の剥がれが抑制され、配線基板１の品質が向上すると考えられる。

なお、貫通孔１ｂ内では、スルーホール導体５１が磁性体７の側面上に形成されている。しかし、貫通孔１ｂ内に、剥離の起点となるようなスルーホール導体５１の縁部は存在しない。しかもスルーホール導体５１は、絶縁層３２又は絶縁層３３と良好に密着する絶縁層３２上又は絶縁層３３上の金属膜４０と連結されている。そのため、熱などによるスルーホール導体５１のＺ方向の伸縮が制限される。また、スルーホール導体５１における、Ｚ方向と直交し且つ側面に沿う方向（周方向）の伸縮は、筒状の形体のために自ずと制限される。さらに、磁性体７から離間する方向へのスルーホール導体５１の挙動は、図１の例では、樹脂体６によって制限されることがある。そのため、配線基板１において、磁性体７からのスルーホール導体５１の剥離は生じ難いと考えられる。

図１に例示の配線基板１では、貫通孔１ｃも絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通しており、さらに、貫通孔１ｃの内部に形成されているスルーホール導体５２も、絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。そして、スルーホール導体５２と連結されている導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２は絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面に形成されている。すなわち、スルーホール導体５２は磁性体７のような磁性体を貫かずに絶縁層２を直接貫いているが、スルーホール導体５２と連結されている第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）は、絶縁層３２の表面３２ａの上、又は絶縁層３３の表面３３ａの上に形成されている。そのため、導体パッド４ａ１又は導体パッド４ａ２と導体パッド４ｂ１又は導体パッド４ｂ２とを接続する例えば配線パターン４ｅのような導体パターンが、絶縁層３２又は絶縁層３３の有無による段差を跨がずに形成され得る。従って、配線パターン４ｅのような導体パターンにクラックなどが生じ難いと考えられる。

さらに、図１の配線基板１では、導体層４１に含まれる導体パターンの全部が、絶縁層２の第１面２ａ又は磁性体７の端面７ａの上ではなく、絶縁層３２の上に形成されている。同様に、導体層４２に含まれる導体パターンの全部が、絶縁層２の第２面２ｂ又は磁性体７の端面７ｂの上ではなく、絶縁層３３の上に形成されている。導体層４１及び導体層４２が含む導体パターンのいずれもが、絶縁層３２又は絶縁層３３の有無による段差を跨いで形成されていないので、導体パターンのクラックなどが生じ難いと考えられる。

前述したように、図１の例では、絶縁層２は補強材２１を含み、絶縁層３２、３３は補強材を含んでいない。配線基板１が多層配線基板のコア基板として用いられる場合に、補強材２１を含む絶縁層２によって適切な剛性が提供されると考えられる。一方、補強材を含まない絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面３２ａ、３３ａには、金属箔を介することなく良好な密着性を有する無電解めっき膜が形成され得る。従って、金属箔を用いないセミアディティブ法によって、微細な配線パターンを有する導体層４１及び導体層４２が形成されると考えられる。

図２及び図３を参照して、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２がさらに説明される。図２及び図３には、図１のII部及びIII部の拡大図が示されている。

図２及び図３に示されるように、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、下層金属膜５０１と、下層金属膜５０１上に形成された上層金属膜５０２とを含んでいる。上層金属膜５０２は、例えば電解めっきで形成されためっき膜である。下層金属膜５０１は、上層金属膜５０２が電解めっきによって形成される際に給電層として機能する。下層金属膜５０１は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。しかし、スルーホール導体５１、５２は、無電解めっきによって形成された金属膜だけを含んでいてもよい。

スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、絶縁層３２上の金属膜４０及び絶縁層３３上の金属膜４０と一体的に形成されている。そのため、金属膜４０も、下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２を含む２層構造を有している。絶縁層３２の上の上層金属膜５０２上に金属膜４１ａが形成されている。一方、絶縁層３３の上の上層金属膜５０２上に金属膜４２ａが形成されている。樹脂体６における絶縁層３２側の端面が金属膜４１ａに覆われており、絶縁層３３側の端面が金属膜４２ａに覆われている。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する所謂蓋めっき膜である。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａが形成されているので、後述されるように絶縁層２が多層配線基板の一部として用いられる場合に、各スルーホール導体と、その真上に形成されるビア導体（図示せず）とが電気的に接続され得る。

金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、それぞれ、下層金属膜４３１と、下層金属膜４３１上に形成された上層金属膜４３２とを含んでいる。上層金属膜４３２は、例えば電解めっきで形成されためっき膜である。下層金属膜４３１は、上層金属膜４３２が電解めっきによって形成される際に給電層として機能する。下層金属膜４３２は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。しかし、金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、それぞれ、無電解めっきによって形成された金属膜だけを含んでいてもよい。

図２及び図３の例では、導体層４１及び導体層４２は、それぞれ、４層構造を有し得る。すなわち、各導体層は、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、そして上層金属膜４３２によって構成されている。

絶縁層３２は、導体層４１と、磁性体７及び絶縁層２との間に介在し、絶縁層３３は、導体層４２と、磁性体７及び絶縁層２との間に介在している。絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの厚さＴは、例えば、１５μｍ以上、５０μｍ以下である。

図２の例では、絶縁層３２及び絶縁層３３は、前述したエポキシ樹脂などの樹脂３ａ及び樹脂３ａに添加されている無機フィラー３ｂを含んでいる。無機フィラー３ｂは、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどである。一方、図２及び図３には図示されていないが、絶縁層２も、無機フィラー３ｂのようなフィラーを含み得る。本実施形態の配線基板１では、絶縁層３２及び絶縁層３３における無機フィラー３ｂの含有率は、絶縁層２における無機フィラーの含有率よりも高くてもよい。

無機フィラー３ｂが多く含まれていると、樹脂３ａだけが含まれるよりも、絶縁層３２、３３が導体層４１、４２と近い熱膨張率を有し得ることがある。従って、絶縁層３２、３３が比較的多くの無機フィラー３ｂを含んでいると、熱応力による絶縁層３２、３３と導体層４１、４２との剥離が生じ難いことがある。なお、「絶縁層３２及び絶縁層３３における無機フィラー３ｂの含有率は、絶縁層２における無機フィラーの含有率よりも高（い）」は、絶縁層２が意図的に添加された無機フィラーを含まない場合に、絶縁層３２、３３が無機フィラー３ｂを含むことを含んでいる。このように本実施形態では、無機フィラーの含有率が異なる絶縁層同士（絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３と）が直接積層されていてもよい。

図２の例では、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａは、それぞれ、粗化された粗化面である。例えば表面３２ａ及び表面３３ａは、配線基板１の製造過程で粗化されていてもよく、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有していてもよい。一方、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂは、配線基板１の製造過程で研磨された研磨面であってもよい。

主に樹脂を含む絶縁層３２、３３の表面３２ａ及び表面３３ａそれぞれの上には、金属からなる導体層４１又は導体層４２が形成される。高い面粗度がもたらすアンカー効果によって、異種材料同士である導体層４１、４２と絶縁層３２、３３との密着性が向上すると考えられる。従って、導体層４１、４２と絶縁層３２、３３との間の剥離が一層生じ難いと考えられる。なお、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂの上には、絶縁層２と同様に樹脂を主に含む絶縁層３２又は絶縁層３３が積層されるので、アンカー効果が大きく作用しなくても、絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３との間の剥離は生じ難いと考えられる。

図２に示されるように、貫通孔１ｂにおける磁性体７を貫く部分の内壁面１ｂａと、貫通孔１ｂにおける絶縁層３２又は絶縁層３３を貫く部分の内壁面１ｂｂとは略面一である。従って、スルーホール導体５１のクラック、特に下層金属膜５０１のクラックや破断などが生じ難いと考えられる。同様に、図３に示されるように、貫通孔１ｃにおける絶縁層２を貫く部分の内壁面１ｃａと、貫通孔１ｃにおける絶縁層３２又は絶縁層３３を貫く部分の内壁面１ｃｂとは略面一である。従って、スルーホール導体５２のクラック、特に下層金属膜５０１のクラックや破断などが生じ難いと考えられる。

なお、図１などに例示の配線基板１は、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２を備えているが、実施形態の配線基板は、磁性体７を貫くスルーホール導体５１だけを備えていてもよい。

つぎに、図４を参照して、図１に例示の実施形態と異なる他の実施形態が説明される。図４には、他の実施形態の一例である配線基板１０が示されている。図４に示されるように、配線基板１０は、コア基板１１と、ビルドアップ層１２と、ビルドアップ層１３とを備える多層配線基板である。コア基板１１は、図１に例示される一実施形態の配線基板１の絶縁層２、３２、３３、及び導体層４１、４２によって構成されている。絶縁層３２及び導体層４１の上にビルドアップ層１２が形成され、絶縁層３３及び導体層４２の上にビルドアップ層１３が形成されている。ビルドアップ層１２及びビルドアップ層１３は、それぞれ、コア基板１１上に積層されている１組以上の絶縁層及び導体層を含んでいる。

図４の例においてビルドアップ層１２は、絶縁層３２の表面３２ａ上に積層されている絶縁層１４、絶縁層１４上に形成されている導体層１６、並びに、絶縁層１４及び導体層１６の上に交互に積層されている２つの絶縁層１５及び２つの導体層１７を含んでいる。ビルドアップ層１３は、絶縁層３３の表面３３ａ上に積層されている絶縁層１４、絶縁層１４上に形成されている導体層１６、並びに、絶縁層１４及び導体層１６の上に交互に積層されている２つの絶縁層１５及び２つの導体層１７を含んでいる。

配線基板１０では、さらに、ビルドアップ層１２及びビルドアップ層１３それぞれの上に、ソルダーレジスト１９が形成されている。ソルダーレジスト１９には、ビルドアップ層１２、１３それぞれの最表層の導体層１７の一部を露出させる開口１９ａが設けられている。開口１９ａ内には、例えばはんだなどの導電性の材料を用いてバンプ１７ｂが形成されている。

また、ビルドアップ層１２、１３それぞれの絶縁層１４には、絶縁層１４を貫通するビア導体１８ａが形成されている。ビア導体１８ａは、絶縁層１４を挟む導体層４１又は導体層４２と、導体層１６とを接続している。さらに、ビルドアップ層１２、１３それぞれの絶縁層１５には、絶縁層１５を貫通するビア導体１８ｂが形成されている。ビア導体１８ｂは、絶縁層１５を挟む導体層１７同士、又は絶縁層１５を挟む導体層１６と導体層１７とを接続している。

絶縁層１４及び絶縁層１５は、絶縁層２、３２、３３と同様に、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などが例示される。絶縁層１４、１５は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよく、ガラス繊維やアラミド繊維などによる織布状又は不織布状の補強材を含んでいてもよい。

導体層１６、１７は、銅又はニッケルなどの任意の金属によって形成される。導体層１６、１７それぞれは、金属箔、無電解めっき膜若しくはスパッタリング膜、及び／又は電解めっき膜などを含む多層構造を有し得る。また、導体層１６、１７は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。ビルドアップ層１２、１３それぞれの最表層の導体層１７は、外部の電子部品や配線基板などが接続される接続パッド１７ａを含んでいる。接続パッド１７ａを露出させるようにソルダーレジスト層１９に開口１９ａが設けられており、接続パッド１７ａ上にバンプ１７ｂが形成されている。

ビア導体１８ａ、１８ｂは、それぞれの上側の導体層１６又は導体層１７と一体的に形成されており、例えば無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。図４の例では、一部のビア導体１８ａは、コア基板１１のスルーホール導体（スルーホール導体５１又はスルーホール導体５２）の上に積層されている。

図４の例のように、磁性体７に側面を覆われたスルーホール導体５１を含む、絶縁層２と絶縁層３２と絶縁層３３との積層体は、多層配線基板のコア基板を構成していてもよい。絶縁層３、３２、３３、及び導体層４１、４２によって構成されるコア基板１１の両面それぞれには、３組よりも少ない、又は３組よりも多い、絶縁層及び導体層が積層されていてもよい。

つぎに、図１の配線基板１の製造方法の一例が、図５Ａ～図５Ｋを参照して説明される。

図５Ａに示されるように、配線基板１の絶縁層２を含む製品領域Ｐと、製品領域Ｐの周囲に設けられて配線基板１の製造工程で用いられる非製品領域ＮＰとを含む出発基板１００が用意される。例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの樹脂と、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材２１とを含む絶縁基板とその両面に積層された銅箔とを含む両面銅張積層板が用意される。そして、その銅箔が例えばエッチングで除去されることによって、出発基板１００が用意される。或いは、銅箔などを備えない樹脂基板が出発基板１００として用意されてもよい。上述の樹脂を含む出発基板１００は、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。

そして、図５Ａの例では、非製品領域ＮＰに１又は複数の第１基準孔Ｄ１が形成される。第１基準孔Ｄ１は、任意の位置基準（例えば出発基板１００の外形）を参照して、例えば、炭酸ガスレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。第１基準孔Ｄ１は、後工程における各種の処理や加工時の位置基準として用いられ得る。

図５Ｂに示されるように、出発基板１００の製品領域Ｐを構成する絶縁層２を貫通する貫通孔１ａ（第１貫通孔）が形成される。貫通孔１ａは、例えば非製品領域ＮＰ内の第１基準孔Ｄ１を参照して、スルーホール導体５１及び磁性体７（図１参照）が設けられるべき所定の位置に形成される。貫通孔１ａは、第１基準孔Ｄ１と同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。

図５Ｃに示されるように、貫通孔１ａの内部が磁性体７で充填される。貫通孔１ａの内壁面が磁性体７によって覆われる。例えば、鉄、酸化鉄、又はコバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粒子を含むエポキシ樹脂又はウレタン樹脂などが、絶縁層２の第１面２ａ側、及び第１面２ａ側と反対側の第２面２ｂ側のいずれか又は両方から注入される。必要に応じて、第１面２ａ側及び第２面２ｂ側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが、貫通孔１ａを通じて他方から吸引されてもよい。貫通孔１ａ内に注入された強磁性材を含む樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、貫通孔１ａ内を充填する磁性体７が形成される。

なお、図５Ｃの例では、第１基準孔Ｄ１は磁性体７で充填されていない。例えばマスキングなどによって、磁性体７による第１基準孔Ｄ１の充填を防ぐことができる。なお、第１基準孔Ｄ１は貫通孔１ａと共に磁性体７で充填されてもよい。

磁性体７における絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれの端面は、必要に応じて化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。磁性体７の端面の研磨の進行に伴って、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂも、磁性体７の端面と共に研磨されてもよい。磁性体７の両端面が平坦化されると共に、磁性体７の両端面それぞれと、第１面２ａ及び第２面２ｂとが、好ましくは略面一にされる。この研磨によって、磁性体７の両端面及び絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂが研磨面となり得る。

図５Ｄに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ上に絶縁層３２が形成され、絶縁層２の第２面２ｂ上に絶縁層３３が形成される。磁性体７の端面７ａが絶縁層３２で覆われ、端面７ｂが絶縁層３３で覆われる。例えば、フィルム状に成形されたエポキシ樹脂が、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂに積層されて熱圧着される。その結果、絶縁層２の第１面２ａ上に絶縁層３２が形成され、第２面２ｂ上に絶縁層３３が形成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維などからなる補強材を含まない絶縁層３２、３３が形成される。また、絶縁層３２、３３は、上述のエポキシ樹脂又はＢＴ樹脂などに添加された、シリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラーを含んでいてもよい。絶縁層３２及び絶縁層３３は、ＢＴ樹脂又はフェノール樹脂を絶縁層２の両面に供給することによって形成されてもよい。図５Ｄの例では、第１基準孔Ｄ１が、絶縁層３２及び／又は絶縁層３３を構成する樹脂によって充填されている。

図５Ｅに示されるように、非製品領域ＮＰに、１又は複数の第２基準孔Ｄ２が形成される。第２基準孔Ｄ２は、貫通孔１ａを参照して位置決めが行われるレーザー加工又はドリル加工などによって形成される。貫通孔１ａは絶縁層３２及び絶縁層３３に覆われているので、例えばＸ線を用いて貫通孔１ａが認識されてもよい。貫通孔１ａは、前述したように絶縁層２と異なる鉄などを含む材料からなる磁性体７で充填されているので、貫通孔１ａを容易に認識することができる。貫通孔１ａを参照して位置決めを行うことによって、貫通孔１ａに対して正確な相対位置に第２基準孔Ｄ２が形成され得る。第２基準孔Ｄ２は、後工程、例えば、以下に説明される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃの形成工程で位置決めの基準として用いられ得る。

図５Ｆに示されるように、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成される。貫通孔１ｂはスルーホール導体５１（図１参照）が形成されるべき所定の位置、すなわち、貫通孔１ａ内の磁性体７を貫通する位置に形成される。貫通孔１ｃは、スルーホール導体５２（図１参照）が形成されるべき所定の位置に形成される。

貫通孔１ｂ、１ｃは、貫通孔１ａと同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光によるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃいずれの形成においても、第２基準孔Ｄ２が認識され、第２基準孔Ｄ２の位置に基づいて、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃそれぞれを穿孔する位置が決定される。そのため、互いに対して正確な相対位置に貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成され得る。また、第２基準孔Ｄ２に基づいて形成される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃは、それぞれ、貫通孔１ａに対しても、正確な相対位置に形成され得る。

貫通孔１ｂ、１ｃの形成後、好ましくは、貫通孔１ｂ、１ｃ内の樹脂残渣（スミア）が、例えばアルカリ性過マンガン酸塩を含む溶液を用いるデスミア処理によって除去される。さらに、例えばデスミア処理と同様の化学処理によって、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが粗化される。その結果、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有し得る。絶縁層３２及び絶縁層３３と、導体層４１及び導体層４２（図１参照）との良好な密着性が得られると考えられる。

図５Ｇに示されるように、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２が、貫通孔１ｂ内及び貫通孔１ｃ内にそれぞれ形成される。具体的には、下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２が、貫通孔１ｂ、１ｃそれぞれの内壁面に形成される。その結果、それぞれ２層の金属膜からなるスルーホール導体５１及びスルーホール導体５２が形成される。なお、図５Ｇには、図５Ｆに示されるＶＧ部に相当する部分におけるスルーホール導体５１、５２の形成後の状態が示されている。後に参照される図５Ｈ及び図５Ｉにも、図５Ｇに示される部分の各工程における状態が示されている。

下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、それぞれ、絶縁層３２の表面３２ａの上、及び絶縁層３３の表面３３ａの上にも形成されている。絶縁層３２上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４１（図１参照）の一部を構成する。絶縁層３３上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４２（図１参照）の一部を構成する。下層金属膜５０１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜５０２は、例えば下層金属膜５０１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。

図５Ｈに示されるように、スルーホール導体５１の内部が樹脂体６で充填され、スルーホール導体５２の内部が樹脂体６１で充填される。例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂が、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のいずれか又は両方から、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部に注入される。必要に応じて、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが他方から吸引されてもよい。各スルーホール導体の内部に注入された樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、樹脂体６、６１が形成される。図示されていないが、樹脂体６、６１の形成時には、第２基準孔Ｄ２（図５Ｆ参照）が充填されないように第２基準孔Ｄ２がマスキングされてもよい。

必要に応じて、樹脂体６、６１における絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれの端面が、化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。樹脂体６、６１の両端面それぞれと、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの上の上層金属膜５０２の表面とが、好ましくは略面一にされる。

図５Ｉに示されるように、絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。具体的には、スルーホール導体５１及び／又はスルーホール導体５２と一体的に形成されている、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の上層金属膜５０２の上に、下層金属膜４３１が形成される。さらに下層金属膜４３１上に上層金属膜４３２が形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれにおいて、樹脂体６、６１の端面上にも形成される。樹脂体６、６１の両端面が、下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２に覆われる。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２によって、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する、所謂蓋めっきが形成される。

下層金属膜４３１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜４３２は、例えば下層金属膜４３１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。導体層４１、４２は、それぞれ、絶縁層３２、３３上において、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、及び上層金属膜４３２からなる４層構造を有している。

図５Ｊに示されるように、導体層４１及び導体層４２それぞれの上に、導体層４１又は導体層４２が有するべき導体パターンに応じた開口Ｍ１を有するエッチングマスクＭが形成される。なお、図５Ｊ及び以下で参照される図５Ｋでは、図５Ｉに示される、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、金属膜４０として１層で示されている。同様に、絶縁層３２の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４１ａとして、絶縁層３３の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４２ａとして、それぞれ１層で示されている。

開口Ｍ１は、開口Ｍ１に応じた開口を有する露光マスク（図示せず）を用いる露光及び現像によって設けられる。図示されない露光マスクの位置合わせは、好ましくは、第２基準孔Ｄ２を用いて行われる。すなわち、第２基準孔Ｄ２が認識され、第２基準孔Ｄ２の位置に基づいて、エッチングマスクＭとなるレジスト膜を介して、導体層４１、４２の上に露光マスクが位置づけられる。そのため、スルーホール導体５１、５２に対して正確な位置に開口Ｍ１が設けられ得る。導体層４１において導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する部分はエッチングマスクＭで覆われる。同様に、導体層４２において導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する領域は、エッチングマスクＭで覆われる。

図５Ｋに示されるように、導体層４１及び導体層４２がパターニングされる。導体層４１及び導体層４２の不要部分、すなわちエッチングマスクＭの開口Ｍ１（図５Ｊ参照）に露出する部分が、例えばウェットエッチングやドライエッチングによって除去される。その結果、導体層４１に、導体パッド４ａ１、４ｂ１、配線パターン４ｅ、及び導体パターン４ｃ、などの所定の導体パターンが形成される。導体層４２に、導体パッド４ａ２、４ｂ２、及び導体パターン４ｄなどの所定の導体パターンが形成される。

導体層４１及び導体層４２のパターニング後、ルーターなどによって、非製品領域ＮＰが切除される。例えば以上の工程を経ることによって、図１の配線基板１が完成する。

なお、先に参照した図４に例示の配線基板１０は、図５Ｋの状態の配線基板１の一面にビルドアップ層１２を形成すると共に、他面にビルドアップ層１３を形成することによって形成される。ビルドアップ層１２、１３それぞれは、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂若しくはプリプレグなどの積層による絶縁層の形成と、アディティブ法又はサブトラクティブ法などの任意の方法による導体層及びビア導体の形成とを繰り返すことによって形成され得る。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。各スルーホール導体の内部は中空でなくてもよく、各スルーホール導体の内部が樹脂体で充填されていなくてもよい。すなわち、各スルーホール導体はめっき金属などからなる柱状体であってもよい。導体層４１、４２は、金属膜４０だけで構成されていてもよい。すなわち、各スルーホール導体が所謂蓋めっきで覆われていなくてもよい。また、絶縁層３２、３３は、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂそれぞれの全面に形成されずに磁性体７の端面上だけに形成されていてもよい。すなわち、磁性体を貫くスルーホール導体に連結されている導体パッドと磁性体との間だけに絶縁層３２、３３のような絶縁層が介在していてもよい。

１、１０ 配線基板
１ａ 貫通孔（第１貫通孔）
１ｂ 貫通孔（第２貫通孔）
１ｂａ 磁性体を貫く部分の内壁面
１ｂｂ 第２又は第３絶縁層を貫く部分の内壁面
１ｃ 貫通孔（第３貫通孔）
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
２１ 補強材
３２ 絶縁層（第２絶縁層）
３２ａ 表面
３３ 絶縁層（第３絶縁層）
３３ａ 表面
３ａ 樹脂
３ｂ 無機フィラー
４１ 導体層（第１導体層）
４ａ１、４ａ２ 導体パッド（第１導体パッド）
４ｂ１、４ｂ２ 導体パッド（第２導体パッド）
４２ 導体層（第２導体層）
４ｃ、４ｄ 第１導体パッド以外の導体パターン
５１ スルーホール導体（第１スルーホール導体）
５２ スルーホール導体（第２スルーホール導体）
６、６１ 樹脂体
７ 磁性体

Claims (9)

1. 第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有していて第１貫通孔を備える第１絶縁層と、
   前記第１貫通孔を充填する磁性体と、
   前記磁性体を貫く第２貫通孔の内部に形成されている第１スルーホール導体と、
   前記第１面側及び前記第２面側に設けられていて前記第１スルーホール導体と連結されている第１導体パッドと、
   を含む配線基板であって、
   前記配線基板は、さらに、前記第１面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第２絶縁層及び前記第２面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第３絶縁層を含み、
   前記第２貫通孔は前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通しており、
   前記第１導体パッドは前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれの表面に形成されている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、
   前記第２絶縁層の前記表面に形成されている前記第１導体パッド及び前記第１導体パッド以外の導体パターンを含む第１導体層と、
   前記第３絶縁層の前記表面に形成されている前記第１導体パッド及び前記第１導体パッド以外の導体パターンを含む第２導体層と、を含み、
   前記第１導体層の全部が前記第２絶縁層の上に形成されており、
   前記第２導体層の全部が前記第３絶縁層の上に形成されている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記配線基板は、さらに、前記第１スルーホール導体の内部を充填する樹脂体を含んでいる。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれの前記表面が粗化されている。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２貫通孔における前記磁性体を貫く部分の内壁面と前記第２絶縁層又は前記第３絶縁層を貫く部分の内壁面とは略面一である。
6. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１絶縁層は、補強材及び前記補強材に含侵されている樹脂を含み、
   前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、補強材に含侵されていない樹脂によって構成されている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、樹脂及び前記樹脂に添加されている無機フィラーを含み、
   前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層における前記無機フィラーの含有率は、前記第１絶縁層における無機フィラーの含有率よりも高い。
8. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層を貫く第３貫通孔の内部に形成されている第２スルーホール導体を含み、
   前記第２スルーホール導体は前記第３貫通孔の内壁に露出する前記第１絶縁層の上に形成されている。
9. 請求項８記載の配線基板であって、さらに、
   前記第１面側及び前記第２面側に設けられていて前記第２スルーホール導体と連結されている第２導体パッドを含み、
   前記第３貫通孔は前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通しており、
   前記第２導体パッドは前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれの前記表面に形成されている。

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